Изобретения

1. Способ изготовления рабочего элемента устройства для генерации терагерцового излучения, содержащий процесс изготовления заготовки элемента, включающий нанесение на первую поверхность трековой мембраны контактного сплошного медного слоя, нанесение на вторую противоположную поверхность мембраны маски в виде параллельных полосок из диэлектрического материала, гальваническое заполнение пор мембраны на поверхности, которая не закрыта полосками, на части их длины сначала первым металлом или сплавом при применении первого электролита, затем заполнение оставшейся части длины пор вторым металлом или сплавом при применении второго электролита путем смены электролитов с промежуточной выдержкой, гальваническое формирование контактного слоя из чередующихся в соответствии с маской медных полосок на второй поверхности мембраны, нанесение на первую поверхность мембраны полосок из диэлектрического материала, которые располагают перпендикулярно полоскам на второй поверхности мембраны, образование медных контактных полосок путем частичного погружения мембраны первой стороной в растворитель, что обеспечивает образование медных контактных полосок на первой стороне мембраны в результате вытравливания меди с областей сплошной медной поверхности, которая не покрыта полосками из диэлектрического материала, отличающийся тем, что первоначально заполняют поры на 15-30% их длины первым металлом или сплавом, в качестве которого применяют Ni или FeNi, для чего используют первый электролит, а затем продолжают заполнение пор еще на 15-30% их длины вторым металлом или сплавом, в качестве которого применяют Со или FeCo, для чего используют второй электролит, причем гальваническое заполнение пор вторым металлом или сплавом начинают через 5-10 минут после окончания заполнения пор первым металлом или сплавом, по завершении этой операции проводят гальваническое осаждение меди в поры, при этом медь первоначально заполняет поры до конца их длины, а затем как продолжение роста слоя меди в порах осаждается на поверхности мембраны, что приводит к формированию со второй стороны мембраны контактных медных полосок, расположенных в соответствии с первоначально нанесенной маской, затем изготавливают рабочий элемент из полученной заготовки в форме ленты путем вырезания под углом 45° к направлению полосок, ширину медных полосок и промежутков между ними на обеих поверхностях мембраны, а также ширину и длину рабочего элемента выбирают экспериментально в соответствии с требуемым электрическим сопротивлением элемента.

"1. Способ тестирования фармакологических веществ на ингибирование ПАРП человека, включающий: 1) приготовление в многолуночных пластиковых планшетах культур клеток, содержащих ПАРП человека; 2) необратимую пермеабилизацию клеток в результате обработки клеток агентами, вызывающими формирование пор во внешней плазматической мембране; 3) обработку пермеабилизованных клеток ДНК-повреждающими агентами, способствующими формированию комплекса ПАРП-ДНК; 4) преинкубацию пермеабилизованных клеток с тестируемым фармакологическим веществом; 5) инкубацию пермеабилизованных клеток в реакционной смеси, содержащей тестируемое фармакологическое вещество и субстрат ПАРП - никотинамидадениндинуклеотид (НАД) или синтетическое производное НАД+; 6) количественный анализ продуктов реакции поли(АДФ-рибозил)ирования, определение остаточной активности ПАРП (Аост), при Аост ≤ 75% делают вывод о наличии у тестируемого фармакологического вещества ПАРП-ингибиторной активности. 2. Способ тестирования по п. 1, отличающий тем, что в качестве культур клеток используют культуры адгезированных клеток, содержащих ПАРП человека. 3. Способ тестирования по п. 2, отличающийся тем, что в качестве культур клеток используют культуры клеток человека, полученные из различных тканей, либо клетки постоянных линий человека. 4. Способ тестирования по пп. 1-3, отличающийся тем, что для пермеабилизации клеток используют инкубацию клеток в гипотонической среде, содержащей вещества сапонины, в частности дигитонин, в конечных концентрациях, обеспечивающих эффективное удаление холестерина из внешней плазматической мембраны. 5. Способ тестирования по пп. 1-4, отличающийся от тем, что в качестве ДПК-повреждающих агентов используют химические вещества или комбинацию химических веществ, генерирующих активные формы кислорода. 6. Способ тестирования по п. 5, отличающийся тем, что в качестве химических веществ, повреждающих ДНК, используют комбинацию гидропероксида водорода (H2O2), аскорбиновой кислоты и соли железа в конечных концентрациях, обеспечивающих эффективное формирование множественных повреждений ДНК, распознаваемых ПАРП. 7. Способ тестирования по пп. 1-6, отличающийся тем, что количественный анализ продукта реакции - поли(АДФ-рибозы), проводят с использованием иммунофлуоресцентного или иммунохемилюминисцентного анализов. 8. Способ тестирования по п. 7, отличающийся тем, что количественный анализ интенсивности флуоресценции проводят с помощью планшетного анализатора или с помощью флуоресцентного микроскопа."

"1. Способ получения керамических пластин из оксида галлия на подложке в установке, содержащей плазмотрон, отличающийся тем, что в качестве исходного материала для образования пластины оксида галлия на подложке используют микропорошок β-Ga2O3, который подают в плазмотрон с самоустанавливающейся длиной дуги, вихревой стабилизацией и расширяющимся газоразрядным трактом, находящийся в открытой атмосфере и работающий в режиме постоянного тока, для продувки плазмотрона применяют аргон и (или) азот, продукт взаимодействия плазмы и микропорошка β-Ga2O3 направляют на плоскую подложку, установленную в конце дуги плазмотрона нормально потоку таза, а после выключения плазмотрона и остывания всех частей установки отделяют керамическую пластину β-Ga2O3 от подложки механически. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что размер частиц микропорошка β-Ga2O3 составляет 5÷50 мкм. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что скорости подачи в плазматорон транспортирующего микропорошок и плазмообразующего газа 0.18÷0.22 г с-1 и 1.4÷1.6 г с-1, соответственно, состав газа - смесь аргона и азота (0.7Ar+0.3N2 по весу), сила тока дуги 240-250 А. 4. Способ по п. 1 отличающийся тем, что подачу микропорошка в плазматрон осуществляют на расстоянии 50-70 мм от сопла плазматрона, а подложку размещают на расстоянии 50-70 мм от сопла плазматрона."

"Способ травления полупроводниковых слоев, основанный на жидкостном травлении с созданием опорной плоскости, включающий в себя неселективное травление рабочего рисунка в основной части структуры с остановкой травления заблаговременно до нужного слоя, селективное травление до стопорного слоя области в виде полосы рядом с рабочим рисунком и формирование опорной плоскости за счет нанесения тонкого слоя диэлектрика на поверхность стопорного слоя, окончательное неселективное травление рабочего рисунка с небольшим заглублением в нужный слой с контролем глубины травления с помощью измерения высоты ступени между слоем диэлектрика и поверхностью вытравленной основной части структуры.

Способ создания магнитного монослойного металла, заключающийся в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии путем осаждения атомов металлов на предварительно очищенную поверхность подложки кремния Si(111) формируют пленку материала, отличающийся тем, что ее формирование производят путем открытия заслонок ячеек Gd и Al, запускающего осаждение атомов Gd и Al при давлении потока атомов Gd PGd=(0,3÷10)⋅10-8 торр и давлении потока атомов Al, обеспечивающего отношение реальных потоков атомов Gd (ФGd) и Al (ФAl) в диапазоне 1≤ФGd/ФAl≤1,1, на подложку, поддерживаемую при температуре 400°С<Ts<450°С в течение времени, необходимого для формирования одного монослоя GdAlSi, после чего заслонки ячеек Gd и Al закрывают и гетероструктуру охлаждают до комнатной температуры.

"1. Гибкий мемристор кроссбар-структуры на основе поли-n-ксилилена, представляющий собой структуру, которая содержит в качестве основы поли-хлор-пара-ксилилен с толщиной слоя 1-20 мкм, в качестве нижнего электрода, расположенного в верхней части основы, двухслойную металлическую пленку, выбранную из хром/золота, с толщиной слоя от 10 нм/100 нм до 30 нм/700 нм, в качестве верхнего электрода металлическую пленку, выполненную из меди, с толщиной слоя 200-500 нм, а в качестве диэлектрического слоя поли-n-ксилилен с толщиной слоя 100-300 нм, при этом диэлектрический слой расположен между нижним и верхним электродами. 2. Гибкий мемристор по п. 1, отличающийся тем, что нижние и верхние электроды расположены перпендикулярно по отношению друг к другу. 3. Способ изготовления механически гибкого мемристора кроссбар-структуры на основе поли-n-ксилилена по п. 1, включающий нанесение на подложку поли-хлор-пара-ксилилена с толщиной слоя 1-20 мкм, который служит основой гибкого мемристора, формирование на верхней части основы нижнего электрода из двухслойной металлической пленки, выполненной из хром/золота методом оптической литографии и напыления, с толщиной слоя 10 нм/100 нм до 30 нм/700 нм, осаждение диэлектрического слоя из поли-n-ксилилена с толщиной слоя от 100-300 нм, выступающего в качестве диэлектрической части, нанесение на верхнюю часть диэлектрического слоя верхнего электрода, выполненного из меди, с толщиной слоя 200-500 нм через теневую маску и извлечение структуры с подложки для получения механически гибкого мемристора кроссбар-структуры. 4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что в качестве подложки используется стекло или SiO/Si."

"1. Термоэлектрический генератор, состоящий из термоэлектрических элементов и радиаторов охлаждения, прижатых к охлаждаемой стороне термоэлектрических элементов, отличающийся тем, что термоэлектрические элементы расположены симметрично относительно центральной оси устройства на внешней цилиндрической поверхности аксиального распределителя тепла, представляющего собой полый цилиндрический диск, имеющий центральное сквозное отверстие с диаметром существенно меньшим, чем внешний диаметр самого диска, при этом в центральное отверстие вставлен элемент беспламенного горения, представляющий собой цилиндрическую камеру, имеющую с торцов сеточные ограничители, пространство между которыми заполнено керамической насадкой, в которую со стороны подачи воздуха входит патрубок подачи топлива, а также калильный элемент поджига. 2. Термоэлектрический генератор по п. 1, отличающийся тем, что керамическая насадка выполнена из пористого корунда или муллита. 3. Термоэлектрический генератор по пп. 1, 2, отличающийся тем, что керамическая насадка может быть выполнена с каталитическим покрытием."

"1. Сердечный каркас для пассивной поддержки миокарда, отличающийся тем, что выполнен в виде монолитной оболочки, форма которой соответствует внешней поверхности миокарда, оболочка получена посредством литья или напыления и состоит из сегментов, которые получены путем удаления материала оболочки с образованием полостей, а сегменты включают сквозные каналы, в которых перпендикулярно боковой поверхности сегментов размещены эластичные нити, выполненные с возможностью задания локальной жесткости в областях каркаса. 2. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что количество сегментов сердечного каркаса равно по меньше мере трем. 3. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что каждый сегмент имеет по меньшей мере по три сквозных канала. 4. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что монолитная оболочка выполнена многослойной. 5. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что сегменты и эластичные нити выполнены многослойными. 6. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что полости представляют собой прорези в форме квадрата, ромба, эллипса, круга, прямоугольника, причем острые углы сглажены закруглением. 7. Сердечный каркас по п. 6, отличающийся тем, что полости получены насечками. 8. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что эластичные нити имеют сгущения и разряжения в направлении к центру сетки и от центра сетки по радиусу. 9. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что прорези нанесены на сегменты со сгущением и разряжением."

"1. Способ контроля объемного распределения носителей заряда и деформаций в кристаллах, включающий облучение кристалла, установленного на гониометрической системе с возможностью вращения, рентгеновским излучением с одновременным воздействием на кристалл электрическим полем, отличающийся тем, что исследуемый кристалл устанавливают на гониометрической системе в дифракционное положение в геометрии дифракции «на просвет» и облучают пучком рентгеновского излучения, полученным посредством отражения от асимметричного кристаллического монохроматора и сопоставимым по размеру с поперечным сечением исследуемого кристалла, при этом воздействуют на исследуемый кристалл внешним электрическим полем, одновременно регистрируя серию изображений при каждом угловом положении кристалла при помощи двухкоординатного детектора и записывая получаемые двумерные изображения интенсивности излучения с последующим изменением величины напряженности внешнего электрического поля и повторением регистрации серии изображений, далее на основании полученных изображений формируют пятимерный массив данных, включающий данные о рентгеновской интенсивности, угловой отстройке исследуемого кристалла от максимума дифракционного отражения, вертикальной и горизонтальной пространственных координатах, а также напряженности электрического поля, после чего на основании полученного массива создают карты пространственного распределения параметров кривой дифракционного отражения, что позволяет определить зависимость изменения указанных параметров от величины напряженности внешнего электрического поля, выявить пространственное распределение электроиндуцированных деформаций, их величину, а также анизотропию перераспределения носителей заряда. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что рентгеновское излучение получено от источника, в качестве которого используют рентгеновскую трубку с длиной волны характеристической и тормозной части спектра излучения в диапазоне длин волн 0.02-0.4 нм. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве асимметричного кристаллического монохроматора рентгеновского излучения используют высокосовершенный монокристалл кремния с отражением 440, вырезанный асимметрично с коэффициентом асимметрии 0,025, уширяющий сечение предварительно сколлимированного пучка рентгеновского излучения в 40 раз. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что двухкоординатный детектор представляет собой полупроводниковый детектор с матрицей из теллурида кадмия (CdTe) с размером пикселя 55 мкм. 5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что воздействие на кристалл осуществляется электрическим полем с напряженностью в диапазоне до 5 кВ."

Устройство организации автономного электроснабжения компрессорной станции магистрального газопровода с одновременным производством водорода в периоды провала нагрузки электроприводных газоперекачивающих агрегатов и подмешиванием наработанного водорода в газ, перекачиваемый по магистральному газопроводу, а также возможностью использования накопленного водорода в качестве топлива для временного резервного электроснабжения самой компрессорной станции. Техническим результатом, на который направлено предлагаемое техническое решение, является создание системы энергообеспечения компрессорной станции, расположенной без возможности подключения к электросетям необходимой мощности, включающей: систему производства и распределения электроэнергии, систему производства и хранения водорода и кислорода, инжектор для подмешивания водорода в магистральный газ и, фактически, получения на выходе компрессорной станции смеси природного газа и водорода, энергоустановку для резервного питания компрессорной станции, вырабатывающую электроэнергию из накопленных водорода и кислорода. Для достижения указанного технического результата предлагается система автономного электроснабжения компрессорной станции магистрального газопровода, содержащая устройство производства электроэнергии, соединенное токопроводящей линией с распределителем электроэнергии, который параллельно соединен токопроводящими линиями с двумя электротрансформаторами, один из которых последовательно соединен с переключателем электропитания, электроприводным газоперекачивающим агрегатом, установленным на магистральном трубопроводе газа, другой - с электролизной установкой производства водорода, соединенной трубопроводами через систему водоподготовки с источником воды, отдельными газопроводами с компрессором водорода и компрессором кислорода, которые соединены с емкостями хранения водорода и кислорода соответственно, при этом электролизная установка содержит отдельный трубопровод сброса кислорода, емкости хранения водорода и кислорода соединены с электрохимическим генератором или газотурбинной установкой производства электроэнергии, соединенным трубопроводом с системой водоподготовки, а токопроводящей линией через электрогенератор с переключателем электропитания, емкость хранения водорода соединена газопроводом с инжектором водорода, расположенным на магистральном газопроводе. 1 ил.