Изобретение относится к способам формирования функциональных тонкопленочных слоев, а именно тонких пленок металлических магнитных материалов, использующихся при создании сверхкомпактных спинтронных устройств. Способ заключается в следующем. На предварительно очищенной поверхности подложки кремния Si(111) формируют пленку GdAlSi. Формирование осуществляется путем осаждения атомов Gd и Al при давлении PGd=(0,3÷10)⋅10-8 торр потока атомов Gd и давлении потока атомов Al, обеспечивающего отношение реальных потоков атомов Gd (ФGd) и Al (ФAl) в диапазоне 1≤ФGd/ФAl≤1,1, на подложку, поддерживаемую при температуре 400°С<Ts<450°С в течение времени, необходимого для формирования одного монослоя GdAlSi. Техническим результатом изобретения является получение магнитного материала толщиной в один монослой с металлической проводимостью и характерными для металлов удельным сопротивлением и концентрацией носителей заряда. Для его достижения предложен способ создания магнитного монослойного металла.