Изобретение относится к технологии жидкостного травления полупроводниковых слоев, составляющих полупроводниковую структуру. Способ травления согласно изобретению заключается в следующем. Сначала в вертикальной полупроводниковой структуре большой толщины по фоторезистивной маске проводится неселективное жидкостное травление рабочего рисунка топологии в травителе с большой скоростью травления. Травление останавливается заблаговременно до нужного слоя. Затем в вытравленной области формируется опорная плоскость в виде полосы, лежащая на поверхности стопорного слоя параллельно границе вытравленной области. Рисунок полосы формируется через фоторезистивную маску селективным травителем с низкой скоростью травления. На сформированный рисунок наносится слой диэлектрика, устойчивый к селективному травителю и служащий опорной плоскостью для последующих операций травления. Окончательное травление рабочего рисунка до нужного слоя проводится по фоторезистивной маске в неселективном травителе с низкой скоростью травления. Полученную глубину травления контролируют, измеряя высоту ступени между слоем диэлектрика и поверхностью вытравленной основной части структуры. Для надежного и воспроизводимого травления до нужного слоя глубина травления рассчитывается таким образом, чтобы обеспечить небольшое заглубление в этот слой. Техническим результатом изобретения является воспроизводимая и легко контролируемая на каждом этапе технология травления вертикальных полупроводниковых структур, позволяющая сформировать необходимый профиль травления в условиях, если слой, на котором необходимо остановить травление, располагается выше стопорного слоя и тонкий по сравнению с глубиной травления.