Изобретение относится к области исследования материалов рентгенодифракционными способами. Способ контроля объемного распределения носителей заряда и деформаций в кристаллах включает облучение кристалла, установленного в дифракционное положение в геометрии дифракции «на просвет» на гониометрической системе с возможностью вращения, рентгеновским излучением, полученным посредством отражения от асимметричного кристаллического монохроматора, с одновременным воздействием на кристалл электрическим полем. Регистрация серий двумерных изображений интенсивности излучения при каждом угловом положении кристалла двухкоординатным детектором с изменением величины напряженности внешнего электрического поля и повторением регистрации серии изображений. По данным создают карты пространственного распределения параметров кривой дифракционного отражения, и определяется зависимость изменения указанных параметров от величины напряженности внешнего электрического поля, и получают пространственное распределение электроиндуцированных деформаций, их величину, а также анизотропию перераспределения носителей заряда. Технический результат - повышение информативности исследования объемного распределения носителей заряда и деформаций и их визуализация. 4 з.п. ф-лы, 5 ил.