Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к технологии изготовления гибкой мемристивной кроссбар-структуры на основе поли-n-ксилилена, элементы которой демонстрируют синаптические свойства. Предложен гибкий мемристор кроссбар-структуры на основе поли-n-ксилилена, представляющий собой структуру, которая содержит в качестве основы поли-хлор-пара-ксилилен с толщиной слоя 1-20 мкм, в качестве нижнего электрода, расположенного в верхней части основы, двухслойную металлическую пленку, выбранную из хром/золота, с толщиной слоя от 10 нм/100 нм до 30 нм/700 нм, в качестве верхнего электрода металлическую пленку, выполненную из меди, с толщиной слоя 200-500 нм, а в качестве диэлектрического слоя поли-n-ксилилен с толщиной слоя 100-300 нм, при этом диэлектрический слой расположен между нижним и верхним электродами. Также предложен способ изготовления механически гибкого мемристора кроссбар-структуры на основе поли-n-ксилилена. Технический результат - создание механически гибких мемристоров на основе поли-n-ксилилена, способных демонстрировать циклические резистивные переключения при разных радиусах изгиба с сохранением не менее 9 резистивных состояний длительностью не менее 300 секунд.