|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
531
|
Патент 2770751
|
Изобретение относится к оптической диагностической технике. Способ одновременной теневой хронографической регистрации ударно-волновых и плазменных процессов включает генерацию импульсного лазерного излучения с активным элементом из монокристалла ортоалюмината иттрия с неодимом, при этом излучение поступает в вакуумную камеру через диагностические окна перпендикулярно к оси диода, просвечивая образец с отполированными боковыми гранями и диодный зазор, с дальнейшим разделением лазерного излучения, попавшего в объектив, снабженный щелевой диафрагмой, светоделительным зеркалом, для одновременного попадания на щель быстрого и медленного электронно-оптических преобразователей, работающих в хронографическом режиме, с дальнейшим построением изображений на экране электронно-оптических преобразователей и фотофиксацией этих изображений, при этом лазерное излучение после прохождения диафрагмы пропускается через, по меньшей мере, один зеленый или интерференционный светофильтр. Технический результат – хронографическая визуализация ударно-волновых и плазменных процессов, возникающих в процессе воздействия сильноточного электронного пучка на исследуемый образец. 2 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к оптической диагностической технике. Способ одновременной теневой хронографической регистрации ударно-волновых и плазменных процессов включает генерацию импульсного лазерного излучения с активным элементом из монокристалла ортоалюмината иттрия с неодимом, при этом излучение поступает в вакуумную камеру через диагностические окна перпендикулярно к оси диода, просвечивая образец с отполированными боковыми гранями и диодный зазор, с дальнейшим разделением лазерного излучения, попавшего в объектив, снабженный щелевой диафрагмой, светоделительным зеркалом, для одновременного попадания на щель быстрого и медленного электронно-оптических преобразователей, работающих в хронографическом режиме, с дальнейшим построением изображений на экране электронно-оптических преобразователей и фотофиксацией этих изображений, при этом лазерное излучение после прохождения диафрагмы пропускается через, по меньшей мере, один зеленый или интерференционный светофильтр. Технический результат – хронографическая визуализация ударно-волновых и плазменных процессов, возникающих в процессе воздействия сильноточного электронного пучка на исследуемый образец. 2 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Изобретение относится к оптической диагностической технике. Способ одновременной теневой хронографической регистрации ударно-волновых и плазменных процессов включает генерацию импульсного лазерного излучения с активным элементом из монокристалла ортоалюмината иттрия с неодимом, при этом излучение поступает в вакуумную камеру через диагностические окна перпендикулярно к оси диода, просвечивая образец с отполированными боковыми гранями и диодный зазор, с дальнейшим разделением лазерного излучения, попавшего в объектив, снабженный щелевой диафрагмой, светоделительным зеркалом, для одновременного попадания на щель быстрого и медленного электронно-оптических преобразователей, работающих в хронографическом режиме, с дальнейшим построением изображений на экране электронно-оптических преобразователей и фотофиксацией этих изображений, при этом лазерное излучение после прохождения диафрагмы пропускается через, по меньшей мере, один зеленый или интерференционный светофильтр. Технический результат – хронографическая визуализация ударно-волновых и плазменных процессов, возникающих в процессе воздействия сильноточного электронного пучка на исследуемый образец. 2 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к оптической диагностической технике. Способ одновременной теневой хронографической регистрации ударно-волновых и плазменных процессов включает генерацию импульсного лазерного излучения с активным элементом из монокристалла ортоалюмината иттрия с неодимом, при этом излучение поступает в вакуумную камеру через диагностические окна перпендикулярно к оси диода, просвечивая образец с отполированными боковыми гранями и диодный зазор, с дальнейшим разделением лазерного излучения, попавшего в объектив, снабженный щелевой диафрагмой, светоделительным зеркалом, для одновременного попадания на щель быстрого и медленного электронно-оптических преобразователей, работающих в хронографическом режиме, с дальнейшим построением изображений на экране электронно-оптических преобразователей и фотофиксацией этих изображений, при этом лазерное излучение после прохождения диафрагмы пропускается через, по меньшей мере, один зеленый или интерференционный светофильтр. Технический результат – хронографическая визуализация ударно-волновых и плазменных процессов, возникающих в процессе воздействия сильноточного электронного пучка на исследуемый образец. 2 ил.
|
||
|
532
|
2852600
|
Изобретение относится к области энергетики и электрохимии, а более конкретно к химическим источникам тока с прямым преобразованием химической энергии окисления в электрическую, а именно к топливному элементу прямого электрохимического окисления, и может найти применение в качестве источника электроэнергии в мобильных автономных электрогенерирующих установках. Согласно изобретению, батарея прямого диметилэфирного топливного элемента включает торцевые плиты и последовательно расположенные короткие сборки фосфорнокислого топливного элемента, между которыми вставлены каталитические пластины, имеющие подвод воды и исходного топлива в виде диметилового эфира. Каталитическая пластина выполнена с не менее чем двумя внутренними полостями, соединенными между собой, по меньшей мере, одним каналом для прохождения по нему газовой реакционной смеси. Внутренние полости каталитической пластины заполнены катализатором, обеспечивающим паровую конверсию диметилового эфира в водородсодержащий газ, с последующим его направлением во внутренний канал батареи для подачи к единичным топливным элементам. Технический результат состоит в создании сравнительно простой по конструкции, технологичной и эффективной (обладающей высокой удельной производительностью) батареи топливного элемента, а также в достижении высокой удельной производительности. 4 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области энергетики и электрохимии, а более конкретно к химическим источникам тока с прямым преобразованием химической энергии окисления в электрическую, а именно к топливному элементу прямого электрохимического окисления, и может найти применение в качестве источника электроэнергии в мобильных автономных электрогенерирующих установках. Согласно изобретению, батарея прямого диметилэфирного топливного элемента включает торцевые плиты и последовательно расположенные короткие сборки фосфорнокислого топливного элемента, между которыми вставлены каталитические пластины, имеющие подвод воды и исходного топлива в виде диметилового эфира. Каталитическая пластина выполнена с не менее чем двумя внутренними полостями, соединенными между собой, по меньшей мере, одним каналом для прохождения по нему газовой реакционной смеси. Внутренние полости каталитической пластины заполнены катализатором, обеспечивающим паровую конверсию диметилового эфира в водородсодержащий газ, с последующим его направлением во внутренний канал батареи для подачи к единичным топливным элементам. Технический результат состоит в создании сравнительно простой по конструкции, технологичной и эффективной (обладающей высокой удельной производительностью) батареи топливного элемента, а также в достижении высокой удельной производительности. 4 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Батарея прямого диметилэфирного топливного элемента, включающая торцевые плиты и последовательно расположенные короткие сборки фосфорнокислого топливного элемента, между которыми вставлены идентичные друг другу каталитические пластины, имеющие подвод воды и исходного топлива в виде диметилового эфира, причем каждая каталитическая пластина выполнена с не менее чем двумя внутренними полостями, соединенными между собой, по меньшей мере, одним каналом для прохождения по нему газовой реакционной смеси, при этом внутренние полости каталитической пластины заполнены катализатором, обеспечивающим паровую конверсию диметилового эфира в водородсодержащий газ, с последующим его направлением во внутренний канал батареи для подачи к ячейкам топливного элемента.
Основное назначение
Батарея прямого диметилэфирного топливного элемента, включающая торцевые плиты и последовательно расположенные короткие сборки фосфорнокислого топливного элемента, между которыми вставлены идентичные друг другу каталитические пластины, имеющие подвод воды и исходного топлива в виде диметилового эфира, причем каждая каталитическая пластина выполнена с не менее чем двумя внутренними полостями, соединенными между собой, по меньшей мере, одним каналом для прохождения по нему газовой реакционной смеси, при этом внутренние полости каталитической пластины заполнены катализатором, обеспечивающим паровую конверсию диметилового эфира в водородсодержащий газ, с последующим его направлением во внутренний канал батареи для подачи к ячейкам топливного элемента.
|
||
|
533
|
2851141
|
Изобретение относится к области квантовых технологий, к способу создания рабочего элемента для генераторов терагерцового излучения. Способ изготовления рабочего элемента устройства для генерации терагерцового излучения отличается от известного способа тем, что поры первоначально заполняют на 15-30% их длины первым металлом или сплавом, Ni или FeNi, используя первый электролит, а затем продолжают заполнение пор еще на 15-30% их длины вторым металлом или сплавом, Со или FeCo, используя второй электролит. Гальваническое заполнение пор вторым металлом или сплавом начинают через 5-10 минут после окончания заполнения пор первым металлом или сплавом, далее гальванически осаждают медь в поры. Медь первоначально заполняет поры до конца их длины, а далее осаждается на поверхности мембраны, формируя со второй стороны мембраны контактные медные полоски, соответствующие первоначально нанесенной маске, изготавливают рабочий элемент из полученной заготовки в форме ленты путем вырезания под углом 45° к направлению полосок, габаритные характеристики выбирают экспериментально в соответствии с требуемым электрическим сопротивлением элемента. Технический результат – повышение электрического сопротивления. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области квантовых технологий, к способу создания рабочего элемента для генераторов терагерцового излучения. Способ изготовления рабочего элемента устройства для генерации терагерцового излучения отличается от известного способа тем, что поры первоначально заполняют на 15-30% их длины первым металлом или сплавом, Ni или FeNi, используя первый электролит, а затем продолжают заполнение пор еще на 15-30% их длины вторым металлом или сплавом, Со или FeCo, используя второй электролит. Гальваническое заполнение пор вторым металлом или сплавом начинают через 5-10 минут после окончания заполнения пор первым металлом или сплавом, далее гальванически осаждают медь в поры. Медь первоначально заполняет поры до конца их длины, а далее осаждается на поверхности мембраны, формируя со второй стороны мембраны контактные медные полоски, соответствующие первоначально нанесенной маске, изготавливают рабочий элемент из полученной заготовки в форме ленты путем вырезания под углом 45° к направлению полосок, габаритные характеристики выбирают экспериментально в соответствии с требуемым электрическим сопротивлением элемента. Технический результат – повышение электрического сопротивления. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ изготовления рабочего элемента устройства для генерации терагерцового излучения, содержащий процесс изготовления заготовки элемента, включающий нанесение на первую поверхность трековой мембраны контактного сплошного медного слоя, нанесение на вторую противоположную поверхность мембраны маски в виде параллельных полосок из диэлектрического материала, гальваническое заполнение пор мембраны на поверхности, которая не закрыта полосками, на части их длины сначала первым металлом или сплавом при применении первого электролита, затем заполнение оставшейся части длины пор вторым металлом или сплавом при применении второго электролита путем смены электролитов с промежуточной выдержкой, гальваническое формирование контактного слоя из чередующихся в соответствии с маской медных полосок на второй поверхности мембраны, нанесение на первую поверхность мембраны полосок из диэлектрического материала, которые располагают перпендикулярно полоскам на второй поверхности мембраны, образование медных контактных полосок путем частичного погружения мембраны первой стороной в растворитель, что обеспечивает образование медных контактных полосок на первой стороне мембраны в результате вытравливания меди с областей сплошной медной поверхности, которая не покрыта полосками из диэлектрического материала, отличающийся тем, что первоначально заполняют поры на 15-30% их длины первым металлом или сплавом, в качестве которого применяют Ni или FeNi, для чего используют первый электролит, а затем продолжают заполнение пор еще на 15-30% их длины вторым металлом или сплавом, в качестве которого применяют Со или FeCo, для чего используют второй электролит, причем гальваническое заполнение пор вторым металлом или сплавом начинают через 5-10 минут после окончания заполнения пор первым металлом или сплавом, по завершении этой операции проводят гальваническое осаждение меди в поры, при этом медь первоначально заполняет поры до конца их длины, а затем как продолжение роста слоя меди в порах осаждается на поверхности мембраны, что приводит к формированию со второй стороны мембраны контактных медных полосок, расположенных в соответствии с первоначально нанесенной маской, затем изготавливают рабочий элемент из полученной заготовки в форме ленты путем вырезания под углом 45° к направлению полосок, ширину медных полосок и промежутков между ними на обеих поверхностях мембраны, а также ширину и длину рабочего элемента выбирают экспериментально в соответствии с требуемым электрическим сопротивлением элемента.
Основное назначение
1. Способ изготовления рабочего элемента устройства для генерации терагерцового излучения, содержащий процесс изготовления заготовки элемента, включающий нанесение на первую поверхность трековой мембраны контактного сплошного медного слоя, нанесение на вторую противоположную поверхность мембраны маски в виде параллельных полосок из диэлектрического материала, гальваническое заполнение пор мембраны на поверхности, которая не закрыта полосками, на части их длины сначала первым металлом или сплавом при применении первого электролита, затем заполнение оставшейся части длины пор вторым металлом или сплавом при применении второго электролита путем смены электролитов с промежуточной выдержкой, гальваническое формирование контактного слоя из чередующихся в соответствии с маской медных полосок на второй поверхности мембраны, нанесение на первую поверхность мембраны полосок из диэлектрического материала, которые располагают перпендикулярно полоскам на второй поверхности мембраны, образование медных контактных полосок путем частичного погружения мембраны первой стороной в растворитель, что обеспечивает образование медных контактных полосок на первой стороне мембраны в результате вытравливания меди с областей сплошной медной поверхности, которая не покрыта полосками из диэлектрического материала, отличающийся тем, что первоначально заполняют поры на 15-30% их длины первым металлом или сплавом, в качестве которого применяют Ni или FeNi, для чего используют первый электролит, а затем продолжают заполнение пор еще на 15-30% их длины вторым металлом или сплавом, в качестве которого применяют Со или FeCo, для чего используют второй электролит, причем гальваническое заполнение пор вторым металлом или сплавом начинают через 5-10 минут после окончания заполнения пор первым металлом или сплавом, по завершении этой операции проводят гальваническое осаждение меди в поры, при этом медь первоначально заполняет поры до конца их длины, а затем как продолжение роста слоя меди в порах осаждается на поверхности мембраны, что приводит к формированию со второй стороны мембраны контактных медных полосок, расположенных в соответствии с первоначально нанесенной маской, затем изготавливают рабочий элемент из полученной заготовки в форме ленты путем вырезания под углом 45° к направлению полосок, ширину медных полосок и промежутков между ними на обеих поверхностях мембраны, а также ширину и длину рабочего элемента выбирают экспериментально в соответствии с требуемым электрическим сопротивлением элемента.
|
||
|
534
|
2846641
|
"Изобретение относится к области биохимии, клеточной биологии, фармакологии, медицины, и касается разработки способа тестирования фармакологических веществ на ингибирование ими фермента поли(АДФ-рибоза)-полимеразы (ПАРП), являющегося мишенью для противораковой терапии и рассматриваемого в качестве перспективной мишени для лечения сердечно-сосудистых, неврологических, нейродегенеративных, инфекционных, иммунных, легочных, эндокринных и других заболеваний. Способ включает: приготовление в многолуночных пластиковых планшетах культур клеток, содержащих ПАРП человека; необратимую пермеабилизацию клеток в результате обработки клеток агентами, вызывающими формирование пор во внешней плазматической мембране; обработку пермеабилизованных клеток ДНК-повреждающими агентами, способствующими формированию комплекса ПАРП-ДНК; преинкубацию пермеабилизованных клеток с тестируемым фармакологическим веществом; инкубацию пермеабилизованных клеток в реакционной смеси, содержащей тестируемое фармакологическое вещество и субстрат ПАРП - никотинамидадениндинуклеотид (НАД) или синтетическое производное НАД+; количественный анализ продуктов реакции поли(АДФ-рибозил)ирования, определение остаточной активности ПАРП (Аост). При Аост ≤ 75% делают вывод о наличии у тестируемого фармакологического вещества ПАРП-ингибиторной активности. Способ обеспечивает высокую чувствительность метода, низкую вариабельность показателей активности ПАРП между независимыми образцами (сестринскими культурами) в одном эксперименте и хорошую воспроизводимость результатов. 7 з.п. ф-лы, 3 ил., 4 пр.
"
Основное назначение
"Изобретение относится к области биохимии, клеточной биологии, фармакологии, медицины, и касается разработки способа тестирования фармакологических веществ на ингибирование ими фермента поли(АДФ-рибоза)-полимеразы (ПАРП), являющегося мишенью для противораковой терапии и рассматриваемого в качестве перспективной мишени для лечения сердечно-сосудистых, неврологических, нейродегенеративных, инфекционных, иммунных, легочных, эндокринных и других заболеваний. Способ включает: приготовление в многолуночных пластиковых планшетах культур клеток, содержащих ПАРП человека; необратимую пермеабилизацию клеток в результате обработки клеток агентами, вызывающими формирование пор во внешней плазматической мембране; обработку пермеабилизованных клеток ДНК-повреждающими агентами, способствующими формированию комплекса ПАРП-ДНК; преинкубацию пермеабилизованных клеток с тестируемым фармакологическим веществом; инкубацию пермеабилизованных клеток в реакционной смеси, содержащей тестируемое фармакологическое вещество и субстрат ПАРП - никотинамидадениндинуклеотид (НАД) или синтетическое производное НАД+; количественный анализ продуктов реакции поли(АДФ-рибозил)ирования, определение остаточной активности ПАРП (Аост). При Аост ≤ 75% делают вывод о наличии у тестируемого фармакологического вещества ПАРП-ингибиторной активности. Способ обеспечивает высокую чувствительность метода, низкую вариабельность показателей активности ПАРП между независимыми образцами (сестринскими культурами) в одном эксперименте и хорошую воспроизводимость результатов. 7 з.п. ф-лы, 3 ил., 4 пр.
"
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
"1. Способ тестирования фармакологических веществ на ингибирование ПАРП человека, включающий: 1) приготовление в многолуночных пластиковых планшетах культур клеток, содержащих ПАРП человека; 2) необратимую пермеабилизацию клеток в результате обработки клеток агентами, вызывающими формирование пор во внешней плазматической мембране; 3) обработку пермеабилизованных клеток ДНК-повреждающими агентами, способствующими формированию комплекса ПАРП-ДНК; 4) преинкубацию пермеабилизованных клеток с тестируемым фармакологическим веществом; 5) инкубацию пермеабилизованных клеток в реакционной смеси, содержащей тестируемое фармакологическое вещество и субстрат ПАРП - никотинамидадениндинуклеотид (НАД) или синтетическое производное НАД+; 6) количественный анализ продуктов реакции поли(АДФ-рибозил)ирования, определение остаточной активности ПАРП (Аост), при Аост ≤ 75% делают вывод о наличии у тестируемого фармакологического вещества ПАРП-ингибиторной активности.
2. Способ тестирования по п. 1, отличающий тем, что в качестве культур клеток используют культуры адгезированных клеток, содержащих ПАРП человека.
3. Способ тестирования по п. 2, отличающийся тем, что в качестве культур клеток используют культуры клеток человека, полученные из различных тканей, либо клетки постоянных линий человека.
4. Способ тестирования по пп. 1-3, отличающийся тем, что для пермеабилизации клеток используют инкубацию клеток в гипотонической среде, содержащей вещества сапонины, в частности дигитонин, в конечных концентрациях, обеспечивающих эффективное удаление холестерина из внешней плазматической мембраны.
5. Способ тестирования по пп. 1-4, отличающийся от тем, что в качестве ДПК-повреждающих агентов используют химические вещества или комбинацию химических веществ, генерирующих активные формы кислорода.
6. Способ тестирования по п. 5, отличающийся тем, что в качестве химических веществ, повреждающих ДНК, используют комбинацию гидропероксида водорода (H2O2), аскорбиновой кислоты и соли железа в конечных концентрациях, обеспечивающих эффективное формирование множественных повреждений ДНК, распознаваемых ПАРП.
7. Способ тестирования по пп. 1-6, отличающийся тем, что количественный анализ продукта реакции - поли(АДФ-рибозы), проводят с использованием иммунофлуоресцентного или иммунохемилюминисцентного анализов.
8. Способ тестирования по п. 7, отличающийся тем, что количественный анализ интенсивности флуоресценции проводят с помощью планшетного анализатора или с помощью флуоресцентного микроскопа."
Основное назначение
"1. Способ тестирования фармакологических веществ на ингибирование ПАРП человека, включающий: 1) приготовление в многолуночных пластиковых планшетах культур клеток, содержащих ПАРП человека; 2) необратимую пермеабилизацию клеток в результате обработки клеток агентами, вызывающими формирование пор во внешней плазматической мембране; 3) обработку пермеабилизованных клеток ДНК-повреждающими агентами, способствующими формированию комплекса ПАРП-ДНК; 4) преинкубацию пермеабилизованных клеток с тестируемым фармакологическим веществом; 5) инкубацию пермеабилизованных клеток в реакционной смеси, содержащей тестируемое фармакологическое вещество и субстрат ПАРП - никотинамидадениндинуклеотид (НАД) или синтетическое производное НАД+; 6) количественный анализ продуктов реакции поли(АДФ-рибозил)ирования, определение остаточной активности ПАРП (Аост), при Аост ≤ 75% делают вывод о наличии у тестируемого фармакологического вещества ПАРП-ингибиторной активности.
2. Способ тестирования по п. 1, отличающий тем, что в качестве культур клеток используют культуры адгезированных клеток, содержащих ПАРП человека.
3. Способ тестирования по п. 2, отличающийся тем, что в качестве культур клеток используют культуры клеток человека, полученные из различных тканей, либо клетки постоянных линий человека.
4. Способ тестирования по пп. 1-3, отличающийся тем, что для пермеабилизации клеток используют инкубацию клеток в гипотонической среде, содержащей вещества сапонины, в частности дигитонин, в конечных концентрациях, обеспечивающих эффективное удаление холестерина из внешней плазматической мембраны.
5. Способ тестирования по пп. 1-4, отличающийся от тем, что в качестве ДПК-повреждающих агентов используют химические вещества или комбинацию химических веществ, генерирующих активные формы кислорода.
6. Способ тестирования по п. 5, отличающийся тем, что в качестве химических веществ, повреждающих ДНК, используют комбинацию гидропероксида водорода (H2O2), аскорбиновой кислоты и соли железа в конечных концентрациях, обеспечивающих эффективное формирование множественных повреждений ДНК, распознаваемых ПАРП.
7. Способ тестирования по пп. 1-6, отличающийся тем, что количественный анализ продукта реакции - поли(АДФ-рибозы), проводят с использованием иммунофлуоресцентного или иммунохемилюминисцентного анализов.
8. Способ тестирования по п. 7, отличающийся тем, что количественный анализ интенсивности флуоресценции проводят с помощью планшетного анализатора или с помощью флуоресцентного микроскопа."
|
||
|
535
|
2851744
|
Изобретение относится к технологии жидкостного травления полупроводниковых слоев, составляющих полупроводниковую структуру. Способ травления согласно изобретению заключается в следующем. Сначала в вертикальной полупроводниковой структуре большой толщины по фоторезистивной маске проводится неселективное жидкостное травление рабочего рисунка топологии в травителе с большой скоростью травления. Травление останавливается заблаговременно до нужного слоя. Затем в вытравленной области формируется опорная плоскость в виде полосы, лежащая на поверхности стопорного слоя параллельно границе вытравленной области. Рисунок полосы формируется через фоторезистивную маску селективным травителем с низкой скоростью травления. На сформированный рисунок наносится слой диэлектрика, устойчивый к селективному травителю и служащий опорной плоскостью для последующих операций травления. Окончательное травление рабочего рисунка до нужного слоя проводится по фоторезистивной маске в неселективном травителе с низкой скоростью травления. Полученную глубину травления контролируют, измеряя высоту ступени между слоем диэлектрика и поверхностью вытравленной основной части структуры. Для надежного и воспроизводимого травления до нужного слоя глубина травления рассчитывается таким образом, чтобы обеспечить небольшое заглубление в этот слой. Техническим результатом изобретения является воспроизводимая и легко контролируемая на каждом этапе технология травления вертикальных полупроводниковых структур, позволяющая сформировать необходимый профиль травления в условиях, если слой, на котором необходимо остановить травление, располагается выше стопорного слоя и тонкий по сравнению с глубиной травления.
Основное назначение
Изобретение относится к технологии жидкостного травления полупроводниковых слоев, составляющих полупроводниковую структуру. Способ травления согласно изобретению заключается в следующем. Сначала в вертикальной полупроводниковой структуре большой толщины по фоторезистивной маске проводится неселективное жидкостное травление рабочего рисунка топологии в травителе с большой скоростью травления. Травление останавливается заблаговременно до нужного слоя. Затем в вытравленной области формируется опорная плоскость в виде полосы, лежащая на поверхности стопорного слоя параллельно границе вытравленной области. Рисунок полосы формируется через фоторезистивную маску селективным травителем с низкой скоростью травления. На сформированный рисунок наносится слой диэлектрика, устойчивый к селективному травителю и служащий опорной плоскостью для последующих операций травления. Окончательное травление рабочего рисунка до нужного слоя проводится по фоторезистивной маске в неселективном травителе с низкой скоростью травления. Полученную глубину травления контролируют, измеряя высоту ступени между слоем диэлектрика и поверхностью вытравленной основной части структуры. Для надежного и воспроизводимого травления до нужного слоя глубина травления рассчитывается таким образом, чтобы обеспечить небольшое заглубление в этот слой. Техническим результатом изобретения является воспроизводимая и легко контролируемая на каждом этапе технология травления вертикальных полупроводниковых структур, позволяющая сформировать необходимый профиль травления в условиях, если слой, на котором необходимо остановить травление, располагается выше стопорного слоя и тонкий по сравнению с глубиной травления.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
"Способ травления полупроводниковых слоев, основанный на жидкостном травлении с созданием опорной плоскости, включающий в себя неселективное травление рабочего рисунка в основной части структуры с остановкой травления заблаговременно до нужного слоя, селективное травление до стопорного слоя области в виде полосы рядом с рабочим рисунком и формирование опорной плоскости за счет нанесения тонкого слоя диэлектрика на поверхность стопорного слоя, окончательное неселективное травление рабочего рисунка с небольшим заглублением в нужный слой с контролем глубины травления с помощью измерения высоты ступени между слоем диэлектрика и поверхностью вытравленной основной части структуры.
Основное назначение
"Способ травления полупроводниковых слоев, основанный на жидкостном травлении с созданием опорной плоскости, включающий в себя неселективное травление рабочего рисунка в основной части структуры с остановкой травления заблаговременно до нужного слоя, селективное травление до стопорного слоя области в виде полосы рядом с рабочим рисунком и формирование опорной плоскости за счет нанесения тонкого слоя диэлектрика на поверхность стопорного слоя, окончательное неселективное травление рабочего рисунка с небольшим заглублением в нужный слой с контролем глубины травления с помощью измерения высоты ступени между слоем диэлектрика и поверхностью вытравленной основной части структуры.
|
||
|
536
|
2854328
|
Изобретение относится к способам формирования функциональных тонкопленочных слоев, а именно тонких пленок металлических магнитных материалов, использующихся при создании сверхкомпактных спинтронных устройств. Способ заключается в следующем. На предварительно очищенной поверхности подложки кремния Si(111) формируют пленку GdAlSi. Формирование осуществляется путем осаждения атомов Gd и Al при давлении PGd=(0,3÷10)⋅10-8 торр потока атомов Gd и давлении потока атомов Al, обеспечивающего отношение реальных потоков атомов Gd (ФGd) и Al (ФAl) в диапазоне 1≤ФGd/ФAl≤1,1, на подложку, поддерживаемую при температуре 400°С<Ts<450°С в течение времени, необходимого для формирования одного монослоя GdAlSi. Техническим результатом изобретения является получение магнитного материала толщиной в один монослой с металлической проводимостью и характерными для металлов удельным сопротивлением и концентрацией носителей заряда. Для его достижения предложен способ создания магнитного монослойного металла.
Основное назначение
Изобретение относится к способам формирования функциональных тонкопленочных слоев, а именно тонких пленок металлических магнитных материалов, использующихся при создании сверхкомпактных спинтронных устройств. Способ заключается в следующем. На предварительно очищенной поверхности подложки кремния Si(111) формируют пленку GdAlSi. Формирование осуществляется путем осаждения атомов Gd и Al при давлении PGd=(0,3÷10)⋅10-8 торр потока атомов Gd и давлении потока атомов Al, обеспечивающего отношение реальных потоков атомов Gd (ФGd) и Al (ФAl) в диапазоне 1≤ФGd/ФAl≤1,1, на подложку, поддерживаемую при температуре 400°С<Ts<450°С в течение времени, необходимого для формирования одного монослоя GdAlSi. Техническим результатом изобретения является получение магнитного материала толщиной в один монослой с металлической проводимостью и характерными для металлов удельным сопротивлением и концентрацией носителей заряда. Для его достижения предложен способ создания магнитного монослойного металла.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ создания магнитного монослойного металла, заключающийся в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии путем осаждения атомов металлов на предварительно очищенную поверхность подложки кремния Si(111) формируют пленку материала, отличающийся тем, что ее формирование производят путем открытия заслонок ячеек Gd и Al, запускающего осаждение атомов Gd и Al при давлении потока атомов Gd PGd=(0,3÷10)⋅10-8 торр и давлении потока атомов Al, обеспечивающего отношение реальных потоков атомов Gd (ФGd) и Al (ФAl) в диапазоне 1≤ФGd/ФAl≤1,1, на подложку, поддерживаемую при температуре 400°С<Ts<450°С в течение времени, необходимого для формирования одного монослоя GdAlSi, после чего заслонки ячеек Gd и Al закрывают и гетероструктуру охлаждают до комнатной температуры.
Основное назначение
Способ создания магнитного монослойного металла, заключающийся в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии путем осаждения атомов металлов на предварительно очищенную поверхность подложки кремния Si(111) формируют пленку материала, отличающийся тем, что ее формирование производят путем открытия заслонок ячеек Gd и Al, запускающего осаждение атомов Gd и Al при давлении потока атомов Gd PGd=(0,3÷10)⋅10-8 торр и давлении потока атомов Al, обеспечивающего отношение реальных потоков атомов Gd (ФGd) и Al (ФAl) в диапазоне 1≤ФGd/ФAl≤1,1, на подложку, поддерживаемую при температуре 400°С<Ts<450°С в течение времени, необходимого для формирования одного монослоя GdAlSi, после чего заслонки ячеек Gd и Al закрывают и гетероструктуру охлаждают до комнатной температуры.
|
||
|
537
|
2854329
|
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к технологии изготовления гибкой мемристивной кроссбар-структуры на основе поли-n-ксилилена, элементы которой демонстрируют синаптические свойства. Предложен гибкий мемристор кроссбар-структуры на основе поли-n-ксилилена, представляющий собой структуру, которая содержит в качестве основы поли-хлор-пара-ксилилен с толщиной слоя 1-20 мкм, в качестве нижнего электрода, расположенного в верхней части основы, двухслойную металлическую пленку, выбранную из хром/золота, с толщиной слоя от 10 нм/100 нм до 30 нм/700 нм, в качестве верхнего электрода металлическую пленку, выполненную из меди, с толщиной слоя 200-500 нм, а в качестве диэлектрического слоя поли-n-ксилилен с толщиной слоя 100-300 нм, при этом диэлектрический слой расположен между нижним и верхним электродами. Также предложен способ изготовления механически гибкого мемристора кроссбар-структуры на основе поли-n-ксилилена. Технический результат - создание механически гибких мемристоров на основе поли-n-ксилилена, способных демонстрировать циклические резистивные переключения при разных радиусах изгиба с сохранением не менее 9 резистивных состояний длительностью не менее 300 секунд.
Основное назначение
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к технологии изготовления гибкой мемристивной кроссбар-структуры на основе поли-n-ксилилена, элементы которой демонстрируют синаптические свойства. Предложен гибкий мемристор кроссбар-структуры на основе поли-n-ксилилена, представляющий собой структуру, которая содержит в качестве основы поли-хлор-пара-ксилилен с толщиной слоя 1-20 мкм, в качестве нижнего электрода, расположенного в верхней части основы, двухслойную металлическую пленку, выбранную из хром/золота, с толщиной слоя от 10 нм/100 нм до 30 нм/700 нм, в качестве верхнего электрода металлическую пленку, выполненную из меди, с толщиной слоя 200-500 нм, а в качестве диэлектрического слоя поли-n-ксилилен с толщиной слоя 100-300 нм, при этом диэлектрический слой расположен между нижним и верхним электродами. Также предложен способ изготовления механически гибкого мемристора кроссбар-структуры на основе поли-n-ксилилена. Технический результат - создание механически гибких мемристоров на основе поли-n-ксилилена, способных демонстрировать циклические резистивные переключения при разных радиусах изгиба с сохранением не менее 9 резистивных состояний длительностью не менее 300 секунд.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
"1. Гибкий мемристор кроссбар-структуры на основе поли-n-ксилилена, представляющий собой структуру, которая содержит в качестве основы поли-хлор-пара-ксилилен с толщиной слоя 1-20 мкм, в качестве нижнего электрода, расположенного в верхней части основы, двухслойную металлическую пленку, выбранную из хром/золота, с толщиной слоя от 10 нм/100 нм до 30 нм/700 нм, в качестве верхнего электрода металлическую пленку, выполненную из меди, с толщиной слоя 200-500 нм, а в качестве диэлектрического слоя поли-n-ксилилен с толщиной слоя 100-300 нм, при этом диэлектрический слой расположен между нижним и верхним электродами.
2. Гибкий мемристор по п. 1, отличающийся тем, что нижние и верхние электроды расположены перпендикулярно по отношению друг к другу.
3. Способ изготовления механически гибкого мемристора кроссбар-структуры на основе поли-n-ксилилена по п. 1, включающий нанесение на подложку поли-хлор-пара-ксилилена с толщиной слоя 1-20 мкм, который служит основой гибкого мемристора, формирование на верхней части основы нижнего электрода из двухслойной металлической пленки, выполненной из хром/золота методом оптической литографии и напыления, с толщиной слоя 10 нм/100 нм до 30 нм/700 нм, осаждение диэлектрического слоя из поли-n-ксилилена с толщиной слоя от 100-300 нм, выступающего в качестве диэлектрической части, нанесение на верхнюю часть диэлектрического слоя верхнего электрода, выполненного из меди, с толщиной слоя 200-500 нм через теневую маску и извлечение структуры с подложки для получения механически гибкого мемристора кроссбар-структуры.
4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что в качестве подложки используется стекло или SiO/Si."
Основное назначение
"1. Гибкий мемристор кроссбар-структуры на основе поли-n-ксилилена, представляющий собой структуру, которая содержит в качестве основы поли-хлор-пара-ксилилен с толщиной слоя 1-20 мкм, в качестве нижнего электрода, расположенного в верхней части основы, двухслойную металлическую пленку, выбранную из хром/золота, с толщиной слоя от 10 нм/100 нм до 30 нм/700 нм, в качестве верхнего электрода металлическую пленку, выполненную из меди, с толщиной слоя 200-500 нм, а в качестве диэлектрического слоя поли-n-ксилилен с толщиной слоя 100-300 нм, при этом диэлектрический слой расположен между нижним и верхним электродами.
2. Гибкий мемристор по п. 1, отличающийся тем, что нижние и верхние электроды расположены перпендикулярно по отношению друг к другу.
3. Способ изготовления механически гибкого мемристора кроссбар-структуры на основе поли-n-ксилилена по п. 1, включающий нанесение на подложку поли-хлор-пара-ксилилена с толщиной слоя 1-20 мкм, который служит основой гибкого мемристора, формирование на верхней части основы нижнего электрода из двухслойной металлической пленки, выполненной из хром/золота методом оптической литографии и напыления, с толщиной слоя 10 нм/100 нм до 30 нм/700 нм, осаждение диэлектрического слоя из поли-n-ксилилена с толщиной слоя от 100-300 нм, выступающего в качестве диэлектрической части, нанесение на верхнюю часть диэлектрического слоя верхнего электрода, выполненного из меди, с толщиной слоя 200-500 нм через теневую маску и извлечение структуры с подложки для получения механически гибкого мемристора кроссбар-структуры.
4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что в качестве подложки используется стекло или SiO/Si."
|
||
|
538
|
2852586
|
Изобретение относится к электрогенерирующим установкам на элементах Пельтье и может быть использовано в качестве источника электроэнергии для питания датчиков автономных пунктов в целях мониторинга технологических параметров на удаленных объектах, например, на магистральных газопроводах. Предложена конструкция термоэлектрического генератора, состоящего из термоэлектрических элементов и радиаторов охлаждения, прижатых к охлаждаемой стороне термоэлектрических элементов, причем термоэлектрические элементы расположены симметрично относительно оси устройства на внешней цилиндрической поверхности аксиального распределителя тепла. Аксиальный распределить тепла представляет собой полый цилиндрический диск, имеющий центральное сквозное отверстие, в которое вставлен элемент беспламенного горения, представляющий собой цилиндрическую камеру, имеющую с торцов сеточные ограничители, пространство между которыми заполнено керамической насадкой. Керамическая насадка выполнена из корунда или муллита. Технический результат - оптимизация температурного режима работы элементов Пельтье, работающих в режиме эффекта Зеебека - генерации электроэнергии, увеличение суммарной мощности устройства, обеспечение возможности автономной работы устройства на удаленных объектах.
Основное назначение
Изобретение относится к электрогенерирующим установкам на элементах Пельтье и может быть использовано в качестве источника электроэнергии для питания датчиков автономных пунктов в целях мониторинга технологических параметров на удаленных объектах, например, на магистральных газопроводах. Предложена конструкция термоэлектрического генератора, состоящего из термоэлектрических элементов и радиаторов охлаждения, прижатых к охлаждаемой стороне термоэлектрических элементов, причем термоэлектрические элементы расположены симметрично относительно оси устройства на внешней цилиндрической поверхности аксиального распределителя тепла. Аксиальный распределить тепла представляет собой полый цилиндрический диск, имеющий центральное сквозное отверстие, в которое вставлен элемент беспламенного горения, представляющий собой цилиндрическую камеру, имеющую с торцов сеточные ограничители, пространство между которыми заполнено керамической насадкой. Керамическая насадка выполнена из корунда или муллита. Технический результат - оптимизация температурного режима работы элементов Пельтье, работающих в режиме эффекта Зеебека - генерации электроэнергии, увеличение суммарной мощности устройства, обеспечение возможности автономной работы устройства на удаленных объектах.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
"1. Термоэлектрический генератор, состоящий из термоэлектрических элементов и радиаторов охлаждения, прижатых к охлаждаемой стороне термоэлектрических элементов, отличающийся тем, что термоэлектрические элементы расположены симметрично относительно центральной оси устройства на внешней цилиндрической поверхности аксиального распределителя тепла, представляющего собой полый цилиндрический диск, имеющий центральное сквозное отверстие с диаметром существенно меньшим, чем внешний диаметр самого диска, при этом в центральное отверстие вставлен элемент беспламенного горения, представляющий собой цилиндрическую камеру, имеющую с торцов сеточные ограничители, пространство между которыми заполнено керамической насадкой, в которую со стороны подачи воздуха входит патрубок подачи топлива, а также калильный элемент поджига.
2. Термоэлектрический генератор по п. 1, отличающийся тем, что керамическая насадка выполнена из пористого корунда или муллита.
3. Термоэлектрический генератор по пп. 1, 2, отличающийся тем, что керамическая насадка может быть выполнена с каталитическим покрытием."
Основное назначение
"1. Термоэлектрический генератор, состоящий из термоэлектрических элементов и радиаторов охлаждения, прижатых к охлаждаемой стороне термоэлектрических элементов, отличающийся тем, что термоэлектрические элементы расположены симметрично относительно центральной оси устройства на внешней цилиндрической поверхности аксиального распределителя тепла, представляющего собой полый цилиндрический диск, имеющий центральное сквозное отверстие с диаметром существенно меньшим, чем внешний диаметр самого диска, при этом в центральное отверстие вставлен элемент беспламенного горения, представляющий собой цилиндрическую камеру, имеющую с торцов сеточные ограничители, пространство между которыми заполнено керамической насадкой, в которую со стороны подачи воздуха входит патрубок подачи топлива, а также калильный элемент поджига.
2. Термоэлектрический генератор по п. 1, отличающийся тем, что керамическая насадка выполнена из пористого корунда или муллита.
3. Термоэлектрический генератор по пп. 1, 2, отличающийся тем, что керамическая насадка может быть выполнена с каталитическим покрытием."
|
||
|
539
|
2853431
|
"Изобретение относится к области медицинской техники. Сердечный каркас для пассивной поддержки миокарда выполнен в виде монолитной оболочки, форма которой соответствует внешней поверхности миокарда. Оболочка получена посредством литья или напыления и состоит из сегментов, которые получены путем удаления материала оболочки с образованием полостей. Сегменты включают сквозные каналы, в которых перпендикулярно боковой поверхности сегментов размещены эластичные нити, выполненные с возможностью задания локальной жесткости в областях каркаса. Техническим результатом является обеспечение возможности персонализации сердечного каркаса. 8 з.п. ф-лы, 15 ил., 1 пр.
Основное назначение
"Изобретение относится к области медицинской техники. Сердечный каркас для пассивной поддержки миокарда выполнен в виде монолитной оболочки, форма которой соответствует внешней поверхности миокарда. Оболочка получена посредством литья или напыления и состоит из сегментов, которые получены путем удаления материала оболочки с образованием полостей. Сегменты включают сквозные каналы, в которых перпендикулярно боковой поверхности сегментов размещены эластичные нити, выполненные с возможностью задания локальной жесткости в областях каркаса. Техническим результатом является обеспечение возможности персонализации сердечного каркаса. 8 з.п. ф-лы, 15 ил., 1 пр.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
"1. Сердечный каркас для пассивной поддержки миокарда, отличающийся тем, что выполнен в виде монолитной оболочки, форма которой соответствует внешней поверхности миокарда,
оболочка получена посредством литья или напыления и состоит из сегментов, которые получены путем удаления материала оболочки с образованием полостей,
а сегменты включают сквозные каналы, в которых перпендикулярно боковой поверхности сегментов размещены эластичные нити, выполненные с возможностью задания локальной жесткости в областях каркаса.
2. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что количество сегментов сердечного каркаса равно по меньше мере трем.
3. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что каждый сегмент имеет по меньшей мере по три сквозных канала.
4. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что монолитная оболочка выполнена многослойной.
5. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что сегменты и эластичные нити выполнены многослойными.
6. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что полости представляют собой прорези в форме квадрата, ромба, эллипса, круга, прямоугольника, причем острые углы сглажены закруглением.
7. Сердечный каркас по п. 6, отличающийся тем, что полости получены насечками.
8. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что эластичные нити имеют сгущения и разряжения в направлении к центру сетки и от центра сетки по радиусу.
9. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что прорези нанесены на сегменты со сгущением и разряжением."
Основное назначение
"1. Сердечный каркас для пассивной поддержки миокарда, отличающийся тем, что выполнен в виде монолитной оболочки, форма которой соответствует внешней поверхности миокарда,
оболочка получена посредством литья или напыления и состоит из сегментов, которые получены путем удаления материала оболочки с образованием полостей,
а сегменты включают сквозные каналы, в которых перпендикулярно боковой поверхности сегментов размещены эластичные нити, выполненные с возможностью задания локальной жесткости в областях каркаса.
2. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что количество сегментов сердечного каркаса равно по меньше мере трем.
3. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что каждый сегмент имеет по меньшей мере по три сквозных канала.
4. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что монолитная оболочка выполнена многослойной.
5. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что сегменты и эластичные нити выполнены многослойными.
6. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что полости представляют собой прорези в форме квадрата, ромба, эллипса, круга, прямоугольника, причем острые углы сглажены закруглением.
7. Сердечный каркас по п. 6, отличающийся тем, что полости получены насечками.
8. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что эластичные нити имеют сгущения и разряжения в направлении к центру сетки и от центра сетки по радиусу.
9. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что прорези нанесены на сегменты со сгущением и разряжением."
|
||
|
540
|
Патент 2643525
|
Изобретение относится к плазменному экспандеру изменяемого объема и к устройствам для формирования плазмы для получения электронных или ионных пучков. Плазменный экспандер изменяемого объема имеет цилиндрическую форму, изготовлен из проводящих материалов, плазма попадает в него через отверстие в аноде, с другой стороны происходит частичное ограничение плазмы. Конструкция экспандера состоит из 1 - цилиндрического основания, 2 - вставки, выполненной в виде кольца (А), выбираемого из набора колец с толщиной от 5 до 30 мм с шагом от 1 до 10 мм, сильфона (В) или резьбового соединения (С), 3 - фронтальной части, 4 - крышки с эмиссионным отверстием и 5 - оснастки для закрепления деталей. Способ получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц предусматривает использование указанного плазменного экспандера, в котором изменяют плотность плазмы за счет управления размерами экспандера. При этом в случае расходящегося пучка от вогнутой границы плазмы (фиг. 5С) собирают экспандер с более короткой вставкой (2 на фиг. 6), уменьшая длину и объем экспандера, тем самым повышая плотность плазмы, а в случае расходящегося пучка от выгнутой границы плазмы (фиг. 5А) собирают экспандер с более длинной вставкой (2 на фиг. 6), увеличивая длину экспандера и снижая плотность плазмы до достижения плазменной границы близкой к плоской. Техническим результатом является упрощение настройки системы формирования пучка с одновременным повышением ее точности, что обеспечивает получение плоскопараллельного пучка заряженных частиц. 1. Плазменный экспандер для формирования плазмы с целью получения пучков заряженных частиц, который имеет цилиндрическую форму, изготавливается из проводящих материалов, при этом плазма попадает в него через отверстие в аноде, с другой стороны - на выходе происходит частичное ограничение плазмы, отличающийся тем, что плазменный экспандер выполнен с возможностью изменения его длины и объема с целью изменения плотности плазмы, имеет схему устройства, приведенную на фиг. 6 (A, B или C), и состоит из: 1 - основания в виде фланца, 2 - вставки, 3 - фронтальной части, 4 - крышки с эмиссионным отверстием и 5 - оснастки для закрепления деталей, и предназначен для использования с плазменными генераторами для извлечения ионов или электронов.
2. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде кольца.
3. Плазменный экспандер по п. 2, в котором кольцо выбирается из набора колец с длиной от 5 до 30 мм с шагом от 1 до 10 мм.
4. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде сильфона.
5. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде резьбового соединения.
6. Способ получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц, включающий извлечение ионов из плазмы, которое осуществляется с помощью электрического поля у поверхности плазмы, где вытягивающее поле образуется между плазменной поверхностью и вытягивающим электродом, а область плазмы ограничивается плазменным экспандером с потенциалом, отличающимся от вытягивающего электрода, отличающийся тем, что для получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц используют плазменный экспандер по любому из пп. 1-5, в котором изменяют плотность плазмы за счет управления размерами экспандера, при этом в случае расходящегося пучка от вогнутой границы плазмы (фиг. 5C) выполняют экспандер с более короткой вставкой (2 на фиг. 6), уменьшая длину и объем экспандера, тем самым повышая плотность плазмы, а в случае расходящегося пучка от выгнутой границы плазмы (фиг. 5A) выполняют экспандер с более длинной вставкой (2 на фиг. 6), увеличивая длину экспандера и уменьшая плотность плазмы до достижения плазменной границы близкой к плоской.
Основное назначение
Изобретение относится к плазменному экспандеру изменяемого объема и к устройствам для формирования плазмы для получения электронных или ионных пучков. Плазменный экспандер изменяемого объема имеет цилиндрическую форму, изготовлен из проводящих материалов, плазма попадает в него через отверстие в аноде, с другой стороны происходит частичное ограничение плазмы. Конструкция экспандера состоит из 1 - цилиндрического основания, 2 - вставки, выполненной в виде кольца (А), выбираемого из набора колец с толщиной от 5 до 30 мм с шагом от 1 до 10 мм, сильфона (В) или резьбового соединения (С), 3 - фронтальной части, 4 - крышки с эмиссионным отверстием и 5 - оснастки для закрепления деталей. Способ получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц предусматривает использование указанного плазменного экспандера, в котором изменяют плотность плазмы за счет управления размерами экспандера. При этом в случае расходящегося пучка от вогнутой границы плазмы (фиг. 5С) собирают экспандер с более короткой вставкой (2 на фиг. 6), уменьшая длину и объем экспандера, тем самым повышая плотность плазмы, а в случае расходящегося пучка от выгнутой границы плазмы (фиг. 5А) собирают экспандер с более длинной вставкой (2 на фиг. 6), увеличивая длину экспандера и снижая плотность плазмы до достижения плазменной границы близкой к плоской. Техническим результатом является упрощение настройки системы формирования пучка с одновременным повышением ее точности, что обеспечивает получение плоскопараллельного пучка заряженных частиц. 1. Плазменный экспандер для формирования плазмы с целью получения пучков заряженных частиц, который имеет цилиндрическую форму, изготавливается из проводящих материалов, при этом плазма попадает в него через отверстие в аноде, с другой стороны - на выходе происходит частичное ограничение плазмы, отличающийся тем, что плазменный экспандер выполнен с возможностью изменения его длины и объема с целью изменения плотности плазмы, имеет схему устройства, приведенную на фиг. 6 (A, B или C), и состоит из: 1 - основания в виде фланца, 2 - вставки, 3 - фронтальной части, 4 - крышки с эмиссионным отверстием и 5 - оснастки для закрепления деталей, и предназначен для использования с плазменными генераторами для извлечения ионов или электронов.
2. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде кольца.
3. Плазменный экспандер по п. 2, в котором кольцо выбирается из набора колец с длиной от 5 до 30 мм с шагом от 1 до 10 мм.
4. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде сильфона.
5. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде резьбового соединения.
6. Способ получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц, включающий извлечение ионов из плазмы, которое осуществляется с помощью электрического поля у поверхности плазмы, где вытягивающее поле образуется между плазменной поверхностью и вытягивающим электродом, а область плазмы ограничивается плазменным экспандером с потенциалом, отличающимся от вытягивающего электрода, отличающийся тем, что для получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц используют плазменный экспандер по любому из пп. 1-5, в котором изменяют плотность плазмы за счет управления размерами экспандера, при этом в случае расходящегося пучка от вогнутой границы плазмы (фиг. 5C) выполняют экспандер с более короткой вставкой (2 на фиг. 6), уменьшая длину и объем экспандера, тем самым повышая плотность плазмы, а в случае расходящегося пучка от выгнутой границы плазмы (фиг. 5A) выполняют экспандер с более длинной вставкой (2 на фиг. 6), увеличивая длину экспандера и уменьшая плотность плазмы до достижения плазменной границы близкой к плоской.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Плазменный экспандер для формирования плазмы с целью получения пучков заряженных частиц, который имеет цилиндрическую форму, изготавливается из проводящих материалов, при этом плазма попадает в него через отверстие в аноде, с другой стороны - на выходе происходит частичное ограничение плазмы, отличающийся тем, что плазменный экспандер выполнен с возможностью изменения его длины и объема с целью изменения плотности плазмы, имеет схему устройства, приведенную на фиг. 6 (A, B или C), и состоит из: 1 - основания в виде фланца, 2 - вставки, 3 - фронтальной части, 4 - крышки с эмиссионным отверстием и 5 - оснастки для закрепления деталей, и предназначен для использования с плазменными генераторами для извлечения ионов или электронов.
2. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде кольца.
3. Плазменный экспандер по п. 2, в котором кольцо выбирается из набора колец с длиной от 5 до 30 мм с шагом от 1 до 10 мм.
4. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде сильфона.
5. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде резьбового соединения.
6. Способ получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц, включающий извлечение ионов из плазмы, которое осуществляется с помощью электрического поля у поверхности плазмы, где вытягивающее поле образуется между плазменной поверхностью и вытягивающим электродом, а область плазмы ограничивается плазменным экспандером с потенциалом, отличающимся от вытягивающего электрода, отличающийся тем, что для получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц используют плазменный экспандер по любому из пп. 1-5, в котором изменяют плотность плазмы за счет управления размерами экспандера, при этом в случае расходящегося пучка от вогнутой границы плазмы (фиг. 5C) выполняют экспандер с более короткой вставкой (2 на фиг. 6), уменьшая длину и объем экспандера, тем самым повышая плотность плазмы, а в случае расходящегося пучка от выгнутой границы плазмы (фиг. 5A) выполняют экспандер с более длинной вставкой (2 на фиг. 6), увеличивая длину экспандера и уменьшая плотность плазмы до достижения плазменной границы близкой к плоской.
Основное назначение
1. Плазменный экспандер для формирования плазмы с целью получения пучков заряженных частиц, который имеет цилиндрическую форму, изготавливается из проводящих материалов, при этом плазма попадает в него через отверстие в аноде, с другой стороны - на выходе происходит частичное ограничение плазмы, отличающийся тем, что плазменный экспандер выполнен с возможностью изменения его длины и объема с целью изменения плотности плазмы, имеет схему устройства, приведенную на фиг. 6 (A, B или C), и состоит из: 1 - основания в виде фланца, 2 - вставки, 3 - фронтальной части, 4 - крышки с эмиссионным отверстием и 5 - оснастки для закрепления деталей, и предназначен для использования с плазменными генераторами для извлечения ионов или электронов.
2. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде кольца.
3. Плазменный экспандер по п. 2, в котором кольцо выбирается из набора колец с длиной от 5 до 30 мм с шагом от 1 до 10 мм.
4. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде сильфона.
5. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде резьбового соединения.
6. Способ получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц, включающий извлечение ионов из плазмы, которое осуществляется с помощью электрического поля у поверхности плазмы, где вытягивающее поле образуется между плазменной поверхностью и вытягивающим электродом, а область плазмы ограничивается плазменным экспандером с потенциалом, отличающимся от вытягивающего электрода, отличающийся тем, что для получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц используют плазменный экспандер по любому из пп. 1-5, в котором изменяют плотность плазмы за счет управления размерами экспандера, при этом в случае расходящегося пучка от вогнутой границы плазмы (фиг. 5C) выполняют экспандер с более короткой вставкой (2 на фиг. 6), уменьшая длину и объем экспандера, тем самым повышая плотность плазмы, а в случае расходящегося пучка от выгнутой границы плазмы (фиг. 5A) выполняют экспандер с более длинной вставкой (2 на фиг. 6), увеличивая длину экспандера и уменьшая плотность плазмы до достижения плазменной границы близкой к плоской.
|
||