Изобретения

Изобретение относится к способам формирования гетероструктур, а именно графеновых структур, демонстрирующих спиновую поляризацию носителей заряда, которые могут быть использованы при создании сверхкомпактных спинтронных устройств. Техническим результатом является предельное уменьшение толщины функциональных графеновых структур со спин-поляризованными носителями заряда с сохранением устойчивости к окислению. Для его достижения предложен способ создания устойчивых к окислению сверхтонких графеновых структур со спин-поляризованными носителями заряда, заключающийся в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии путем осаждения Eu формируют поверхностную фазу Eu, представляющую собой субмонослойную периодическую структуру из атомов Eu, при этом, осаждение Eu производят на предварительно сформированную гетероструктуру Графен/SiO2/Si(001), в которой слой оксида кремния удаляют из-под графена путем отжига гетероструктуры при температуре Ts=950±20°С, при этом поверхностную фазу Eu 1?6 формируют под графеном на поверхности подложки Si(001) путем открытия заслонки ячейки Eu, обеспечивающего осаждение атомов Eu при давлении PEu=(0,3?10)?10-8 торр потока атомов Eu на гетероструктуру, поддерживаемую при температуре Ts=700±20°С, в течение времени, необходимого для формирования поверхностной фазы, после чего заслонку ячейки Eu закрывают, и гетероструктуру охлаждают до комнатной температуры. 3 ил. Способ создания устойчивых к окислению сверхтонких графеновых структур со спин-поляризованными носителями заряда, заключающийся в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии путем осаждения Eu формируют поверхностную фазу Eu, представляющую собой субмонослойную периодическую структуру из атомов Eu, отличающийся тем, что осаждение Eu производят на предварительно сформированную гетероструктуру Графен/SiO2/Si(001), в которой слой оксида кремния удаляют из-под графена путем отжига гетероструктуры при температуре Ts=950±20°С, при этом поверхностную фазу Eu 1?6 формируют под графеном на поверхности подложки Si(001) путем открытия заслонки ячейки Eu, обеспечивающего осаждение атомов Eu при давлении PEu=(0,3?10)?10-8 торр потока атомов Eu на гетероструктуру, поддерживаемую при температуре Ts=700±20°С, в течение времени, необходимого для формирования поверхностной фазы, после чего заслонку ячейки Eu закрывают, и гетероструктуру охлаждают до комнатной температуры.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к аналитической химии, в частности к количественному определению молочной кислоты как в чистом виде, так и в продуктах питания, биологических и культуральных жидкостях. Способ спектрофотометрического определения молочной кислоты включает добавление исследуемого раствора к раствору хлорида железа(III), взятого в концентрации 0,1-0,3%, измерение оптической плотности полученного раствора при длине волны 380-405 нм и количественное определение концентрации лактата в исходном растворе с использованием калибровочного графика. Способ спектрофотометрического определения молочной кислоты, включающий добавление исследуемого раствора к раствору хлорида железа(III), взятого в концентрации 0,1-0,3%, измерение оптической плотности полученного раствора при длине волны 380-405 нм и количественное определение концентрации лактата в исходном растворе с использованием калибровочного графика.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)

"Изобретение относится к области биохимии, клеточной биологии, фармакологии, медицины, и касается разработки способа тестирования фармакологических веществ на ингибирование ими фермента поли(АДФ-рибоза)-полимеразы (ПАРП), являющегося мишенью для противораковой терапии и рассматриваемого в качестве перспективной мишени для лечения сердечно-сосудистых, неврологических, нейродегенеративных, инфекционных, иммунных, легочных, эндокринных и других заболеваний. Способ включает: приготовление в многолуночных пластиковых планшетах культур клеток, содержащих ПАРП человека; необратимую пермеабилизацию клеток в результате обработки клеток агентами, вызывающими формирование пор во внешней плазматической мембране; обработку пермеабилизованных клеток ДНК-повреждающими агентами, способствующими формированию комплекса ПАРП-ДНК; преинкубацию пермеабилизованных клеток с тестируемым фармакологическим веществом; инкубацию пермеабилизованных клеток в реакционной смеси, содержащей тестируемое фармакологическое вещество и субстрат ПАРП - никотинамидадениндинуклеотид (НАД) или синтетическое производное НАД+; количественный анализ продуктов реакции поли(АДФ-рибозил)ирования, определение остаточной активности ПАРП (Аост). При Аост ≤ 75% делают вывод о наличии у тестируемого фармакологического вещества ПАРП-ингибиторной активности. Способ обеспечивает высокую чувствительность метода, низкую вариабельность показателей активности ПАРП между независимыми образцами (сестринскими культурами) в одном эксперименте и хорошую воспроизводимость результатов. 7 з.п. ф-лы, 3 ил., 4 пр. "

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение может быть использовано при точечной магнитно-импульсной сварке листовых металлических материалов. Верхнюю и нижнюю свариваемые детали размещают на упоре, который выполняют со сквозным отверстием. В нижней детали в каждой точке сварного соединения выполняют коническое отверстие, основание которого обращено в сторону поверхности верхней детали. Размещают детали с совмещением конического отверстия нижней детали со сквозным отверстием в упоре и с осью симметрии U-образного сварочного индуктора. Сварочный индуктор закреплен в сильноточном фидере и соединен с источником импульсного тока. Индуктор снабжен изолятором на его центральной части, предназначенным для исключения электрического контакта при размещении вершины индуктора над свариваемыми деталями. Техническим результатом заявленного изобретения является расширение технологических возможностей магнитно-импульсных установок. 2 н.п. ф-лы, 1. Способ получения соединений плоских листовых металлических материалов точечной магнитно-импульсной сваркой, включающий размещение верхней и нижней свариваемых деталей на упоре под индуктором и осуществление точечной магнитно-импульсной сварки, отличающийся тем, что упор выполняют со сквозным отверстием, при этом используют U-образный сварочный индуктор, который устанавливают с минимальным зазором между его вершиной и свариваемыми деталями, а в нижней детали в каждой предполагаемой точке образования сварного соединения выполняют коническое отверстие и размещают детали с совмещением конического отверстия нижней детали со сквозным отверстием в упоре и с осью симметрии U-образного сварочного индуктора, при этом основание конуса отверстия нижней детали обращено в сторону поверхности верхней детали. 2. Устройство для получения соединений плоских листовых металлических материалов точечной магнитно-импульсной сваркой, содержащее сварочный индуктор, закрепленный в сильноточном фидере, источник импульсного тока, устройство управления и упор для размещения деталей, отличающееся тем, что сварочный индуктор имеет U-образную форму и снабжен изолятором на его центральной части, предназначенным для исключения электрического контакта индуктора при размещении его вершины над свариваемыми деталями, причем индуктор через сильноточный фидер соединен с источником импульсного тока, а упор выполнен со сквозным отверстием, обеспечивающим возможность его совмещения с осью симметрии U-образного сварочного индуктора.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к технологии жидкостного травления полупроводниковых слоев, составляющих полупроводниковую структуру. Способ травления согласно изобретению заключается в следующем. Сначала в вертикальной полупроводниковой структуре большой толщины по фоторезистивной маске проводится неселективное жидкостное травление рабочего рисунка топологии в травителе с большой скоростью травления. Травление останавливается заблаговременно до нужного слоя. Затем в вытравленной области формируется опорная плоскость в виде полосы, лежащая на поверхности стопорного слоя параллельно границе вытравленной области. Рисунок полосы формируется через фоторезистивную маску селективным травителем с низкой скоростью травления. На сформированный рисунок наносится слой диэлектрика, устойчивый к селективному травителю и служащий опорной плоскостью для последующих операций травления. Окончательное травление рабочего рисунка до нужного слоя проводится по фоторезистивной маске в неселективном травителе с низкой скоростью травления. Полученную глубину травления контролируют, измеряя высоту ступени между слоем диэлектрика и поверхностью вытравленной основной части структуры. Для надежного и воспроизводимого травления до нужного слоя глубина травления рассчитывается таким образом, чтобы обеспечить небольшое заглубление в этот слой. Техническим результатом изобретения является воспроизводимая и легко контролируемая на каждом этапе технология травления вертикальных полупроводниковых структур, позволяющая сформировать необходимый профиль травления в условиях, если слой, на котором необходимо остановить травление, располагается выше стопорного слоя и тонкий по сравнению с глубиной травления.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к способам трансмутации долгоживущих радиоактивных нуклидов, в том числе возникающих в облученном ядерном топливе, а также к способам производства необходимых радиоизотопов из доступных нуклидов. Материал распределяется в рассеивающей нейтроны среде, примыкающей к нейтронному источнику или окружающей источник, и подвергается воздействию нейтронного потока. Рассеивающая нейтроны среда и источник совместно окружаются отражателем-замедлителем нейтронов, а также поглотителем нейтронов. Для формирования нейтронных потоков используются реакции синтеза, протекающие в токамаке. Рассеивающая нейтроны среда прозрачна для нейтронов и устроена таким образом, что нейтронное рассеяние значительно увеличивает нейтронный поток, воздействующий на трансмутируемый материал. Использование в качестве рассеивающей среды тяжелых элементов, таких как свинец и висмут с добавками лития, обеспечивает изменение спектра нейтронов в ней, в том числе постепенное замедление термоядерных нейтронов с медленным смещением вниз по энергетическому спектру, что делает возможными эффективные резонансные захваты нейтронов в облучаемом материале, а также оптимизирует наработку трития, необходимого для реакции синтеза дейтерия и трития. Технический результат - повышение эффективности трансмутации долгоживущих радиоактивных нуклидов.

Федеральное государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к способу увеличения тока пучка в линейном ускорителе с асимметричной фазопеременной фокусировкой и может использоваться в областях ядерной энергетики, радиационной стойкости материалов, в медицине, например для лечения онкологических заболеваний методами адронной терапии. Способ реализуется за счет использования резонатора высокочастотных электромагнитных колебаний с закрытым выходом, в котором для ускорения заряженных частиц применена электромагнитная стоячая волна Н10. Причем периоды изменения равновесной фазы определяются особенностями изменения во времени электрической составляющей этой волны. В периодах изменения равновесной фазы ускорение, фазировка и фокусировка пучка заряженных частиц осуществляются в электрических центрах с различными равновесными фазами и отличающимися по величине электрической составляющей амплитудами ускоряющего поля. Техническим результатом является повышение эффективности использования электрического поля для ускорения заряженных частиц, а также повышение устойчивости пучка на траектории ускорения и увеличение тока ускоренного пучка заряженных частиц при повышении частоты актов фокусировки и фазировки пучка заряженных частиц с одновременным уменьшением длины периодов изменения равновесной фазы и длины трубок дрейфа. 3 ил.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области ускорителей заряженных частиц с большой массой и с малым электрическим зарядом и может использоваться при создании ускорителей кластерных ионов для применения в областях ядерной энергетики, решения проблем управляемого термоядерного синтеза и для изучения свойств материи при сверхвысокой плотности энергии. Технический результат - увеличение тока в пучке кластерных ионов с различной массой на выходе ускорителя. Способ предусматривает использование инжектора для ускорителя кластерных ионов, в котором реализована одновременная экстракция заряженных частиц из плазмы нескольких источников кластерных ионов по нескольким каналам, формирование ионных пучков, ускорение их компрессии и ввода в ускоряющую ВЧ структуру ускорителя. Инжектор содержит несколько разнесенных в пространстве каналов, входная апертура каждого из которых соединена с отдельным источником кластерных ионов. Процесс формирования ионного пучка, ускорения, фокусировки и изменения траектории его движения, для заряженных частиц с большой массой и малым электрическим зарядом при помощи только электрического поля, связан с необходимостью создания больших напряженностей такого поля. Для более эффективной реализации процессов формовки и ускорения пучков кластерных ионов в инжекторе использована комбинация скрещенных силовых полей: аксиально-симметричного электрического поля и мультипольного магнитного поля со сложной конфигурацией силовых линий. Примененная комбинация полей такого типа, позволяет как ускорять, так и эффективно удерживать на заданной траектории движения, а также осуществлять радиальную компрессию пучков кластерных ионов в каждом канале для кластеров, обладающих широким диапазоном масс и малым зарядом. Суперпозиция электрического поля и мультипольного магнитного поля позволяет уменьшать поперечные размеры ионного пучка, увеличивать площади апертур для экстракции кластерных ионов из ИИ и способствует увеличению тока в пучке кластерных ионов с различной массой на выходе ускорителя. Способ инжекции кластерных ионов, предусматривающий одновременную инжекцию в ускоритель ионов, экстрагированных с большой площади плазменной поверхности, за счет использования инжектора для ускорителя кластерных ионов, содержащего обечайки, в которых выполнены апертуры, соосно-сходящиеся к его центральной оси, в направлении от источника ионов (ИИ) к ускоряющей высокочастотной (ВЧ) системе, с диаметрами, уменьшающимися по мере приближения обечаек к указанной ВЧ системе, отличающийся тем, что для увеличения тока пучка кластерных ионов при инжекции кластерных ионов в ускоритель обечайки в указанном инжекторе выполнены из диэлектрического материала, и каждая апертура на ближайшей к источнику кластерных ионов обечайке соединена с выходом соответствующего источника кластерных ионов, и во все апертуры всех обечаек установлены тонкостенные металлические трубки дрейфа таким образом, чтобы между соответствующими трубками дрейфа соседних обечаек существовали зазоры, причем диаметр каждой трубки дрейфа должен соответствовать диаметру апертуры в данной обечайке, при этом все трубки дрейфа на каждой обечайке электрически соединены между собой и с отдельным источником электропитания, а между обечайками, симметрично центральной продольной оси зазоров между трубками дрейфа, вокруг этих трубок дрейфа, на одинаковом расстоянии от стенок трубок дрейфа, установлены по шесть постоянных магнитов, электрически изолированных от трубок дрейфа и сдвинутых по окружности относительно друг друга на 60 градусов так, чтобы в трубках дрейфа и в зазорах между ними существовало мультипольное магнитное поле, величина которого на центральной продольной оси зазоров равнялась нулю и резко нарастала вблизи поверхностей постоянных магнитов и в зазорах между ними.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Использование: для применения в процессорах с высокой плотностью функциональных элементов на основе сверхпроводящих нанопроводов. Сущность изобретения заключается в том, что способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное заключается во включении участков нормальных сопротивлений в наноразмерный сверхпроводник. Технический результат: обеспечеение возможности снижения энергопотребления и тепловыделения в электронных функциональных наноразмерных устройствах с высокой плотностью элементов. Способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное, заключающийся во включении участков нормальных сопротивлений в наноразмерный сверхпроводник.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение может быть использовано при выращивании оксидных монокристаллов, например сапфира или граната. Устройство содержит корпус 1 кристаллизационной установки, внутри которого на волокуше 2 размещена диэлектрическая прокладка 3 с установленным на ней кристаллизационным контейнером 4, заполненным шихтой. Электрическое поле активной зоны тепловой камеры (АЗТК) контролируют устройством 7 управления составом расплава (УУСР). Шихту, а затем расплав 5 нагревают с помощью резистивного нагревателя 6. При температуре выше 1700°С в интервале времени Т1 на нагреватель 6 подают отрицательный потенциал, а на контейнер 4 - положительный потенциал для создания внутри камеры направленного ускоренного потока электронов и ионизации продуктов испарения шихты. Затем в интервале времени Т2 отрицательный потенциал прикладывают к контейнеру 4, а положительный потенциал - к нагревателю 6 для того, чтобы обеспечить движение нейтральных атомов и молекул, ионизованных в интервал времени Т1 до катионов, под действием электростатического поля в направлении от нагревателя 6 к контейнеру 4 и их возвращения в расплав 5. Длительность периода Т2 более 103 Т1. Изобретение позволяет управлять составом расплава для того, чтобы увеличить концентрацию легирующих примесей и размер полученных кристаллов. 5 ил.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)