Использование: для применения в процессорах с высокой плотностью функциональных элементов на основе сверхпроводящих нанопроводов. Сущность изобретения заключается в том, что способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное заключается во включении участков нормальных сопротивлений в наноразмерный сверхпроводник. Технический результат: обеспечеение возможности снижения энергопотребления и тепловыделения в электронных функциональных наноразмерных устройствах с высокой плотностью элементов. Способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное, заключающийся во включении участков нормальных сопротивлений в наноразмерный сверхпроводник.