Изобретение может быть использовано при выращивании оксидных монокристаллов, например сапфира или граната. Устройство содержит корпус 1 кристаллизационной установки, внутри которого на волокуше 2 размещена диэлектрическая прокладка 3 с установленным на ней кристаллизационным контейнером 4, заполненным шихтой. Электрическое поле активной зоны тепловой камеры (АЗТК) контролируют устройством 7 управления составом расплава (УУСР). Шихту, а затем расплав 5 нагревают с помощью резистивного нагревателя 6. При температуре выше 1700°С в интервале времени Т1 на нагреватель 6 подают отрицательный потенциал, а на контейнер 4 - положительный потенциал для создания внутри камеры направленного ускоренного потока электронов и ионизации продуктов испарения шихты. Затем в интервале времени Т2 отрицательный потенциал прикладывают к контейнеру 4, а положительный потенциал - к нагревателю 6 для того, чтобы обеспечить движение нейтральных атомов и молекул, ионизованных в интервал времени Т1 до катионов, под действием электростатического поля в направлении от нагревателя 6 к контейнеру 4 и их возвращения в расплав 5. Длительность периода Т2 более 103 Т1. Изобретение позволяет управлять составом расплава для того, чтобы увеличить концентрацию легирующих примесей и размер полученных кристаллов. 5 ил.