|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
31
|
Патент 2674063
|
Использование: для создания функциональных переключаемых электронных устройств различного назначения. Сущность изобретения заключается в том, что способ перевода сверхпроводника в электронных функциональных наноразмерных устройствах из сверхпроводящего состояния в нормальное осуществляют путем его локального нагрева, для нагрева используют тепловыделяющий элемент в виде сверхпроводящего нанопровода, гальванически не связанного с подвергаемым воздействию и расположенного с наноразмерным зазором рядом с нагреваемым отрезком сверхпроводника с пропусканием через него тока, превышающего величину тока перехода сверхпроводника в нормальное состояние и обеспечивающего выделение мощности, достаточной для нагрева и перевода управляемого нанопровода в нормальное состояние, при этом соблюдают условие, что величина тока, пропускаемого по переводимому в нормальное состояние сверхпроводнику, не превышает величины тока его возврата из нормального состояния в сверхпроводящее, определяемой по вольтамперной характеристике сверхпроводника, полученной без внешних воздействий на сверхпроводник. Технический результат - обеспечение возможности создания высокоплотных функциональных наноустройств на основе сверхпроводящих нанопроводов. 1. Способ перевода сверхпроводника в электронных функциональных наноразмерных устройствах из сверхпроводящего состояния в нормальное, отличающийся тем, что перевод осуществляют путем его локального нагрева, для нагрева используют тепловыделяющий элемент в виде сверхпроводящего нанопровода, гальванически не связанного с подвергаемым воздействию и расположенного с наноразмерным зазором рядом с нагреваемым отрезком сверхпроводника с пропусканием через него тока, превышающего величину тока перехода сверхпроводника в нормальное состояние и обеспечивающего выделение мощности, достаточной для нагрева и перевода управляемого нанопровода в нормальное состояние, при этом соблюдают условие, что величина тока, пропускаемого по переводимому в нормальное состояние сверхпроводнику, не превышает величины тока его возврата из нормального состояния в сверхпроводящее, определяемой по вольтамперной характеристике сверхпроводника, полученной без внешних воздействий на сверхпроводник.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для нагрева используют тепловыделяющий элемент в виде сверхпроводника, в котором на ближайшем к управляемому элементу участке формируют резистивную область и пропускают через него ток, обеспечивающий выделение мощности, достаточной для нагрева и перевода управляемого нанопровода в нормальное состояние.
Основное назначение
Использование: для создания функциональных переключаемых электронных устройств различного назначения. Сущность изобретения заключается в том, что способ перевода сверхпроводника в электронных функциональных наноразмерных устройствах из сверхпроводящего состояния в нормальное осуществляют путем его локального нагрева, для нагрева используют тепловыделяющий элемент в виде сверхпроводящего нанопровода, гальванически не связанного с подвергаемым воздействию и расположенного с наноразмерным зазором рядом с нагреваемым отрезком сверхпроводника с пропусканием через него тока, превышающего величину тока перехода сверхпроводника в нормальное состояние и обеспечивающего выделение мощности, достаточной для нагрева и перевода управляемого нанопровода в нормальное состояние, при этом соблюдают условие, что величина тока, пропускаемого по переводимому в нормальное состояние сверхпроводнику, не превышает величины тока его возврата из нормального состояния в сверхпроводящее, определяемой по вольтамперной характеристике сверхпроводника, полученной без внешних воздействий на сверхпроводник. Технический результат - обеспечение возможности создания высокоплотных функциональных наноустройств на основе сверхпроводящих нанопроводов. 1. Способ перевода сверхпроводника в электронных функциональных наноразмерных устройствах из сверхпроводящего состояния в нормальное, отличающийся тем, что перевод осуществляют путем его локального нагрева, для нагрева используют тепловыделяющий элемент в виде сверхпроводящего нанопровода, гальванически не связанного с подвергаемым воздействию и расположенного с наноразмерным зазором рядом с нагреваемым отрезком сверхпроводника с пропусканием через него тока, превышающего величину тока перехода сверхпроводника в нормальное состояние и обеспечивающего выделение мощности, достаточной для нагрева и перевода управляемого нанопровода в нормальное состояние, при этом соблюдают условие, что величина тока, пропускаемого по переводимому в нормальное состояние сверхпроводнику, не превышает величины тока его возврата из нормального состояния в сверхпроводящее, определяемой по вольтамперной характеристике сверхпроводника, полученной без внешних воздействий на сверхпроводник.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для нагрева используют тепловыделяющий элемент в виде сверхпроводника, в котором на ближайшем к управляемому элементу участке формируют резистивную область и пропускают через него ток, обеспечивающий выделение мощности, достаточной для нагрева и перевода управляемого нанопровода в нормальное состояние.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ перевода сверхпроводника в электронных функциональных наноразмерных устройствах из сверхпроводящего состояния в нормальное, отличающийся тем, что перевод осуществляют путем его локального нагрева, для нагрева используют тепловыделяющий элемент в виде сверхпроводящего нанопровода, гальванически не связанного с подвергаемым воздействию и расположенного с наноразмерным зазором рядом с нагреваемым отрезком сверхпроводника с пропусканием через него тока, превышающего величину тока перехода сверхпроводника в нормальное состояние и обеспечивающего выделение мощности, достаточной для нагрева и перевода управляемого нанопровода в нормальное состояние, при этом соблюдают условие, что величина тока, пропускаемого по переводимому в нормальное состояние сверхпроводнику, не превышает величины тока его возврата из нормального состояния в сверхпроводящее, определяемой по вольтамперной характеристике сверхпроводника, полученной без внешних воздействий на сверхпроводник.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для нагрева используют тепловыделяющий элемент в виде сверхпроводника, в котором на ближайшем к управляемому элементу участке формируют резистивную область и пропускают через него ток, обеспечивающий выделение мощности, достаточной для нагрева и перевода управляемого нанопровода в нормальное состояние.
Основное назначение
1. Способ перевода сверхпроводника в электронных функциональных наноразмерных устройствах из сверхпроводящего состояния в нормальное, отличающийся тем, что перевод осуществляют путем его локального нагрева, для нагрева используют тепловыделяющий элемент в виде сверхпроводящего нанопровода, гальванически не связанного с подвергаемым воздействию и расположенного с наноразмерным зазором рядом с нагреваемым отрезком сверхпроводника с пропусканием через него тока, превышающего величину тока перехода сверхпроводника в нормальное состояние и обеспечивающего выделение мощности, достаточной для нагрева и перевода управляемого нанопровода в нормальное состояние, при этом соблюдают условие, что величина тока, пропускаемого по переводимому в нормальное состояние сверхпроводнику, не превышает величины тока его возврата из нормального состояния в сверхпроводящее, определяемой по вольтамперной характеристике сверхпроводника, полученной без внешних воздействий на сверхпроводник.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для нагрева используют тепловыделяющий элемент в виде сверхпроводника, в котором на ближайшем к управляемому элементу участке формируют резистивную область и пропускают через него ток, обеспечивающий выделение мощности, достаточной для нагрева и перевода управляемого нанопровода в нормальное состояние.
|
||
|
32
|
Патент 2702402
|
Использование: для создания счетного компонента в наноразмерных цифровых устройствах в различных областях науки и техники. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводниковый дискретный счетный компонент, характеризующийся дискретным набором равновесных состояний, содержит подключаемый к источнику тока или к источнику напряжения сверхпроводниковый элемент, переводимый из сверхпроводящего состояния в нормальное, при этом сверхпроводниковый элемент выполнен из последовательно соединенных фрагментов, характеризующихся ступенчато увеличивающимися значениями прямого критического тока, необходимого для перевода фрагментов из сверхпроводящего состояния в нормальное. Технический результат - увеличение числа дискретных равновесных кодируемых состояний. 1. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент, характеризующийся дискретным набором равновесных состояний, содержащий подключаемый к источнику тока или к источнику напряжения сверхпроводниковый элемент, переводимый из сверхпроводящего состояния в нормальное, отличающийся тем, что сверхпроводниковый элемент выполнен из последовательно соединенных фрагментов, характеризующихся ступенчато увеличивающимися значениями прямого критического тока, необходимого для перевода фрагментов из сверхпроводящего состояния в нормальное.
2. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводниковый элемент выполнен из фрагментов со ступенчато увеличивающимся сечением в плоскости, перпендикулярной направлению протекания тока.
3. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 2, отличающийся тем, что фрагмент сверхпроводникового элемента с наименьшим сечением снабжен резистивным участком.
4. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводниковый элемент выполнен из фрагментов, подвергнутых корпускулярному излучению низкоэнергетическим потоком ионов или атомов с различной энергией и дозой, достаточной для образования различного количества дефектов кристаллической структуры и/или различной степени изменения стехиометрии материала сверхпроводника.
5. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 4, отличающийся тем, что фрагмент сверхпроводникового элемента с наименьшим значением прямого критического тока, необходимого для перевода фрагментов из сверхпроводящего состояния в нормальное, снабжен резистивным участком.
Основное назначение
Использование: для создания счетного компонента в наноразмерных цифровых устройствах в различных областях науки и техники. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводниковый дискретный счетный компонент, характеризующийся дискретным набором равновесных состояний, содержит подключаемый к источнику тока или к источнику напряжения сверхпроводниковый элемент, переводимый из сверхпроводящего состояния в нормальное, при этом сверхпроводниковый элемент выполнен из последовательно соединенных фрагментов, характеризующихся ступенчато увеличивающимися значениями прямого критического тока, необходимого для перевода фрагментов из сверхпроводящего состояния в нормальное. Технический результат - увеличение числа дискретных равновесных кодируемых состояний. 1. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент, характеризующийся дискретным набором равновесных состояний, содержащий подключаемый к источнику тока или к источнику напряжения сверхпроводниковый элемент, переводимый из сверхпроводящего состояния в нормальное, отличающийся тем, что сверхпроводниковый элемент выполнен из последовательно соединенных фрагментов, характеризующихся ступенчато увеличивающимися значениями прямого критического тока, необходимого для перевода фрагментов из сверхпроводящего состояния в нормальное.
2. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводниковый элемент выполнен из фрагментов со ступенчато увеличивающимся сечением в плоскости, перпендикулярной направлению протекания тока.
3. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 2, отличающийся тем, что фрагмент сверхпроводникового элемента с наименьшим сечением снабжен резистивным участком.
4. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводниковый элемент выполнен из фрагментов, подвергнутых корпускулярному излучению низкоэнергетическим потоком ионов или атомов с различной энергией и дозой, достаточной для образования различного количества дефектов кристаллической структуры и/или различной степени изменения стехиометрии материала сверхпроводника.
5. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 4, отличающийся тем, что фрагмент сверхпроводникового элемента с наименьшим значением прямого критического тока, необходимого для перевода фрагментов из сверхпроводящего состояния в нормальное, снабжен резистивным участком.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент, характеризующийся дискретным набором равновесных состояний, содержащий подключаемый к источнику тока или к источнику напряжения сверхпроводниковый элемент, переводимый из сверхпроводящего состояния в нормальное, отличающийся тем, что сверхпроводниковый элемент выполнен из последовательно соединенных фрагментов, характеризующихся ступенчато увеличивающимися значениями прямого критического тока, необходимого для перевода фрагментов из сверхпроводящего состояния в нормальное.
2. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводниковый элемент выполнен из фрагментов со ступенчато увеличивающимся сечением в плоскости, перпендикулярной направлению протекания тока.
3. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 2, отличающийся тем, что фрагмент сверхпроводникового элемента с наименьшим сечением снабжен резистивным участком.
4. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводниковый элемент выполнен из фрагментов, подвергнутых корпускулярному излучению низкоэнергетическим потоком ионов или атомов с различной энергией и дозой, достаточной для образования различного количества дефектов кристаллической структуры и/или различной степени изменения стехиометрии материала сверхпроводника.
5. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 4, отличающийся тем, что фрагмент сверхпроводникового элемента с наименьшим значением прямого критического тока, необходимого для перевода фрагментов из сверхпроводящего состояния в нормальное, снабжен резистивным участком.
Основное назначение
1. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент, характеризующийся дискретным набором равновесных состояний, содержащий подключаемый к источнику тока или к источнику напряжения сверхпроводниковый элемент, переводимый из сверхпроводящего состояния в нормальное, отличающийся тем, что сверхпроводниковый элемент выполнен из последовательно соединенных фрагментов, характеризующихся ступенчато увеличивающимися значениями прямого критического тока, необходимого для перевода фрагментов из сверхпроводящего состояния в нормальное.
2. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводниковый элемент выполнен из фрагментов со ступенчато увеличивающимся сечением в плоскости, перпендикулярной направлению протекания тока.
3. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 2, отличающийся тем, что фрагмент сверхпроводникового элемента с наименьшим сечением снабжен резистивным участком.
4. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводниковый элемент выполнен из фрагментов, подвергнутых корпускулярному излучению низкоэнергетическим потоком ионов или атомов с различной энергией и дозой, достаточной для образования различного количества дефектов кристаллической структуры и/или различной степени изменения стехиометрии материала сверхпроводника.
5. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 4, отличающийся тем, что фрагмент сверхпроводникового элемента с наименьшим значением прямого критического тока, необходимого для перевода фрагментов из сверхпроводящего состояния в нормальное, снабжен резистивным участком.
|
||
|
33
|
Патент 2793568
|
Использование: для синхронизированной регистрации рентгеновского и вторичного флуоресцентного излучения в монофотонном режиме. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют облучение исследуемого образца рентгеновским излучением с последующей регистрацией флуоресцентного излучения от образца в оптическом диапазоне, при этом дополнительно регистрируют монофотонным датчиком рентгеновское излучение от образца, определяя координаты прихода фотонов и время их прихода, а вторичное флуоресцентное излучение в оптическом диапазоне от образца регистрируют монофотонным датчиком оптического диапазона, определяя координаты прихода фотонов и время их прихода, при этом обеспечивают регистрацию времени задержки между приходом вторичного фотона флуоресцентного излучения оптического диапазона относительно времени прихода фотона рентгеновского излучения от образца путем использования синхронизирующих импульсов. Технический результат: повышение точности и достоверности исследования образца. 2 ил.
Основное назначение
Использование: для синхронизированной регистрации рентгеновского и вторичного флуоресцентного излучения в монофотонном режиме. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют облучение исследуемого образца рентгеновским излучением с последующей регистрацией флуоресцентного излучения от образца в оптическом диапазоне, при этом дополнительно регистрируют монофотонным датчиком рентгеновское излучение от образца, определяя координаты прихода фотонов и время их прихода, а вторичное флуоресцентное излучение в оптическом диапазоне от образца регистрируют монофотонным датчиком оптического диапазона, определяя координаты прихода фотонов и время их прихода, при этом обеспечивают регистрацию времени задержки между приходом вторичного фотона флуоресцентного излучения оптического диапазона относительно времени прихода фотона рентгеновского излучения от образца путем использования синхронизирующих импульсов. Технический результат: повышение точности и достоверности исследования образца. 2 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН) (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН) (RU)
|
Использование: для синхронизированной регистрации рентгеновского и вторичного флуоресцентного излучения в монофотонном режиме. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют облучение исследуемого образца рентгеновским излучением с последующей регистрацией флуоресцентного излучения от образца в оптическом диапазоне, при этом дополнительно регистрируют монофотонным датчиком рентгеновское излучение от образца, определяя координаты прихода фотонов и время их прихода, а вторичное флуоресцентное излучение в оптическом диапазоне от образца регистрируют монофотонным датчиком оптического диапазона, определяя координаты прихода фотонов и время их прихода, при этом обеспечивают регистрацию времени задержки между приходом вторичного фотона флуоресцентного излучения оптического диапазона относительно времени прихода фотона рентгеновского излучения от образца путем использования синхронизирующих импульсов. Технический результат: повышение точности и достоверности исследования образца. 2 ил.
Основное назначение
Использование: для синхронизированной регистрации рентгеновского и вторичного флуоресцентного излучения в монофотонном режиме. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют облучение исследуемого образца рентгеновским излучением с последующей регистрацией флуоресцентного излучения от образца в оптическом диапазоне, при этом дополнительно регистрируют монофотонным датчиком рентгеновское излучение от образца, определяя координаты прихода фотонов и время их прихода, а вторичное флуоресцентное излучение в оптическом диапазоне от образца регистрируют монофотонным датчиком оптического диапазона, определяя координаты прихода фотонов и время их прихода, при этом обеспечивают регистрацию времени задержки между приходом вторичного фотона флуоресцентного излучения оптического диапазона относительно времени прихода фотона рентгеновского излучения от образца путем использования синхронизирующих импульсов. Технический результат: повышение точности и достоверности исследования образца. 2 ил.
|
||
|
34
|
Патент 2824297
|
Использование: для сбора и обработки данных рентгеновской дифракционной 3D-микротомографии образца. Сущность изобретения заключается в том, что получают дифракционные данные от детектора при пошаговом повороте образца относительно падающего рентгеновского пучка с последующим формированием 2D-изображений и их преобразованием в 3D-изображения, при этом для различных углов вращения вокруг вектора дифракции образец юстируют в точном брэгговском положении и многократно снимают серии 2D-кадров, которые включают в себя данные интенсивности, измеренные рентгеновским 2D-детектором в режиме «на просвет», производят преобразование 2D-данных интенсивности в соответствующие данные 2D-пиксельного изображения, обеспечивают их компьютерное запоминание в виде цифровых массивов по одному массиву для каждого угла поворота образца; затем формируют статистически усредненный 2D-кадр данных, соответствующих конкретному углу поворота образца, при этом число собираемых отдельных 2D-кадров данных интенсивности рентгеновской дифракции выбирают из условия, что величины номинального отклонения шумовой составляющей в области максимального значения интенсивности статистически усредненного 2D-кадра не должны превышать 5% уровень от среднего значения интенсивности 2D-кадра в соответствии с оценкой дисперсии не кореллированной части данных по таблице разностей значений интенсивностей в массиве пикселей, составляющих прямоугольное окно сканирования 2D-изображения размером от 3?3 или 5?5 пикселей с центром в пикселе, для которого проводят оценку дисперсии шумов, затем сформированные таким образом статистически усредненные 2D-данные интенсивности, соответствующие разным положениям образца, направляют в компьютерную программу обработки 2D-данных рентгеновской дифракционной микротомографии, которая входит в программный пакет микротомографа, причем в 3D-пространстве все усредненные 2D-кадры маркируются, по крайней мере, одним из следующих параметров: положение образца, размеры 2D-детектора, положения детектора относительно образца, длины волны рентгеновского излучения. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения уровня случайного шума, а также обеспечение возможности проводить динамический контроль начала радиационного повреждения образа и использовать детектор в линейном режиме регистрации, избегая его перегрузки при большом времени экспозиции, в результате сокращения времени регистрации каждого кадра. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Основное назначение
Использование: для сбора и обработки данных рентгеновской дифракционной 3D-микротомографии образца. Сущность изобретения заключается в том, что получают дифракционные данные от детектора при пошаговом повороте образца относительно падающего рентгеновского пучка с последующим формированием 2D-изображений и их преобразованием в 3D-изображения, при этом для различных углов вращения вокруг вектора дифракции образец юстируют в точном брэгговском положении и многократно снимают серии 2D-кадров, которые включают в себя данные интенсивности, измеренные рентгеновским 2D-детектором в режиме «на просвет», производят преобразование 2D-данных интенсивности в соответствующие данные 2D-пиксельного изображения, обеспечивают их компьютерное запоминание в виде цифровых массивов по одному массиву для каждого угла поворота образца; затем формируют статистически усредненный 2D-кадр данных, соответствующих конкретному углу поворота образца, при этом число собираемых отдельных 2D-кадров данных интенсивности рентгеновской дифракции выбирают из условия, что величины номинального отклонения шумовой составляющей в области максимального значения интенсивности статистически усредненного 2D-кадра не должны превышать 5% уровень от среднего значения интенсивности 2D-кадра в соответствии с оценкой дисперсии не кореллированной части данных по таблице разностей значений интенсивностей в массиве пикселей, составляющих прямоугольное окно сканирования 2D-изображения размером от 3?3 или 5?5 пикселей с центром в пикселе, для которого проводят оценку дисперсии шумов, затем сформированные таким образом статистически усредненные 2D-данные интенсивности, соответствующие разным положениям образца, направляют в компьютерную программу обработки 2D-данных рентгеновской дифракционной микротомографии, которая входит в программный пакет микротомографа, причем в 3D-пространстве все усредненные 2D-кадры маркируются, по крайней мере, одним из следующих параметров: положение образца, размеры 2D-детектора, положения детектора относительно образца, длины волны рентгеновского излучения. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения уровня случайного шума, а также обеспечение возможности проводить динамический контроль начала радиационного повреждения образа и использовать детектор в линейном режиме регистрации, избегая его перегрузки при большом времени экспозиции, в результате сокращения времени регистрации каждого кадра. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Использование: для сбора и обработки данных рентгеновской дифракционной 3D-микротомографии образца. Сущность изобретения заключается в том, что получают дифракционные данные от детектора при пошаговом повороте образца относительно падающего рентгеновского пучка с последующим формированием 2D-изображений и их преобразованием в 3D-изображения, при этом для различных углов вращения вокруг вектора дифракции образец юстируют в точном брэгговском положении и многократно снимают серии 2D-кадров, которые включают в себя данные интенсивности, измеренные рентгеновским 2D-детектором в режиме «на просвет», производят преобразование 2D-данных интенсивности в соответствующие данные 2D-пиксельного изображения, обеспечивают их компьютерное запоминание в виде цифровых массивов по одному массиву для каждого угла поворота образца; затем формируют статистически усредненный 2D-кадр данных, соответствующих конкретному углу поворота образца, при этом число собираемых отдельных 2D-кадров данных интенсивности рентгеновской дифракции выбирают из условия, что величины номинального отклонения шумовой составляющей в области максимального значения интенсивности статистически усредненного 2D-кадра не должны превышать 5% уровень от среднего значения интенсивности 2D-кадра в соответствии с оценкой дисперсии не кореллированной части данных по таблице разностей значений интенсивностей в массиве пикселей, составляющих прямоугольное окно сканирования 2D-изображения размером от 3?3 или 5?5 пикселей с центром в пикселе, для которого проводят оценку дисперсии шумов, затем сформированные таким образом статистически усредненные 2D-данные интенсивности, соответствующие разным положениям образца, направляют в компьютерную программу обработки 2D-данных рентгеновской дифракционной микротомографии, которая входит в программный пакет микротомографа, причем в 3D-пространстве все усредненные 2D-кадры маркируются, по крайней мере, одним из следующих параметров: положение образца, размеры 2D-детектора, положения детектора относительно образца, длины волны рентгеновского излучения. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения уровня случайного шума, а также обеспечение возможности проводить динамический контроль начала радиационного повреждения образа и использовать детектор в линейном режиме регистрации, избегая его перегрузки при большом времени экспозиции, в результате сокращения времени регистрации каждого кадра. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Основное назначение
Использование: для сбора и обработки данных рентгеновской дифракционной 3D-микротомографии образца. Сущность изобретения заключается в том, что получают дифракционные данные от детектора при пошаговом повороте образца относительно падающего рентгеновского пучка с последующим формированием 2D-изображений и их преобразованием в 3D-изображения, при этом для различных углов вращения вокруг вектора дифракции образец юстируют в точном брэгговском положении и многократно снимают серии 2D-кадров, которые включают в себя данные интенсивности, измеренные рентгеновским 2D-детектором в режиме «на просвет», производят преобразование 2D-данных интенсивности в соответствующие данные 2D-пиксельного изображения, обеспечивают их компьютерное запоминание в виде цифровых массивов по одному массиву для каждого угла поворота образца; затем формируют статистически усредненный 2D-кадр данных, соответствующих конкретному углу поворота образца, при этом число собираемых отдельных 2D-кадров данных интенсивности рентгеновской дифракции выбирают из условия, что величины номинального отклонения шумовой составляющей в области максимального значения интенсивности статистически усредненного 2D-кадра не должны превышать 5% уровень от среднего значения интенсивности 2D-кадра в соответствии с оценкой дисперсии не кореллированной части данных по таблице разностей значений интенсивностей в массиве пикселей, составляющих прямоугольное окно сканирования 2D-изображения размером от 3?3 или 5?5 пикселей с центром в пикселе, для которого проводят оценку дисперсии шумов, затем сформированные таким образом статистически усредненные 2D-данные интенсивности, соответствующие разным положениям образца, направляют в компьютерную программу обработки 2D-данных рентгеновской дифракционной микротомографии, которая входит в программный пакет микротомографа, причем в 3D-пространстве все усредненные 2D-кадры маркируются, по крайней мере, одним из следующих параметров: положение образца, размеры 2D-детектора, положения детектора относительно образца, длины волны рентгеновского излучения. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения уровня случайного шума, а также обеспечение возможности проводить динамический контроль начала радиационного повреждения образа и использовать детектор в линейном режиме регистрации, избегая его перегрузки при большом времени экспозиции, в результате сокращения времени регистрации каждого кадра. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
|
||
|
35
|
Патент 2830098
|
Использование: для регистрации рентгенодифракционных параметров кристалла при воздействии лазерного излучения. Сущность изобретения заключается в том, что устройство для регистрации рентгенодифракционных параметров кристалла при воздействии лазерного излучения содержит источник рентгеновского излучения, диафрагму, установленный на гониометрической системе образец, источник лазерного излучения и управляющую ЭВМ, подключенную к двигателям гониометра, при этом между диафрагмой и установленным на гониометрической системе образцом размещен асимметрично вырезанный кристалл-монохроматор, а за образцом по ходу отраженных лучей установлен двумерный детектор, который подключен к управляющей ЭВМ. Технический результат: повышение точности и достоверности результатов исследования кристаллов. 4 ил.
Основное назначение
Использование: для регистрации рентгенодифракционных параметров кристалла при воздействии лазерного излучения. Сущность изобретения заключается в том, что устройство для регистрации рентгенодифракционных параметров кристалла при воздействии лазерного излучения содержит источник рентгеновского излучения, диафрагму, установленный на гониометрической системе образец, источник лазерного излучения и управляющую ЭВМ, подключенную к двигателям гониометра, при этом между диафрагмой и установленным на гониометрической системе образцом размещен асимметрично вырезанный кристалл-монохроматор, а за образцом по ходу отраженных лучей установлен двумерный детектор, который подключен к управляющей ЭВМ. Технический результат: повышение точности и достоверности результатов исследования кристаллов. 4 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
|
Использование: для регистрации рентгенодифракционных параметров кристалла при воздействии лазерного излучения. Сущность изобретения заключается в том, что устройство для регистрации рентгенодифракционных параметров кристалла при воздействии лазерного излучения содержит источник рентгеновского излучения, диафрагму, установленный на гониометрической системе образец, источник лазерного излучения и управляющую ЭВМ, подключенную к двигателям гониометра, при этом между диафрагмой и установленным на гониометрической системе образцом размещен асимметрично вырезанный кристалл-монохроматор, а за образцом по ходу отраженных лучей установлен двумерный детектор, который подключен к управляющей ЭВМ. Технический результат: повышение точности и достоверности результатов исследования кристаллов. 4 ил.
Основное назначение
Использование: для регистрации рентгенодифракционных параметров кристалла при воздействии лазерного излучения. Сущность изобретения заключается в том, что устройство для регистрации рентгенодифракционных параметров кристалла при воздействии лазерного излучения содержит источник рентгеновского излучения, диафрагму, установленный на гониометрической системе образец, источник лазерного излучения и управляющую ЭВМ, подключенную к двигателям гониометра, при этом между диафрагмой и установленным на гониометрической системе образцом размещен асимметрично вырезанный кристалл-монохроматор, а за образцом по ходу отраженных лучей установлен двумерный детектор, который подключен к управляющей ЭВМ. Технический результат: повышение точности и достоверности результатов исследования кристаллов. 4 ил.
|
||
|
36
|
Патент 2836388
|
Использование: для регистрации рентгеновских спектров поглощения с временным разрешением. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют дифракцию рентгеновского луча на оптическом элементе, которая регистрируется детектором при непрерывной перестройке его углового положения в соответствии с сигналом генератора, в качестве оптического элемента применены безгистерезисные изгибные актуаторы, обеспечивающие быструю периодическую модуляцию энергии монохроматического излучения рентгеновского пучка. Интенсивность модулированного пучка непрерывно регистрируют детектором до и после прохождения пучка через исследуемый образец. Полученные временные зависимости интенсивности пучка затем преобразуют в спектральные зависимости для получения рентгеновского спектра образца посредством временной развертки сигнала детектора с помощью синхронизированного с управляющим генератором многоканального анализатора. По результатам обработки непрерывного потока сигналов с детектора создают зависимость показателя поглощения от энергии излучения, т.е. классический вид спектра поглощения. Время записи одного спектра поглощения составляет вплоть до 10-2 с. Технический результат: обеспечение возможности упрощения конструкции установки для регистрации рентгеновских спектров поглощения с временным разрешением и обеспечение возможности более точного способа записи спектров поглощения. Способ регистрации рентгеновских спектров поглощения с временным разрешением, включающий дифракцию рентгеновского луча на оптическом элементе, которая регистрируется детектором при непрерывной перестройке его углового положения в соответствии с сигналом генератора, отличающийся тем, что в качестве оптического элемента применены безгистерезисные изгибные актуаторы, обеспечивающие быструю периодическую модуляцию энергии монохроматического излучения рентгеновского пучка, а интенсивность модулированного пучка непрерывно регистрируют детектором до прохождения пучка через исследуемый образец (I0(t)) и после прохождения пучка через исследуемый образец (I1(t)), временные зависимости которых, I0(t) и I1(t), преобразуют в спектральные зависимости I0(Е) и I1(E) для получения рентгеновского спектра образца посредством временной развертки сигнала детектора с помощью синхронизированного с управляющим генератором многоканального анализатора, который производит разделение непрерывного потока сигналов с детектора на N независимых временных промежутков (каналов) с малой дискретной длительностью, при этом выходными данными с многоканального анализатора является зависимость интенсивностей от номера промежутка (канала) I0(n) и I1(n), а каждому временному промежутку n соответствует определенная фаза ?(n) периодических колебаний безгистерезисных изгибных актуаторов, определяемая по зависимости
?(n)=2? ? (n-1)/N,
где ? - фаза управляющего сигнала при накоплении сигналов в канал n, N - общее число каналов,
соотношение между фазой осцилляции и угловым положением дифракционного элемента безгистерезисного изгибного актуатора определяют по зависимости ?(?)=?0+??/2sin?,
где ? - угловое положение дифракционного элемента при фазе осцилляций ?, ?0 - начальное угловое положение в отсутствие осцилляций, ?? - диапазон угловой перестройки безгистерезисного изгибного актуатора,
энергию монохроматического излучения, проходящего через монохроматор при угловом положении дифракционных элементов ?, вычисляют из условия Вульфа-Брэгга:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
где Е - энергия генерируемого монохроматического излучения при угловом положении дифракционного элемента ?, h - постоянная Планка, с - скорость света, d - межплоскостное расстояние дифракционного элемента, для каждого временного промежутка n определяют энергию монохроматического пучка Е(n) по зависимости
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
а спектр поглощения исследуемого образца определяют по зависимости
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
где ?(Е) - показатель поглощения для рентгеновского излучения с энергией Е, I0(E), I1(E) - регистрируемые для монохроматического пучка с энергией Е интенсивности до и после образца.
Основное назначение
Использование: для регистрации рентгеновских спектров поглощения с временным разрешением. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют дифракцию рентгеновского луча на оптическом элементе, которая регистрируется детектором при непрерывной перестройке его углового положения в соответствии с сигналом генератора, в качестве оптического элемента применены безгистерезисные изгибные актуаторы, обеспечивающие быструю периодическую модуляцию энергии монохроматического излучения рентгеновского пучка. Интенсивность модулированного пучка непрерывно регистрируют детектором до и после прохождения пучка через исследуемый образец. Полученные временные зависимости интенсивности пучка затем преобразуют в спектральные зависимости для получения рентгеновского спектра образца посредством временной развертки сигнала детектора с помощью синхронизированного с управляющим генератором многоканального анализатора. По результатам обработки непрерывного потока сигналов с детектора создают зависимость показателя поглощения от энергии излучения, т.е. классический вид спектра поглощения. Время записи одного спектра поглощения составляет вплоть до 10-2 с. Технический результат: обеспечение возможности упрощения конструкции установки для регистрации рентгеновских спектров поглощения с временным разрешением и обеспечение возможности более точного способа записи спектров поглощения. Способ регистрации рентгеновских спектров поглощения с временным разрешением, включающий дифракцию рентгеновского луча на оптическом элементе, которая регистрируется детектором при непрерывной перестройке его углового положения в соответствии с сигналом генератора, отличающийся тем, что в качестве оптического элемента применены безгистерезисные изгибные актуаторы, обеспечивающие быструю периодическую модуляцию энергии монохроматического излучения рентгеновского пучка, а интенсивность модулированного пучка непрерывно регистрируют детектором до прохождения пучка через исследуемый образец (I0(t)) и после прохождения пучка через исследуемый образец (I1(t)), временные зависимости которых, I0(t) и I1(t), преобразуют в спектральные зависимости I0(Е) и I1(E) для получения рентгеновского спектра образца посредством временной развертки сигнала детектора с помощью синхронизированного с управляющим генератором многоканального анализатора, который производит разделение непрерывного потока сигналов с детектора на N независимых временных промежутков (каналов) с малой дискретной длительностью, при этом выходными данными с многоканального анализатора является зависимость интенсивностей от номера промежутка (канала) I0(n) и I1(n), а каждому временному промежутку n соответствует определенная фаза ?(n) периодических колебаний безгистерезисных изгибных актуаторов, определяемая по зависимости
?(n)=2? ? (n-1)/N,
где ? - фаза управляющего сигнала при накоплении сигналов в канал n, N - общее число каналов,
соотношение между фазой осцилляции и угловым положением дифракционного элемента безгистерезисного изгибного актуатора определяют по зависимости ?(?)=?0+??/2sin?,
где ? - угловое положение дифракционного элемента при фазе осцилляций ?, ?0 - начальное угловое положение в отсутствие осцилляций, ?? - диапазон угловой перестройки безгистерезисного изгибного актуатора,
энергию монохроматического излучения, проходящего через монохроматор при угловом положении дифракционных элементов ?, вычисляют из условия Вульфа-Брэгга:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
где Е - энергия генерируемого монохроматического излучения при угловом положении дифракционного элемента ?, h - постоянная Планка, с - скорость света, d - межплоскостное расстояние дифракционного элемента, для каждого временного промежутка n определяют энергию монохроматического пучка Е(n) по зависимости
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
а спектр поглощения исследуемого образца определяют по зависимости
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
где ?(Е) - показатель поглощения для рентгеновского излучения с энергией Е, I0(E), I1(E) - регистрируемые для монохроматического пучка с энергией Е интенсивности до и после образца.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ регистрации рентгеновских спектров поглощения с временным разрешением, включающий дифракцию рентгеновского луча на оптическом элементе, которая регистрируется детектором при непрерывной перестройке его углового положения в соответствии с сигналом генератора, отличающийся тем, что в качестве оптического элемента применены безгистерезисные изгибные актуаторы, обеспечивающие быструю периодическую модуляцию энергии монохроматического излучения рентгеновского пучка, а интенсивность модулированного пучка непрерывно регистрируют детектором до прохождения пучка через исследуемый образец (I0(t)) и после прохождения пучка через исследуемый образец (I1(t)), временные зависимости которых, I0(t) и I1(t), преобразуют в спектральные зависимости I0(Е) и I1(E) для получения рентгеновского спектра образца посредством временной развертки сигнала детектора с помощью синхронизированного с управляющим генератором многоканального анализатора, который производит разделение непрерывного потока сигналов с детектора на N независимых временных промежутков (каналов) с малой дискретной длительностью, при этом выходными данными с многоканального анализатора является зависимость интенсивностей от номера промежутка (канала) I0(n) и I1(n), а каждому временному промежутку n соответствует определенная фаза ?(n) периодических колебаний безгистерезисных изгибных актуаторов, определяемая по зависимости
?(n)=2? ? (n-1)/N,
где ? - фаза управляющего сигнала при накоплении сигналов в канал n, N - общее число каналов,
соотношение между фазой осцилляции и угловым положением дифракционного элемента безгистерезисного изгибного актуатора определяют по зависимости ?(?)=?0+??/2sin?,
где ? - угловое положение дифракционного элемента при фазе осцилляций ?, ?0 - начальное угловое положение в отсутствие осцилляций, ?? - диапазон угловой перестройки безгистерезисного изгибного актуатора,
энергию монохроматического излучения, проходящего через монохроматор при угловом положении дифракционных элементов ?, вычисляют из условия Вульфа-Брэгга:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
где Е - энергия генерируемого монохроматического излучения при угловом положении дифракционного элемента ?, h - постоянная Планка, с - скорость света, d - межплоскостное расстояние дифракционного элемента, для каждого временного промежутка n определяют энергию монохроматического пучка Е(n) по зависимости
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
а спектр поглощения исследуемого образца определяют по зависимости
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
где ?(Е) - показатель поглощения для рентгеновского излучения с энергией Е, I0(E), I1(E) - регистрируемые для монохроматического пучка с энергией Е интенсивности до и после образца.
Основное назначение
Способ регистрации рентгеновских спектров поглощения с временным разрешением, включающий дифракцию рентгеновского луча на оптическом элементе, которая регистрируется детектором при непрерывной перестройке его углового положения в соответствии с сигналом генератора, отличающийся тем, что в качестве оптического элемента применены безгистерезисные изгибные актуаторы, обеспечивающие быструю периодическую модуляцию энергии монохроматического излучения рентгеновского пучка, а интенсивность модулированного пучка непрерывно регистрируют детектором до прохождения пучка через исследуемый образец (I0(t)) и после прохождения пучка через исследуемый образец (I1(t)), временные зависимости которых, I0(t) и I1(t), преобразуют в спектральные зависимости I0(Е) и I1(E) для получения рентгеновского спектра образца посредством временной развертки сигнала детектора с помощью синхронизированного с управляющим генератором многоканального анализатора, который производит разделение непрерывного потока сигналов с детектора на N независимых временных промежутков (каналов) с малой дискретной длительностью, при этом выходными данными с многоканального анализатора является зависимость интенсивностей от номера промежутка (канала) I0(n) и I1(n), а каждому временному промежутку n соответствует определенная фаза ?(n) периодических колебаний безгистерезисных изгибных актуаторов, определяемая по зависимости
?(n)=2? ? (n-1)/N,
где ? - фаза управляющего сигнала при накоплении сигналов в канал n, N - общее число каналов,
соотношение между фазой осцилляции и угловым положением дифракционного элемента безгистерезисного изгибного актуатора определяют по зависимости ?(?)=?0+??/2sin?,
где ? - угловое положение дифракционного элемента при фазе осцилляций ?, ?0 - начальное угловое положение в отсутствие осцилляций, ?? - диапазон угловой перестройки безгистерезисного изгибного актуатора,
энергию монохроматического излучения, проходящего через монохроматор при угловом положении дифракционных элементов ?, вычисляют из условия Вульфа-Брэгга:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
где Е - энергия генерируемого монохроматического излучения при угловом положении дифракционного элемента ?, h - постоянная Планка, с - скорость света, d - межплоскостное расстояние дифракционного элемента, для каждого временного промежутка n определяют энергию монохроматического пучка Е(n) по зависимости
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
а спектр поглощения исследуемого образца определяют по зависимости
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
где ?(Е) - показатель поглощения для рентгеновского излучения с энергией Е, I0(E), I1(E) - регистрируемые для монохроматического пучка с энергией Е интенсивности до и после образца.
|
||
|
37
|
Патент 2694799
|
Использование: для применения в процессорах с высокой плотностью функциональных элементов на основе сверхпроводящих нанопроводов. Сущность изобретения заключается в том, что способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное заключается во включении участков нормальных сопротивлений в наноразмерный сверхпроводник. Технический результат: обеспечеение возможности снижения энергопотребления и тепловыделения в электронных функциональных наноразмерных устройствах с высокой плотностью элементов. Способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное, заключающийся во включении участков нормальных сопротивлений в наноразмерный сверхпроводник.
Основное назначение
Использование: для применения в процессорах с высокой плотностью функциональных элементов на основе сверхпроводящих нанопроводов. Сущность изобретения заключается в том, что способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное заключается во включении участков нормальных сопротивлений в наноразмерный сверхпроводник. Технический результат: обеспечеение возможности снижения энергопотребления и тепловыделения в электронных функциональных наноразмерных устройствах с высокой плотностью элементов. Способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное, заключающийся во включении участков нормальных сопротивлений в наноразмерный сверхпроводник.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное, заключающийся во включении участков нормальных сопротивлений в наноразмерный сверхпроводник.
Основное назначение
Способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное, заключающийся во включении участков нормальных сопротивлений в наноразмерный сверхпроводник.
|
||
|
38
|
Патент 2697517
|
Использование: для получения спин-поляризованных носителей заряда в графене. Сущность изобретения заключается в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности предварительно сформированной структуры монослой графена/подложка формируют субмонослой европия со структурой (V3xV3)Eu. Технический результат: обеспечение возможности получения спин-поляризованных носителей заряда в графене. Способ получения спин-поляризованных носителей заряда в графене, заключающийся в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности предварительно сформированной структуры монослой графена/подложка формируют субмонослой европия со структурой (V3xV3)Eu..
Основное назначение
Использование: для получения спин-поляризованных носителей заряда в графене. Сущность изобретения заключается в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности предварительно сформированной структуры монослой графена/подложка формируют субмонослой европия со структурой (V3xV3)Eu. Технический результат: обеспечение возможности получения спин-поляризованных носителей заряда в графене. Способ получения спин-поляризованных носителей заряда в графене, заключающийся в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности предварительно сформированной структуры монослой графена/подложка формируют субмонослой европия со структурой (V3xV3)Eu..
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ получения спин-поляризованных носителей заряда в графене, заключающийся в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности предварительно сформированной структуры монослой графена/подложка формируют субмонослой европия со структурой (V3xV3)Eu..
Основное назначение
Способ получения спин-поляризованных носителей заряда в графене, заключающийся в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности предварительно сформированной структуры монослой графена/подложка формируют субмонослой европия со структурой (V3xV3)Eu..
|
||
|
39
|
Патент 2819133
|
Использование: для определения основных и примесных компонентов в стеклянных крупногабаритных объектах культурного наследия. Сущность изобретения заключается в том, что аттестованные исторические образцы методом масс-спектрометрии с индуктивно-связанной плазмой с лазерным пробоотбором используются для построения градуировочной зависимости при рентгенофлуоресцентном анализе, причем измерения, осуществляемые для построения градуировочной зависимости, используемой при рентгенофлуоресцентном анализе, выполняют в той же точке, что и измерения, осуществляемые при аттестации исторических образцов методом масс-спектрометрии с индуктивно-связанной плазмой с лазерным пробоотбором, при этом съемка исследуемых крупногабаритных объектов выполняется локально. Технический результат: обеспечение возможности неразрушающего определения основных и примесных компонентов в крупногабаритных стеклянных объектах культурного наследия и расширение круга исследуемых объектов исторического наследия. 2 ил.
Основное назначение
Использование: для определения основных и примесных компонентов в стеклянных крупногабаритных объектах культурного наследия. Сущность изобретения заключается в том, что аттестованные исторические образцы методом масс-спектрометрии с индуктивно-связанной плазмой с лазерным пробоотбором используются для построения градуировочной зависимости при рентгенофлуоресцентном анализе, причем измерения, осуществляемые для построения градуировочной зависимости, используемой при рентгенофлуоресцентном анализе, выполняют в той же точке, что и измерения, осуществляемые при аттестации исторических образцов методом масс-спектрометрии с индуктивно-связанной плазмой с лазерным пробоотбором, при этом съемка исследуемых крупногабаритных объектов выполняется локально. Технический результат: обеспечение возможности неразрушающего определения основных и примесных компонентов в крупногабаритных стеклянных объектах культурного наследия и расширение круга исследуемых объектов исторического наследия. 2 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Использование: для определения основных и примесных компонентов в стеклянных крупногабаритных объектах культурного наследия. Сущность изобретения заключается в том, что аттестованные исторические образцы методом масс-спектрометрии с индуктивно-связанной плазмой с лазерным пробоотбором используются для построения градуировочной зависимости при рентгенофлуоресцентном анализе, причем измерения, осуществляемые для построения градуировочной зависимости, используемой при рентгенофлуоресцентном анализе, выполняют в той же точке, что и измерения, осуществляемые при аттестации исторических образцов методом масс-спектрометрии с индуктивно-связанной плазмой с лазерным пробоотбором, при этом съемка исследуемых крупногабаритных объектов выполняется локально. Технический результат: обеспечение возможности неразрушающего определения основных и примесных компонентов в крупногабаритных стеклянных объектах культурного наследия и расширение круга исследуемых объектов исторического наследия. 2 ил.
Основное назначение
Использование: для определения основных и примесных компонентов в стеклянных крупногабаритных объектах культурного наследия. Сущность изобретения заключается в том, что аттестованные исторические образцы методом масс-спектрометрии с индуктивно-связанной плазмой с лазерным пробоотбором используются для построения градуировочной зависимости при рентгенофлуоресцентном анализе, причем измерения, осуществляемые для построения градуировочной зависимости, используемой при рентгенофлуоресцентном анализе, выполняют в той же точке, что и измерения, осуществляемые при аттестации исторических образцов методом масс-спектрометрии с индуктивно-связанной плазмой с лазерным пробоотбором, при этом съемка исследуемых крупногабаритных объектов выполняется локально. Технический результат: обеспечение возможности неразрушающего определения основных и примесных компонентов в крупногабаритных стеклянных объектах культурного наследия и расширение круга исследуемых объектов исторического наследия. 2 ил.
|
||
|
40
|
Патент 2824296
|
Использование: для наладки и калибровки рентгеновских и оптических монофотонных датчиков. Сущность изобретения заключается в том, что cтенд для наладки и калибровки рентгеновских и оптических монофотонных датчиков, имеющих размещенные внутри корпуса фотокатод, сборку микроканальных пластин, систему корректирующих линз и коллектор, содержит корпус, источник излучения, электронный измерительный блок, источник питания и управляющую ЭВМ, предназначенную для сбора и обработки результатов испытаний, при этом датчик размещен внутри герметичной камеры, подключенной к вакуумному насосу и содержащей окно для прохода лучей рентгеновского или оптического диапазона от источника излучения, размещенного напротив окна, коллектор датчика подключен к электронному блоку обработки информации, поступающей с датчика, а последний связан с управляющей ЭВМ, позволяющей определять параметры функционирования детектора и управлять работой источника питания и источником излучения. Технический результат: обеспечение возможности точной настройки рентгеновских и оптических монофотонных датчиков. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Основное назначение
Использование: для наладки и калибровки рентгеновских и оптических монофотонных датчиков. Сущность изобретения заключается в том, что cтенд для наладки и калибровки рентгеновских и оптических монофотонных датчиков, имеющих размещенные внутри корпуса фотокатод, сборку микроканальных пластин, систему корректирующих линз и коллектор, содержит корпус, источник излучения, электронный измерительный блок, источник питания и управляющую ЭВМ, предназначенную для сбора и обработки результатов испытаний, при этом датчик размещен внутри герметичной камеры, подключенной к вакуумному насосу и содержащей окно для прохода лучей рентгеновского или оптического диапазона от источника излучения, размещенного напротив окна, коллектор датчика подключен к электронному блоку обработки информации, поступающей с датчика, а последний связан с управляющей ЭВМ, позволяющей определять параметры функционирования детектора и управлять работой источника питания и источником излучения. Технический результат: обеспечение возможности точной настройки рентгеновских и оптических монофотонных датчиков. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
|
Использование: для наладки и калибровки рентгеновских и оптических монофотонных датчиков. Сущность изобретения заключается в том, что cтенд для наладки и калибровки рентгеновских и оптических монофотонных датчиков, имеющих размещенные внутри корпуса фотокатод, сборку микроканальных пластин, систему корректирующих линз и коллектор, содержит корпус, источник излучения, электронный измерительный блок, источник питания и управляющую ЭВМ, предназначенную для сбора и обработки результатов испытаний, при этом датчик размещен внутри герметичной камеры, подключенной к вакуумному насосу и содержащей окно для прохода лучей рентгеновского или оптического диапазона от источника излучения, размещенного напротив окна, коллектор датчика подключен к электронному блоку обработки информации, поступающей с датчика, а последний связан с управляющей ЭВМ, позволяющей определять параметры функционирования детектора и управлять работой источника питания и источником излучения. Технический результат: обеспечение возможности точной настройки рентгеновских и оптических монофотонных датчиков. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Основное назначение
Использование: для наладки и калибровки рентгеновских и оптических монофотонных датчиков. Сущность изобретения заключается в том, что cтенд для наладки и калибровки рентгеновских и оптических монофотонных датчиков, имеющих размещенные внутри корпуса фотокатод, сборку микроканальных пластин, систему корректирующих линз и коллектор, содержит корпус, источник излучения, электронный измерительный блок, источник питания и управляющую ЭВМ, предназначенную для сбора и обработки результатов испытаний, при этом датчик размещен внутри герметичной камеры, подключенной к вакуумному насосу и содержащей окно для прохода лучей рентгеновского или оптического диапазона от источника излучения, размещенного напротив окна, коллектор датчика подключен к электронному блоку обработки информации, поступающей с датчика, а последний связан с управляющей ЭВМ, позволяющей определять параметры функционирования детектора и управлять работой источника питания и источником излучения. Технический результат: обеспечение возможности точной настройки рентгеновских и оптических монофотонных датчиков. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
||