Использование: для создания счетного компонента в наноразмерных цифровых устройствах в различных областях науки и техники. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводниковый дискретный счетный компонент, характеризующийся дискретным набором равновесных состояний, содержит подключаемый к источнику тока или к источнику напряжения сверхпроводниковый элемент, переводимый из сверхпроводящего состояния в нормальное, при этом сверхпроводниковый элемент выполнен из последовательно соединенных фрагментов, характеризующихся ступенчато увеличивающимися значениями прямого критического тока, необходимого для перевода фрагментов из сверхпроводящего состояния в нормальное. Технический результат - увеличение числа дискретных равновесных кодируемых состояний. 1. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент, характеризующийся дискретным набором равновесных состояний, содержащий подключаемый к источнику тока или к источнику напряжения сверхпроводниковый элемент, переводимый из сверхпроводящего состояния в нормальное, отличающийся тем, что сверхпроводниковый элемент выполнен из последовательно соединенных фрагментов, характеризующихся ступенчато увеличивающимися значениями прямого критического тока, необходимого для перевода фрагментов из сверхпроводящего состояния в нормальное.
2. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводниковый элемент выполнен из фрагментов со ступенчато увеличивающимся сечением в плоскости, перпендикулярной направлению протекания тока.
3. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 2, отличающийся тем, что фрагмент сверхпроводникового элемента с наименьшим сечением снабжен резистивным участком.
4. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводниковый элемент выполнен из фрагментов, подвергнутых корпускулярному излучению низкоэнергетическим потоком ионов или атомов с различной энергией и дозой, достаточной для образования различного количества дефектов кристаллической структуры и/или различной степени изменения стехиометрии материала сверхпроводника.
5. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 4, отличающийся тем, что фрагмент сверхпроводникового элемента с наименьшим значением прямого критического тока, необходимого для перевода фрагментов из сверхпроводящего состояния в нормальное, снабжен резистивным участком.
2. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводниковый элемент выполнен из фрагментов со ступенчато увеличивающимся сечением в плоскости, перпендикулярной направлению протекания тока.
3. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 2, отличающийся тем, что фрагмент сверхпроводникового элемента с наименьшим сечением снабжен резистивным участком.
4. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводниковый элемент выполнен из фрагментов, подвергнутых корпускулярному излучению низкоэнергетическим потоком ионов или атомов с различной энергией и дозой, достаточной для образования различного количества дефектов кристаллической структуры и/или различной степени изменения стехиометрии материала сверхпроводника.
5. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 4, отличающийся тем, что фрагмент сверхпроводникового элемента с наименьшим значением прямого критического тока, необходимого для перевода фрагментов из сверхпроводящего состояния в нормальное, снабжен резистивным участком.