Использование: для создания функциональных переключаемых электронных устройств различного назначения. Сущность изобретения заключается в том, что способ перевода сверхпроводника в электронных функциональных наноразмерных устройствах из сверхпроводящего состояния в нормальное осуществляют путем его локального нагрева, для нагрева используют тепловыделяющий элемент в виде сверхпроводящего нанопровода, гальванически не связанного с подвергаемым воздействию и расположенного с наноразмерным зазором рядом с нагреваемым отрезком сверхпроводника с пропусканием через него тока, превышающего величину тока перехода сверхпроводника в нормальное состояние и обеспечивающего выделение мощности, достаточной для нагрева и перевода управляемого нанопровода в нормальное состояние, при этом соблюдают условие, что величина тока, пропускаемого по переводимому в нормальное состояние сверхпроводнику, не превышает величины тока его возврата из нормального состояния в сверхпроводящее, определяемой по вольтамперной характеристике сверхпроводника, полученной без внешних воздействий на сверхпроводник. Технический результат - обеспечение возможности создания высокоплотных функциональных наноустройств на основе сверхпроводящих нанопроводов. 1. Способ перевода сверхпроводника в электронных функциональных наноразмерных устройствах из сверхпроводящего состояния в нормальное, отличающийся тем, что перевод осуществляют путем его локального нагрева, для нагрева используют тепловыделяющий элемент в виде сверхпроводящего нанопровода, гальванически не связанного с подвергаемым воздействию и расположенного с наноразмерным зазором рядом с нагреваемым отрезком сверхпроводника с пропусканием через него тока, превышающего величину тока перехода сверхпроводника в нормальное состояние и обеспечивающего выделение мощности, достаточной для нагрева и перевода управляемого нанопровода в нормальное состояние, при этом соблюдают условие, что величина тока, пропускаемого по переводимому в нормальное состояние сверхпроводнику, не превышает величины тока его возврата из нормального состояния в сверхпроводящее, определяемой по вольтамперной характеристике сверхпроводника, полученной без внешних воздействий на сверхпроводник.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для нагрева используют тепловыделяющий элемент в виде сверхпроводника, в котором на ближайшем к управляемому элементу участке формируют резистивную область и пропускают через него ток, обеспечивающий выделение мощности, достаточной для нагрева и перевода управляемого нанопровода в нормальное состояние.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для нагрева используют тепловыделяющий элемент в виде сверхпроводника, в котором на ближайшем к управляемому элементу участке формируют резистивную область и пропускают через него ток, обеспечивающий выделение мощности, достаточной для нагрева и перевода управляемого нанопровода в нормальное состояние.