Изобретения

чистки рекомбинантного гормона роста человека, секретируемого дрожжами Saccharomyces cerevisiae в процессе их ферментации в соответствующих условиях. Осаждают целевой белок из освобожденной от биомассы культуральной жидкости путем либо подкисления до pH 2,9-4,0, либо добавлением полиэтиленгликоля 3000-6000 Да. Затем растворяют полученный осадок в подходящем растворителе. Осуществляют предварительную очистку целевого белка либо методом анионообменной хроматографии при pH 5,6, либо методом диафильтрации в присутствии 0,1-0,5 M хлористого натрия. Затем проводят основную очистку целевого белка методом анионообменной хроматографии при pH не менее 7,3 и гель-фильтрацию. Изобретение позволяет получить гормон роста, свободный от родственных белков, белков продуцента-хозяина и других примесей, таких как пигменты, с выходом до 60%. 8 пр.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к восстановительной термической обработке узлов водо-водяных энергетических реакторов (ВВЭР) и направлено на повышение ресурса и обеспечение безопасной эксплуатации реакторов ВВЭР-1000. Указанный результат достигается тем, что способ восстановления физико-механических свойств материала внутрикорпусных устройств водо-водяного энергетического реактора после воздействия эксплуатационных факторов включает извлечение внутрикорпусных устройств из корпуса реактора и их последующую термообработку, предусматривающую нагрев, выдержку и охлаждение, при этом нагрев ведут до температуры 975-1025°C, выдержку осуществляют при этой температуре в течение 120-130 ч, а охлаждение ведут на воздухе. Способ восстановления физико-механических свойств материала внутрикорпусных устройств водо-водяного энергетического реактора ВВЭР-1000 после воздействия эксплуатационных факторов, включающий извлечение внутрикорпусных устройств из корпуса реактора и их последующую термообработку путем нагрева, выдержки и охлаждения, при этом нагрев ведут до температуры 975-1025°C, выдержку осуществляют при этой температуре в течение 120-130 ч, а охлаждение ведут на воздухе.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение может быть использовано на тепловых электростанциях. Способ включает осветлительное фильтрование и глубокое умягчение потока продувочной воды перед утилизацией, подачу в циркуляционную систему добавочной воды и предварительное ее умягчение реагентной декарбонизацией и натрий-катионированием в щелочной среде, умягчение воды натрий-катионированием в режимах первичного и вторичного катионирования, предупреждение непрерывного выброса в атмосферный воздух фенола из состава оборотной воды в процессе ее испарительного охлаждения и бактерицидную обработку потока добавочной воды производным полигексаметиленгуанидина. Продувочную воду после осветлительного фильтрования подвергают коротковолновому ультрафиолетовому облучению и разделяют на два потока. Один поток обрабатывают известью до pH=9,0-10,5, умягчают натрий-катионированием в режиме вторичного катионирования и направляют на подпитку теплосети. Другой поток последовательно подвергают глубокому умягчению натрий-катионированием в режиме вторичного катионирования, первичному и вторичному обратноосмотическому фильтрованию. Способ обеспечивает исключение неконтролируемого выброса фенола в атмосферу в процессе испарительного охлаждения оборотной воды и роста ее коррозионной активности, снижение расхода реагентов на обеспечение безопасности оборотной воды циркуляционной системы охлаждения теплоэлектростанции и получение глубоко обессоленной воды. 1. Способ утилизации продувочной воды циркуляционной системы охлаждения отработанного пара турбин в пароводяном цикле теплоэлектростанции путем безвозвратного использования на технологические нужды, включающий осветлительное фильтрование и глубокое умягчение потока продувочной воды перед утилизацией, компенсацию потерь оборотной воды подачей в циркуляционную систему добавочной воды, предварительное перед подачей умягчение последней реагентной декарбонизацией и натрий-катионированием в щелочной среде, умягчение воды натрий-катионированием в режимах первичного и вторичного катионирования, предупреждение непрерывного выброса в атмосферный воздух фенола из состава оборотной воды в процессе ее испарительного охлаждения, ввод в оборотную воду производного полигексаметиленгуанидина, отличающийся тем, что безвозвратно используемую на технологические нужды продувочную воду перед осветлительным фильтрованием предварительно умягчают за счет реагентной декарбонизации и натрий-катионирования в щелочной среде добавочной воды в режиме первичного катионирования, а после осветлительного фильтрования подвергают коротковолновому ультрафиолетовому облучению и разделяют на два потока, один из них в необходимом для компенсации потерь сетевой воды количестве обрабатывают известью до pH=9,0-10,5, глубоко умягчают натрий-катионированием в режиме вторичного катионирования и направляют на подпитку теплосети, другой последовательно подвергают глубокому умягчению натрий-катионированием в режиме вторичного катионирования, первичному и вторичному обратноосмотическому фильтрованию с образованием первичного и вторичного концентратов, затем совместному H-OH-ионированию с получением необходимого количества глубоко обессоленной воды, которое безвозвратно используют в составе продукта их регенерации и для восполнения потерь рабочего тела из пароводяного цикла, после чего первичный, вторичный концентраты и продукт регенерации равномерно смешивают с продувочной водой перед ее ультрафиолетовым облучением, при этом расход продувочной воды, направляемой на утилизацию, поддерживают равным сумме потерь сетевой воды теплосетью и рабочего тела пароводяным циклом теплоэлектростанции, ввод в оборотную воду производного полигексаметиленгуанидина осуществляют периодически, причем в качестве производного преимущественно используют хлорид полигексаметиленгуанидина, сутки поддерживают в оборотной воде его концентрацию 5-7 мг/л, после чего ввод производного полигексаметиленгуанидина в оборотную воду прекращают, а непрерывный выброс фенола в атмосферный воздух из состава оборотной воды предупреждают за счет коротковолнового ультрафиолетового облучения добавочной воды в щелочной среде перед подачей на смешение с оборотной, которое осуществляют непосредственно после испарительного охлаждения последней. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что коротковолновому ультрафиолетовому облучению преимущественно подвергают половину потока добавочной воды, после чего его смешивают с необлученным остатком добавочной воды и не ранее чем через 30 мин после смешения подают в качестве добавочной воды в циркуляционную систему.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области бесконтактного взаимодействия пользователей с управляемыми устройствами. Техническим результатом является обеспечение детекции команд пользователя, отдаваемых с помощью взгляда, без необходимости точного определения пространственных координат взгляда и обеспечения значительного углового расстояния между управляющими позициями, а также без необходимости для пользователя точно фиксировать взгляд в заданных позициях. Пользователю указывают управляющие позиции и создают условия для появления в них стимулов в разное время. Для отдачи команды пользователь направляет взгляд в управляющую позицию, ожидает стимул и, увидев его, подает глазной жест. Регистрируют и анализируют движения глаз пользователя, выявляют и анализируют глазной жест. По моменту начала глазного жеста определяют стимул, в ответ на который он был подан, и соответствующую ему позицию, и выдают на управляемое устройство команду, ассоциированную с данной комбинацией глазного жеста и управляющей позиции. 1. Способ управления устройством с помощью глазных жестов в ответ на стимулы, состоящий в том, что пользователю указывают по меньшей мере одну управляющую позицию, с каждой управляющей позицией ассоциируют по меньшей мере один глазной жест, с каждой комбинацией управляющей позиции и ассоциированного с нею глазного жеста ассоциируют одну команду, создают условия, при которых в управляющих позициях в разное время появляются заданные зрительные стимулы, дают инструкцию пользователю для отдачи команды управляемому им устройству перевести взгляд в управляющую позицию, ассоциированную с данной командой, и после появления в ней заданного зрительного стимула подать глазной жест, регистрируют движения глаз пользователя, анализируют записи движений глаз пользователя с целью выявления глазного жеста и определения времени его подачи, и в случае, если выявлен глазной жест, время подачи которого соответствует времени появления стимула в одной из управляющих позиций, детектируют отдачу команды, ассоциированной с комбинацией данного глазного жеста и данной управляющей позиции, и выдают ее на управляемое устройство. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что условия, при которых в управляющих позициях в разное время появляются заданные зрительные стимулы, создают путем предъявления заданных зрительных стимулов в этих позициях в известные моменты времени. 3. Способ по п.2, отличающийся тем, что предъявление заданных зрительных стимулов в управляющих позициях организуют циклами, состоящими из предъявления такого стимула по одному разу в каждой из, по меньшей мере, двух управляющих позиций. 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что, если моменты времени появления заданных зрительных стимулов заранее неизвестны, ведут регистрацию сигнала, несущего информацию о появлении таких стимулов, и на основе его анализа определяют моменты времени появления каждого такого стимула. 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что подают звуковые сигналы, синхронизированные со зрительными стимулами, при этом используют одну и ту же высоту звука при появлении заданного зрительного стимула в одной и той же позиции и разную высоту - при появлении заданных зрительных стимулов в разных позициях. 6. Способ по п.1, отличающийся тем, что создают условия, при которых зрительные стимулы во всех управляющих позициях одинаковые. 7. Способ по п.1, отличающийся тем, что создают условия, при которых зрительные стимулы, по меньшей мере, в одной из управляющих позиций отличаются от зрительных стимулов в других управляющих позициях. 8. Способ по п.1, отличающийся тем, что пользователю указывают по меньшей мере одну позицию подтверждения, а подтверждающий глазной жест задают в форме саккады в позицию подтверждения. 9. Способ по п.8, отличающийся тем, что после детекции отданной команды ее обозначение показывают в позиции подтверждения. 10. Способ по п.8, отличающийся тем, что пользователю указывают не менее двух позиций подтверждения, а глазной жест задают в форме не менее двух саккад в позиции подтверждения. 11. Способ по п.8, отличающийся тем, что управляющие позиции помещают внутри видимой пользователю особой области, а пользователь получает инструкцию направлять взгляд внутрь этой особой области только тогда, когда он готовится отдать команду. 12. Способ по п.1, отличающийся тем, что регистрацию движений глаз пользователя производят путем видеорегистрации изображения глаз. 13. Способ по п.1, отличающийся тем, что регистрацию движений глаз пользователя производят путем регистрации электроокулограммы. 14. Способ по п.1, отличающийся тем, что регистрацию движений глаз пользователя производят путем регистрации сигналов мозгового происхождения. 15. Способ по п.1, отличающийся тем, что при анализе записей движений глаз пользователя определяют координаты взгляда непосредственно перед и после высокоамплитудных движений глаз. 16. Способ по п.1, отличающийся тем, что регистрируют положение головы пользователя и полученные данные используют при анализе записей движений глаз пользователя с целью выявления глазного жеста. 17. Способ по п.1, отличающийся тем, что наряду с регистрацией движений глаз у пользователя регистрируют сигнал мозгового происхождения, а отдаваемую команду устанавливают при использовании совместного анализа движений глаз и сигнала мозгового происхождения. 18. Способ по п.17, отличающийся тем, что в качестве сигнала мозгового происхождения используют электроэнцефалограмму. 19. Способ по п.17, отличающийся тем, что в качестве сигнала мозгового происхождения используют магнитоэнцефалограмму. 20. Способ по п.17, отличающийся тем, что в качестве сигнала мозгового происхождения используют BOLD-сигнал. 21. Способ по п.17, отличающийся тем, что в качестве сигнала мозгового происхождения используют NIRS-сигнал.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Использование: для применения в процессорах с высокой плотностью функциональных элементов на основе сверхпроводящих нанопроводов. Сущность изобретения заключается в том, что способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное заключается во включении участков нормальных сопротивлений в наноразмерный сверхпроводник. Технический результат: обеспечеение возможности снижения энергопотребления и тепловыделения в электронных функциональных наноразмерных устройствах с высокой плотностью элементов. Способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное, заключающийся во включении участков нормальных сопротивлений в наноразмерный сверхпроводник.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к получению материалов на основе германена EuGe2 и SrGe2 с высокой подвижностью носителей заряда, которые могут использоваться при создании наноэлектронных устройств. Атомарный поток европия или стронция с давлением (0,1?100)?10-8 Торр осаждают на предварительно очищенную поверхность подложки Ge(111), нагретую до Ts=250?510°С. Формируют пленки толщиной более 100 нм с последующим опциональным отжигом полученных пленок при температуре не более Ts=530°С. Обеспечивается стабилизация германена и формирование пленок кристаллической модификации hP3. Способ получения материалов на основе германена EuGe2 и SrGe2 с высокой подвижностью носителей заряда, включающий осаждение атомарного потока европия или стронция с давлением (0,1?100)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Ge(111), нагретую до Ts=250?510°С, с формированием пленок толщиной более 100 нм и последующий опциональный отжиг полученных пленок при температуре не более Ts=530°С.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к лазерной технике. Для создания лазерного излучения используют газоразрядную камеру, установленную на ее выходе ионно-оптическую систему для формирования ускоренного пучка ионов, лазерный резонатор, в котором устанавливают узел перезарядки, представляющий проводящее геометрическое тело, одна из границ которого является гладкой плоской поверхностью. Размещают газоразрядную камеру и ионно-оптическую систему вне лазерного резонатора. Из ионов, поступающих из газоразрядной камеры, в ионно-оптической системе формируют ускоренный пучок ионов, падающий на указанную плоскую поверхность, и осуществляют перезарядку этого пучка ионов в пучок возбужденных атомов, исходящих из указанной плоской поверхности, установленной под таким малым углом к пучку ионов, чтобы пучок возбужденных атомов, выходящих из указанной поверхности, находился внутри лазерного резонатора. Технический результат заключается в обеспечении возможности снижения длины волны и повышения энергии лазерного излучения. 1. Способ создания лазерного излучения на основе возбужденных атомов, состоящий в том, что используют газоразрядную камеру и лазерный резонатор, отличающийся тем, что на выходе газоразрядной камеры устанавливают ионно-оптическую систему для формирования ускоренного пучка ионов, причем размещают эту камеру и ионно-оптическую систему вне лазерного резонатора, в котором устанавливают узел перезарядки, представляющий проводящее геометрическое тело, одна из границ которого является гладкой плоской поверхностью, а затем из ионов, поступающих из газоразрядной камеры, в ионно-оптической системе формируют ускоренный пучок ионов, падающий на указанную плоскую поверхность, и осуществляют перезарядку этого пучка ионов в пучок возбужденных атомов, исходящих из указанной плоской поверхности, установленной под таким малым углом к пучку ионов, чтобы пучок возбужденных атомов, выходящих из указанной поверхности, находился внутри лазерного резонатора. 2. Лазер на возбужденных атомах, содержащий газоразрядную камеру и лазерный резонатор, отличающийся тем, что на выходе газоразрядной камеры установлена ионно-оптическая система для формирования и ускорения пучка ионов, причем газоразрядная камера и ионно-оптическая система установлены вне лазерного резонатора, в котором установлен узел перезарядки, представляющий проводящее геометрическое тело, одна из границ которого является гладкой плоской поверхностью, предназначенной для перезарядки пучка ионов, падающего на эту поверхность, в пучок возбужденных атомов, причем эта поверхность установлена под таким малым углом к пучку ионов, чтобы пучок возбужденных атомов, исходящих из этой поверхности, находился внутри лазерного резонатора.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности к способу создания интегрированного криогенного адаптера питания на одном чипе. Способ включает нанесение на подложку слоя сверхпроводника и формирование из него методом электронной литографии сверхпроводящих элементов детектора, включая меандр, соединительные провода, контактные площадки и последующее преобразование участков сверхпроводящих проводов в сопротивления требуемого номинала путем воздействия пучка ускоренных частиц. На этой же подложке изготавливают и адаптер смещения, для чего на сформированную структуру сверхпроводящих элементов наносят резист, стойкий к ионному облучению. Вскрывают окно над будущим сопротивлением адаптера, преобразуют находящийся в окне слой сверхпроводника в металл путем воздействия пучка ускоренных частиц и закрывают окно. Вскрывают окно над будущим конденсатором адаптера, преобразуют находящийся в окне слой сверхпроводника в диэлектрик путем воздействия пучка ускоренных частиц и наносят защитное покрытие. Технический результат - обеспечение возможности создания сверхпроводникового однофотонного детектора и адаптера смещения как одного целого в одном технологическом цикле 1. Способ создания интегрированного криогенного адаптера питания на одном чипе, включающий нанесение на подложку слоя сверхпроводника и формирование из него методом оптической и электронной литографии сверхпроводящих элементов детектора, включающих меандр, соединительные провода и контактные площадки, и последующее преобразование участков сверхпроводящих проводов в сопротивления требуемого номинала путем воздействия пучка ускоренных частиц, отличающийся тем, что на упомянутой подложке в сформированных соединительных проводах изготавливают элементы схемы адаптера смещения, для чего на сформированную структуру сверхпроводящих элементов наносят резист, стойкий к ионному облучению, вскрывают в нем окно над будущим сопротивлением адаптера, преобразуют находящийся в окне слой сверхпроводника в металл путем воздействия пучка ускоренных частиц и закрывают упомянутое окно, вскрывают окно над будущим конденсатором адаптера, преобразуют находящийся в окне слой сверхпроводника в диэлектрик путем воздействия пучка ускоренных частиц и наносят защитное покрытие. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводящие элементы формируют из нитрида ниобия, при этом преобразование выбранных участков соединительных проводов в требуемое состояние для создания элементов схемы адаптера смещения осуществляют путем селективного замещения атомов азота на атомы кислорода, для чего осуществляют воздействие смешанного пучка ускоренных протонов или атомов водорода и ионов окислителя. 3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что сопротивление адаптера смещения формируют в проводах из нитрида ниобия воздействием смешанного пучка ускоренных протонов или атомов водорода и ионов окислителя с энергиями 0,1-5 кэВ в течение 10-2000 с. 4. Способ по п. 2, отличающийся тем, что конденсатор адаптера смещения формируют в проводах из нитрида ниобия воздействием пучка ускоренных ионов или атомов кислорода с энергией 0,1-5 кэВ в течение 10-150 с. 5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводящие элементы формируют из карбида ниобия, при этом преобразование выбранных участков соединительных проводов в требуемое состояние для создания элементов схемы адаптера смещения осуществляют путем селективного замещения атомов углерода на атомы кислорода путем воздействия смешанного пучка ускоренных протонов или атомов водорода и ионов окислителя. 6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что сопротивление адаптера смещения формируют в проводах из карбида ниобия воздействием смешанного пучка ускоренных частиц, состоящего из протонов и ионов окислителя с энергиями 0,1-5 кэВ в течение 10-2000 с. 7. Способ по п. 5, отличающийся тем, что конденсатор адаптера смещения формируют в проводах из карбида ниобия воздействием пучка ускоренных ионов или атомов кислорода с энергией 0,1-5 кэВ в течение 10-150 с.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к технологии получения двумерных ферромагнитных материалов EuGe2 или GdGe2, которые могут быть использованы при создании компактных спинтронных устройств. Способ создания двумерных ферромагнитных материалов EuGe2 и GdGe2 на основе германена заключается в осаждении атомарного потока европия с давлением PEu=(0,1?100)?10-8 Торр или гадолиния с давлением PGd=(0,1?10)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Ge(111), нагретую до 290°С<Ts<510°С для европия или 400°С<Ts<510°С для гадолиния, до формирования пленки германида европия толщиной не более 5 нм или пленки германида гадолиния толщиной не более 13 нм с последующим опциональным отжигом полученных пленок до температуры не более Ts=530°С. Изобретение позволяет осуществлять топотактический синтез двумерных ферромагнитных пленок EuGe2 или GdGe2 кристаллической модификации hP3 со структурой интеркалированного европием или гадолинием многослойного германена на германиевых подложках. Полученные пленки не содержат посторонних фаз и содержат германеновые слои, параллельные поверхности подложки. Способ создания двумерных ферромагнитных материалов EuGe2 или GdGe2 на основе германена, заключающийся в осаждении атомарного потока европия с давлением PEu=(0,1?100)?10-8 Торр и гадолиния с давлением PGd=(0,1?10)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Ge(111), нагретую до 290°С<Ts<510°С для европия или 400°С<Ts<510°С для гадолиния, до формирования пленки германида европия толщиной не более 5 нм или пленки германида гадолиния толщиной не более 13 нм с последующим опциональным отжигом полученных пленок до температуры не более Ts=530°С.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к технологии создания двумерных магнитных материалов для сверхкомпактных спинтронных устройств. Способ получения дисилицида гадолиния GdSi2 со структурой интеркалированных слоев силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии заключается в осаждении атомарного потока гадолиния с давлением PGd (от 0,1 до менее 1)?10-8 Торр или PGd (от более 1 до 10)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Si(111), нагретую до Ts=350 ? менее 400°С или Ts=более 400 ? 450°С, до формирования пленки дисилицида гадолиния толщиной не более 7 нм. Технический результат заключается в формировании эпитаксиальных пленок двумерного магнитного материала GdSi2 кристаллической модификации hP3 со структурой интеркалированного гадолинием многослойного силицена на подложках кремния. Такие структуры являются однородными по толщине, не содержат посторонних фаз, являются ферромагнитными. Способ создания двумерного ферромагнитного материала дисилицида гадолиния со структурой интеркалированных слоев силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии, заключающийся в осаждении атомарного потока гадолиния с давлением PGd (от 0,1 до менее 1)?10-8 Торр или PGd (от более 1 до 10)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Si(111), нагретую до Ts=350 ? менее 400°С или Ts=более 400 ? 450°С, до формирования пленки дисилицида гадолиния толщиной не более 7 нм.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)