Изобретение относится к технологии создания двумерных магнитных материалов для сверхкомпактных спинтронных устройств. Способ получения дисилицида гадолиния GdSi2 со структурой интеркалированных слоев силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии заключается в осаждении атомарного потока гадолиния с давлением PGd (от 0,1 до менее 1)?10-8 Торр или PGd (от более 1 до 10)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Si(111), нагретую до Ts=350 ? менее 400°С или Ts=более 400 ? 450°С, до формирования пленки дисилицида гадолиния толщиной не более 7 нм. Технический результат заключается в формировании эпитаксиальных пленок двумерного магнитного материала GdSi2 кристаллической модификации hP3 со структурой интеркалированного гадолинием многослойного силицена на подложках кремния. Такие структуры являются однородными по толщине, не содержат посторонних фаз, являются ферромагнитными. Способ создания двумерного ферромагнитного материала дисилицида гадолиния со структурой интеркалированных слоев силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии, заключающийся в осаждении атомарного потока гадолиния с давлением PGd (от 0,1 до менее 1)?10-8 Торр или PGd (от более 1 до 10)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Si(111), нагретую до Ts=350 ? менее 400°С или Ts=более 400 ? 450°С, до формирования пленки дисилицида гадолиния толщиной не более 7 нм.