Изобретение относится к получению материалов на основе германена EuGe2 и SrGe2 с высокой подвижностью носителей заряда, которые могут использоваться при создании наноэлектронных устройств. Атомарный поток европия или стронция с давлением (0,1?100)?10-8 Торр осаждают на предварительно очищенную поверхность подложки Ge(111), нагретую до Ts=250?510°С. Формируют пленки толщиной более 100 нм с последующим опциональным отжигом полученных пленок при температуре не более Ts=530°С. Обеспечивается стабилизация германена и формирование пленок кристаллической модификации hP3. Способ получения материалов на основе германена EuGe2 и SrGe2 с высокой подвижностью носителей заряда, включающий осаждение атомарного потока европия или стронция с давлением (0,1?100)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Ge(111), нагретую до Ts=250?510°С, с формированием пленок толщиной более 100 нм и последующий опциональный отжиг полученных пленок при температуре не более Ts=530°С.