|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
1
|
Патент 2845235
|
Изобретение относится к конструкции узла мишени компактного источника нейтронов и может использоваться в составе комплекса на основе ускорителя протонов. Техническим результатом является снижение толщины системы мишени при увеличении количества собираемых с поверхности крышки нейтронов. Узел содержит вакуумную камеру, состоящую из крышки и основания, внутри которой расположен вращающийся барабан мишенной сборки, выполненный в виде сборной полой конструкции из обода с трапециевидным сечением с установленными в нем бериллиевыми сегментами. Барабан имеет осевой канал подачи охлаждающей жидкости, который разветвляется на радиальные каналы. Причем место контакта охлаждающей жидкости, поступающей из указанного канала и бериллиевого сегмента, выполнено в виде кармана. Барабан выполнен из двух крышек: верхней и нижней, и инжекторного диска, установленного по центру барабана и содержащего упомянутые радиальные каналы. Причем крышки на своих внутренних поверхностях содержат ребра жесткости. Ребра верхней крышки выполнены изогнутыми по направлению вращения барабана для дополнительной подачи охлаждающей жидкости, а ребра нижней крышки выполнены изогнутыми против вращения барабана 1. Узел мишени компактного источника нейтронов, содержащий вакуумную камеру, выполненную из крышки (1) и основания (16), внутри которой расположен вращающийся барабан (4) мишенной сборки с установленными в нем бериллиевыми сегментами (3), где вращающийся барабан (4) мишенной сборки выполнен с осевым каналом подачи охлаждающей жидкости, который разветвляется на радиальные каналы подачи охлаждающей жидкости к каждому упомянутому бериллиевому сегменту (3), причем место контакта охлаждающей жидкости, поступающей из указанного радиального канала и бериллиевого сегмента (3), выполнено в виде кармана, отличающийся тем, что вращающийся барабан (4) мишенной сборки выполнен в виде сборной полой конструкции из обода, имеющего трапециевидное сечение, на внешней стороне которого установлены бериллиевые сегменты (3), двух крышек: верхней (7) и нижней (8), и инжекторного диска (5), установленного по центру барабана и содержащего упомянутые радиальные каналы, где упомянутые крышки (7) и (8) на своих внутренних поверхностях содержат ребра жесткости, при этом ребра верхней (7) крышки выполнены изогнутыми по направлению вращения барабана для дополнительной подачи охлаждающей жидкости, а ребра нижней (8) крышки выполнены изогнутыми против вращения барабана для отведения жидкости после охлаждения указанных сегментов (3).
2. Узел по п. 1, отличающийся тем, что дополнительно содержит бериллиевые отражатели (2), а крышка (1) вакуумной камеры дополнительно содержит ребра жесткости (6), между которыми установлены указанные бериллиевые отражатели (2).
3. Узел по п. 1, отличающийся тем, что указанное вращение барабана мишенной сборки с установленными в нем бериллиевыми сегментами осуществляют по часовой стрелке.
Основное назначение
Изобретение относится к конструкции узла мишени компактного источника нейтронов и может использоваться в составе комплекса на основе ускорителя протонов. Техническим результатом является снижение толщины системы мишени при увеличении количества собираемых с поверхности крышки нейтронов. Узел содержит вакуумную камеру, состоящую из крышки и основания, внутри которой расположен вращающийся барабан мишенной сборки, выполненный в виде сборной полой конструкции из обода с трапециевидным сечением с установленными в нем бериллиевыми сегментами. Барабан имеет осевой канал подачи охлаждающей жидкости, который разветвляется на радиальные каналы. Причем место контакта охлаждающей жидкости, поступающей из указанного канала и бериллиевого сегмента, выполнено в виде кармана. Барабан выполнен из двух крышек: верхней и нижней, и инжекторного диска, установленного по центру барабана и содержащего упомянутые радиальные каналы. Причем крышки на своих внутренних поверхностях содержат ребра жесткости. Ребра верхней крышки выполнены изогнутыми по направлению вращения барабана для дополнительной подачи охлаждающей жидкости, а ребра нижней крышки выполнены изогнутыми против вращения барабана 1. Узел мишени компактного источника нейтронов, содержащий вакуумную камеру, выполненную из крышки (1) и основания (16), внутри которой расположен вращающийся барабан (4) мишенной сборки с установленными в нем бериллиевыми сегментами (3), где вращающийся барабан (4) мишенной сборки выполнен с осевым каналом подачи охлаждающей жидкости, который разветвляется на радиальные каналы подачи охлаждающей жидкости к каждому упомянутому бериллиевому сегменту (3), причем место контакта охлаждающей жидкости, поступающей из указанного радиального канала и бериллиевого сегмента (3), выполнено в виде кармана, отличающийся тем, что вращающийся барабан (4) мишенной сборки выполнен в виде сборной полой конструкции из обода, имеющего трапециевидное сечение, на внешней стороне которого установлены бериллиевые сегменты (3), двух крышек: верхней (7) и нижней (8), и инжекторного диска (5), установленного по центру барабана и содержащего упомянутые радиальные каналы, где упомянутые крышки (7) и (8) на своих внутренних поверхностях содержат ребра жесткости, при этом ребра верхней (7) крышки выполнены изогнутыми по направлению вращения барабана для дополнительной подачи охлаждающей жидкости, а ребра нижней (8) крышки выполнены изогнутыми против вращения барабана для отведения жидкости после охлаждения указанных сегментов (3).
2. Узел по п. 1, отличающийся тем, что дополнительно содержит бериллиевые отражатели (2), а крышка (1) вакуумной камеры дополнительно содержит ребра жесткости (6), между которыми установлены указанные бериллиевые отражатели (2).
3. Узел по п. 1, отличающийся тем, что указанное вращение барабана мишенной сборки с установленными в нем бериллиевыми сегментами осуществляют по часовой стрелке.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Узел мишени компактного источника нейтронов, содержащий вакуумную камеру, выполненную из крышки (1) и основания (16), внутри которой расположен вращающийся барабан (4) мишенной сборки с установленными в нем бериллиевыми сегментами (3), где вращающийся барабан (4) мишенной сборки выполнен с осевым каналом подачи охлаждающей жидкости, который разветвляется на радиальные каналы подачи охлаждающей жидкости к каждому упомянутому бериллиевому сегменту (3), причем место контакта охлаждающей жидкости, поступающей из указанного радиального канала и бериллиевого сегмента (3), выполнено в виде кармана, отличающийся тем, что вращающийся барабан (4) мишенной сборки выполнен в виде сборной полой конструкции из обода, имеющего трапециевидное сечение, на внешней стороне которого установлены бериллиевые сегменты (3), двух крышек: верхней (7) и нижней (8), и инжекторного диска (5), установленного по центру барабана и содержащего упомянутые радиальные каналы, где упомянутые крышки (7) и (8) на своих внутренних поверхностях содержат ребра жесткости, при этом ребра верхней (7) крышки выполнены изогнутыми по направлению вращения барабана для дополнительной подачи охлаждающей жидкости, а ребра нижней (8) крышки выполнены изогнутыми против вращения барабана для отведения жидкости после охлаждения указанных сегментов (3).
2. Узел по п. 1, отличающийся тем, что дополнительно содержит бериллиевые отражатели (2), а крышка (1) вакуумной камеры дополнительно содержит ребра жесткости (6), между которыми установлены указанные бериллиевые отражатели (2).
3. Узел по п. 1, отличающийся тем, что указанное вращение барабана мишенной сборки с установленными в нем бериллиевыми сегментами осуществляют по часовой стрелке.
Основное назначение
1. Узел мишени компактного источника нейтронов, содержащий вакуумную камеру, выполненную из крышки (1) и основания (16), внутри которой расположен вращающийся барабан (4) мишенной сборки с установленными в нем бериллиевыми сегментами (3), где вращающийся барабан (4) мишенной сборки выполнен с осевым каналом подачи охлаждающей жидкости, который разветвляется на радиальные каналы подачи охлаждающей жидкости к каждому упомянутому бериллиевому сегменту (3), причем место контакта охлаждающей жидкости, поступающей из указанного радиального канала и бериллиевого сегмента (3), выполнено в виде кармана, отличающийся тем, что вращающийся барабан (4) мишенной сборки выполнен в виде сборной полой конструкции из обода, имеющего трапециевидное сечение, на внешней стороне которого установлены бериллиевые сегменты (3), двух крышек: верхней (7) и нижней (8), и инжекторного диска (5), установленного по центру барабана и содержащего упомянутые радиальные каналы, где упомянутые крышки (7) и (8) на своих внутренних поверхностях содержат ребра жесткости, при этом ребра верхней (7) крышки выполнены изогнутыми по направлению вращения барабана для дополнительной подачи охлаждающей жидкости, а ребра нижней (8) крышки выполнены изогнутыми против вращения барабана для отведения жидкости после охлаждения указанных сегментов (3).
2. Узел по п. 1, отличающийся тем, что дополнительно содержит бериллиевые отражатели (2), а крышка (1) вакуумной камеры дополнительно содержит ребра жесткости (6), между которыми установлены указанные бериллиевые отражатели (2).
3. Узел по п. 1, отличающийся тем, что указанное вращение барабана мишенной сборки с установленными в нем бериллиевыми сегментами осуществляют по часовой стрелке.
|
||
|
2
|
Патент 2844461
|
Группа изобретений относится к рентгеновской оптике и может быть использована для временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют подачу пучка от источника монохроматичного рентгеновского излучения после его прохождения через щелевую диафрагму на дифракционный элемент, в качестве которого используют магнитоупорядоченный кристалл бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, отличающийся тем, что к дифракционному элементу прикладывают по заранее определенной временной программе переменное по величине и/или полярности электромагнитное поле в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме так, что амплитудные значения напряженности магнитного поля на дифракционном элементе находятся в диапазоне 3-40 Э, обеспечивая тем самым модуляцию интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения в диапазоне 2-470 Гц. Технический результат - обеспечение возможности без дополнительной юстировки других элементов дифрактометра управляемо изменять угловые параметры рентгеновского излучения с течением времени. 1. Способ осуществления временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения, включающий подачу пучка от источника монохроматичного рентгеновского излучения после его прохождения через щелевую диафрагму на дифракционный элемент, в качестве которого используют магнитоупорядоченный кристалл бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, отличающийся тем, что к дифракционному элементу прикладывают по заранее определенной временной программе переменное по величине и/или полярности электромагнитное поле в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме так, что амплитудные значения напряженности магнитного поля на дифракционном элементе находятся в диапазоне 3-40 Э, обеспечивая тем самым модуляцию интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения в диапазоне 2-470 Гц.
2. Установка, реализующая способ осуществления временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения по п. 1, включающая источник монохроматического рентгеновского излучения, за которым по ходу пучка монохроматического излучения расположена щелевая диафрагма, дифракционный элемент, установленный в положении максимума дифракционного отражения, гониометр для образца и детектор, отличающаяся тем, что дифракционный элемент размещен на ячейке, расположенной на гониометре и одновременно снабженной электромагнитными катушками с возможностью регулировки их положения относительно дифракционного элемента, при этом электромагнитные катушки подключены к блоку подачи управляющих сигналов, обеспечивая таким образом приложение переменного по величине и/или полярности электромагнитного поля в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме к дифракционному элементу.
3. Установка по п. 2, отличающаяся тем, что электромагнитные катушки выполнены с медной обмоткой и ферритовыми сердечниками.
4. Установка по п. 2, отличающаяся тем, что ячейка включает в себя держатель, опорную пластину, столик для размещения дифракционного элемента и подшипник, который позволяет осуществлять поворот электромагнитных катушек относительно дифракционного элемента.
5. Установка по п. 2, отличающаяся тем, ячейка снабжена магнитопроводом.
Основное назначение
Группа изобретений относится к рентгеновской оптике и может быть использована для временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют подачу пучка от источника монохроматичного рентгеновского излучения после его прохождения через щелевую диафрагму на дифракционный элемент, в качестве которого используют магнитоупорядоченный кристалл бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, отличающийся тем, что к дифракционному элементу прикладывают по заранее определенной временной программе переменное по величине и/или полярности электромагнитное поле в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме так, что амплитудные значения напряженности магнитного поля на дифракционном элементе находятся в диапазоне 3-40 Э, обеспечивая тем самым модуляцию интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения в диапазоне 2-470 Гц. Технический результат - обеспечение возможности без дополнительной юстировки других элементов дифрактометра управляемо изменять угловые параметры рентгеновского излучения с течением времени. 1. Способ осуществления временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения, включающий подачу пучка от источника монохроматичного рентгеновского излучения после его прохождения через щелевую диафрагму на дифракционный элемент, в качестве которого используют магнитоупорядоченный кристалл бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, отличающийся тем, что к дифракционному элементу прикладывают по заранее определенной временной программе переменное по величине и/или полярности электромагнитное поле в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме так, что амплитудные значения напряженности магнитного поля на дифракционном элементе находятся в диапазоне 3-40 Э, обеспечивая тем самым модуляцию интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения в диапазоне 2-470 Гц.
2. Установка, реализующая способ осуществления временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения по п. 1, включающая источник монохроматического рентгеновского излучения, за которым по ходу пучка монохроматического излучения расположена щелевая диафрагма, дифракционный элемент, установленный в положении максимума дифракционного отражения, гониометр для образца и детектор, отличающаяся тем, что дифракционный элемент размещен на ячейке, расположенной на гониометре и одновременно снабженной электромагнитными катушками с возможностью регулировки их положения относительно дифракционного элемента, при этом электромагнитные катушки подключены к блоку подачи управляющих сигналов, обеспечивая таким образом приложение переменного по величине и/или полярности электромагнитного поля в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме к дифракционному элементу.
3. Установка по п. 2, отличающаяся тем, что электромагнитные катушки выполнены с медной обмоткой и ферритовыми сердечниками.
4. Установка по п. 2, отличающаяся тем, что ячейка включает в себя держатель, опорную пластину, столик для размещения дифракционного элемента и подшипник, который позволяет осуществлять поворот электромагнитных катушек относительно дифракционного элемента.
5. Установка по п. 2, отличающаяся тем, ячейка снабжена магнитопроводом.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
|
1. Способ осуществления временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения, включающий подачу пучка от источника монохроматичного рентгеновского излучения после его прохождения через щелевую диафрагму на дифракционный элемент, в качестве которого используют магнитоупорядоченный кристалл бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, отличающийся тем, что к дифракционному элементу прикладывают по заранее определенной временной программе переменное по величине и/или полярности электромагнитное поле в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме так, что амплитудные значения напряженности магнитного поля на дифракционном элементе находятся в диапазоне 3-40 Э, обеспечивая тем самым модуляцию интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения в диапазоне 2-470 Гц.
2. Установка, реализующая способ осуществления временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения по п. 1, включающая источник монохроматического рентгеновского излучения, за которым по ходу пучка монохроматического излучения расположена щелевая диафрагма, дифракционный элемент, установленный в положении максимума дифракционного отражения, гониометр для образца и детектор, отличающаяся тем, что дифракционный элемент размещен на ячейке, расположенной на гониометре и одновременно снабженной электромагнитными катушками с возможностью регулировки их положения относительно дифракционного элемента, при этом электромагнитные катушки подключены к блоку подачи управляющих сигналов, обеспечивая таким образом приложение переменного по величине и/или полярности электромагнитного поля в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме к дифракционному элементу.
3. Установка по п. 2, отличающаяся тем, что электромагнитные катушки выполнены с медной обмоткой и ферритовыми сердечниками.
4. Установка по п. 2, отличающаяся тем, что ячейка включает в себя держатель, опорную пластину, столик для размещения дифракционного элемента и подшипник, который позволяет осуществлять поворот электромагнитных катушек относительно дифракционного элемента.
5. Установка по п. 2, отличающаяся тем, ячейка снабжена магнитопроводом.
Основное назначение
1. Способ осуществления временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения, включающий подачу пучка от источника монохроматичного рентгеновского излучения после его прохождения через щелевую диафрагму на дифракционный элемент, в качестве которого используют магнитоупорядоченный кристалл бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, отличающийся тем, что к дифракционному элементу прикладывают по заранее определенной временной программе переменное по величине и/или полярности электромагнитное поле в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме так, что амплитудные значения напряженности магнитного поля на дифракционном элементе находятся в диапазоне 3-40 Э, обеспечивая тем самым модуляцию интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения в диапазоне 2-470 Гц.
2. Установка, реализующая способ осуществления временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения по п. 1, включающая источник монохроматического рентгеновского излучения, за которым по ходу пучка монохроматического излучения расположена щелевая диафрагма, дифракционный элемент, установленный в положении максимума дифракционного отражения, гониометр для образца и детектор, отличающаяся тем, что дифракционный элемент размещен на ячейке, расположенной на гониометре и одновременно снабженной электромагнитными катушками с возможностью регулировки их положения относительно дифракционного элемента, при этом электромагнитные катушки подключены к блоку подачи управляющих сигналов, обеспечивая таким образом приложение переменного по величине и/или полярности электромагнитного поля в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме к дифракционному элементу.
3. Установка по п. 2, отличающаяся тем, что электромагнитные катушки выполнены с медной обмоткой и ферритовыми сердечниками.
4. Установка по п. 2, отличающаяся тем, что ячейка включает в себя держатель, опорную пластину, столик для размещения дифракционного элемента и подшипник, который позволяет осуществлять поворот электромагнитных катушек относительно дифракционного элемента.
5. Установка по п. 2, отличающаяся тем, ячейка снабжена магнитопроводом.
|
||
|
3
|
Патент 2844450
|
Изобретение относится к машиностроению. Изобретение может быть использовано в герметичных приводах аппаратов для осуществления различных технологических процессов в радиохимической, нефтехимической, химической, микробиологической и других отраслях промышленности, в таких вариантах выполнения многополюсного магнита, которые предопределенно не обеспечивали максимальный крутящий момент муфты. Предложено между радиальными и тангенциальными постоянными магнитами одинаковой формы, равномерно расположенными по окружности наружной и внутренней полумуфт, разместить одинаковые по форме с ними дополнительные постоянные магниты с определенной ориентацией их вектора намагниченности, что позволяет улучшить эксплуатационные характеристики устройства, а именно увеличить крутящий момент магнитной цилиндрической муфты по меньшей мере в 1,5 раза, что обусловлено увеличением рабочего и минимизации рассеянного магнитных полей и позволяет значительно расширить область применения устройства. 1. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте, содержащей наружную и заключенную в герметизирующий стакан внутреннюю полумуфты, каждая из которых имеет магнитопровод и равномерно расположенные по окружности постоянное магниты, включающий размещение на наружной и внутренней полумуфтах радиальных постоянных магнитов с чередованием полюсов и установку между ними тангенциальных постоянных магнитов, отличающийся тем, что между радиальными и тангенциальными постоянными магнитами одинаковой формы размещают одинаковые по форме с ними дополнительные постоянные магниты с ориентациями их единичных векторов намагниченности, которые устанавливают по формулам где i и j - орты декартовой системы координат с осью z, совпадающей с осью муфты,
Тн - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов в наружной полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
Тв - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов во внутренней полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
k - мультипольность многополюсных магнитов, образованных совокупностью постоянных магнитов в каждой полумуфте, где k>0.
2. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 1, при котором максимальный крутящий момент муфты увеличивают при относительном угловом сдвиге ее полумуфт на равный одной четверти периода многополюсного магнита угол 90°/k, который не зависит от количества размещенных в этом периоде магнитов.
3. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 2, при котором величину максимального крутящего момента муфты монотонно увеличивают с увеличением количества магнитов в этом периоде.
4. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 3, при котором количество установленных магнитов в периоде многополюсного магнита равно или более 4-х.
5. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по любому из пп. 1-4, где ориентацию вектора намагниченности дополнительного постоянного магнита устанавливают вдоль биссектрисы угла, образованного векторами намагниченности двух соседних с ним постоянных магнитов.
6. Магнитная цилиндрическая муфта, содержащая наружную и заключенную в герметизирующий стакан внутреннюю полумуфты, каждая из которых имеет магнитопровод и равномерно расположенные по окружности с чередованием полюсов радиальные постоянные магниты, между которыми установлены тангенциальные постоянные магниты, отличающаяся тем, что между радиальными и тангенциальными постоянными магнитами одинаковой формы размещены одинаковые по форме с ними дополнительные постоянные магниты с ориентациями их единичных векторов намагниченности, которые устанавливают по формулам где i и j - орты декартовой системы координат с осью z, совпадающей с осью муфты,
Тн - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов в наружной полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
Тв - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов во внутренней полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
k - мультипольность многополюсных магнитов, образованных совокупностью постоянных магнитов в каждой полумуфте, где k>0.
7. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 6, где максимальный крутящий момент муфты достигается при относительном угловом сдвиге ее полумуфт на равный одной четверти периода многополюсного магнита угол 90°/k, который не зависит от количества размещенных в этом периоде магнитов.
8. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 7, где величина максимального крутящего момента муфты монотонно увеличивается с увеличением количества магнитов в этом периоде.
9. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 8, где количество установленных магнитов в периоде многополюсного магнита равно или более 4-х.
10. Магнитная цилиндрическая муфта по любому из пп. 6-9, в которой ориентация вектора намагниченности дополнительного постоянного магнита направлена вдоль биссектрисы угла, образованного векторами намагниченности двух соседних с ним постоянных магнитов.
Основное назначение
Изобретение относится к машиностроению. Изобретение может быть использовано в герметичных приводах аппаратов для осуществления различных технологических процессов в радиохимической, нефтехимической, химической, микробиологической и других отраслях промышленности, в таких вариантах выполнения многополюсного магнита, которые предопределенно не обеспечивали максимальный крутящий момент муфты. Предложено между радиальными и тангенциальными постоянными магнитами одинаковой формы, равномерно расположенными по окружности наружной и внутренней полумуфт, разместить одинаковые по форме с ними дополнительные постоянные магниты с определенной ориентацией их вектора намагниченности, что позволяет улучшить эксплуатационные характеристики устройства, а именно увеличить крутящий момент магнитной цилиндрической муфты по меньшей мере в 1,5 раза, что обусловлено увеличением рабочего и минимизации рассеянного магнитных полей и позволяет значительно расширить область применения устройства. 1. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте, содержащей наружную и заключенную в герметизирующий стакан внутреннюю полумуфты, каждая из которых имеет магнитопровод и равномерно расположенные по окружности постоянное магниты, включающий размещение на наружной и внутренней полумуфтах радиальных постоянных магнитов с чередованием полюсов и установку между ними тангенциальных постоянных магнитов, отличающийся тем, что между радиальными и тангенциальными постоянными магнитами одинаковой формы размещают одинаковые по форме с ними дополнительные постоянные магниты с ориентациями их единичных векторов намагниченности, которые устанавливают по формулам где i и j - орты декартовой системы координат с осью z, совпадающей с осью муфты,
Тн - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов в наружной полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
Тв - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов во внутренней полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
k - мультипольность многополюсных магнитов, образованных совокупностью постоянных магнитов в каждой полумуфте, где k>0.
2. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 1, при котором максимальный крутящий момент муфты увеличивают при относительном угловом сдвиге ее полумуфт на равный одной четверти периода многополюсного магнита угол 90°/k, который не зависит от количества размещенных в этом периоде магнитов.
3. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 2, при котором величину максимального крутящего момента муфты монотонно увеличивают с увеличением количества магнитов в этом периоде.
4. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 3, при котором количество установленных магнитов в периоде многополюсного магнита равно или более 4-х.
5. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по любому из пп. 1-4, где ориентацию вектора намагниченности дополнительного постоянного магнита устанавливают вдоль биссектрисы угла, образованного векторами намагниченности двух соседних с ним постоянных магнитов.
6. Магнитная цилиндрическая муфта, содержащая наружную и заключенную в герметизирующий стакан внутреннюю полумуфты, каждая из которых имеет магнитопровод и равномерно расположенные по окружности с чередованием полюсов радиальные постоянные магниты, между которыми установлены тангенциальные постоянные магниты, отличающаяся тем, что между радиальными и тангенциальными постоянными магнитами одинаковой формы размещены одинаковые по форме с ними дополнительные постоянные магниты с ориентациями их единичных векторов намагниченности, которые устанавливают по формулам где i и j - орты декартовой системы координат с осью z, совпадающей с осью муфты,
Тн - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов в наружной полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
Тв - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов во внутренней полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
k - мультипольность многополюсных магнитов, образованных совокупностью постоянных магнитов в каждой полумуфте, где k>0.
7. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 6, где максимальный крутящий момент муфты достигается при относительном угловом сдвиге ее полумуфт на равный одной четверти периода многополюсного магнита угол 90°/k, который не зависит от количества размещенных в этом периоде магнитов.
8. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 7, где величина максимального крутящего момента муфты монотонно увеличивается с увеличением количества магнитов в этом периоде.
9. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 8, где количество установленных магнитов в периоде многополюсного магнита равно или более 4-х.
10. Магнитная цилиндрическая муфта по любому из пп. 6-9, в которой ориентация вектора намагниченности дополнительного постоянного магнита направлена вдоль биссектрисы угла, образованного векторами намагниченности двух соседних с ним постоянных магнитов.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте, содержащей наружную и заключенную в герметизирующий стакан внутреннюю полумуфты, каждая из которых имеет магнитопровод и равномерно расположенные по окружности постоянное магниты, включающий размещение на наружной и внутренней полумуфтах радиальных постоянных магнитов с чередованием полюсов и установку между ними тангенциальных постоянных магнитов, отличающийся тем, что между радиальными и тангенциальными постоянными магнитами одинаковой формы размещают одинаковые по форме с ними дополнительные постоянные магниты с ориентациями их единичных векторов намагниченности, которые устанавливают по формулам где i и j - орты декартовой системы координат с осью z, совпадающей с осью муфты,
Тн - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов в наружной полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
Тв - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов во внутренней полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
k - мультипольность многополюсных магнитов, образованных совокупностью постоянных магнитов в каждой полумуфте, где k>0.
2. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 1, при котором максимальный крутящий момент муфты увеличивают при относительном угловом сдвиге ее полумуфт на равный одной четверти периода многополюсного магнита угол 90°/k, который не зависит от количества размещенных в этом периоде магнитов.
3. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 2, при котором величину максимального крутящего момента муфты монотонно увеличивают с увеличением количества магнитов в этом периоде.
4. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 3, при котором количество установленных магнитов в периоде многополюсного магнита равно или более 4-х.
5. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по любому из пп. 1-4, где ориентацию вектора намагниченности дополнительного постоянного магнита устанавливают вдоль биссектрисы угла, образованного векторами намагниченности двух соседних с ним постоянных магнитов.
6. Магнитная цилиндрическая муфта, содержащая наружную и заключенную в герметизирующий стакан внутреннюю полумуфты, каждая из которых имеет магнитопровод и равномерно расположенные по окружности с чередованием полюсов радиальные постоянные магниты, между которыми установлены тангенциальные постоянные магниты, отличающаяся тем, что между радиальными и тангенциальными постоянными магнитами одинаковой формы размещены одинаковые по форме с ними дополнительные постоянные магниты с ориентациями их единичных векторов намагниченности, которые устанавливают по формулам где i и j - орты декартовой системы координат с осью z, совпадающей с осью муфты,
Тн - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов в наружной полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
Тв - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов во внутренней полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
k - мультипольность многополюсных магнитов, образованных совокупностью постоянных магнитов в каждой полумуфте, где k>0.
7. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 6, где максимальный крутящий момент муфты достигается при относительном угловом сдвиге ее полумуфт на равный одной четверти периода многополюсного магнита угол 90°/k, который не зависит от количества размещенных в этом периоде магнитов.
8. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 7, где величина максимального крутящего момента муфты монотонно увеличивается с увеличением количества магнитов в этом периоде.
9. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 8, где количество установленных магнитов в периоде многополюсного магнита равно или более 4-х.
10. Магнитная цилиндрическая муфта по любому из пп. 6-9, в которой ориентация вектора намагниченности дополнительного постоянного магнита направлена вдоль биссектрисы угла, образованного векторами намагниченности двух соседних с ним постоянных магнитов.
Основное назначение
1. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте, содержащей наружную и заключенную в герметизирующий стакан внутреннюю полумуфты, каждая из которых имеет магнитопровод и равномерно расположенные по окружности постоянное магниты, включающий размещение на наружной и внутренней полумуфтах радиальных постоянных магнитов с чередованием полюсов и установку между ними тангенциальных постоянных магнитов, отличающийся тем, что между радиальными и тангенциальными постоянными магнитами одинаковой формы размещают одинаковые по форме с ними дополнительные постоянные магниты с ориентациями их единичных векторов намагниченности, которые устанавливают по формулам где i и j - орты декартовой системы координат с осью z, совпадающей с осью муфты,
Тн - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов в наружной полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
Тв - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов во внутренней полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
k - мультипольность многополюсных магнитов, образованных совокупностью постоянных магнитов в каждой полумуфте, где k>0.
2. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 1, при котором максимальный крутящий момент муфты увеличивают при относительном угловом сдвиге ее полумуфт на равный одной четверти периода многополюсного магнита угол 90°/k, который не зависит от количества размещенных в этом периоде магнитов.
3. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 2, при котором величину максимального крутящего момента муфты монотонно увеличивают с увеличением количества магнитов в этом периоде.
4. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 3, при котором количество установленных магнитов в периоде многополюсного магнита равно или более 4-х.
5. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по любому из пп. 1-4, где ориентацию вектора намагниченности дополнительного постоянного магнита устанавливают вдоль биссектрисы угла, образованного векторами намагниченности двух соседних с ним постоянных магнитов.
6. Магнитная цилиндрическая муфта, содержащая наружную и заключенную в герметизирующий стакан внутреннюю полумуфты, каждая из которых имеет магнитопровод и равномерно расположенные по окружности с чередованием полюсов радиальные постоянные магниты, между которыми установлены тангенциальные постоянные магниты, отличающаяся тем, что между радиальными и тангенциальными постоянными магнитами одинаковой формы размещены одинаковые по форме с ними дополнительные постоянные магниты с ориентациями их единичных векторов намагниченности, которые устанавливают по формулам где i и j - орты декартовой системы координат с осью z, совпадающей с осью муфты,
Тн - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов в наружной полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
Тв - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов во внутренней полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
k - мультипольность многополюсных магнитов, образованных совокупностью постоянных магнитов в каждой полумуфте, где k>0.
7. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 6, где максимальный крутящий момент муфты достигается при относительном угловом сдвиге ее полумуфт на равный одной четверти периода многополюсного магнита угол 90°/k, который не зависит от количества размещенных в этом периоде магнитов.
8. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 7, где величина максимального крутящего момента муфты монотонно увеличивается с увеличением количества магнитов в этом периоде.
9. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 8, где количество установленных магнитов в периоде многополюсного магнита равно или более 4-х.
10. Магнитная цилиндрическая муфта по любому из пп. 6-9, в которой ориентация вектора намагниченности дополнительного постоянного магнита направлена вдоль биссектрисы угла, образованного векторами намагниченности двух соседних с ним постоянных магнитов.
|
||
|
4
|
Патент 2844148
|
Изобретение относится к ядерной энергетике, в частности к теневым радиационным защитам космических ядерных установок (КЯУ), предназначенных для снижения уровня нейтронного и гамма излучения от ядерного реактора до значений, допустимых для полезной нагрузки космического аппарата. Технический результат заключается в снижении поглощенной дозы гамма-излучения и флюенса нейтронов, испускаемых реактором КЯУ, на полезной нагрузке космического аппарата. Предложенная радиационная защита космической ядерной установки содержит контейнер, слой нейтронно-поглощающего материала и слой ослабляющего поток квантов и нейтронов материала. Причем внутри контейнера расположен пластинчатый теплообменник, образованный из последовательно сваренных и выполненных в виде гофрированных пластин слоев из ослабляющего потоки гамма-квантов и нейтронов материала. Между пластинами выполнены зазоры, заполненные с одной стороны гофрированных пластин слоем нейтронно-поглощающего материала, а с другой стороны теплоносителем, при этом наружная поверхность контейнера покрыта слоем борсодержащего материала. 1. Радиационная защита космической ядерной установки, содержащая контейнер, слой нейтронно-поглощающего материала и слой ослабляющего поток квантов и нейтронов материала, отличающаяся тем, что внутри контейнера расположен пластинчатый теплообменник, образованный из последовательно сваренных и выполненных в виде гофрированных пластин слоев из ослабляющего потоки гамма-квантов и нейтронов материала, между которыми образуются зазоры, заполненные с одной стороны гофрированных пластин слоем нейтронно-поглощающего материала, а с другой стороны теплоносителем, при этом наружная поверхность контейнера покрыта слоем борсодержащего материала.
2. Радиационная защита по п. 1, отличающаяся тем, что в качестве ослабляющего поток квантов и нейтронов материала используется тяжелый металл, выбранный из ниобия или урана 238, в качестве нейтронно-поглощающего материала используется легкий жидкометаллический металл, выбранный из лития, а в качестве борсодержащего материала используется, например, карбид бора.
3. Радиационная защита по п. 2, отличающаяся тем, что соотношение масс тяжелого и легкого металлов составляет 2:1, а масса борсодержащего материала не менее 2% от массы тяжелого металла.
4. Радиационная защита космической ядерной установки по п. 1, отличающаяся тем, что легкий жидкометаллический металл и теплоноситель ядерного реактора прокачиваются через зазоры между слоями тяжелого металла в радиационной защите для снижения тепла со всего объема РЗ.
5. Радиационная защита космической ядерной установки по п. 1, отличающаяся тем, что контейнер из тяжелого металла выполняется в виде цилиндра или усеченного конуса.
Основное назначение
Изобретение относится к ядерной энергетике, в частности к теневым радиационным защитам космических ядерных установок (КЯУ), предназначенных для снижения уровня нейтронного и гамма излучения от ядерного реактора до значений, допустимых для полезной нагрузки космического аппарата. Технический результат заключается в снижении поглощенной дозы гамма-излучения и флюенса нейтронов, испускаемых реактором КЯУ, на полезной нагрузке космического аппарата. Предложенная радиационная защита космической ядерной установки содержит контейнер, слой нейтронно-поглощающего материала и слой ослабляющего поток квантов и нейтронов материала. Причем внутри контейнера расположен пластинчатый теплообменник, образованный из последовательно сваренных и выполненных в виде гофрированных пластин слоев из ослабляющего потоки гамма-квантов и нейтронов материала. Между пластинами выполнены зазоры, заполненные с одной стороны гофрированных пластин слоем нейтронно-поглощающего материала, а с другой стороны теплоносителем, при этом наружная поверхность контейнера покрыта слоем борсодержащего материала. 1. Радиационная защита космической ядерной установки, содержащая контейнер, слой нейтронно-поглощающего материала и слой ослабляющего поток квантов и нейтронов материала, отличающаяся тем, что внутри контейнера расположен пластинчатый теплообменник, образованный из последовательно сваренных и выполненных в виде гофрированных пластин слоев из ослабляющего потоки гамма-квантов и нейтронов материала, между которыми образуются зазоры, заполненные с одной стороны гофрированных пластин слоем нейтронно-поглощающего материала, а с другой стороны теплоносителем, при этом наружная поверхность контейнера покрыта слоем борсодержащего материала.
2. Радиационная защита по п. 1, отличающаяся тем, что в качестве ослабляющего поток квантов и нейтронов материала используется тяжелый металл, выбранный из ниобия или урана 238, в качестве нейтронно-поглощающего материала используется легкий жидкометаллический металл, выбранный из лития, а в качестве борсодержащего материала используется, например, карбид бора.
3. Радиационная защита по п. 2, отличающаяся тем, что соотношение масс тяжелого и легкого металлов составляет 2:1, а масса борсодержащего материала не менее 2% от массы тяжелого металла.
4. Радиационная защита космической ядерной установки по п. 1, отличающаяся тем, что легкий жидкометаллический металл и теплоноситель ядерного реактора прокачиваются через зазоры между слоями тяжелого металла в радиационной защите для снижения тепла со всего объема РЗ.
5. Радиационная защита космической ядерной установки по п. 1, отличающаяся тем, что контейнер из тяжелого металла выполняется в виде цилиндра или усеченного конуса.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Радиационная защита космической ядерной установки, содержащая контейнер, слой нейтронно-поглощающего материала и слой ослабляющего поток квантов и нейтронов материала, отличающаяся тем, что внутри контейнера расположен пластинчатый теплообменник, образованный из последовательно сваренных и выполненных в виде гофрированных пластин слоев из ослабляющего потоки гамма-квантов и нейтронов материала, между которыми образуются зазоры, заполненные с одной стороны гофрированных пластин слоем нейтронно-поглощающего материала, а с другой стороны теплоносителем, при этом наружная поверхность контейнера покрыта слоем борсодержащего материала.
2. Радиационная защита по п. 1, отличающаяся тем, что в качестве ослабляющего поток квантов и нейтронов материала используется тяжелый металл, выбранный из ниобия или урана 238, в качестве нейтронно-поглощающего материала используется легкий жидкометаллический металл, выбранный из лития, а в качестве борсодержащего материала используется, например, карбид бора.
3. Радиационная защита по п. 2, отличающаяся тем, что соотношение масс тяжелого и легкого металлов составляет 2:1, а масса борсодержащего материала не менее 2% от массы тяжелого металла.
4. Радиационная защита космической ядерной установки по п. 1, отличающаяся тем, что легкий жидкометаллический металл и теплоноситель ядерного реактора прокачиваются через зазоры между слоями тяжелого металла в радиационной защите для снижения тепла со всего объема РЗ.
5. Радиационная защита космической ядерной установки по п. 1, отличающаяся тем, что контейнер из тяжелого металла выполняется в виде цилиндра или усеченного конуса.
Основное назначение
1. Радиационная защита космической ядерной установки, содержащая контейнер, слой нейтронно-поглощающего материала и слой ослабляющего поток квантов и нейтронов материала, отличающаяся тем, что внутри контейнера расположен пластинчатый теплообменник, образованный из последовательно сваренных и выполненных в виде гофрированных пластин слоев из ослабляющего потоки гамма-квантов и нейтронов материала, между которыми образуются зазоры, заполненные с одной стороны гофрированных пластин слоем нейтронно-поглощающего материала, а с другой стороны теплоносителем, при этом наружная поверхность контейнера покрыта слоем борсодержащего материала.
2. Радиационная защита по п. 1, отличающаяся тем, что в качестве ослабляющего поток квантов и нейтронов материала используется тяжелый металл, выбранный из ниобия или урана 238, в качестве нейтронно-поглощающего материала используется легкий жидкометаллический металл, выбранный из лития, а в качестве борсодержащего материала используется, например, карбид бора.
3. Радиационная защита по п. 2, отличающаяся тем, что соотношение масс тяжелого и легкого металлов составляет 2:1, а масса борсодержащего материала не менее 2% от массы тяжелого металла.
4. Радиационная защита космической ядерной установки по п. 1, отличающаяся тем, что легкий жидкометаллический металл и теплоноситель ядерного реактора прокачиваются через зазоры между слоями тяжелого металла в радиационной защите для снижения тепла со всего объема РЗ.
5. Радиационная защита космической ядерной установки по п. 1, отличающаяся тем, что контейнер из тяжелого металла выполняется в виде цилиндра или усеченного конуса.
|
||
|
5
|
Патент 2843924
|
Изобретение относится к области фармацевтики, а именно к способу получения триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты указанной ниже формулы, который может найти применение в качестве прекурсора при создании радиофармацевтических препаратов. Способ получения триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты заключается в алкилировании сернокислой соли этилендиамин-N-моно-3-пропионовой кислоты (ЭДМП) этилакрилатом в условиях реакции аза-Михаэля в этиловом спирте в присутствии этилата натрия при мольном соотношении сернокислой соли ЭДМП к этилакрилату 1:3-6 соответственно и температуре 20-25°С в течение 95-100 ч. Последующее выделение целевого продуктаосуществляют экстракцией этилацетатом водного слоя, полученного после разбавления водой и подкисления предварительно упаренной реакционной массы. Технический результат: получение триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты с выходом 86-95%. Способ получения триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты формулы
алкилированием сернокислой соли этилендиамин-N-моно-3-пропионовой кислоты (ЭДМП) этилакрилатом в условиях реакции аза-Михаэля в этиловом спирте в присутствии этилата натрия при мольном соотношении сернокислой соли ЭДМП к этилакрилату 1:3-6 соответственно и температуре 20-25°С в течение 95-100 ч с последующим выделением целевого продукта экстракцией этилацетатом водного слоя, полученного после разбавления водой и подкисления предварительно упаренной реакционной массы.
Основное назначение
Изобретение относится к области фармацевтики, а именно к способу получения триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты указанной ниже формулы, который может найти применение в качестве прекурсора при создании радиофармацевтических препаратов. Способ получения триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты заключается в алкилировании сернокислой соли этилендиамин-N-моно-3-пропионовой кислоты (ЭДМП) этилакрилатом в условиях реакции аза-Михаэля в этиловом спирте в присутствии этилата натрия при мольном соотношении сернокислой соли ЭДМП к этилакрилату 1:3-6 соответственно и температуре 20-25°С в течение 95-100 ч. Последующее выделение целевого продуктаосуществляют экстракцией этилацетатом водного слоя, полученного после разбавления водой и подкисления предварительно упаренной реакционной массы. Технический результат: получение триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты с выходом 86-95%. Способ получения триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты формулы
алкилированием сернокислой соли этилендиамин-N-моно-3-пропионовой кислоты (ЭДМП) этилакрилатом в условиях реакции аза-Михаэля в этиловом спирте в присутствии этилата натрия при мольном соотношении сернокислой соли ЭДМП к этилакрилату 1:3-6 соответственно и температуре 20-25°С в течение 95-100 ч с последующим выделением целевого продукта экстракцией этилацетатом водного слоя, полученного после разбавления водой и подкисления предварительно упаренной реакционной массы.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
|
Способ получения триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты формулы
алкилированием сернокислой соли этилендиамин-N-моно-3-пропионовой кислоты (ЭДМП) этилакрилатом в условиях реакции аза-Михаэля в этиловом спирте в присутствии этилата натрия при мольном соотношении сернокислой соли ЭДМП к этилакрилату 1:3-6 соответственно и температуре 20-25°С в течение 95-100 ч с последующим выделением целевого продукта экстракцией этилацетатом водного слоя, полученного после разбавления водой и подкисления предварительно упаренной реакционной массы.
Основное назначение
Способ получения триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты формулы
алкилированием сернокислой соли этилендиамин-N-моно-3-пропионовой кислоты (ЭДМП) этилакрилатом в условиях реакции аза-Михаэля в этиловом спирте в присутствии этилата натрия при мольном соотношении сернокислой соли ЭДМП к этилакрилату 1:3-6 соответственно и температуре 20-25°С в течение 95-100 ч с последующим выделением целевого продукта экстракцией этилацетатом водного слоя, полученного после разбавления водой и подкисления предварительно упаренной реакционной массы.
|
||
|
6
|
Патент 2843894
|
Использование: для изготовления интегральных схем, приборов микро и наноэлектроники на основе кремния и других полупроводников. Сущность изобретения заключается в том, что способ атомно-слоевого травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, реализуемый на оборудовании для плазмохимического травления микроэлектронных структур, оснащенном удаленным ВЧ-источником сильно ионизованной плазмы низкого давления с генератором с частотой в диапазоне 1-50 МГц и независимым генератором ВЧ-смещения, позволяющим подавать на обрабатываемую кремниевую пластину потенциал смещения в диапазоне 20-200 В при температуре пластины +10 - +50°С, представляющий собой циклический двухшаговый процесс, в котором выполняют последовательно два шага: шаг модификации поверхности диэлектрика, в плазме смеси газов CF4, Н2 и Ar при давлении в камере реактора 1-100 мТорр и шаг активации реакции на поверхности диэлектрика, при этом на шаге активации реакции применяют плазму ксенона. Технический результат: обеспечение возможности анизотропного травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью с высокой точностью. 1. Способ атомно-слоевого травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, реализуемый на оборудовании для плазмохимического травления микроэлектронных структур, оснащенном удаленным ВЧ-источником сильно ионизованной плазмы низкого давления с генератором с частотой в диапазоне 1-50 МГц и независимым генератором ВЧ-смещения, позволяющим подавать на обрабатываемую кремниевую пластину потенциал смещения в диапазоне 20-200 В при температуре пластины +10 - +50°С, представляющий собой циклический двухшаговый процесс, в котором выполняют последовательно два шага: шаг модификации поверхности диэлектрика, в плазме смеси газов CF4, Н2 и Ar при давлении в камере реактора 1-100 мТорр и шаг активации реакции на поверхности диэлектрика, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму ксенона.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму смеси ксенона и аргона, обеспечивающую минимизацию паразитного распыления диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью в процессе атомно-слоевого травления.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что между шагами циклического процесса добавляют шаг продувки камеры реактора смесью ксенона и аргона длительностью от 0,5 до 30 с, что обеспечивает повышение синергии процессов на шагах модификации поверхности диэлектрика и активации реакции.
Основное назначение
Использование: для изготовления интегральных схем, приборов микро и наноэлектроники на основе кремния и других полупроводников. Сущность изобретения заключается в том, что способ атомно-слоевого травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, реализуемый на оборудовании для плазмохимического травления микроэлектронных структур, оснащенном удаленным ВЧ-источником сильно ионизованной плазмы низкого давления с генератором с частотой в диапазоне 1-50 МГц и независимым генератором ВЧ-смещения, позволяющим подавать на обрабатываемую кремниевую пластину потенциал смещения в диапазоне 20-200 В при температуре пластины +10 - +50°С, представляющий собой циклический двухшаговый процесс, в котором выполняют последовательно два шага: шаг модификации поверхности диэлектрика, в плазме смеси газов CF4, Н2 и Ar при давлении в камере реактора 1-100 мТорр и шаг активации реакции на поверхности диэлектрика, при этом на шаге активации реакции применяют плазму ксенона. Технический результат: обеспечение возможности анизотропного травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью с высокой точностью. 1. Способ атомно-слоевого травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, реализуемый на оборудовании для плазмохимического травления микроэлектронных структур, оснащенном удаленным ВЧ-источником сильно ионизованной плазмы низкого давления с генератором с частотой в диапазоне 1-50 МГц и независимым генератором ВЧ-смещения, позволяющим подавать на обрабатываемую кремниевую пластину потенциал смещения в диапазоне 20-200 В при температуре пластины +10 - +50°С, представляющий собой циклический двухшаговый процесс, в котором выполняют последовательно два шага: шаг модификации поверхности диэлектрика, в плазме смеси газов CF4, Н2 и Ar при давлении в камере реактора 1-100 мТорр и шаг активации реакции на поверхности диэлектрика, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму ксенона.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму смеси ксенона и аргона, обеспечивающую минимизацию паразитного распыления диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью в процессе атомно-слоевого травления.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что между шагами циклического процесса добавляют шаг продувки камеры реактора смесью ксенона и аргона длительностью от 0,5 до 30 с, что обеспечивает повышение синергии процессов на шагах модификации поверхности диэлектрика и активации реакции.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ атомно-слоевого травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, реализуемый на оборудовании для плазмохимического травления микроэлектронных структур, оснащенном удаленным ВЧ-источником сильно ионизованной плазмы низкого давления с генератором с частотой в диапазоне 1-50 МГц и независимым генератором ВЧ-смещения, позволяющим подавать на обрабатываемую кремниевую пластину потенциал смещения в диапазоне 20-200 В при температуре пластины +10 - +50°С, представляющий собой циклический двухшаговый процесс, в котором выполняют последовательно два шага: шаг модификации поверхности диэлектрика, в плазме смеси газов CF4, Н2 и Ar при давлении в камере реактора 1-100 мТорр и шаг активации реакции на поверхности диэлектрика, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму ксенона.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму смеси ксенона и аргона, обеспечивающую минимизацию паразитного распыления диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью в процессе атомно-слоевого травления.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что между шагами циклического процесса добавляют шаг продувки камеры реактора смесью ксенона и аргона длительностью от 0,5 до 30 с, что обеспечивает повышение синергии процессов на шагах модификации поверхности диэлектрика и активации реакции.
Основное назначение
1. Способ атомно-слоевого травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, реализуемый на оборудовании для плазмохимического травления микроэлектронных структур, оснащенном удаленным ВЧ-источником сильно ионизованной плазмы низкого давления с генератором с частотой в диапазоне 1-50 МГц и независимым генератором ВЧ-смещения, позволяющим подавать на обрабатываемую кремниевую пластину потенциал смещения в диапазоне 20-200 В при температуре пластины +10 - +50°С, представляющий собой циклический двухшаговый процесс, в котором выполняют последовательно два шага: шаг модификации поверхности диэлектрика, в плазме смеси газов CF4, Н2 и Ar при давлении в камере реактора 1-100 мТорр и шаг активации реакции на поверхности диэлектрика, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму ксенона.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму смеси ксенона и аргона, обеспечивающую минимизацию паразитного распыления диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью в процессе атомно-слоевого травления.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что между шагами циклического процесса добавляют шаг продувки камеры реактора смесью ксенона и аргона длительностью от 0,5 до 30 с, что обеспечивает повышение синергии процессов на шагах модификации поверхности диэлектрика и активации реакции.
|
||
|
7
|
Патент 2843147
|
Изобретение относится к вакуумной ионно-плазменной технике, предназначенной для генерации ионных пучков, применяемых при модификации поверхностей изделий и для нанесения покрытий металлов и их соединений на подложку в машино- и приборостроении и других областях техники. Технический результат – повышение однородности импульсного ионного пучка, надежности, ресурса и ремонтопригодности ионного источника. Источник ионов металлов с протяженным пучком состоит из вакуумной камеры, внутри которой расположены импульсные дуговые испарители (ИДИ), подключенные к системе электропитания, содержащей зарядное устройство, систему поджига, задающий генератор импульсов. На опорном фланце методом пайки и болтовым соединением закреплены высоковольтный изолятор, ускоряющий электрод и супрессор с электроконтактом. На другом торце изолятора болтовым соединением закреплен высоковольтный фланец, на котором в определенном порядке болтовыми соединениями закреплены импульсные дуговые испарители ИДИ1, ИДИ2, … ИДИn, электрические выводы которых организованы через индивидуальные гермовводы и методом пайки присоединены к системе электропитания источника. 1. Источник ионов металлов с протяженным пучком, состоящий из вакуумной камеры, внутри которой расположены импульсные дуговые испарители (ИДИ), подключенные к системе электропитания, содержащей зарядное устройство, систему поджига, задающий генератор импульсов, отличающийся тем, что на опорном фланце методом пайки или болтовым соединением закреплены высоковольтный изолятор, ускоряющий электрод и супрессор с электроконтактом, подсоединенным к источнику питания супрессора, при этом на другом торце изолятора болтовым соединением закреплен высоковольтный фланец, на котором в определенном порядке болтовыми соединениями закреплены импульсные дуговые испарители ИДИ1, ИДИ2, … ИДИn в количестве не менее 3, электрические выводы которых организованы через индивидуальные гермовводы и методом пайки присоединены к системе электропитания источника, которая в свою очередь состоит из генератора импульсов, передающего запускающие импульсы на генератор импульсов тока, возбуждающий первичную обмотку управляющего трансформатора, на вторичных обмотках которого при этом появляется высоковольтное напряжение, передающееся на поджигающие электроды ИДИ1, ИДИ2, … ИДИn.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что ИДИ расположены в определенном порядке с шагом между осями смежных ИДИ - а, расстоянием от ИДИ до стенок разрядной камеры - а/2, расстоянием от испаряемой мишени катодов до поверхности эмиссионной сетки - h, причем значение h находится в диапазоне от 0,7 до 1,5 значения а.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что электропитание каждого ИДИ в отдельности и всего источника ионов в целом осуществляется от единого импульсного трансформатора и генератора импульсов тока, управляемых генератором импульсов.
Основное назначение
Изобретение относится к вакуумной ионно-плазменной технике, предназначенной для генерации ионных пучков, применяемых при модификации поверхностей изделий и для нанесения покрытий металлов и их соединений на подложку в машино- и приборостроении и других областях техники. Технический результат – повышение однородности импульсного ионного пучка, надежности, ресурса и ремонтопригодности ионного источника. Источник ионов металлов с протяженным пучком состоит из вакуумной камеры, внутри которой расположены импульсные дуговые испарители (ИДИ), подключенные к системе электропитания, содержащей зарядное устройство, систему поджига, задающий генератор импульсов. На опорном фланце методом пайки и болтовым соединением закреплены высоковольтный изолятор, ускоряющий электрод и супрессор с электроконтактом. На другом торце изолятора болтовым соединением закреплен высоковольтный фланец, на котором в определенном порядке болтовыми соединениями закреплены импульсные дуговые испарители ИДИ1, ИДИ2, … ИДИn, электрические выводы которых организованы через индивидуальные гермовводы и методом пайки присоединены к системе электропитания источника. 1. Источник ионов металлов с протяженным пучком, состоящий из вакуумной камеры, внутри которой расположены импульсные дуговые испарители (ИДИ), подключенные к системе электропитания, содержащей зарядное устройство, систему поджига, задающий генератор импульсов, отличающийся тем, что на опорном фланце методом пайки или болтовым соединением закреплены высоковольтный изолятор, ускоряющий электрод и супрессор с электроконтактом, подсоединенным к источнику питания супрессора, при этом на другом торце изолятора болтовым соединением закреплен высоковольтный фланец, на котором в определенном порядке болтовыми соединениями закреплены импульсные дуговые испарители ИДИ1, ИДИ2, … ИДИn в количестве не менее 3, электрические выводы которых организованы через индивидуальные гермовводы и методом пайки присоединены к системе электропитания источника, которая в свою очередь состоит из генератора импульсов, передающего запускающие импульсы на генератор импульсов тока, возбуждающий первичную обмотку управляющего трансформатора, на вторичных обмотках которого при этом появляется высоковольтное напряжение, передающееся на поджигающие электроды ИДИ1, ИДИ2, … ИДИn.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что ИДИ расположены в определенном порядке с шагом между осями смежных ИДИ - а, расстоянием от ИДИ до стенок разрядной камеры - а/2, расстоянием от испаряемой мишени катодов до поверхности эмиссионной сетки - h, причем значение h находится в диапазоне от 0,7 до 1,5 значения а.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что электропитание каждого ИДИ в отдельности и всего источника ионов в целом осуществляется от единого импульсного трансформатора и генератора импульсов тока, управляемых генератором импульсов.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Источник ионов металлов с протяженным пучком, состоящий из вакуумной камеры, внутри которой расположены импульсные дуговые испарители (ИДИ), подключенные к системе электропитания, содержащей зарядное устройство, систему поджига, задающий генератор импульсов, отличающийся тем, что на опорном фланце методом пайки или болтовым соединением закреплены высоковольтный изолятор, ускоряющий электрод и супрессор с электроконтактом, подсоединенным к источнику питания супрессора, при этом на другом торце изолятора болтовым соединением закреплен высоковольтный фланец, на котором в определенном порядке болтовыми соединениями закреплены импульсные дуговые испарители ИДИ1, ИДИ2, … ИДИn в количестве не менее 3, электрические выводы которых организованы через индивидуальные гермовводы и методом пайки присоединены к системе электропитания источника, которая в свою очередь состоит из генератора импульсов, передающего запускающие импульсы на генератор импульсов тока, возбуждающий первичную обмотку управляющего трансформатора, на вторичных обмотках которого при этом появляется высоковольтное напряжение, передающееся на поджигающие электроды ИДИ1, ИДИ2, … ИДИn.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что ИДИ расположены в определенном порядке с шагом между осями смежных ИДИ - а, расстоянием от ИДИ до стенок разрядной камеры - а/2, расстоянием от испаряемой мишени катодов до поверхности эмиссионной сетки - h, причем значение h находится в диапазоне от 0,7 до 1,5 значения а.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что электропитание каждого ИДИ в отдельности и всего источника ионов в целом осуществляется от единого импульсного трансформатора и генератора импульсов тока, управляемых генератором импульсов.
Основное назначение
1. Источник ионов металлов с протяженным пучком, состоящий из вакуумной камеры, внутри которой расположены импульсные дуговые испарители (ИДИ), подключенные к системе электропитания, содержащей зарядное устройство, систему поджига, задающий генератор импульсов, отличающийся тем, что на опорном фланце методом пайки или болтовым соединением закреплены высоковольтный изолятор, ускоряющий электрод и супрессор с электроконтактом, подсоединенным к источнику питания супрессора, при этом на другом торце изолятора болтовым соединением закреплен высоковольтный фланец, на котором в определенном порядке болтовыми соединениями закреплены импульсные дуговые испарители ИДИ1, ИДИ2, … ИДИn в количестве не менее 3, электрические выводы которых организованы через индивидуальные гермовводы и методом пайки присоединены к системе электропитания источника, которая в свою очередь состоит из генератора импульсов, передающего запускающие импульсы на генератор импульсов тока, возбуждающий первичную обмотку управляющего трансформатора, на вторичных обмотках которого при этом появляется высоковольтное напряжение, передающееся на поджигающие электроды ИДИ1, ИДИ2, … ИДИn.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что ИДИ расположены в определенном порядке с шагом между осями смежных ИДИ - а, расстоянием от ИДИ до стенок разрядной камеры - а/2, расстоянием от испаряемой мишени катодов до поверхности эмиссионной сетки - h, причем значение h находится в диапазоне от 0,7 до 1,5 значения а.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что электропитание каждого ИДИ в отдельности и всего источника ионов в целом осуществляется от единого импульсного трансформатора и генератора импульсов тока, управляемых генератором импульсов.
|
||
|
8
|
Патент 2842966
|
Изобретение относится к области регенеративной медицины. Предложен способ получения биосовместимых и биоразлагаемых гидрогелей методом поэтапной замены растворителя, характеризующийся тем, что включает: стадию приготовления 15-20 масс. % раствора или растворов амфифильных блок-сополимеров полилактидов или полилактонов с полиэтиленгликолем в органическом растворителе с последующим введением полученного раствора в диализный мешок с размером пор от 3,5 до 5,0 кДа и диаметром 6-10 мм, стадию диализа полученного раствора блок-сополимера в 80 масс. % растворе органического растворителя с дистиллированной водой с удельной электропроводностью не более 10-4 См/см в стакане объемом 0,5-1 л в течение 5-7 суток при постоянном перемешивании с поэтапным снижением концентрации органического растворителя на 5-10 масс. % в час до полной замены на дистиллированную воду и завершения процесса самоорганизации с образованием физической сетки гидрогеля и удаления остаточного органического растворителя, при этом растворитель должен отвечать 2 условиям: хорошо растворять оба блока в составе сополимера, т.е. быть неселективным растворителем, и хорошо смешиваться с водой в любых соотношениях. 1. Способ получения биосовместимых и биоразлагаемых гидрогелей методом поэтапной замены растворителя, характеризующийся тем, что включает: стадию приготовления 15-20 масс. % раствора или растворов амфифильных блок-сополимеров полилактидов или полилактонов с полиэтиленгликолем в органическом растворителе с последующим введением полученного раствора в диализный мешок с размером пор от 3,5 до 5,0 кДа и диаметром 6-10 мм, стадию диализа полученного раствора блок-сополимера в 80 масс. % растворе органического растворителя с дистиллированной водой с удельной электропроводностью не более 10-4 См/см в стакане объемом 0,5-1 л в течение 5-7 суток при постоянном перемешивании с поэтапным снижением концентрации органического растворителя на 5-10 масс. % в час до полной замены на дистиллированную воду и завершения процесса самоорганизации с образованием физической сетки гидрогеля и удаления остаточного органического растворителя, при этом растворитель должен отвечать 2 условиям: хорошо растворять оба блока в составе сополимера, т.е. быть неселективным растворителем, и хорошо смешиваться с водой в любых соотношениях.
2. Способ получения биосовместимых и биоразлагаемых гидрогелей методом поэтапной замены растворителя по п. 1, отличающийся тем, что в качестве амфифильного тройного блок-сополимера полилактидов или полилактонов с полиэтиленгликолем используются амфифильные тройные блок-сополимеры с аморфными гидрофобными блоками, полукристаллическими гидрофобными блоками или с полукристаллическими гидрофобными блоками с противоположными конфигурациями.
Основное назначение
Изобретение относится к области регенеративной медицины. Предложен способ получения биосовместимых и биоразлагаемых гидрогелей методом поэтапной замены растворителя, характеризующийся тем, что включает: стадию приготовления 15-20 масс. % раствора или растворов амфифильных блок-сополимеров полилактидов или полилактонов с полиэтиленгликолем в органическом растворителе с последующим введением полученного раствора в диализный мешок с размером пор от 3,5 до 5,0 кДа и диаметром 6-10 мм, стадию диализа полученного раствора блок-сополимера в 80 масс. % растворе органического растворителя с дистиллированной водой с удельной электропроводностью не более 10-4 См/см в стакане объемом 0,5-1 л в течение 5-7 суток при постоянном перемешивании с поэтапным снижением концентрации органического растворителя на 5-10 масс. % в час до полной замены на дистиллированную воду и завершения процесса самоорганизации с образованием физической сетки гидрогеля и удаления остаточного органического растворителя, при этом растворитель должен отвечать 2 условиям: хорошо растворять оба блока в составе сополимера, т.е. быть неселективным растворителем, и хорошо смешиваться с водой в любых соотношениях. 1. Способ получения биосовместимых и биоразлагаемых гидрогелей методом поэтапной замены растворителя, характеризующийся тем, что включает: стадию приготовления 15-20 масс. % раствора или растворов амфифильных блок-сополимеров полилактидов или полилактонов с полиэтиленгликолем в органическом растворителе с последующим введением полученного раствора в диализный мешок с размером пор от 3,5 до 5,0 кДа и диаметром 6-10 мм, стадию диализа полученного раствора блок-сополимера в 80 масс. % растворе органического растворителя с дистиллированной водой с удельной электропроводностью не более 10-4 См/см в стакане объемом 0,5-1 л в течение 5-7 суток при постоянном перемешивании с поэтапным снижением концентрации органического растворителя на 5-10 масс. % в час до полной замены на дистиллированную воду и завершения процесса самоорганизации с образованием физической сетки гидрогеля и удаления остаточного органического растворителя, при этом растворитель должен отвечать 2 условиям: хорошо растворять оба блока в составе сополимера, т.е. быть неселективным растворителем, и хорошо смешиваться с водой в любых соотношениях.
2. Способ получения биосовместимых и биоразлагаемых гидрогелей методом поэтапной замены растворителя по п. 1, отличающийся тем, что в качестве амфифильного тройного блок-сополимера полилактидов или полилактонов с полиэтиленгликолем используются амфифильные тройные блок-сополимеры с аморфными гидрофобными блоками, полукристаллическими гидрофобными блоками или с полукристаллическими гидрофобными блоками с противоположными конфигурациями.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ получения биосовместимых и биоразлагаемых гидрогелей методом поэтапной замены растворителя, характеризующийся тем, что включает: стадию приготовления 15-20 масс. % раствора или растворов амфифильных блок-сополимеров полилактидов или полилактонов с полиэтиленгликолем в органическом растворителе с последующим введением полученного раствора в диализный мешок с размером пор от 3,5 до 5,0 кДа и диаметром 6-10 мм, стадию диализа полученного раствора блок-сополимера в 80 масс. % растворе органического растворителя с дистиллированной водой с удельной электропроводностью не более 10-4 См/см в стакане объемом 0,5-1 л в течение 5-7 суток при постоянном перемешивании с поэтапным снижением концентрации органического растворителя на 5-10 масс. % в час до полной замены на дистиллированную воду и завершения процесса самоорганизации с образованием физической сетки гидрогеля и удаления остаточного органического растворителя, при этом растворитель должен отвечать 2 условиям: хорошо растворять оба блока в составе сополимера, т.е. быть неселективным растворителем, и хорошо смешиваться с водой в любых соотношениях.
2. Способ получения биосовместимых и биоразлагаемых гидрогелей методом поэтапной замены растворителя по п. 1, отличающийся тем, что в качестве амфифильного тройного блок-сополимера полилактидов или полилактонов с полиэтиленгликолем используются амфифильные тройные блок-сополимеры с аморфными гидрофобными блоками, полукристаллическими гидрофобными блоками или с полукристаллическими гидрофобными блоками с противоположными конфигурациями.
Основное назначение
1. Способ получения биосовместимых и биоразлагаемых гидрогелей методом поэтапной замены растворителя, характеризующийся тем, что включает: стадию приготовления 15-20 масс. % раствора или растворов амфифильных блок-сополимеров полилактидов или полилактонов с полиэтиленгликолем в органическом растворителе с последующим введением полученного раствора в диализный мешок с размером пор от 3,5 до 5,0 кДа и диаметром 6-10 мм, стадию диализа полученного раствора блок-сополимера в 80 масс. % растворе органического растворителя с дистиллированной водой с удельной электропроводностью не более 10-4 См/см в стакане объемом 0,5-1 л в течение 5-7 суток при постоянном перемешивании с поэтапным снижением концентрации органического растворителя на 5-10 масс. % в час до полной замены на дистиллированную воду и завершения процесса самоорганизации с образованием физической сетки гидрогеля и удаления остаточного органического растворителя, при этом растворитель должен отвечать 2 условиям: хорошо растворять оба блока в составе сополимера, т.е. быть неселективным растворителем, и хорошо смешиваться с водой в любых соотношениях.
2. Способ получения биосовместимых и биоразлагаемых гидрогелей методом поэтапной замены растворителя по п. 1, отличающийся тем, что в качестве амфифильного тройного блок-сополимера полилактидов или полилактонов с полиэтиленгликолем используются амфифильные тройные блок-сополимеры с аморфными гидрофобными блоками, полукристаллическими гидрофобными блоками или с полукристаллическими гидрофобными блоками с противоположными конфигурациями.
|
||
|
9
|
Патент 2842956
|
Изобретение относится к устройствам для измерения тяговых параметров электрических ракетных двигателей (ЭРД), в частности к измерителям тяги и плотности тяги. Предложено устройство с повышенной помехоустойчивостью для измерения тяговых параметров электрических ракетных двигателей, характеризующееся тем, что содержит рычажный элемент, представляющий собой диэлектрический стержень, на одном конце которого жестко установлена приемная пластина-мишень, на другом конце установлен опорный элемент - корпус, выполненный с возможностью закрепления на стенде электрических ракетных двигателей, и электронную схему, размещенную внутри корпуса. При этом устройство содержит основной тензометрический датчик и компенсационный тензометрический датчик, резьбовую штангу с балансировочным грузиком, на верхней части корпуса размещен интерфейсный разъем для подключения к внешнему источнику напряжения и устройству управления и индикации. Резьбовая штанга с балансировочным грузиком прикрепляется винтовым соединением к компенсационному тензометрическому датчику. Электронная схема, соединяющаяся с тензометрическими датчиками и с интерфейсным разъемом, размещена внутри корпуса и включает в себя балансировочный блок, блок вычитания, усилитель разностного сигнала, блок формирования выходного сигнала, в верхней части корпуса имеется прилив, к которому винтовым соединением прикрепляется защитная трубка и расположенные в ее полости основной и компенсационный тензометрические датчики, при этом к основному тензометрическому датчику винтовым соединением прикреплена нижняя часть диэлектрического стержня, а к компенсационному тензометрическому датчику прикреплена нижняя часть резьбовой штанги. Также предложен способ измерения тяговых параметров электрических ракетных двигателей, обеспечивающий повышенную помехоустойчивость с помощью устройства. Технический результат заключается в увеличении чувствительности устройства в области малых значений тяговых параметров и устранении влияния точности установки устройства в рабочее положение на начальный уровень выходного сигнала. 1. Устройство с повышенной помехоустойчивостью для измерения тяговых параметров электрических ракетных двигателей, характеризующееся тем, что содержит рычажный элемент, представляющий собой диэлектрический стержень, на одном конце которого жестко установлена приемная пластина-мишень, на другом конце установлен опорный элемент - корпус, выполненный с возможностью закрепления на стенде электрических ракетных двигателей, и электронную схему, размещенную внутри корпуса, отличающееся тем, что устройство содержит основной тензометрический датчик и компенсационный тензометрический датчик, резьбовую штангу с балансировочным грузиком, на верхней части корпуса размещен интерфейсный разъем для подключения к внешнему источнику напряжения и устройству управления и индикации, резьбовая штанга с балансировочным грузиком прикрепляется винтовым соединением к компенсационному тензометрическому датчику, электронная схема, соединяющаяся с тензометрическими датчиками и с интерфейсным разъемом, размещена внутри корпуса и включает в себя балансировочный блок, блок вычитания, усилитель разностного сигнала, блок формирования выходного сигнала, в верхней части корпуса имеется прилив, к которому винтовым соединением прикрепляется защитная трубка и расположенные в ее полости основной и компенсационный тензометрические датчики, при этом к основному тензометрическому датчику винтовым соединением прикреплена нижняя часть диэлектрического стержня, а к компенсационному тензометрическому датчику прикреплена нижняя часть резьбовой штанги.
2. Способ измерения тяговых параметров электрических ракетных двигателей обеспечивающий повышенную помехоустойчивость устройством по п. 1, характеризующийся обработкой разности сигналов от основного и компенсационного тензометрических датчиков, при этом давление плазмы воздействует только на основной тензометрический датчик, а внешние механические возмущения приложены в равной степени к обоим тензометрическим датчикам, в результате чего повышается чувствительность измерений тяговых параметров ЭРД.
Основное назначение
Изобретение относится к устройствам для измерения тяговых параметров электрических ракетных двигателей (ЭРД), в частности к измерителям тяги и плотности тяги. Предложено устройство с повышенной помехоустойчивостью для измерения тяговых параметров электрических ракетных двигателей, характеризующееся тем, что содержит рычажный элемент, представляющий собой диэлектрический стержень, на одном конце которого жестко установлена приемная пластина-мишень, на другом конце установлен опорный элемент - корпус, выполненный с возможностью закрепления на стенде электрических ракетных двигателей, и электронную схему, размещенную внутри корпуса. При этом устройство содержит основной тензометрический датчик и компенсационный тензометрический датчик, резьбовую штангу с балансировочным грузиком, на верхней части корпуса размещен интерфейсный разъем для подключения к внешнему источнику напряжения и устройству управления и индикации. Резьбовая штанга с балансировочным грузиком прикрепляется винтовым соединением к компенсационному тензометрическому датчику. Электронная схема, соединяющаяся с тензометрическими датчиками и с интерфейсным разъемом, размещена внутри корпуса и включает в себя балансировочный блок, блок вычитания, усилитель разностного сигнала, блок формирования выходного сигнала, в верхней части корпуса имеется прилив, к которому винтовым соединением прикрепляется защитная трубка и расположенные в ее полости основной и компенсационный тензометрические датчики, при этом к основному тензометрическому датчику винтовым соединением прикреплена нижняя часть диэлектрического стержня, а к компенсационному тензометрическому датчику прикреплена нижняя часть резьбовой штанги. Также предложен способ измерения тяговых параметров электрических ракетных двигателей, обеспечивающий повышенную помехоустойчивость с помощью устройства. Технический результат заключается в увеличении чувствительности устройства в области малых значений тяговых параметров и устранении влияния точности установки устройства в рабочее положение на начальный уровень выходного сигнала. 1. Устройство с повышенной помехоустойчивостью для измерения тяговых параметров электрических ракетных двигателей, характеризующееся тем, что содержит рычажный элемент, представляющий собой диэлектрический стержень, на одном конце которого жестко установлена приемная пластина-мишень, на другом конце установлен опорный элемент - корпус, выполненный с возможностью закрепления на стенде электрических ракетных двигателей, и электронную схему, размещенную внутри корпуса, отличающееся тем, что устройство содержит основной тензометрический датчик и компенсационный тензометрический датчик, резьбовую штангу с балансировочным грузиком, на верхней части корпуса размещен интерфейсный разъем для подключения к внешнему источнику напряжения и устройству управления и индикации, резьбовая штанга с балансировочным грузиком прикрепляется винтовым соединением к компенсационному тензометрическому датчику, электронная схема, соединяющаяся с тензометрическими датчиками и с интерфейсным разъемом, размещена внутри корпуса и включает в себя балансировочный блок, блок вычитания, усилитель разностного сигнала, блок формирования выходного сигнала, в верхней части корпуса имеется прилив, к которому винтовым соединением прикрепляется защитная трубка и расположенные в ее полости основной и компенсационный тензометрические датчики, при этом к основному тензометрическому датчику винтовым соединением прикреплена нижняя часть диэлектрического стержня, а к компенсационному тензометрическому датчику прикреплена нижняя часть резьбовой штанги.
2. Способ измерения тяговых параметров электрических ракетных двигателей обеспечивающий повышенную помехоустойчивость устройством по п. 1, характеризующийся обработкой разности сигналов от основного и компенсационного тензометрических датчиков, при этом давление плазмы воздействует только на основной тензометрический датчик, а внешние механические возмущения приложены в равной степени к обоим тензометрическим датчикам, в результате чего повышается чувствительность измерений тяговых параметров ЭРД.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Устройство с повышенной помехоустойчивостью для измерения тяговых параметров электрических ракетных двигателей, характеризующееся тем, что содержит рычажный элемент, представляющий собой диэлектрический стержень, на одном конце которого жестко установлена приемная пластина-мишень, на другом конце установлен опорный элемент - корпус, выполненный с возможностью закрепления на стенде электрических ракетных двигателей, и электронную схему, размещенную внутри корпуса, отличающееся тем, что устройство содержит основной тензометрический датчик и компенсационный тензометрический датчик, резьбовую штангу с балансировочным грузиком, на верхней части корпуса размещен интерфейсный разъем для подключения к внешнему источнику напряжения и устройству управления и индикации, резьбовая штанга с балансировочным грузиком прикрепляется винтовым соединением к компенсационному тензометрическому датчику, электронная схема, соединяющаяся с тензометрическими датчиками и с интерфейсным разъемом, размещена внутри корпуса и включает в себя балансировочный блок, блок вычитания, усилитель разностного сигнала, блок формирования выходного сигнала, в верхней части корпуса имеется прилив, к которому винтовым соединением прикрепляется защитная трубка и расположенные в ее полости основной и компенсационный тензометрические датчики, при этом к основному тензометрическому датчику винтовым соединением прикреплена нижняя часть диэлектрического стержня, а к компенсационному тензометрическому датчику прикреплена нижняя часть резьбовой штанги.
2. Способ измерения тяговых параметров электрических ракетных двигателей обеспечивающий повышенную помехоустойчивость устройством по п. 1, характеризующийся обработкой разности сигналов от основного и компенсационного тензометрических датчиков, при этом давление плазмы воздействует только на основной тензометрический датчик, а внешние механические возмущения приложены в равной степени к обоим тензометрическим датчикам, в результате чего повышается чувствительность измерений тяговых параметров ЭРД.
Основное назначение
1. Устройство с повышенной помехоустойчивостью для измерения тяговых параметров электрических ракетных двигателей, характеризующееся тем, что содержит рычажный элемент, представляющий собой диэлектрический стержень, на одном конце которого жестко установлена приемная пластина-мишень, на другом конце установлен опорный элемент - корпус, выполненный с возможностью закрепления на стенде электрических ракетных двигателей, и электронную схему, размещенную внутри корпуса, отличающееся тем, что устройство содержит основной тензометрический датчик и компенсационный тензометрический датчик, резьбовую штангу с балансировочным грузиком, на верхней части корпуса размещен интерфейсный разъем для подключения к внешнему источнику напряжения и устройству управления и индикации, резьбовая штанга с балансировочным грузиком прикрепляется винтовым соединением к компенсационному тензометрическому датчику, электронная схема, соединяющаяся с тензометрическими датчиками и с интерфейсным разъемом, размещена внутри корпуса и включает в себя балансировочный блок, блок вычитания, усилитель разностного сигнала, блок формирования выходного сигнала, в верхней части корпуса имеется прилив, к которому винтовым соединением прикрепляется защитная трубка и расположенные в ее полости основной и компенсационный тензометрические датчики, при этом к основному тензометрическому датчику винтовым соединением прикреплена нижняя часть диэлектрического стержня, а к компенсационному тензометрическому датчику прикреплена нижняя часть резьбовой штанги.
2. Способ измерения тяговых параметров электрических ракетных двигателей обеспечивающий повышенную помехоустойчивость устройством по п. 1, характеризующийся обработкой разности сигналов от основного и компенсационного тензометрических датчиков, при этом давление плазмы воздействует только на основной тензометрический датчик, а внешние механические возмущения приложены в равной степени к обоим тензометрическим датчикам, в результате чего повышается чувствительность измерений тяговых параметров ЭРД.
|
||
|
10
|
Патент 2842942
|
Изобретение относится к области биотехнологии, а именно к способу определения устойчивости к обезвоживанию винных штаммов дрожжей Saccharomyces cerevisiae и активности протекторных соединений, способствующих сохранению жизнеспособности дрожжевых клеток после обезвоживания, и может быть использовано в пищевой и алкогольной промышленности. Способ включает подготовку тест-организмов, наращивание биомассы на синтетической питательной среде, выдержку на протекторных соединениях, обезвоживание, реактивацию сухих дрожжей, проведение посевов на плотную среду, культивирование и вычисление результатов. Для получения биомассы используют трехсуточную культуру тест-организмов, которую вносят на синтетическую питательную среду и культивируют в течение 48 часов при температуре 23-27°С при перемешивании 200 об/мин. Состав синтетической питательной среды: сахароза 20 г/дм3, сернокислый аммоний 3 г/дм3, сернокислый магний 0,7 г/дм3, азотнокислый кальций 0,4 г/дм3, хлористый натрий 0,5 г/дм3, фосфорнокислый калий однозамещенный 1,0 г/дм3, инозит 5,0 мг/дм3, биотин 0,0001 мг/дм3, пантотеновая кислота 0,25 мг/дм3, тиамин 1,0 мг/дм3, пиридоксин 0,25 мг/дм3, никотиновая кислота 0,5 мг/дм3. Полученную биомассу клеток тест-организмов промывают в стерильной воде, делят на три равные части, при этом первую часть сразу инокулируют на плотную среду, вторую часть направляют на сушку, а в третью часть добавляют протекторные соединения, а затем направляют на сушку. Вторая и третья части обезвоженной биомассы выдерживаются не менее чем 24 часа, а затем реактивируются с последующим инокулированием на плотные питательные среды. Культивирование на плотных питательных средах проводят в течение 3-х суток при температуре 23-27°С, после чего проводят подсчет колониеобразующих единиц и вычисление жизнеспособности дрожжей по формуле. Изобретение обеспечивает возможность оценки устойчивости к обезвоживанию штаммов дрожжей Saccharomyces cerevisiae и активности протекторных соединений в заданных условиях культивирования. Способ определения устойчивости к обезвоживанию винных штаммов дрожжей Saccharomyces cerevisiae и активности протекторных соединений, включающий подготовку тест-организмов, наращивание биомассы, выдержку на протекторных соединениях, обезвоживание, реактивацию сухих дрожжей, посев на плотную питательную среду, культивирование, вычисление результатов, отличающийся тем, что для подготовки тест-организмов используют биомассу трехсуточной культуры дрожжей Saccharomyces cerevisiae, далее наращивание биомассы проводят при культивировании дрожжей в течение 48 часов, а в качестве питательной среды для получения биомассы используют синтетическую питательную среду, содержащую: сахарозу 20 г/дм3, сернокислый аммоний 3 г/дм3, сернокислый магний 0,7 г/дм3, азотнокислый кальций 0,4 г/дм3, хлористый натрий 0,5 г/дм3, фосфорнокислый калий однозамещенный 1,0 г/дм3, инозит 5,0 мг/дм3, биотин 0,0001 мг/дм3, пантотеновую кислоту 0,25 мг/дм3, тиамин 1,0 мг/дм3, пиридоксин 0,25 мг/дм3, никотиновую кислоту 0,5 мг/дм3, после чего полученную биомассу делят на три равные части, при этом первую часть сразу инокулируют на плотную питательную среду YPD, вторую часть направляют на сушку, а в третью часть добавляют протекторные соединения и также направляют на сушку, после чего высушенные вторую и третью части биомассы выдерживают не менее чем 24 часа, а затем реактивируют и инокулируют на плотную питательную среду YPD, проводят раздельное культивирование всех трех частей, после чего ведут подсчет колониеобразующих единиц и вычисление жизнеспособности дрожжей по каждой части отдельно с возможностью одновременной оценки устойчивости к обезвоживанию дрожжей и активности протекторных соединений.
Основное назначение
Изобретение относится к области биотехнологии, а именно к способу определения устойчивости к обезвоживанию винных штаммов дрожжей Saccharomyces cerevisiae и активности протекторных соединений, способствующих сохранению жизнеспособности дрожжевых клеток после обезвоживания, и может быть использовано в пищевой и алкогольной промышленности. Способ включает подготовку тест-организмов, наращивание биомассы на синтетической питательной среде, выдержку на протекторных соединениях, обезвоживание, реактивацию сухих дрожжей, проведение посевов на плотную среду, культивирование и вычисление результатов. Для получения биомассы используют трехсуточную культуру тест-организмов, которую вносят на синтетическую питательную среду и культивируют в течение 48 часов при температуре 23-27°С при перемешивании 200 об/мин. Состав синтетической питательной среды: сахароза 20 г/дм3, сернокислый аммоний 3 г/дм3, сернокислый магний 0,7 г/дм3, азотнокислый кальций 0,4 г/дм3, хлористый натрий 0,5 г/дм3, фосфорнокислый калий однозамещенный 1,0 г/дм3, инозит 5,0 мг/дм3, биотин 0,0001 мг/дм3, пантотеновая кислота 0,25 мг/дм3, тиамин 1,0 мг/дм3, пиридоксин 0,25 мг/дм3, никотиновая кислота 0,5 мг/дм3. Полученную биомассу клеток тест-организмов промывают в стерильной воде, делят на три равные части, при этом первую часть сразу инокулируют на плотную среду, вторую часть направляют на сушку, а в третью часть добавляют протекторные соединения, а затем направляют на сушку. Вторая и третья части обезвоженной биомассы выдерживаются не менее чем 24 часа, а затем реактивируются с последующим инокулированием на плотные питательные среды. Культивирование на плотных питательных средах проводят в течение 3-х суток при температуре 23-27°С, после чего проводят подсчет колониеобразующих единиц и вычисление жизнеспособности дрожжей по формуле. Изобретение обеспечивает возможность оценки устойчивости к обезвоживанию штаммов дрожжей Saccharomyces cerevisiae и активности протекторных соединений в заданных условиях культивирования. Способ определения устойчивости к обезвоживанию винных штаммов дрожжей Saccharomyces cerevisiae и активности протекторных соединений, включающий подготовку тест-организмов, наращивание биомассы, выдержку на протекторных соединениях, обезвоживание, реактивацию сухих дрожжей, посев на плотную питательную среду, культивирование, вычисление результатов, отличающийся тем, что для подготовки тест-организмов используют биомассу трехсуточной культуры дрожжей Saccharomyces cerevisiae, далее наращивание биомассы проводят при культивировании дрожжей в течение 48 часов, а в качестве питательной среды для получения биомассы используют синтетическую питательную среду, содержащую: сахарозу 20 г/дм3, сернокислый аммоний 3 г/дм3, сернокислый магний 0,7 г/дм3, азотнокислый кальций 0,4 г/дм3, хлористый натрий 0,5 г/дм3, фосфорнокислый калий однозамещенный 1,0 г/дм3, инозит 5,0 мг/дм3, биотин 0,0001 мг/дм3, пантотеновую кислоту 0,25 мг/дм3, тиамин 1,0 мг/дм3, пиридоксин 0,25 мг/дм3, никотиновую кислоту 0,5 мг/дм3, после чего полученную биомассу делят на три равные части, при этом первую часть сразу инокулируют на плотную питательную среду YPD, вторую часть направляют на сушку, а в третью часть добавляют протекторные соединения и также направляют на сушку, после чего высушенные вторую и третью части биомассы выдерживают не менее чем 24 часа, а затем реактивируют и инокулируют на плотную питательную среду YPD, проводят раздельное культивирование всех трех частей, после чего ведут подсчет колониеобразующих единиц и вычисление жизнеспособности дрожжей по каждой части отдельно с возможностью одновременной оценки устойчивости к обезвоживанию дрожжей и активности протекторных соединений.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ определения устойчивости к обезвоживанию винных штаммов дрожжей Saccharomyces cerevisiae и активности протекторных соединений, включающий подготовку тест-организмов, наращивание биомассы, выдержку на протекторных соединениях, обезвоживание, реактивацию сухих дрожжей, посев на плотную питательную среду, культивирование, вычисление результатов, отличающийся тем, что для подготовки тест-организмов используют биомассу трехсуточной культуры дрожжей Saccharomyces cerevisiae, далее наращивание биомассы проводят при культивировании дрожжей в течение 48 часов, а в качестве питательной среды для получения биомассы используют синтетическую питательную среду, содержащую: сахарозу 20 г/дм3, сернокислый аммоний 3 г/дм3, сернокислый магний 0,7 г/дм3, азотнокислый кальций 0,4 г/дм3, хлористый натрий 0,5 г/дм3, фосфорнокислый калий однозамещенный 1,0 г/дм3, инозит 5,0 мг/дм3, биотин 0,0001 мг/дм3, пантотеновую кислоту 0,25 мг/дм3, тиамин 1,0 мг/дм3, пиридоксин 0,25 мг/дм3, никотиновую кислоту 0,5 мг/дм3, после чего полученную биомассу делят на три равные части, при этом первую часть сразу инокулируют на плотную питательную среду YPD, вторую часть направляют на сушку, а в третью часть добавляют протекторные соединения и также направляют на сушку, после чего высушенные вторую и третью части биомассы выдерживают не менее чем 24 часа, а затем реактивируют и инокулируют на плотную питательную среду YPD, проводят раздельное культивирование всех трех частей, после чего ведут подсчет колониеобразующих единиц и вычисление жизнеспособности дрожжей по каждой части отдельно с возможностью одновременной оценки устойчивости к обезвоживанию дрожжей и активности протекторных соединений.
Основное назначение
Способ определения устойчивости к обезвоживанию винных штаммов дрожжей Saccharomyces cerevisiae и активности протекторных соединений, включающий подготовку тест-организмов, наращивание биомассы, выдержку на протекторных соединениях, обезвоживание, реактивацию сухих дрожжей, посев на плотную питательную среду, культивирование, вычисление результатов, отличающийся тем, что для подготовки тест-организмов используют биомассу трехсуточной культуры дрожжей Saccharomyces cerevisiae, далее наращивание биомассы проводят при культивировании дрожжей в течение 48 часов, а в качестве питательной среды для получения биомассы используют синтетическую питательную среду, содержащую: сахарозу 20 г/дм3, сернокислый аммоний 3 г/дм3, сернокислый магний 0,7 г/дм3, азотнокислый кальций 0,4 г/дм3, хлористый натрий 0,5 г/дм3, фосфорнокислый калий однозамещенный 1,0 г/дм3, инозит 5,0 мг/дм3, биотин 0,0001 мг/дм3, пантотеновую кислоту 0,25 мг/дм3, тиамин 1,0 мг/дм3, пиридоксин 0,25 мг/дм3, никотиновую кислоту 0,5 мг/дм3, после чего полученную биомассу делят на три равные части, при этом первую часть сразу инокулируют на плотную питательную среду YPD, вторую часть направляют на сушку, а в третью часть добавляют протекторные соединения и также направляют на сушку, после чего высушенные вторую и третью части биомассы выдерживают не менее чем 24 часа, а затем реактивируют и инокулируют на плотную питательную среду YPD, проводят раздельное культивирование всех трех частей, после чего ведут подсчет колониеобразующих единиц и вычисление жизнеспособности дрожжей по каждой части отдельно с возможностью одновременной оценки устойчивости к обезвоживанию дрожжей и активности протекторных соединений.
|
||