Изобретения

Изобретение относится к технологии жидкостного травления полупроводниковых слоев, составляющих полупроводниковую структуру. Способ травления согласно изобретению заключается в следующем. Сначала в вертикальной полупроводниковой структуре большой толщины по фоторезистивной маске проводится неселективное жидкостное травление рабочего рисунка топологии в травителе с большой скоростью травления. Травление останавливается заблаговременно до нужного слоя. Затем в вытравленной области формируется опорная плоскость в виде полосы, лежащая на поверхности стопорного слоя параллельно границе вытравленной области. Рисунок полосы формируется через фоторезистивную маску селективным травителем с низкой скоростью травления. На сформированный рисунок наносится слой диэлектрика, устойчивый к селективному травителю и служащий опорной плоскостью для последующих операций травления. Окончательное травление рабочего рисунка до нужного слоя проводится по фоторезистивной маске в неселективном травителе с низкой скоростью травления. Полученную глубину травления контролируют, измеряя высоту ступени между слоем диэлектрика и поверхностью вытравленной основной части структуры. Для надежного и воспроизводимого травления до нужного слоя глубина травления рассчитывается таким образом, чтобы обеспечить небольшое заглубление в этот слой. Техническим результатом изобретения является воспроизводимая и легко контролируемая на каждом этапе технология травления вертикальных полупроводниковых структур, позволяющая сформировать необходимый профиль травления в условиях, если слой, на котором необходимо остановить травление, располагается выше стопорного слоя и тонкий по сравнению с глубиной травления.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния. Предложен способ детектирования момента окончания кондиционирования реактора установки плазмохимического травления, основанный на измерении потенциала плазмы методом электростатического зонда Ленгмюра, при этом во время плазменного процесса в реакторе отсутствует обрабатываемая пластина, измерение выполняют в референсной плазме аргона, а детектируемый момент окончания плазменного процесса кондиционирования реактора соответствует моменту завершения очистки стенок реактора от накопившихся загрязнений продуктами травления. Технический результат – повышение точности определения момента окончания процесса очистки. 1 з.п. ф-лы. 1. Способ детектирования момента окончания кондиционирования реактора установки плазмохимического травления, основанный на измерении потенциала плазмы методом электростатического зонда Ленгмюра, отличающийся тем, что во время плазменного процесса в реакторе отсутствует обрабатываемая пластина, измерение выполняют в референсной плазме аргона, а детектируемый момент окончания плазменного процесса кондиционирования реактора соответствует моменту завершения очистки стенок реактора от накопившихся загрязнений продуктами травления. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве детектируемого сигнала используют линейную комбинацию параметров плазмы, а именно потенциала плазмы, плавающего потенциала, электронной температуры, концентрации электронов и концентрации ионов, измеренных методом электростатического зонда Ленгмюра с весовыми коэффициентами, определяемыми в предварительном калибровочном эксперименте, проведенном в чистой камере реактора.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния. Способ анизотропного плазменного травления кремния включает циклический двухшаговый процесс травления, состоящий из чередующихся шагов анизотропного плазмохимического травления и пассивации, в котором на шаге травления проводят травление кремния в плазме SF6, а на шаге пассивации на поверхностях формируемой микроструктуры создают пассивирующую пленку, при этом на шаге пассивации в качестве пассивирующей пленки на вскрытых поверхностях кремния формируют либо слой SiNx, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме N2, либо слой SiOxNy, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме смеси O2/N2 с процентным содержанием азота в диапазоне 10-100%. Изобретение обеспечивает возможность анизотропного травления кремния при температуре, близкой по значению к комнатной, поскольку отсутствует необходимость глубокого охлаждения и термостабилизации пластины в технологической камере при криогенных температурах. 1 з.п. ф-лы.

ФТИАН

Изобретение относится к технологии изготовления элементов энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, информация в которых кодируется величиной сопротивления. Способ электроформовки при изготовлении элемента памяти, включающий помещение структуры проводник - диэлектрик - проводник с открытой в газовую фазу поверхностью диэлектрика, расположенной между проводящими электродами, в вакуум и выдержку ее под напряжением в две стадии: на первой - при напряжении, приводящем к появлению скачкообразно меняющегося тока со средним уровнем порядка микроампер, на второй - в диапазоне напряжений от 4 до 6 В до появления токов на уровне, установленном схемой ограничения тока. При этом согласно изобретению сначала структуру отжигают в безмасляном вакууме при температуре более 60°С, затем осуществляют выдержку под напряжением в течение времени порядка секунды, при этом первую стадию выдержки выполняют в безмасляном вакууме в диапазоне от 9 В до напряжения, не приводящего к электрическому пробою, а вторую стадию выдержки выполняют в вакууме, содержащем пары органических соединений. Вторую стадию выдержки выполняют, например, в масляном вакууме. Изобретение обеспечивает увеличение эффективности электроформовки за счет снижения вероятности пробоя структуры при резком увеличении тока, т.е. проводимости структуры из-за удаления органических молекул при отжиге. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

ФТИАН

Изобретение относится к технологии получения газопроницаемых мембран, которые могут быть использованы в топливных элементах (ТЭ) при повышенных температурах эксплуатации (100°С и выше), метанольных ТЭ, электролизерах воды низкого и высокого давления и др. Мембрана выполнена из сополимера тетрафторэтилена с перфторсульфосодержащим виниловым эфиром и третьим модифицирующим перфторированным сомономером - перфтор-2-метилен-4-метил-1,3-диоксаланом или перфторалкилвиниловым эфиром, содержащим в алкиле 1 или 3 атома углерода, и полимерного или неорганического модификатора. Способ получения мембраны включает контактирование перфторсульфокатионитовой мембраны с жидкой композицией, содержащей ионообменный перфторсульфополимер, полимерный или неорганический модификатор и растворитель. Перфторсульфополимер с функциональными сульфогруппами SO3M, где М - ион водорода, аммония или щелочного металла, имеет эквивалентную массу 800-900, аналогичен по структуре полимеру мембраны. Контактирование проводят при 18-80°С. Формирование частиц модификатора на поверхности или в объеме мембраны осуществляют при 18-120°С. Применение указанной мембраны обеспечивает сохранение протонной проводимости, подавление поляризации катода и затопление водой, что обеспечивает повышение плотности энергии топливных элементов. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 3 табл.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к технологии получения двумерных ферромагнитных материалов EuGe2 или GdGe2, которые могут быть использованы при создании компактных спинтронных устройств. Способ создания двумерных ферромагнитных материалов EuGe2 и GdGe2 на основе германена заключается в осаждении атомарного потока европия с давлением PEu=(0,1?100)?10-8 Торр или гадолиния с давлением PGd=(0,1?10)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Ge(111), нагретую до 290°С<Ts<510°С для европия или 400°С<Ts<510°С для гадолиния, до формирования пленки германида европия толщиной не более 5 нм или пленки германида гадолиния толщиной не более 13 нм с последующим опциональным отжигом полученных пленок до температуры не более Ts=530°С. Изобретение позволяет осуществлять топотактический синтез двумерных ферромагнитных пленок EuGe2 или GdGe2 кристаллической модификации hP3 со структурой интеркалированного европием или гадолинием многослойного германена на германиевых подложках. Полученные пленки не содержат посторонних фаз и содержат германеновые слои, параллельные поверхности подложки. Способ создания двумерных ферромагнитных материалов EuGe2 или GdGe2 на основе германена, заключающийся в осаждении атомарного потока европия с давлением PEu=(0,1?100)?10-8 Торр и гадолиния с давлением PGd=(0,1?10)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Ge(111), нагретую до 290°С<Ts<510°С для европия или 400°С<Ts<510°С для гадолиния, до формирования пленки германида европия толщиной не более 5 нм или пленки германида гадолиния толщиной не более 13 нм с последующим опциональным отжигом полученных пленок до температуры не более Ts=530°С.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к технологии получения керамики, содержащей наночастицы серебра, которая может применяться в качестве фильтров для обезвреживания воды от болезнетворных бактерий. Способ получения алюмооксидного керамического материала, модифицированного наночастицами серебра, осуществляется в два этапа. Сначала исходный алюмооксидный керамический материал, имеющий пористость 20-40%, обрабатывают ультразвуком, предпочтительно величиной 30 кГц, в течение 15-30 мин, затем промывают его дистиллированной водой и погружают в концентрированную азотную кислоту на 2-4 часа, затем повторно промывают дистиллированной водой и сушат при температуре 140-160°С. Далее керамику помещают в раствор метансульфоната серебра или трифторацетата серебра в этиленгликоле, выдерживают при встряхивании или перемешивании до равномерного распределения раствора по поверхности материала с последующим добавлением этиленгликолевого раствора аскорбиновой кислоты, после чего импрегнированный материал выдерживают при встряхивании или перемешивании при комнатной температуре в течение 1-2 часов. Извлеченный керамический материал промывают дистиллированной водой и сушат при 70-90°С. Технический результат изобретения - создание промышленно осуществимого процесса получения эффективных керамических фильтров для обеззараживания воды с малыми потерями серебра в процессе их изготовления. 2 пр. Способ получения алюминийоксидного керамического материала, модифицированного наночастицами серебра, осуществляемый в два этапа: первоначальной предварительной обработкой исходного алюминийоксидного керамического материала, имеющего 20-40%-ную пористость, и последующей стадией импрегнирования, при этом обработка исходного керамического материала включает следующие последовательные стадии: обработку исходного керамического материала ультразвуком, предпочтительно с частотой 30 кГц, в течение 15-30 мин, промывку его дистиллированной водой и погружение в концентрированную азотную кислоту на 2-4 часа, затем повторную промывку дистиллированной водой и сушку при температуре 140-160°С, а стадия импрегнирования обработанного керамического материала наносеребром проводится путем погружения обработанного керамического материала в раствор, содержащий 0,004 моля метансульфоната серебра или трифторацетата серебра в 100 мл этиленгликоля, выдерживания его при встряхивании или перемешивании до равномерного распределения раствора по поверхности материала с последующим добавлением к нему раствора, содержащего 0,002 моля аскорбиновой кислоты в 100 мл этиленгликоля, и с последующим выдерживанием обработанного материала при встряхивании или перемешивании при комнатной температуре в течение 1-2 часов, промывкой извлеченного керамического материала дистиллированной водой и сушкой его при 70-90°С.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)

Изобретение относится к технологии получения новых многофункциональных фторидных материалов для фотоники и ионики твердого тела, оптического материаловедения, магнитооптики, систем оптической записи информации. Способ получения кристаллов дифторида европия (II) EuF2 осуществляют в две стадии, на первой из которых предварительно плавят EuF3 и для удаления примеси кислорода фторируют его расплав, после охлаждения расплава фторированный EuF3 перемалывают и смешивают с предварительно приготовленным кристаллическим порошком кремния (Si) для получения шихты нужного состава в соответствии с уравнением . На второй стадии полученную шихту плавят, гомогенизируют и кристаллизуют расплав шихты методом направленной кристаллизации с использованием фторсодержащей атмосферы, получая монокристаллические були дифторида европия EuF2. В качестве метода направленной кристаллизации используют, например, способ Бриджмена-Стокбаргера. Фторсодержащую атмосферу в процессе кристаллизации создают разложением гидрофторидов аммония или щелочноземельных элементов. На первой стадии порошок кремния может быть введен непосредственно в расплав EuF3 с помощью дозатора, обеспечивающего соблюдение заданного соотношения между EuF3 и кремнием. 3 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)

Изобретение относится к технологии получения пленок гексагонального феррита бария, которые могут быть использованы во невзаимных микроволновых устройствах: фазовращателях, изоляторах, циркуляторах. Способ обработки пленочного магнитного материала гексаферрита бария включает нанесение пленки гексаферрита бария состава BaFe12O19 на сапфировую подложку epi-ready ориентации (0001), после чего пленку в открытой атмосфере дополнительно подвергают воздействию плазмы со среднемассовой температурой в диапазоне 3727?9727°С в течение 50-60 с, при этом в качестве источника плазмы используют плазмотрон постоянного тока с вихревой стабилизацией и расширяющимся каналом выходного электрода, генерирующий на выходе слабо расходящуюся плазменную струю азота диаметром D равным 8?10 мм. Технический результат: формирование выраженной текстуры пленки гексаферрита бария вдоль оси <0001>, перпендикулярной поверхности сапфировой подложки, и понижение величины коэрцитивного поля в ней до значений (14330?39000) А?м-1 (180?490 Э) при обработке пленки плазмой со среднемассовой температурой в диапазоне 3727?9727°С в течение 50-60 с; достижение намагниченности насыщения пленки гексаферрита бария 40?42 А?м2кг-1 при среднемассовой температуре плазмы в диапазоне 3727?4727°С; достижение намагниченности насыщения пленки гексаферрита бария 60?62 А?м2кг-1 при среднемассовой температуре плазмы в диапазоне 7727?9727°С. 6 ил., 1 табл., 3 пр.

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)

Изобретение относится к технологии получения поликристаллических сцинтилляционных материалов, применяемых в различных областях науки и техники, важнейшими из которых являются: медицинские и промышленные томографы, системы таможенного контроля и контроля распространения радиоактивных материалов, приборы дозиметрического контроля, различные детекторы для научных исследований, применяемые в физике высоких энергий и астрофизике, оборудование для геофизических исследований для нефте- и газоразведки. Способ получения сцинтилляционного порошка состава (Gd,Y)3(Ga,Al)5O12:Ce включает приготовление водных растворов солей исходных компонентов - Gd, Y, Се, Ga, Al - с заданными концентрациями, смешение этих растворов в количестве, обеспечивающем требуемый состав компонентов в смесевом растворе, приготовление раствора щелочного осадителя, приливание смесевого раствора исходных компонентов в раствор щелочного осадителя, термообработку полученной реакционной смеси путем медленного упаривания при температуре до 100°С, термообработку на воздухе в открытой емкости при последовательном повышении температуры до 450°С, а затем до 600°С, с последующей термообработкой при температуре 1000-1600°С. Техническим результатом изобретения является возможность экспрессного получения сцинтилляционных порошков сложных оксидов со структурой граната, активированных церием с составом задаваемым обобщенной формулой (Gd,Y)3(Ga,Al)5O12:Ce, с точно заданным составом. Частицы полученного порошка обладают плотной микроструктурой, выглядят прозрачными при наблюдении в оптическом микроскопе и демонстрируют высокий световыход сцинтилляций, характерный для этого класса соединений. Способ получения сцинтилляционного порошка состава (Gd,Y)3(Ga,Al)5O12:Ce, включающий следующие последовательные стадии процесса: приготовление водных растворов солей исходных компонентов - Gd, Y, Се, Ga, Аl - с точно известными концентрациями, смешение этих растворов в необходимом количестве для обеспечения требуемого состава компонентов в смесевом растворе, приготовление раствора щелочного осадителя, приливание смесевого раствора исходных компонентов в раствор щелочного осадителя, термообработку полученной реакционной смеси, отличающийся тем, что проводят медленное упаривание реакционной смеси при температуре до 100°С, термообработку на воздухе в открытой емкости при последовательном повышении температуры до 450°С, а затем до 600°С, с последующей термообработкой при температуре 1000-1600°С.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)