Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния. Способ анизотропного плазменного травления кремния включает циклический двухшаговый процесс травления, состоящий из чередующихся шагов анизотропного плазмохимического травления и пассивации, в котором на шаге травления проводят травление кремния в плазме SF6, а на шаге пассивации на поверхностях формируемой микроструктуры создают пассивирующую пленку, при этом на шаге пассивации в качестве пассивирующей пленки на вскрытых поверхностях кремния формируют либо слой SiNx, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме N2, либо слой SiOxNy, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме смеси O2/N2 с процентным содержанием азота в диапазоне 10-100%. Изобретение обеспечивает возможность анизотропного травления кремния при температуре, близкой по значению к комнатной, поскольку отсутствует необходимость глубокого охлаждения и термостабилизации пластины в технологической камере при криогенных температурах. 1 з.п. ф-лы.