Изобретение относится к технологии получения пленок гексагонального феррита бария, которые могут быть использованы во невзаимных микроволновых устройствах: фазовращателях, изоляторах, циркуляторах. Способ обработки пленочного магнитного материала гексаферрита бария включает нанесение пленки гексаферрита бария состава BaFe12O19 на сапфировую подложку epi-ready ориентации (0001), после чего пленку в открытой атмосфере дополнительно подвергают воздействию плазмы со среднемассовой температурой в диапазоне 3727?9727°С в течение 50-60 с, при этом в качестве источника плазмы используют плазмотрон постоянного тока с вихревой стабилизацией и расширяющимся каналом выходного электрода, генерирующий на выходе слабо расходящуюся плазменную струю азота диаметром D равным 8?10 мм. Технический результат: формирование выраженной текстуры пленки гексаферрита бария вдоль оси <0001>, перпендикулярной поверхности сапфировой подложки, и понижение величины коэрцитивного поля в ней до значений (14330?39000) А?м-1 (180?490 Э) при обработке пленки плазмой со среднемассовой температурой в диапазоне 3727?9727°С в течение 50-60 с; достижение намагниченности насыщения пленки гексаферрита бария 40?42 А?м2кг-1 при среднемассовой температуре плазмы в диапазоне 3727?4727°С; достижение намагниченности насыщения пленки гексаферрита бария 60?62 А?м2кг-1 при среднемассовой температуре плазмы в диапазоне 7727?9727°С. 6 ил., 1 табл., 3 пр.