Изобретения

Изобретение относится к сплавам на основе висмута, которые могут быть использованы для изготовления датчиков контрольно-измерительной аппаратуры, например датчиков Холла. Сплав на основе висмута содержит, мас. %: сурьма 5,1437216-5,7737629, теллур 0,0000006-0,0003188, висмут – остальное. Сплав характеризуется высокими значениями магнитосопротивления в температурном диапазоне 90-300 К. 2 табл., 1 пр

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)

Использование: для создания функциональных переключаемых электронных устройств различного назначения. Сущность изобретения заключается в том, что способ перевода сверхпроводника в электронных функциональных наноразмерных устройствах из сверхпроводящего состояния в нормальное осуществляют путем его локального нагрева, для нагрева используют тепловыделяющий элемент в виде сверхпроводящего нанопровода, гальванически не связанного с подвергаемым воздействию и расположенного с наноразмерным зазором рядом с нагреваемым отрезком сверхпроводника с пропусканием через него тока, превышающего величину тока перехода сверхпроводника в нормальное состояние и обеспечивающего выделение мощности, достаточной для нагрева и перевода управляемого нанопровода в нормальное состояние, при этом соблюдают условие, что величина тока, пропускаемого по переводимому в нормальное состояние сверхпроводнику, не превышает величины тока его возврата из нормального состояния в сверхпроводящее, определяемой по вольтамперной характеристике сверхпроводника, полученной без внешних воздействий на сверхпроводник. Технический результат - обеспечение возможности создания высокоплотных функциональных наноустройств на основе сверхпроводящих нанопроводов. 1. Способ перевода сверхпроводника в электронных функциональных наноразмерных устройствах из сверхпроводящего состояния в нормальное, отличающийся тем, что перевод осуществляют путем его локального нагрева, для нагрева используют тепловыделяющий элемент в виде сверхпроводящего нанопровода, гальванически не связанного с подвергаемым воздействию и расположенного с наноразмерным зазором рядом с нагреваемым отрезком сверхпроводника с пропусканием через него тока, превышающего величину тока перехода сверхпроводника в нормальное состояние и обеспечивающего выделение мощности, достаточной для нагрева и перевода управляемого нанопровода в нормальное состояние, при этом соблюдают условие, что величина тока, пропускаемого по переводимому в нормальное состояние сверхпроводнику, не превышает величины тока его возврата из нормального состояния в сверхпроводящее, определяемой по вольтамперной характеристике сверхпроводника, полученной без внешних воздействий на сверхпроводник. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для нагрева используют тепловыделяющий элемент в виде сверхпроводника, в котором на ближайшем к управляемому элементу участке формируют резистивную область и пропускают через него ток, обеспечивающий выделение мощности, достаточной для нагрева и перевода управляемого нанопровода в нормальное состояние.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Использование: для исследования совершенства монокристаллических слоев. Сущность изобретения заключается в том, что установка для исследования образцов содержит источник рентгеновского излучения и установленные по ходу рентгеновского луча блок с кристаллом-монохроматором, гониометр с установленным на нем образцом, щелевую диафрагму и детектор, при этом между блоком с кристаллом-монохроматором и щелевой диафрагмой дополнительно введен коллиматор трубчатой формы длиной от 80 до 100 см, внутренняя полость которого посредством вакуумного насоса откачена до давления не ниже 100 Па, гониометрическая головка выполнена с возможностью изменения пространственного положения в трех плоскостях посредством шаговых электродвигателей, щелевая диафрагма выполнена с возможностью изменения размера пучка излучения по горизонтали и вертикали, узел детектора выполнен с возможностью перемещения и снабжен системой охлаждения. Технический результат: обеспечение возможности регистрации трехмерной карты расположения дефектов внутри кристалла. 5 з.п. ф-лы, 6 ил.

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)

Группа изобретений относится к фармацевтике и медицине и раскрывает полимерный комплекс для молекулярно-прицельной терапии и способ получения указанного комплекса. Полимерный комплекс характеризуется тем, что представлен в виде лиофилизата для приготовления суспензии, содержит частицы с размером 50-600 нм, активный компонент - доцетаксел, полимерный компонент - сополимер молочной и гликолевой кислот с соотношением полимерных звеньев 50:50, векторный компонент - додециламид фолиевой кислоты, поливиниловый спирт, плюроник F-127 и D-маннитол. Предложенный способ получения полимерного комплекса заключается в том, что для включения векторного компонента в поверхность получаемых частиц применяется одновременное введение поверхностно-активного вещества в виде плюроника F-127 как в состав неводной фазы, так и в состав водной фазы с образованием мицелл, инкорпорированных молекулами векторного компонента. Полимерный комплекс обладает технологичным способом получения и оптимальными характеристиками для реализации молекулярно-прицельного механизма, что позволит широко использовать предложенный комплекс в составе лекарственных средств, предназначенных для молекулярно-прицельной терапии. 1. Полимерный комплекс для молекулярно-прицельной противоопухолевой терапии в виде лиофилизата для приготовления суспензии частиц с размером 50-600 нм, содержащий активный компонент - доцетаксел, полимерный компонент - сополимер молочной и гликолевой кислот с соотношением полимерных звеньев 50:50, векторный компонент - додециламид фолиевой кислоты, поливиниловый спирт, плюроник F-127 и D маннитол при следующем соотношении компонентов, % масс.: доцетаксел 1.0-5.0 сополимер молочной и гликолевой кислот 58.0-65.0 додециламид фолиевой кислоты 0.01-0.50 поливиниловый спирт 0.01-1.0 плюроник F-127 0.1-2.0 D-маннитол 27.0-35.0. 2. Полимерный комплекс по п. 1, отличающийся тем, что количество частиц с размером 50-600 нм составляет не менее 90% от общего количества частиц в суспензии. 3. Способ получения полимерного комплекса по п. 1, характеризующийся тем, что он включает стадии: растворения сополимера молочной и гликолевой кислот, доцетаксела и плюроника F-127 в хлористом метилене; растворения додециламида фолиевой кислоты в смеси N,N-диметилформамид-плюроник F-127 в соотношении 80:20 по массе и внесения полученной смеси в 1% водный раствор поливинилового спирта; смешивания указанных растворов в условиях обработки ультразвуком с образованием эмульсии; удаления из полученной эмульсии хлористого метилена путем перемешивания до получения суспензии частиц; центрифугирования с последующим получением восстановленной суспензии; добавления к полученной суспензии раствора D-маннитола; замораживания суспензии и последующей ее лиофилизации в течение суток с получением лиофилизата.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к способам поэлементного дублирования в нано- и микроцифровых транзисторных микросхемах, подвергающихся воздействию радиации. Технический результат: существенное повышение отказоустойчивости микросхем по сравнению со способом дублирования без использования четырехкратного резервирования одиночных транзисторов. В предлагаемом способе для каждого транзисторного логического элемента устанавливают идентичный ему дублирующий логический элемент, в качестве дублирующих элементов используют логические элементы, не имеющие памяти, располагают дублирующие друг друга логические элементы на расстоянии между ними, превышающем размер области повреждения микросхемы от одной частицы излучения. Каждый входящий в дублирующие логические элементы транзистор выполняют в виде квадрированного транзистора, представляющего четверку соединенных между собой параллельно и последовательно одиночных транзисторов. 1. Способ постоянного поэлементного дублирования в цифровых транзисторных микросхемах, при котором для каждого транзисторного логического элемента устанавливают идентичный ему дублирующий логический элемент, объединяют одноименные входы дублирующих друг друга логических элементов, в качестве дублирующих элементов используют логические элементы, не имеющие памяти, располагают дублирующие друг друга логические элементы на расстоянии между ними, превышающем размер области повреждения микросхемы от одной частицы излучения, попадающей в нее, и объединяют одноименные выходы дублирующих друг друга логических логических элементов, образуя пары дублирующих друг друга элементов, каждая из которых представляет дублированный логический элемент, отличающийся тем, что каждый входящий в дублирующие логические элементы транзистор выполняют в виде квадрированного транзистора, представляющего четверку соединенных между собой параллельно и последовательно одиночных транзисторов, объединенные входы которых являются входом квадрированного транзистора, а объединенные одноименные свободные выходы одиночных транзисторов являются выходами квадрированного транзистора. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что квадрированный транзистор выполняют в виде двух последовательно соединенных каскадов, каждый из которых состоит из параллельно соединенных между собой двух одиночных транзисторов. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что квадрированный транзистор выполняют в виде двух параллельных цепочек последовательно соединенных между собой двух одиночных транзисторов.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к технологии получения тетрафторида ксенона, используемого в медицине в качестве дезинфицирующего средства, в синтезе кислородных соединений ксенона. Для получения тетрафторида ксенона в предварительно вакуумированный реакционный сосуд из никеля или нержавеющей стали подают фтор при давлении 20 ата. Затем подают ксенон до суммарного давления 27-28 ата. Смесь ксенона и фтора выдерживают в течение не менее 35 минут для полного перемешивания. Затем смесь поджигают с помощью инициатора горения, нагретого импульсом тока до 650-700°С. Осуществляют реакцию горения ксенона во фторе с получением целевого продукта. Изобретение позволяет получить XeF4 в одну стадию, повысить производительность и выход продукта. Способ получения тетрафторида ксенона путем взаимодействия ксенона и фтора в предварительно вакуумированном реакционном сосуде, в который подают фтор при давлении 20 ата и ксенон до суммарного давления 27-28 ата, выдерживают не менее 35 мин для полного перемешивания, после чего нагревают импульсом тока инициатор горения до 650-700°С и осуществляют реакцию горения ксенона во фторе с получением целевого продукта.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области биохимии. Предложен неконкурентный ингибитор тимидинфосфорилаз пептидной природы H-Trp-Met(О2)-Phe-NH2. Изобретение обеспечивает получение неконкурентного ингибитора тимидинфосфорилаз пептидной природы, который потенциально можно использовать для лечения онкологических заболеваний. 3 ил.

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)

Изобретение относится к области создания и эксплуатации энергетических систем. Система энергоснабжения локальных потребителей состоит из генераторов на основе возобновляемых источников электроэнергии и генератора на основе невозобновляемого источника энергии, топливного элемента, управляющего устройства, соединенного с генераторами, накопителями энергии и потребителями энергии. При этом система дополнительно содержит криобак со сжатым природным газом, соединенный через клапанную систему, эжектор и трубопровод с топливным элементом, датчики измерения температуры, акустической эмиссии, давления и механических напряжений, установленные на криобаке и трубопроводе и соединенные с управляющим устройством, выполненным в виде информационно-измерительной и управляющей системы. Информационно-измерительная и управляющая система содержит устройство преобразования и интеллектуального анализа измерительной информации, устройство управления функционированием топливного элемента, устройство управления безопасным функционированием криобака и устройство управления передачи энергии. Устройство преобразования и интеллектуального анализа измерительной информации соединено с датчиками измерения, через устройство управления безопасным функционированием криобака соединено с клапанной системой и через устройство управления функционированием топливного элемента соединено с топливным элементом. Генераторы энергии, накопители энергии и потребители энергии соединены с информационно-измерительной и управляющей системой через устройство управления передачи энергии. Изобретение позволяет обеспечить оптимальное соотношение топливно-энергетического баланса для функционирования в течение длительного времени системы в необслуживаемом режиме и в периоды отсутствия возможности пополнения топливных запасов. 1. Система энергоснабжения локальных потребителей, состоящая из генераторов на основе возобновляемых источников электроэнергии 1 и 2, генератора на основе невозобновляемого источника энергии - топливного элемента 7, управляющего устройства 13, соединенного с генераторами 1, 2, 7, накопителями энергии 12 и потребителями энергии 18, отличающаяся тем, что система дополнительно содержит криобак 3 со сжатым природным газом, соединенный через клапанную систему 4, эжектор 5 и трубопровод 6 с топливным элементом 7, датчики измерения температуры 8, акустической эмиссии 9, давления 10 и механических напряжений 11, установленные на криобаке 3 и трубопроводе 6 и соединенные с управляющим устройством 13, выполненным в виде информационно-измерительной и управляющей системы. 2. Система по п. 1, отличающаяся, тем, что информационно-измерительная и управляющая система 13 содержит устройство преобразования и интеллектуального анализа измерительной информации 14, устройство управления функционированием топливного элемента 16, устройство управления безопасным функционированием криобака 17 и устройство управления передачи энергии 15. 3. Система по п. 2, отличающаяся, тем, что устройство преобразования и интеллектуального анализа измерительной информации 14 соединено с датчиками измерения 8, 9, 10 и 11, через устройство управления безопасным функционированием криобака 17 соединено с клапанной системой 4 и через блок 16 соединено с топливным элементом 7. 4. Система по п. 2, отличающаяся, тем, что генераторы энергии 1, 2, 7, накопители энергии 12 и потребители энергии 18 соединены с информационно-измерительной и управляющей системой 13 через устройство управления передачи энергии 15.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к медицинской технике и может быть использовано при выполнении лучевой терапии внутриглазных злокачественных новообразований пучками протонов. Выполняют этапы: предлучевую топометрию, дозно-анатомическое планирование, подготовку и выполнение позиционирования перед облучением и облучение глаза пучком протонов. При этом в состав этапа предлучевой топометрии включают измерение угла между оптической и зрительной осями глаза индивидуально для каждого пациента. В состав этапа позиционирования в дополнение к контролю за стабильностью положения глаза во время облучения вводят регистрацию положения зрачков группой цифровых видеокамер путем визуализации положения изоцентра лучевой установки и системы координат позиционера. По полученным показаниям цифровых видеокамер выполняют поворот головодержателя позиционера вокруг оси пучка для приведения линии, соединяющей зрачки глаз, в горизонтальное положение. Поворот иммобилизованной в головодержателе головы пациента вокруг оси пучка приводит положения глаза пациента в соответствие с показаниями цифровых видеокамер. Используют систему из четырех видеокамер, две из которых, направленные навстречу друг другу, выполнены с возможностью позиционирования с визуализацией изоцентра лучевой установки и системы координат позиционера при одновременном контроле с помощью двух других камер направления взора и изменения положения глаза во время облучения с точным позиционированием правого или левого глаза по положению зрачка. Головодержатель позиционера выполнен с возможностью иммобилизации головы и дополнительных степеней свободы в виде наклона влево-вправо и кивка вперед-назад головы пациента на углы +6°. Головодержатель представляет собой несущую раму и имеет крепления для индивидуальных средств иммобилизации головы, таких как подголовник, стоматологическая капа и термопластичная маска. При этом повороты выполняют ручным приводом на основе зубчатых передач. Способ обеспечивает сокращение потерь времени на избыточно повторяемые операции при подготовке облучения пациента, позволяет, учитывая пути распространения световых лучей через преломляющие среды глаза, более точно определять положение зрачков глаз для точного облучения внутриглазной злокачественной опухоли, не травмируя близлежащие ткани и органы, сокращает время и стоимость лечения. 1. Способ протонной лучевой терапии внутриглазных злокачественных новообразований, включающий выполнение ряда последовательных этапов: предлучевую топометрию, дозно-анатомическое планирование, подготовку и выполнение позиционирования перед облучением и облучение глаза пучком протонов, отличающийся тем, что в состав этапа предлучевой топометрии включают измерение угла между оптической и зрительной осями глаза индивидуально для каждого пациента, а в состав этапа позиционирования в дополнение к контролю за стабильностью положения глаза во время облучения вводят регистрацию положения зрачков группой цифровых видеокамер путем визуализации положения изоцентра лучевой установки и системы координат позиционера, по полученным показаниям цифровых видеокамер выполняют поворот головодержателя позиционера вокруг оси пучка для приведения линии, соединяющей зрачки глаз, в горизонтальное положение. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что поворот иммобилизованной в головодержателе головы пациента вокруг оси пучка приводит положения глаза пациента в соответствие с показаниями цифровых видеокамер. 3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что используют систему из четырех видеокамер, две из которых, направленные навстречу друг другу, выполнены с возможностью позиционирования с визуализацией изоцентра лучевой установки и системы координат позиционера при одновременном контроле с помощью двух других камер направления взора и изменения положения глаза во время облучения с точным позиционированием правого или левого глаза по положению зрачка. 4. Способ по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что головодержатель позиционера выполнен с возможностью иммобилизации головы и дополнительных степеней свободы в виде наклона влево-вправо и кивка вперед-назад головы пациента на углы +6?. 5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что головодержатель представляет собой несущую раму и имеет крепления для индивидуальных средств иммобилизации головы, таких как подголовник, стоматологическая капа и термопластичная маска, при этом повороты выполняют ручным приводом на основе зубчатых передач.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно пленок монооксида европия на графене, и может быть использовано для создания таких устройств спинтроники, как спиновый транзистор и инжектор спин-поляризованных носителей. Способ выращивания эпитаксиальных пленок монооксида европия EuO на графене включает формирование субмонослоя европия с поверхностной фазой (V3xV3) методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности предварительно сформированной структуры монослой графена/подложка при температуре подложки Ts=20-100°С и давлении потока атомов европия PEu=(1?10-8-1?10-7) Торр, осаждение слоя монооксида европия EuO при температуре подложки Ts=20-100°C, давлении потока кислорода PO2=(1?10-9-1?10-8) Торр и давлении потока атомов европия PEu=(1?10-8-1?10-7) Торр, удовлетворяющих условию 10?PО2?PEu?11?PO2, до достижения необходимой толщины слоя монооксида европия EuO. В одном из вариантов осуществления изобретения после вышеперечисленых операций осаждают слой монооксида европия EuO при температуре подложки Ts=340-420°С, давлении потока кислорода PO2=(1?10-9-1?10-8) Торр и давлении потока атомов европия PEu=(1?10-8-1,5?10-7) Торр, удовлетворяющих условию 10?PO2?PEu?15?PO2, до достижения необходимой общей толщины слоя монооксида европия EuO. В частных случаях осуществления изобретения после осаждения пленки монооксида европия осуществляют ее отжиг в вакууме в диапазоне температур Ts=490-520оС. Обеспечивается формирование эпитаксиальных стехиометрических пленок монооксида европия толщиной более 5нм с высоким кристаллическим совершенством без включений фаз высших оксидов на графене, что позволяет получить магнитные состояния в графене для создания таких технических устройств, как одноэлектронный транзистор и спиновый фильтр. Формула изобретения 1. Способ выращивания эпитаксиальных пленок монооксида европия EuO на графене, включающий формирование субмонослоя европия с поверхностной фазой (V3xV3) методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности предварительно сформированной структуры монослой графена/подложка при температуре подложки Ts=20-100°С и давлении потока атомов европия PEu=(1?10-8-1?10-7) Торр, осаждение слоя монооксида европия EuO при температуре подложки Ts=20-100°C, давлении потока кислорода PO2=(1?10-9-1?10-8) Торр и давлении потока атомов европия PEu=(1?10-8-1?10-7) Торр, удовлетворяющих условию 10?PО2?PEu?11?PO2, до достижения необходимой толщины слоя монооксида европия EuO. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после осаждения пленки монооксида европия EuO осуществляют ее отжиг в вакууме в диапазоне температур Ts=490-520°С. 3. Способ выращивания эпитаксиальных пленок монооксида европия EuO на графене, включающий формирование субмонослоя европия с поверхностной фазой (V3xV3) методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности предварительно сформированной структуры монослой графена/подложка при температуре подложки Ts=20-100°С и давлении потока атомов европия PEu=(1?10-8-1?10-7) Торр, осаждение слоя монооксида европия EuO при температуре подложки Ts=20-100°С, давлении потока кислорода РО2=(1?10-9-1?10-8) Торр и давлении потока атомов европия PEu=(1?10-8-1,1?10-7) Торр, удовлетворяющих условию 10?PO2?PEu?11?PO2, после чего осаждают слой монооксида европия EuO при температуре подложки Ts=340-420°С, давлении потока кислорода PO2=(1?10-9-1?10-8) Торр и давлении потока атомов европия PEu=(1?10-8-1,5?10-7) Торр, удовлетворяющих условию 10?PO2?PEu?15?PO2, до достижения необходимой общей толщины слоя монооксида европия EuO. 4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что после осаждения пленки монооксида европия EuO осуществляют ее отжиг в вакууме в диапазоне температур Ts=490-520°С.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)