|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
211
|
Патент 2717799
|
Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую. Для поддержания постоянного уровня в первой части из нее отводят в сборник конденсата, размещенный вне кристаллизатора, объем раствора, который равен объему раствора, вытесненного из второй части. Подачу газа во вторую часть производят вручную или автоматически. В качестве газа возможно применение воздуха. Технический результат – повышение качества кристалла при одновременном упрощении процесса. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую. Для поддержания постоянного уровня в первой части из нее отводят в сборник конденсата, размещенный вне кристаллизатора, объем раствора, который равен объему раствора, вытесненного из второй части. Подачу газа во вторую часть производят вручную или автоматически. В качестве газа возможно применение воздуха. Технический результат – повышение качества кристалла при одновременном упрощении процесса. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
|
Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую. Для поддержания постоянного уровня в первой части из нее отводят в сборник конденсата, размещенный вне кристаллизатора, объем раствора, который равен объему раствора, вытесненного из второй части. Подачу газа во вторую часть производят вручную или автоматически. В качестве газа возможно применение воздуха. Технический результат – повышение качества кристалла при одновременном упрощении процесса. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую. Для поддержания постоянного уровня в первой части из нее отводят в сборник конденсата, размещенный вне кристаллизатора, объем раствора, который равен объему раствора, вытесненного из второй части. Подачу газа во вторую часть производят вручную или автоматически. В качестве газа возможно применение воздуха. Технический результат – повышение качества кристалла при одновременном упрощении процесса. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
||
|
212
|
Патент 2717157
|
Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных затворов, позволяющее создавать более резкие p-n переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового напряжения; возможность изменения типа проводимости канала для применения предлагаемых транзисторов в КМОП технологии цифровых интегральных схем, упрощение технологии изготовления нанотранзисторов с нанометровыми затворами, отсутствие технологических операций, связанных с легированием, расширение функциональных возможностей нанотранзисторов, увеличение крутизны подпороговой характеристики за счет увеличения количества управляющих электродов и обеспечение работы в режиме туннельного транзистора. Сущность изобретения: предлагается способ изготовления туннельного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки и несколькими управляющими электродами затворов на полупроводниковой подложке с использованием вспомогательного слоя (ВС) диэлектрик-металл, осажденного на предварительно нанесенный на полупроводниковую подложку контактный слой истока/стока, в котором формируется нанометровая щель, с последующим формированием на ее стенках и дне первого и третьего управляющих электродов, их спейсеров и подзатворного диэлектрика путем последовательного осаждения в щель и плазмохимического травления диэлектрика спейсеров и металла, а второй управляющий электрод формируется осаждением в зауженную на суммарную ширину первого и третьего управляющих электродов и их спейсеров щель слоя металла и его ПХТ, при этом вначале формируются диэлектрический спейсер и подзатворный диэлектрик второго управляющего электрода путем осаждения диэлектрика на боковые стенки первого и третьего управляющих электродов и дно щели в ВС. Одновременно с управляющими электродами формируются с использованием фоторезистивной маски, дополнительного слоя металла и метода сухого травления контактные площадки трех управляющих электродов, а контактные площадки истока/стока создаются после завершения технологических операций формирования управляющих электродов. 13 з.п. ф-лы, 10 ил.
Основное назначение
Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных затворов, позволяющее создавать более резкие p-n переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового напряжения; возможность изменения типа проводимости канала для применения предлагаемых транзисторов в КМОП технологии цифровых интегральных схем, упрощение технологии изготовления нанотранзисторов с нанометровыми затворами, отсутствие технологических операций, связанных с легированием, расширение функциональных возможностей нанотранзисторов, увеличение крутизны подпороговой характеристики за счет увеличения количества управляющих электродов и обеспечение работы в режиме туннельного транзистора. Сущность изобретения: предлагается способ изготовления туннельного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки и несколькими управляющими электродами затворов на полупроводниковой подложке с использованием вспомогательного слоя (ВС) диэлектрик-металл, осажденного на предварительно нанесенный на полупроводниковую подложку контактный слой истока/стока, в котором формируется нанометровая щель, с последующим формированием на ее стенках и дне первого и третьего управляющих электродов, их спейсеров и подзатворного диэлектрика путем последовательного осаждения в щель и плазмохимического травления диэлектрика спейсеров и металла, а второй управляющий электрод формируется осаждением в зауженную на суммарную ширину первого и третьего управляющих электродов и их спейсеров щель слоя металла и его ПХТ, при этом вначале формируются диэлектрический спейсер и подзатворный диэлектрик второго управляющего электрода путем осаждения диэлектрика на боковые стенки первого и третьего управляющих электродов и дно щели в ВС. Одновременно с управляющими электродами формируются с использованием фоторезистивной маски, дополнительного слоя металла и метода сухого травления контактные площадки трех управляющих электродов, а контактные площадки истока/стока создаются после завершения технологических операций формирования управляющих электродов. 13 з.п. ф-лы, 10 ил.
|
ФТИАН
Основное назначение
ФТИАН
|
Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных затворов, позволяющее создавать более резкие p-n переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового напряжения; возможность изменения типа проводимости канала для применения предлагаемых транзисторов в КМОП технологии цифровых интегральных схем, упрощение технологии изготовления нанотранзисторов с нанометровыми затворами, отсутствие технологических операций, связанных с легированием, расширение функциональных возможностей нанотранзисторов, увеличение крутизны подпороговой характеристики за счет увеличения количества управляющих электродов и обеспечение работы в режиме туннельного транзистора. Сущность изобретения: предлагается способ изготовления туннельного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки и несколькими управляющими электродами затворов на полупроводниковой подложке с использованием вспомогательного слоя (ВС) диэлектрик-металл, осажденного на предварительно нанесенный на полупроводниковую подложку контактный слой истока/стока, в котором формируется нанометровая щель, с последующим формированием на ее стенках и дне первого и третьего управляющих электродов, их спейсеров и подзатворного диэлектрика путем последовательного осаждения в щель и плазмохимического травления диэлектрика спейсеров и металла, а второй управляющий электрод формируется осаждением в зауженную на суммарную ширину первого и третьего управляющих электродов и их спейсеров щель слоя металла и его ПХТ, при этом вначале формируются диэлектрический спейсер и подзатворный диэлектрик второго управляющего электрода путем осаждения диэлектрика на боковые стенки первого и третьего управляющих электродов и дно щели в ВС. Одновременно с управляющими электродами формируются с использованием фоторезистивной маски, дополнительного слоя металла и метода сухого травления контактные площадки трех управляющих электродов, а контактные площадки истока/стока создаются после завершения технологических операций формирования управляющих электродов. 13 з.п. ф-лы, 10 ил.
Основное назначение
Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных затворов, позволяющее создавать более резкие p-n переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового напряжения; возможность изменения типа проводимости канала для применения предлагаемых транзисторов в КМОП технологии цифровых интегральных схем, упрощение технологии изготовления нанотранзисторов с нанометровыми затворами, отсутствие технологических операций, связанных с легированием, расширение функциональных возможностей нанотранзисторов, увеличение крутизны подпороговой характеристики за счет увеличения количества управляющих электродов и обеспечение работы в режиме туннельного транзистора. Сущность изобретения: предлагается способ изготовления туннельного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки и несколькими управляющими электродами затворов на полупроводниковой подложке с использованием вспомогательного слоя (ВС) диэлектрик-металл, осажденного на предварительно нанесенный на полупроводниковую подложку контактный слой истока/стока, в котором формируется нанометровая щель, с последующим формированием на ее стенках и дне первого и третьего управляющих электродов, их спейсеров и подзатворного диэлектрика путем последовательного осаждения в щель и плазмохимического травления диэлектрика спейсеров и металла, а второй управляющий электрод формируется осаждением в зауженную на суммарную ширину первого и третьего управляющих электродов и их спейсеров щель слоя металла и его ПХТ, при этом вначале формируются диэлектрический спейсер и подзатворный диэлектрик второго управляющего электрода путем осаждения диэлектрика на боковые стенки первого и третьего управляющих электродов и дно щели в ВС. Одновременно с управляющими электродами формируются с использованием фоторезистивной маски, дополнительного слоя металла и метода сухого травления контактные площадки трех управляющих электродов, а контактные площадки истока/стока создаются после завершения технологических операций формирования управляющих электродов. 13 з.п. ф-лы, 10 ил.
|
||
|
213
|
Патент 2716706
|
Настоящее изобретение относится к способу получения полимерсодержащей композиции силибина. Данный способ включает стадии: приготовления раствора силибина и сополимера молочной и гликолевой кислот (50:50) в смеси этилацетат-дихлорметан (неводная фаза); смешивания указанного раствора с раствором поливинилового спирта (водная фаза); обработки полученной смеси ультразвуком с образованием эмульсии; добавления к эмульсии раствора хлорида натрия; удаления органических растворителей из эмульсии путем упаривания в вакууме с образованием суспензии; фильтрования суспензии; ее замораживания и последующей лиофилизацией. Состав получаемого лиофилизата (% масс.): силибин 4-6, сополимер молочной и гликолевой кислот 50-52, поливиниловый спирт 22-24, хлорид натрия 20-22. При смешивании с водой лиофилизат образует суспензию частиц со средним размером 170-400 нм. Технический результат - способ получения продукта с высокой эффективностью включения силибина (более 90%), без существенных потерь активного компонента, пригодного для перорального применения при фармакологической коррекции функции печени на фоне токсических поражений. 1. Способ получения полимерсодержащей композиции силибина, характеризующийся тем, что он включает стадии: приготовления раствора силибина и сополимера молочной и гликолевой кислот с молярным соотношением звеньев 50:50 в смеси этилацетат-дихлорметан при массовом соотношении компонентов 1:9-1:10 и объемном соотношении растворителей 2:1-2.5:1 - неводная фаза, смешивания указанного раствора с 0.2-0.3% раствором поливинилового спирта - водная фаза, при объемном соотношении неводной и водной фаз 1:6.8-1:7.2, обработки полученной смеси ультразвуком с образованием эмульсии, добавления к полученной эмульсии 4-5% раствора хлорида натрия при массовом соотношении хлорида натрия к сополимеру 1:2.2-1:2.6, удаления органических растворителей из эмульсии путем упаривания в вакууме с образованием суспензии, фильтрования суспензии, замораживания профильтрованной суспензии и последующей лиофилизацией с получением лиофилизата, при этом компоненты смешивают в количестве, обеспечивающем их содержание в композиции, масс. %:
силибин 4-6
сополимер молочной и гликолевой кислот (50:50) 50-52
поливиниловый спирт 22-24
натрия хлорид 20-22.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что частицы суспензии лиофилизата в воде имеют средний размер 170-400 нм.
Основное назначение
Настоящее изобретение относится к способу получения полимерсодержащей композиции силибина. Данный способ включает стадии: приготовления раствора силибина и сополимера молочной и гликолевой кислот (50:50) в смеси этилацетат-дихлорметан (неводная фаза); смешивания указанного раствора с раствором поливинилового спирта (водная фаза); обработки полученной смеси ультразвуком с образованием эмульсии; добавления к эмульсии раствора хлорида натрия; удаления органических растворителей из эмульсии путем упаривания в вакууме с образованием суспензии; фильтрования суспензии; ее замораживания и последующей лиофилизацией. Состав получаемого лиофилизата (% масс.): силибин 4-6, сополимер молочной и гликолевой кислот 50-52, поливиниловый спирт 22-24, хлорид натрия 20-22. При смешивании с водой лиофилизат образует суспензию частиц со средним размером 170-400 нм. Технический результат - способ получения продукта с высокой эффективностью включения силибина (более 90%), без существенных потерь активного компонента, пригодного для перорального применения при фармакологической коррекции функции печени на фоне токсических поражений. 1. Способ получения полимерсодержащей композиции силибина, характеризующийся тем, что он включает стадии: приготовления раствора силибина и сополимера молочной и гликолевой кислот с молярным соотношением звеньев 50:50 в смеси этилацетат-дихлорметан при массовом соотношении компонентов 1:9-1:10 и объемном соотношении растворителей 2:1-2.5:1 - неводная фаза, смешивания указанного раствора с 0.2-0.3% раствором поливинилового спирта - водная фаза, при объемном соотношении неводной и водной фаз 1:6.8-1:7.2, обработки полученной смеси ультразвуком с образованием эмульсии, добавления к полученной эмульсии 4-5% раствора хлорида натрия при массовом соотношении хлорида натрия к сополимеру 1:2.2-1:2.6, удаления органических растворителей из эмульсии путем упаривания в вакууме с образованием суспензии, фильтрования суспензии, замораживания профильтрованной суспензии и последующей лиофилизацией с получением лиофилизата, при этом компоненты смешивают в количестве, обеспечивающем их содержание в композиции, масс. %:
силибин 4-6
сополимер молочной и гликолевой кислот (50:50) 50-52
поливиниловый спирт 22-24
натрия хлорид 20-22.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что частицы суспензии лиофилизата в воде имеют средний размер 170-400 нм.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ получения полимерсодержащей композиции силибина, характеризующийся тем, что он включает стадии: приготовления раствора силибина и сополимера молочной и гликолевой кислот с молярным соотношением звеньев 50:50 в смеси этилацетат-дихлорметан при массовом соотношении компонентов 1:9-1:10 и объемном соотношении растворителей 2:1-2.5:1 - неводная фаза, смешивания указанного раствора с 0.2-0.3% раствором поливинилового спирта - водная фаза, при объемном соотношении неводной и водной фаз 1:6.8-1:7.2, обработки полученной смеси ультразвуком с образованием эмульсии, добавления к полученной эмульсии 4-5% раствора хлорида натрия при массовом соотношении хлорида натрия к сополимеру 1:2.2-1:2.6, удаления органических растворителей из эмульсии путем упаривания в вакууме с образованием суспензии, фильтрования суспензии, замораживания профильтрованной суспензии и последующей лиофилизацией с получением лиофилизата, при этом компоненты смешивают в количестве, обеспечивающем их содержание в композиции, масс. %:
силибин 4-6
сополимер молочной и гликолевой кислот (50:50) 50-52
поливиниловый спирт 22-24
натрия хлорид 20-22.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что частицы суспензии лиофилизата в воде имеют средний размер 170-400 нм.
Основное назначение
1. Способ получения полимерсодержащей композиции силибина, характеризующийся тем, что он включает стадии: приготовления раствора силибина и сополимера молочной и гликолевой кислот с молярным соотношением звеньев 50:50 в смеси этилацетат-дихлорметан при массовом соотношении компонентов 1:9-1:10 и объемном соотношении растворителей 2:1-2.5:1 - неводная фаза, смешивания указанного раствора с 0.2-0.3% раствором поливинилового спирта - водная фаза, при объемном соотношении неводной и водной фаз 1:6.8-1:7.2, обработки полученной смеси ультразвуком с образованием эмульсии, добавления к полученной эмульсии 4-5% раствора хлорида натрия при массовом соотношении хлорида натрия к сополимеру 1:2.2-1:2.6, удаления органических растворителей из эмульсии путем упаривания в вакууме с образованием суспензии, фильтрования суспензии, замораживания профильтрованной суспензии и последующей лиофилизацией с получением лиофилизата, при этом компоненты смешивают в количестве, обеспечивающем их содержание в композиции, масс. %:
силибин 4-6
сополимер молочной и гликолевой кислот (50:50) 50-52
поливиниловый спирт 22-24
натрия хлорид 20-22.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что частицы суспензии лиофилизата в воде имеют средний размер 170-400 нм.
|
||
|
214
|
Патент 2716087
|
Изобретение относится к биотехнологии и касается вариантов фосфолипазы А2 для экспрессии в дрожжах. Предложен вариант фосфолипазы А2, структурный ген которой кодирует белок, включающий аминокислотную последовательность фосфолипазы А2 штамма А-2688 Streptomyces violaceoruber, содержащую замену С-концевого дипептида FG, состоящего из аминокислотных остатков фенилаланина и глицина, на дипептид YG, состоящий из аминокислотных остатков тирозина и глицина, и содержащую на N-конце дополнительный дипептид SG, состоящий из аминокислотных остатков серина и глицина. Также предложена фосфолипаза А2, структурный ген которой кодирует белок, включающий аминокислотную последовательность фосфолипазы А2 штамма А-2688 Streptomyces violaceoruber или ее вариант, не содержащий сайтов N-гликозилирования, имеющую на N-конце дополнительный дипептид SG, состоящий из аминокислотных остатков серина и глицина, включающую С-концевой дипептид FG, состоящий из аминокислотных остатков фенилаланина и глицина, и дополнительно С-концевой полипептид, имеющий последовательность SEQ ID N:3. Изобретение обеспечивает получение высокоактивных фосфолипаз А2, способных к эффективной экспрессии в дрожжах. 1. Фосфолипаза А2 для экспрессии в дрожжах, структурный ген которой кодирует белок, включающий аминокислотную последовательность фосфолипазы А2 штамма А-2688 Streptomyces violaceoruber, содержащую замену С-концевого дипептида FG, состоящего из аминокислотных остатков фенилаланина и глицина, на дипептид YG, состоящий из аминокислотных остатков тирозина и глицина, и содержащую на N-конце дополнительный дипептид SG, состоящий из аминокислотных остатков серина и глицина.
2. Фосфолипаза А2 для экспрессии в дрожжах, структурный ген которой кодирует белок, включающий аминокислотную последовательность фосфолипазы А2 штамма А-2688 Streptomyces violaceoruber или ее вариант, не содержащий сайтов N-гликозилирования, имеющую на N-конце дополнительный дипептид SG, состоящий из аминокислотных остатков серина и глицина, включающую С-концевой дипептид FG, состоящий из аминокислотных остатков фенилаланина и глицина, и дополнительно С-концевой полипептид, имеющий последовательность SEQ ID N:3.
Основное назначение
Изобретение относится к биотехнологии и касается вариантов фосфолипазы А2 для экспрессии в дрожжах. Предложен вариант фосфолипазы А2, структурный ген которой кодирует белок, включающий аминокислотную последовательность фосфолипазы А2 штамма А-2688 Streptomyces violaceoruber, содержащую замену С-концевого дипептида FG, состоящего из аминокислотных остатков фенилаланина и глицина, на дипептид YG, состоящий из аминокислотных остатков тирозина и глицина, и содержащую на N-конце дополнительный дипептид SG, состоящий из аминокислотных остатков серина и глицина. Также предложена фосфолипаза А2, структурный ген которой кодирует белок, включающий аминокислотную последовательность фосфолипазы А2 штамма А-2688 Streptomyces violaceoruber или ее вариант, не содержащий сайтов N-гликозилирования, имеющую на N-конце дополнительный дипептид SG, состоящий из аминокислотных остатков серина и глицина, включающую С-концевой дипептид FG, состоящий из аминокислотных остатков фенилаланина и глицина, и дополнительно С-концевой полипептид, имеющий последовательность SEQ ID N:3. Изобретение обеспечивает получение высокоактивных фосфолипаз А2, способных к эффективной экспрессии в дрожжах. 1. Фосфолипаза А2 для экспрессии в дрожжах, структурный ген которой кодирует белок, включающий аминокислотную последовательность фосфолипазы А2 штамма А-2688 Streptomyces violaceoruber, содержащую замену С-концевого дипептида FG, состоящего из аминокислотных остатков фенилаланина и глицина, на дипептид YG, состоящий из аминокислотных остатков тирозина и глицина, и содержащую на N-конце дополнительный дипептид SG, состоящий из аминокислотных остатков серина и глицина.
2. Фосфолипаза А2 для экспрессии в дрожжах, структурный ген которой кодирует белок, включающий аминокислотную последовательность фосфолипазы А2 штамма А-2688 Streptomyces violaceoruber или ее вариант, не содержащий сайтов N-гликозилирования, имеющую на N-конце дополнительный дипептид SG, состоящий из аминокислотных остатков серина и глицина, включающую С-концевой дипептид FG, состоящий из аминокислотных остатков фенилаланина и глицина, и дополнительно С-концевой полипептид, имеющий последовательность SEQ ID N:3.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
|
1. Фосфолипаза А2 для экспрессии в дрожжах, структурный ген которой кодирует белок, включающий аминокислотную последовательность фосфолипазы А2 штамма А-2688 Streptomyces violaceoruber, содержащую замену С-концевого дипептида FG, состоящего из аминокислотных остатков фенилаланина и глицина, на дипептид YG, состоящий из аминокислотных остатков тирозина и глицина, и содержащую на N-конце дополнительный дипептид SG, состоящий из аминокислотных остатков серина и глицина.
2. Фосфолипаза А2 для экспрессии в дрожжах, структурный ген которой кодирует белок, включающий аминокислотную последовательность фосфолипазы А2 штамма А-2688 Streptomyces violaceoruber или ее вариант, не содержащий сайтов N-гликозилирования, имеющую на N-конце дополнительный дипептид SG, состоящий из аминокислотных остатков серина и глицина, включающую С-концевой дипептид FG, состоящий из аминокислотных остатков фенилаланина и глицина, и дополнительно С-концевой полипептид, имеющий последовательность SEQ ID N:3.
Основное назначение
1. Фосфолипаза А2 для экспрессии в дрожжах, структурный ген которой кодирует белок, включающий аминокислотную последовательность фосфолипазы А2 штамма А-2688 Streptomyces violaceoruber, содержащую замену С-концевого дипептида FG, состоящего из аминокислотных остатков фенилаланина и глицина, на дипептид YG, состоящий из аминокислотных остатков тирозина и глицина, и содержащую на N-конце дополнительный дипептид SG, состоящий из аминокислотных остатков серина и глицина.
2. Фосфолипаза А2 для экспрессии в дрожжах, структурный ген которой кодирует белок, включающий аминокислотную последовательность фосфолипазы А2 штамма А-2688 Streptomyces violaceoruber или ее вариант, не содержащий сайтов N-гликозилирования, имеющую на N-конце дополнительный дипептид SG, состоящий из аминокислотных остатков серина и глицина, включающую С-концевой дипептид FG, состоящий из аминокислотных остатков фенилаланина и глицина, и дополнительно С-концевой полипептид, имеющий последовательность SEQ ID N:3.
|
||
|
215
|
Патент 2715892
|
Использование: для генерации излучения терагерцевого (THz) диапазона. Сущность изобретения заключается в том, что твердотельный источник электромагнитного излучения содержит источник питания, рабочий слой и электропроводящие элементы, в котором рабочий слой выполнен в виде трековой мембраны, имеющей сквозные каналы-поры, в порах размещены электропроводящие элементы в виде нанопроволок, состоящих из двух половин, которые выполнены из различных металлов или различных по составу сплавов, отличающихся величиной коэрцитивной силы, один конец каждой из нанопроволок контактирует с медным слоем, нанесенным на поверхность, противоположную основанию мембраны, а второй конец каждой из нанопроволок контактирует с золотым слоем, нанесенным на поверхность основания мембраны, оба названных слоя непосредственно или через соприкасающиеся с ними металлические пластины подключены к источнику питания. Технический результат: обеспечение возможности увеличения мощности излучения и повышения надежности. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 3 ил.
Основное назначение
Использование: для генерации излучения терагерцевого (THz) диапазона. Сущность изобретения заключается в том, что твердотельный источник электромагнитного излучения содержит источник питания, рабочий слой и электропроводящие элементы, в котором рабочий слой выполнен в виде трековой мембраны, имеющей сквозные каналы-поры, в порах размещены электропроводящие элементы в виде нанопроволок, состоящих из двух половин, которые выполнены из различных металлов или различных по составу сплавов, отличающихся величиной коэрцитивной силы, один конец каждой из нанопроволок контактирует с медным слоем, нанесенным на поверхность, противоположную основанию мембраны, а второй конец каждой из нанопроволок контактирует с золотым слоем, нанесенным на поверхность основания мембраны, оба названных слоя непосредственно или через соприкасающиеся с ними металлические пластины подключены к источнику питания. Технический результат: обеспечение возможности увеличения мощности излучения и повышения надежности. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
|
Использование: для генерации излучения терагерцевого (THz) диапазона. Сущность изобретения заключается в том, что твердотельный источник электромагнитного излучения содержит источник питания, рабочий слой и электропроводящие элементы, в котором рабочий слой выполнен в виде трековой мембраны, имеющей сквозные каналы-поры, в порах размещены электропроводящие элементы в виде нанопроволок, состоящих из двух половин, которые выполнены из различных металлов или различных по составу сплавов, отличающихся величиной коэрцитивной силы, один конец каждой из нанопроволок контактирует с медным слоем, нанесенным на поверхность, противоположную основанию мембраны, а второй конец каждой из нанопроволок контактирует с золотым слоем, нанесенным на поверхность основания мембраны, оба названных слоя непосредственно или через соприкасающиеся с ними металлические пластины подключены к источнику питания. Технический результат: обеспечение возможности увеличения мощности излучения и повышения надежности. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 3 ил.
Основное назначение
Использование: для генерации излучения терагерцевого (THz) диапазона. Сущность изобретения заключается в том, что твердотельный источник электромагнитного излучения содержит источник питания, рабочий слой и электропроводящие элементы, в котором рабочий слой выполнен в виде трековой мембраны, имеющей сквозные каналы-поры, в порах размещены электропроводящие элементы в виде нанопроволок, состоящих из двух половин, которые выполнены из различных металлов или различных по составу сплавов, отличающихся величиной коэрцитивной силы, один конец каждой из нанопроволок контактирует с медным слоем, нанесенным на поверхность, противоположную основанию мембраны, а второй конец каждой из нанопроволок контактирует с золотым слоем, нанесенным на поверхность основания мембраны, оба названных слоя непосредственно или через соприкасающиеся с ними металлические пластины подключены к источнику питания. Технический результат: обеспечение возможности увеличения мощности излучения и повышения надежности. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
||
|
216
|
Патент 2715735
|
Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковых бета-вольтаических преобразователей на основе радионуклида никель-63 для использования в автономных источниках электрического питания. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны 3222.56±0.001?, 5464.006±0.001?, 5442.195±0.001? с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, при этом полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800?1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме. Изобретение позволяет получать готовые бета-вольтаические чипы с фиксированным на момент изготовления изотопным обогащением в одном устройстве и в едином замкнутом процессе. 1. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны 3222.56±0.001?, 5464.006±0.001?, 5442.195±0.001? с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, отличающийся тем, что полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800?1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на поверхность чипа подают отрицательное напряжение 500-1000 В.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа медленно прогревают в вакууме до температуры 400?1000 К.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа очищают потоком ионов аргона с использованием специальных источников ионов или тлеющего разряда, зажигаемого в вакуумной камере при напуске аргона до давления 1?10-1 Па.
Основное назначение
Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковых бета-вольтаических преобразователей на основе радионуклида никель-63 для использования в автономных источниках электрического питания. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны 3222.56±0.001?, 5464.006±0.001?, 5442.195±0.001? с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, при этом полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800?1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме. Изобретение позволяет получать готовые бета-вольтаические чипы с фиксированным на момент изготовления изотопным обогащением в одном устройстве и в едином замкнутом процессе. 1. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны 3222.56±0.001?, 5464.006±0.001?, 5442.195±0.001? с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, отличающийся тем, что полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800?1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на поверхность чипа подают отрицательное напряжение 500-1000 В.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа медленно прогревают в вакууме до температуры 400?1000 К.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа очищают потоком ионов аргона с использованием специальных источников ионов или тлеющего разряда, зажигаемого в вакуумной камере при напуске аргона до давления 1?10-1 Па.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны 3222.56±0.001?, 5464.006±0.001?, 5442.195±0.001? с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, отличающийся тем, что полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800?1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на поверхность чипа подают отрицательное напряжение 500-1000 В.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа медленно прогревают в вакууме до температуры 400?1000 К.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа очищают потоком ионов аргона с использованием специальных источников ионов или тлеющего разряда, зажигаемого в вакуумной камере при напуске аргона до давления 1?10-1 Па.
Основное назначение
1. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны 3222.56±0.001?, 5464.006±0.001?, 5442.195±0.001? с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, отличающийся тем, что полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800?1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на поверхность чипа подают отрицательное напряжение 500-1000 В.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа медленно прогревают в вакууме до температуры 400?1000 К.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа очищают потоком ионов аргона с использованием специальных источников ионов или тлеющего разряда, зажигаемого в вакуумной камере при напуске аргона до давления 1?10-1 Па.
|
||
|
217
|
Патент 2715694
|
Изобретение относится к биотехнологии, в частности к фармацевтической композиции для лечения глазных инфекций, вызванных метициллин-устойчивыми штаммами Staphylococcus aureus, включающей в качестве активного начала N-концевой СНАР-домен эндолизина бактериофага K Staphylococcus aureus. Заявляемая фармацевтическая композиция не токсична и более эффективна, чем антибиотик ванкомицин и расширяет арсенал средств для лечения глазных инфекций, вызванных метициллин-устойчивыми штаммами Staphylococcus aureus. Фармацевтическая композиция для лечения глазных инфекций, вызванных метициллин-устойчивыми штаммами Staphylococcus aureus, включающая в качестве активного начала N-концевой СНАР-домен эндолизина бактериофага K Staphylococcus aureus, при следующем соотношении компонентов в лиофилизованной смеси, мас.% на сухой вес:
N-концевой СНАР-домен эндолизина
Бактериофага K Staphylococcus aureus 1,9
гипромеллоза 7,5
декспантенол 5,1
натрия хлорид 33,0
бензалкония хлорид 0,6
повидон 30,3
лимонная кислота моногидрат 0,8
двузамещенный натрия фосфат 10,8
Основное назначение
Изобретение относится к биотехнологии, в частности к фармацевтической композиции для лечения глазных инфекций, вызванных метициллин-устойчивыми штаммами Staphylococcus aureus, включающей в качестве активного начала N-концевой СНАР-домен эндолизина бактериофага K Staphylococcus aureus. Заявляемая фармацевтическая композиция не токсична и более эффективна, чем антибиотик ванкомицин и расширяет арсенал средств для лечения глазных инфекций, вызванных метициллин-устойчивыми штаммами Staphylococcus aureus. Фармацевтическая композиция для лечения глазных инфекций, вызванных метициллин-устойчивыми штаммами Staphylococcus aureus, включающая в качестве активного начала N-концевой СНАР-домен эндолизина бактериофага K Staphylococcus aureus, при следующем соотношении компонентов в лиофилизованной смеси, мас.% на сухой вес:
N-концевой СНАР-домен эндолизина
Бактериофага K Staphylococcus aureus 1,9
гипромеллоза 7,5
декспантенол 5,1
натрия хлорид 33,0
бензалкония хлорид 0,6
повидон 30,3
лимонная кислота моногидрат 0,8
двузамещенный натрия фосфат 10,8
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
|
Фармацевтическая композиция для лечения глазных инфекций, вызванных метициллин-устойчивыми штаммами Staphylococcus aureus, включающая в качестве активного начала N-концевой СНАР-домен эндолизина бактериофага K Staphylococcus aureus, при следующем соотношении компонентов в лиофилизованной смеси, мас.% на сухой вес:
N-концевой СНАР-домен эндолизина
Бактериофага K Staphylococcus aureus 1,9
гипромеллоза 7,5
декспантенол 5,1
натрия хлорид 33,0
бензалкония хлорид 0,6
повидон 30,3
лимонная кислота моногидрат 0,8
двузамещенный натрия фосфат 10,8
Основное назначение
Фармацевтическая композиция для лечения глазных инфекций, вызванных метициллин-устойчивыми штаммами Staphylococcus aureus, включающая в качестве активного начала N-концевой СНАР-домен эндолизина бактериофага K Staphylococcus aureus, при следующем соотношении компонентов в лиофилизованной смеси, мас.% на сухой вес:
N-концевой СНАР-домен эндолизина
Бактериофага K Staphylococcus aureus 1,9
гипромеллоза 7,5
декспантенол 5,1
натрия хлорид 33,0
бензалкония хлорид 0,6
повидон 30,3
лимонная кислота моногидрат 0,8
двузамещенный натрия фосфат 10,8
|
||
|
218
|
Патент 2714113
|
Изобретение относится к микробиологии и биотехнологии, в частности к трансформанту дрожжей Pichia pastoris, продуцирующему ксиланазу и содержащему ген xyl, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus brasilensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%. 1. Трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий ксиланазу, содержащий ген xyl, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus brasilensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%.
2. Трансформант по п. 1, в котором в качестве фермента, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-1,4-?-ксиланазе из Paenibacillus brasilensis не менее чем на 93%, используют эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus polymyxa, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus terrae, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus peoriae, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus jamilae.
Основное назначение
Изобретение относится к микробиологии и биотехнологии, в частности к трансформанту дрожжей Pichia pastoris, продуцирующему ксиланазу и содержащему ген xyl, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus brasilensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%. 1. Трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий ксиланазу, содержащий ген xyl, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus brasilensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%.
2. Трансформант по п. 1, в котором в качестве фермента, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-1,4-?-ксиланазе из Paenibacillus brasilensis не менее чем на 93%, используют эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus polymyxa, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus terrae, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus peoriae, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus jamilae.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
|
1. Трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий ксиланазу, содержащий ген xyl, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus brasilensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%.
2. Трансформант по п. 1, в котором в качестве фермента, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-1,4-?-ксиланазе из Paenibacillus brasilensis не менее чем на 93%, используют эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus polymyxa, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus terrae, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus peoriae, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus jamilae.
Основное назначение
1. Трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий ксиланазу, содержащий ген xyl, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus brasilensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%.
2. Трансформант по п. 1, в котором в качестве фермента, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-1,4-?-ксиланазе из Paenibacillus brasilensis не менее чем на 93%, используют эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus polymyxa, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus terrae, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus peoriae, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus jamilae.
|
||
|
219
|
Патент 2713124
|
Группа изобретений относится к микробиологической промышленности. Предложен способ повышения продукции изолимонной кислоты в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту с использованием дрожжей Yarrowia lipolytica, в которых усилен уровень экспрессии гена Y. lipolytica YALI0E34672g, кодирующий митохондриальный транспортер YALI0E34672p, участвующий в экспорте изоцитрата из митохондрии. Предложены также дрожжи вида Yarrowia lipolytica, продуцирующие изолимонную кислоту в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту, у которых увеличено число копий гена Y. lipolytica YALI0E34672g и/или усилена промоторная область указанного гена. Группа изобретений обеспечивает повышение продукции изолимонной кислоты у дрожжей Yarrowia lipolytica. 1. Способ повышения продукции изолимонной кислоты у дрожжей Yarrowia lipolytica в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту путем повышения уровня экспрессии гена Y. lipolytica YALI0E34672g за счет увеличения числа копий гена и/или замены нативного промотора указанного гена на более сильный промотор.
2. Дрожжи вида Yarrowia lipolytica, продуцирующие изолимонную кислоту в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту, отличающиеся тем, что в них увеличено число копий гена Y. lipolytica YALI0E34672g и/или усилена промоторная область указанного гена.
Основное назначение
Группа изобретений относится к микробиологической промышленности. Предложен способ повышения продукции изолимонной кислоты в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту с использованием дрожжей Yarrowia lipolytica, в которых усилен уровень экспрессии гена Y. lipolytica YALI0E34672g, кодирующий митохондриальный транспортер YALI0E34672p, участвующий в экспорте изоцитрата из митохондрии. Предложены также дрожжи вида Yarrowia lipolytica, продуцирующие изолимонную кислоту в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту, у которых увеличено число копий гена Y. lipolytica YALI0E34672g и/или усилена промоторная область указанного гена. Группа изобретений обеспечивает повышение продукции изолимонной кислоты у дрожжей Yarrowia lipolytica. 1. Способ повышения продукции изолимонной кислоты у дрожжей Yarrowia lipolytica в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту путем повышения уровня экспрессии гена Y. lipolytica YALI0E34672g за счет увеличения числа копий гена и/или замены нативного промотора указанного гена на более сильный промотор.
2. Дрожжи вида Yarrowia lipolytica, продуцирующие изолимонную кислоту в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту, отличающиеся тем, что в них увеличено число копий гена Y. lipolytica YALI0E34672g и/или усилена промоторная область указанного гена.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
|
1. Способ повышения продукции изолимонной кислоты у дрожжей Yarrowia lipolytica в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту путем повышения уровня экспрессии гена Y. lipolytica YALI0E34672g за счет увеличения числа копий гена и/или замены нативного промотора указанного гена на более сильный промотор.
2. Дрожжи вида Yarrowia lipolytica, продуцирующие изолимонную кислоту в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту, отличающиеся тем, что в них увеличено число копий гена Y. lipolytica YALI0E34672g и/или усилена промоторная область указанного гена.
Основное назначение
1. Способ повышения продукции изолимонной кислоты у дрожжей Yarrowia lipolytica в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту путем повышения уровня экспрессии гена Y. lipolytica YALI0E34672g за счет увеличения числа копий гена и/или замены нативного промотора указанного гена на более сильный промотор.
2. Дрожжи вида Yarrowia lipolytica, продуцирующие изолимонную кислоту в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту, отличающиеся тем, что в них увеличено число копий гена Y. lipolytica YALI0E34672g и/или усилена промоторная область указанного гена.
|
||
|
220
|
Патент 2712689
|
Изобретение относится к очистке дигидрофосфата калия, который в виде крупногабаритных монокристаллов используется в лазерных установках высокой пиковой мощности. Способ получения высокочистого калия дигидрофосфата включает растворение исходного калия дигидрофосфата в дистиллированной воде при нагревании. Добавляют к полученному раствору щелочной агент. В качестве щелочного агента используют гидроксид кальция в виде водной суспензии, которую добавляют при перемешивании к нагретому до 85-95°С раствору калия дигидрофосфата в количестве, соответствующем весовому соотношению гидроксида кальция к калию дигидрофосфату, равному 1:(13-20). Фильтрацией отделяют от раствора выпавший осадок гидрофосфата кальция CaHPO4. Раствор охлаждают до комнатной температуры при постоянном перемешивании. Фильтрацией выделяют кристаллы конечного продукта и промывают их дистиллированной водой. Изобретение позволяет получить высокочистый дигидрофосфат калия, содержащий примеси алюминия, железа, хрома и титана на уровне меньше или равно 5?10-6 % масс. Способ получения высокочистого калия дигидрофосфата, включающий растворение исходного калия дигидрофосфата в дистиллированной воде при нагревании, добавление к полученному раствору щелочного агента и дальнейшую обработку очищаемого раствора, включающую кристаллизацию дигидрофосфата калия и выделение кристаллического конечного продукта, отличающийся тем, что в качестве щелочного агента используют гидроксид кальция в виде водной суспензии, которую добавляют при перемешивании к нагретому до 85-95°С раствору калия дигидрофосфата в количестве, соответствующем весовому соотношению гидроксида кальция к калию дигидрофосфату, равному 1:(13-20), после чего фильтрацией отделяют от раствора выпавший осадок гидрофосфата кальция, а раствор охлаждают до комнатной температуры при постоянном перемешивании, фильтрацией выделяют кристаллы конечного продукта и промывают их дистиллированной водой.
Основное назначение
Изобретение относится к очистке дигидрофосфата калия, который в виде крупногабаритных монокристаллов используется в лазерных установках высокой пиковой мощности. Способ получения высокочистого калия дигидрофосфата включает растворение исходного калия дигидрофосфата в дистиллированной воде при нагревании. Добавляют к полученному раствору щелочной агент. В качестве щелочного агента используют гидроксид кальция в виде водной суспензии, которую добавляют при перемешивании к нагретому до 85-95°С раствору калия дигидрофосфата в количестве, соответствующем весовому соотношению гидроксида кальция к калию дигидрофосфату, равному 1:(13-20). Фильтрацией отделяют от раствора выпавший осадок гидрофосфата кальция CaHPO4. Раствор охлаждают до комнатной температуры при постоянном перемешивании. Фильтрацией выделяют кристаллы конечного продукта и промывают их дистиллированной водой. Изобретение позволяет получить высокочистый дигидрофосфат калия, содержащий примеси алюминия, железа, хрома и титана на уровне меньше или равно 5?10-6 % масс. Способ получения высокочистого калия дигидрофосфата, включающий растворение исходного калия дигидрофосфата в дистиллированной воде при нагревании, добавление к полученному раствору щелочного агента и дальнейшую обработку очищаемого раствора, включающую кристаллизацию дигидрофосфата калия и выделение кристаллического конечного продукта, отличающийся тем, что в качестве щелочного агента используют гидроксид кальция в виде водной суспензии, которую добавляют при перемешивании к нагретому до 85-95°С раствору калия дигидрофосфата в количестве, соответствующем весовому соотношению гидроксида кальция к калию дигидрофосфату, равному 1:(13-20), после чего фильтрацией отделяют от раствора выпавший осадок гидрофосфата кальция, а раствор охлаждают до комнатной температуры при постоянном перемешивании, фильтрацией выделяют кристаллы конечного продукта и промывают их дистиллированной водой.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
|
Способ получения высокочистого калия дигидрофосфата, включающий растворение исходного калия дигидрофосфата в дистиллированной воде при нагревании, добавление к полученному раствору щелочного агента и дальнейшую обработку очищаемого раствора, включающую кристаллизацию дигидрофосфата калия и выделение кристаллического конечного продукта, отличающийся тем, что в качестве щелочного агента используют гидроксид кальция в виде водной суспензии, которую добавляют при перемешивании к нагретому до 85-95°С раствору калия дигидрофосфата в количестве, соответствующем весовому соотношению гидроксида кальция к калию дигидрофосфату, равному 1:(13-20), после чего фильтрацией отделяют от раствора выпавший осадок гидрофосфата кальция, а раствор охлаждают до комнатной температуры при постоянном перемешивании, фильтрацией выделяют кристаллы конечного продукта и промывают их дистиллированной водой.
Основное назначение
Способ получения высокочистого калия дигидрофосфата, включающий растворение исходного калия дигидрофосфата в дистиллированной воде при нагревании, добавление к полученному раствору щелочного агента и дальнейшую обработку очищаемого раствора, включающую кристаллизацию дигидрофосфата калия и выделение кристаллического конечного продукта, отличающийся тем, что в качестве щелочного агента используют гидроксид кальция в виде водной суспензии, которую добавляют при перемешивании к нагретому до 85-95°С раствору калия дигидрофосфата в количестве, соответствующем весовому соотношению гидроксида кальция к калию дигидрофосфату, равному 1:(13-20), после чего фильтрацией отделяют от раствора выпавший осадок гидрофосфата кальция, а раствор охлаждают до комнатной температуры при постоянном перемешивании, фильтрацией выделяют кристаллы конечного продукта и промывают их дистиллированной водой.
|
||