+7 499 196 95 39
211
Патент 2717799
Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую. Для поддержания постоянного уровня в первой части из нее отводят в сборник конденсата, размещенный вне кристаллизатора, объем раствора, который равен объему раствора, вытесненного из второй части. Подачу газа во вторую часть производят вручную или автоматически. В качестве газа возможно применение воздуха. Технический результат – повышение качества кристалла при одновременном упрощении процесса. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую. Для поддержания постоянного уровня в первой части из нее отводят в сборник конденсата, размещенный вне кристаллизатора, объем раствора, который равен объему раствора, вытесненного из второй части. Подачу газа во вторую часть производят вручную или автоматически. В качестве газа возможно применение воздуха. Технический результат – повышение качества кристалла при одновременном упрощении процесса. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
212
Патент 2717157
Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных затворов, позволяющее создавать более резкие p-n переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового напряжения; возможность изменения типа проводимости канала для применения предлагаемых транзисторов в КМОП технологии цифровых интегральных схем, упрощение технологии изготовления нанотранзисторов с нанометровыми затворами, отсутствие технологических операций, связанных с легированием, расширение функциональных возможностей нанотранзисторов, увеличение крутизны подпороговой характеристики за счет увеличения количества управляющих электродов и обеспечение работы в режиме туннельного транзистора. Сущность изобретения: предлагается способ изготовления туннельного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки и несколькими управляющими электродами затворов на полупроводниковой подложке с использованием вспомогательного слоя (ВС) диэлектрик-металл, осажденного на предварительно нанесенный на полупроводниковую подложку контактный слой истока/стока, в котором формируется нанометровая щель, с последующим формированием на ее стенках и дне первого и третьего управляющих электродов, их спейсеров и подзатворного диэлектрика путем последовательного осаждения в щель и плазмохимического травления диэлектрика спейсеров и металла, а второй управляющий электрод формируется осаждением в зауженную на суммарную ширину первого и третьего управляющих электродов и их спейсеров щель слоя металла и его ПХТ, при этом вначале формируются диэлектрический спейсер и подзатворный диэлектрик второго управляющего электрода путем осаждения диэлектрика на боковые стенки первого и третьего управляющих электродов и дно щели в ВС. Одновременно с управляющими электродами формируются с использованием фоторезистивной маски, дополнительного слоя металла и метода сухого травления контактные площадки трех управляющих электродов, а контактные площадки истока/стока создаются после завершения технологических операций формирования управляющих электродов. 13 з.п. ф-лы, 10 ил.
ФТИАН
Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных затворов, позволяющее создавать более резкие p-n переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового напряжения; возможность изменения типа проводимости канала для применения предлагаемых транзисторов в КМОП технологии цифровых интегральных схем, упрощение технологии изготовления нанотранзисторов с нанометровыми затворами, отсутствие технологических операций, связанных с легированием, расширение функциональных возможностей нанотранзисторов, увеличение крутизны подпороговой характеристики за счет увеличения количества управляющих электродов и обеспечение работы в режиме туннельного транзистора. Сущность изобретения: предлагается способ изготовления туннельного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки и несколькими управляющими электродами затворов на полупроводниковой подложке с использованием вспомогательного слоя (ВС) диэлектрик-металл, осажденного на предварительно нанесенный на полупроводниковую подложку контактный слой истока/стока, в котором формируется нанометровая щель, с последующим формированием на ее стенках и дне первого и третьего управляющих электродов, их спейсеров и подзатворного диэлектрика путем последовательного осаждения в щель и плазмохимического травления диэлектрика спейсеров и металла, а второй управляющий электрод формируется осаждением в зауженную на суммарную ширину первого и третьего управляющих электродов и их спейсеров щель слоя металла и его ПХТ, при этом вначале формируются диэлектрический спейсер и подзатворный диэлектрик второго управляющего электрода путем осаждения диэлектрика на боковые стенки первого и третьего управляющих электродов и дно щели в ВС. Одновременно с управляющими электродами формируются с использованием фоторезистивной маски, дополнительного слоя металла и метода сухого травления контактные площадки трех управляющих электродов, а контактные площадки истока/стока создаются после завершения технологических операций формирования управляющих электродов. 13 з.п. ф-лы, 10 ил.
213
Патент 2716706
Настоящее изобретение относится к способу получения полимерсодержащей композиции силибина. Данный способ включает стадии: приготовления раствора силибина и сополимера молочной и гликолевой кислот (50:50) в смеси этилацетат-дихлорметан (неводная фаза); смешивания указанного раствора с раствором поливинилового спирта (водная фаза); обработки полученной смеси ультразвуком с образованием эмульсии; добавления к эмульсии раствора хлорида натрия; удаления органических растворителей из эмульсии путем упаривания в вакууме с образованием суспензии; фильтрования суспензии; ее замораживания и последующей лиофилизацией. Состав получаемого лиофилизата (% масс.): силибин 4-6, сополимер молочной и гликолевой кислот 50-52, поливиниловый спирт 22-24, хлорид натрия 20-22. При смешивании с водой лиофилизат образует суспензию частиц со средним размером 170-400 нм. Технический результат - способ получения продукта с высокой эффективностью включения силибина (более 90%), без существенных потерь активного компонента, пригодного для перорального применения при фармакологической коррекции функции печени на фоне токсических поражений. 1. Способ получения полимерсодержащей композиции силибина, характеризующийся тем, что он включает стадии: приготовления раствора силибина и сополимера молочной и гликолевой кислот с молярным соотношением звеньев 50:50 в смеси этилацетат-дихлорметан при массовом соотношении компонентов 1:9-1:10 и объемном соотношении растворителей 2:1-2.5:1 - неводная фаза, смешивания указанного раствора с 0.2-0.3% раствором поливинилового спирта - водная фаза, при объемном соотношении неводной и водной фаз 1:6.8-1:7.2, обработки полученной смеси ультразвуком с образованием эмульсии, добавления к полученной эмульсии 4-5% раствора хлорида натрия при массовом соотношении хлорида натрия к сополимеру 1:2.2-1:2.6, удаления органических растворителей из эмульсии путем упаривания в вакууме с образованием суспензии, фильтрования суспензии, замораживания профильтрованной суспензии и последующей лиофилизацией с получением лиофилизата, при этом компоненты смешивают в количестве, обеспечивающем их содержание в композиции, масс. %: силибин 4-6 сополимер молочной и гликолевой кислот (50:50) 50-52 поливиниловый спирт 22-24 натрия хлорид 20-22. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что частицы суспензии лиофилизата в воде имеют средний размер 170-400 нм.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
1. Способ получения полимерсодержащей композиции силибина, характеризующийся тем, что он включает стадии: приготовления раствора силибина и сополимера молочной и гликолевой кислот с молярным соотношением звеньев 50:50 в смеси этилацетат-дихлорметан при массовом соотношении компонентов 1:9-1:10 и объемном соотношении растворителей 2:1-2.5:1 - неводная фаза, смешивания указанного раствора с 0.2-0.3% раствором поливинилового спирта - водная фаза, при объемном соотношении неводной и водной фаз 1:6.8-1:7.2, обработки полученной смеси ультразвуком с образованием эмульсии, добавления к полученной эмульсии 4-5% раствора хлорида натрия при массовом соотношении хлорида натрия к сополимеру 1:2.2-1:2.6, удаления органических растворителей из эмульсии путем упаривания в вакууме с образованием суспензии, фильтрования суспензии, замораживания профильтрованной суспензии и последующей лиофилизацией с получением лиофилизата, при этом компоненты смешивают в количестве, обеспечивающем их содержание в композиции, масс. %: силибин 4-6 сополимер молочной и гликолевой кислот (50:50) 50-52 поливиниловый спирт 22-24 натрия хлорид 20-22. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что частицы суспензии лиофилизата в воде имеют средний размер 170-400 нм.
214
Патент 2716087
Изобретение относится к биотехнологии и касается вариантов фосфолипазы А2 для экспрессии в дрожжах. Предложен вариант фосфолипазы А2, структурный ген которой кодирует белок, включающий аминокислотную последовательность фосфолипазы А2 штамма А-2688 Streptomyces violaceoruber, содержащую замену С-концевого дипептида FG, состоящего из аминокислотных остатков фенилаланина и глицина, на дипептид YG, состоящий из аминокислотных остатков тирозина и глицина, и содержащую на N-конце дополнительный дипептид SG, состоящий из аминокислотных остатков серина и глицина. Также предложена фосфолипаза А2, структурный ген которой кодирует белок, включающий аминокислотную последовательность фосфолипазы А2 штамма А-2688 Streptomyces violaceoruber или ее вариант, не содержащий сайтов N-гликозилирования, имеющую на N-конце дополнительный дипептид SG, состоящий из аминокислотных остатков серина и глицина, включающую С-концевой дипептид FG, состоящий из аминокислотных остатков фенилаланина и глицина, и дополнительно С-концевой полипептид, имеющий последовательность SEQ ID N:3. Изобретение обеспечивает получение высокоактивных фосфолипаз А2, способных к эффективной экспрессии в дрожжах. 1. Фосфолипаза А2 для экспрессии в дрожжах, структурный ген которой кодирует белок, включающий аминокислотную последовательность фосфолипазы А2 штамма А-2688 Streptomyces violaceoruber, содержащую замену С-концевого дипептида FG, состоящего из аминокислотных остатков фенилаланина и глицина, на дипептид YG, состоящий из аминокислотных остатков тирозина и глицина, и содержащую на N-конце дополнительный дипептид SG, состоящий из аминокислотных остатков серина и глицина. 2. Фосфолипаза А2 для экспрессии в дрожжах, структурный ген которой кодирует белок, включающий аминокислотную последовательность фосфолипазы А2 штамма А-2688 Streptomyces violaceoruber или ее вариант, не содержащий сайтов N-гликозилирования, имеющую на N-конце дополнительный дипептид SG, состоящий из аминокислотных остатков серина и глицина, включающую С-концевой дипептид FG, состоящий из аминокислотных остатков фенилаланина и глицина, и дополнительно С-концевой полипептид, имеющий последовательность SEQ ID N:3.
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
1. Фосфолипаза А2 для экспрессии в дрожжах, структурный ген которой кодирует белок, включающий аминокислотную последовательность фосфолипазы А2 штамма А-2688 Streptomyces violaceoruber, содержащую замену С-концевого дипептида FG, состоящего из аминокислотных остатков фенилаланина и глицина, на дипептид YG, состоящий из аминокислотных остатков тирозина и глицина, и содержащую на N-конце дополнительный дипептид SG, состоящий из аминокислотных остатков серина и глицина. 2. Фосфолипаза А2 для экспрессии в дрожжах, структурный ген которой кодирует белок, включающий аминокислотную последовательность фосфолипазы А2 штамма А-2688 Streptomyces violaceoruber или ее вариант, не содержащий сайтов N-гликозилирования, имеющую на N-конце дополнительный дипептид SG, состоящий из аминокислотных остатков серина и глицина, включающую С-концевой дипептид FG, состоящий из аминокислотных остатков фенилаланина и глицина, и дополнительно С-концевой полипептид, имеющий последовательность SEQ ID N:3.
215
Патент 2715892
Использование: для генерации излучения терагерцевого (THz) диапазона. Сущность изобретения заключается в том, что твердотельный источник электромагнитного излучения содержит источник питания, рабочий слой и электропроводящие элементы, в котором рабочий слой выполнен в виде трековой мембраны, имеющей сквозные каналы-поры, в порах размещены электропроводящие элементы в виде нанопроволок, состоящих из двух половин, которые выполнены из различных металлов или различных по составу сплавов, отличающихся величиной коэрцитивной силы, один конец каждой из нанопроволок контактирует с медным слоем, нанесенным на поверхность, противоположную основанию мембраны, а второй конец каждой из нанопроволок контактирует с золотым слоем, нанесенным на поверхность основания мембраны, оба названных слоя непосредственно или через соприкасающиеся с ними металлические пластины подключены к источнику питания. Технический результат: обеспечение возможности увеличения мощности излучения и повышения надежности. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 3 ил.
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Использование: для генерации излучения терагерцевого (THz) диапазона. Сущность изобретения заключается в том, что твердотельный источник электромагнитного излучения содержит источник питания, рабочий слой и электропроводящие элементы, в котором рабочий слой выполнен в виде трековой мембраны, имеющей сквозные каналы-поры, в порах размещены электропроводящие элементы в виде нанопроволок, состоящих из двух половин, которые выполнены из различных металлов или различных по составу сплавов, отличающихся величиной коэрцитивной силы, один конец каждой из нанопроволок контактирует с медным слоем, нанесенным на поверхность, противоположную основанию мембраны, а второй конец каждой из нанопроволок контактирует с золотым слоем, нанесенным на поверхность основания мембраны, оба названных слоя непосредственно или через соприкасающиеся с ними металлические пластины подключены к источнику питания. Технический результат: обеспечение возможности увеличения мощности излучения и повышения надежности. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 3 ил.
216
Патент 2715735
Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковых бета-вольтаических преобразователей на основе радионуклида никель-63 для использования в автономных источниках электрического питания. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны 3222.56±0.001?, 5464.006±0.001?, 5442.195±0.001? с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, при этом полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800?1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме. Изобретение позволяет получать готовые бета-вольтаические чипы с фиксированным на момент изготовления изотопным обогащением в одном устройстве и в едином замкнутом процессе. 1. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны 3222.56±0.001?, 5464.006±0.001?, 5442.195±0.001? с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, отличающийся тем, что полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800?1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на поверхность чипа подают отрицательное напряжение 500-1000 В. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа медленно прогревают в вакууме до температуры 400?1000 К. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа очищают потоком ионов аргона с использованием специальных источников ионов или тлеющего разряда, зажигаемого в вакуумной камере при напуске аргона до давления 1?10-1 Па.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
1. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны 3222.56±0.001?, 5464.006±0.001?, 5442.195±0.001? с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, отличающийся тем, что полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800?1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на поверхность чипа подают отрицательное напряжение 500-1000 В. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа медленно прогревают в вакууме до температуры 400?1000 К. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа очищают потоком ионов аргона с использованием специальных источников ионов или тлеющего разряда, зажигаемого в вакуумной камере при напуске аргона до давления 1?10-1 Па.
217
Патент 2715694
Изобретение относится к биотехнологии, в частности к фармацевтической композиции для лечения глазных инфекций, вызванных метициллин-устойчивыми штаммами Staphylococcus aureus, включающей в качестве активного начала N-концевой СНАР-домен эндолизина бактериофага K Staphylococcus aureus. Заявляемая фармацевтическая композиция не токсична и более эффективна, чем антибиотик ванкомицин и расширяет арсенал средств для лечения глазных инфекций, вызванных метициллин-устойчивыми штаммами Staphylococcus aureus. Фармацевтическая композиция для лечения глазных инфекций, вызванных метициллин-устойчивыми штаммами Staphylococcus aureus, включающая в качестве активного начала N-концевой СНАР-домен эндолизина бактериофага K Staphylococcus aureus, при следующем соотношении компонентов в лиофилизованной смеси, мас.% на сухой вес: N-концевой СНАР-домен эндолизина Бактериофага K Staphylococcus aureus 1,9 гипромеллоза 7,5 декспантенол 5,1 натрия хлорид 33,0 бензалкония хлорид 0,6 повидон 30,3 лимонная кислота моногидрат 0,8 двузамещенный натрия фосфат 10,8
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
Фармацевтическая композиция для лечения глазных инфекций, вызванных метициллин-устойчивыми штаммами Staphylococcus aureus, включающая в качестве активного начала N-концевой СНАР-домен эндолизина бактериофага K Staphylococcus aureus, при следующем соотношении компонентов в лиофилизованной смеси, мас.% на сухой вес: N-концевой СНАР-домен эндолизина Бактериофага K Staphylococcus aureus 1,9 гипромеллоза 7,5 декспантенол 5,1 натрия хлорид 33,0 бензалкония хлорид 0,6 повидон 30,3 лимонная кислота моногидрат 0,8 двузамещенный натрия фосфат 10,8
218
Патент 2714113
Изобретение относится к микробиологии и биотехнологии, в частности к трансформанту дрожжей Pichia pastoris, продуцирующему ксиланазу и содержащему ген xyl, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus brasilensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%. 1. Трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий ксиланазу, содержащий ген xyl, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus brasilensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%. 2. Трансформант по п. 1, в котором в качестве фермента, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-1,4-?-ксиланазе из Paenibacillus brasilensis не менее чем на 93%, используют эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus polymyxa, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus terrae, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus peoriae, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus jamilae.
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
1. Трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий ксиланазу, содержащий ген xyl, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus brasilensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%. 2. Трансформант по п. 1, в котором в качестве фермента, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-1,4-?-ксиланазе из Paenibacillus brasilensis не менее чем на 93%, используют эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus polymyxa, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus terrae, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus peoriae, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus jamilae.
219
Патент 2713124
Группа изобретений относится к микробиологической промышленности. Предложен способ повышения продукции изолимонной кислоты в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту с использованием дрожжей Yarrowia lipolytica, в которых усилен уровень экспрессии гена Y. lipolytica YALI0E34672g, кодирующий митохондриальный транспортер YALI0E34672p, участвующий в экспорте изоцитрата из митохондрии. Предложены также дрожжи вида Yarrowia lipolytica, продуцирующие изолимонную кислоту в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту, у которых увеличено число копий гена Y. lipolytica YALI0E34672g и/или усилена промоторная область указанного гена. Группа изобретений обеспечивает повышение продукции изолимонной кислоты у дрожжей Yarrowia lipolytica. 1. Способ повышения продукции изолимонной кислоты у дрожжей Yarrowia lipolytica в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту путем повышения уровня экспрессии гена Y. lipolytica YALI0E34672g за счет увеличения числа копий гена и/или замены нативного промотора указанного гена на более сильный промотор. 2. Дрожжи вида Yarrowia lipolytica, продуцирующие изолимонную кислоту в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту, отличающиеся тем, что в них увеличено число копий гена Y. lipolytica YALI0E34672g и/или усилена промоторная область указанного гена.
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
1. Способ повышения продукции изолимонной кислоты у дрожжей Yarrowia lipolytica в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту путем повышения уровня экспрессии гена Y. lipolytica YALI0E34672g за счет увеличения числа копий гена и/или замены нативного промотора указанного гена на более сильный промотор. 2. Дрожжи вида Yarrowia lipolytica, продуцирующие изолимонную кислоту в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту, отличающиеся тем, что в них увеличено число копий гена Y. lipolytica YALI0E34672g и/или усилена промоторная область указанного гена.
220
Патент 2712689
Изобретение относится к очистке дигидрофосфата калия, который в виде крупногабаритных монокристаллов используется в лазерных установках высокой пиковой мощности. Способ получения высокочистого калия дигидрофосфата включает растворение исходного калия дигидрофосфата в дистиллированной воде при нагревании. Добавляют к полученному раствору щелочной агент. В качестве щелочного агента используют гидроксид кальция в виде водной суспензии, которую добавляют при перемешивании к нагретому до 85-95°С раствору калия дигидрофосфата в количестве, соответствующем весовому соотношению гидроксида кальция к калию дигидрофосфату, равному 1:(13-20). Фильтрацией отделяют от раствора выпавший осадок гидрофосфата кальция CaHPO4. Раствор охлаждают до комнатной температуры при постоянном перемешивании. Фильтрацией выделяют кристаллы конечного продукта и промывают их дистиллированной водой. Изобретение позволяет получить высокочистый дигидрофосфат калия, содержащий примеси алюминия, железа, хрома и титана на уровне меньше или равно 5?10-6 % масс. Способ получения высокочистого калия дигидрофосфата, включающий растворение исходного калия дигидрофосфата в дистиллированной воде при нагревании, добавление к полученному раствору щелочного агента и дальнейшую обработку очищаемого раствора, включающую кристаллизацию дигидрофосфата калия и выделение кристаллического конечного продукта, отличающийся тем, что в качестве щелочного агента используют гидроксид кальция в виде водной суспензии, которую добавляют при перемешивании к нагретому до 85-95°С раствору калия дигидрофосфата в количестве, соответствующем весовому соотношению гидроксида кальция к калию дигидрофосфату, равному 1:(13-20), после чего фильтрацией отделяют от раствора выпавший осадок гидрофосфата кальция, а раствор охлаждают до комнатной температуры при постоянном перемешивании, фильтрацией выделяют кристаллы конечного продукта и промывают их дистиллированной водой.
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
Способ получения высокочистого калия дигидрофосфата, включающий растворение исходного калия дигидрофосфата в дистиллированной воде при нагревании, добавление к полученному раствору щелочного агента и дальнейшую обработку очищаемого раствора, включающую кристаллизацию дигидрофосфата калия и выделение кристаллического конечного продукта, отличающийся тем, что в качестве щелочного агента используют гидроксид кальция в виде водной суспензии, которую добавляют при перемешивании к нагретому до 85-95°С раствору калия дигидрофосфата в количестве, соответствующем весовому соотношению гидроксида кальция к калию дигидрофосфату, равному 1:(13-20), после чего фильтрацией отделяют от раствора выпавший осадок гидрофосфата кальция, а раствор охлаждают до комнатной температуры при постоянном перемешивании, фильтрацией выделяют кристаллы конечного продукта и промывают их дистиллированной водой.