Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковых бета-вольтаических преобразователей на основе радионуклида никель-63 для использования в автономных источниках электрического питания. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны 3222.56±0.001?, 5464.006±0.001?, 5442.195±0.001? с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, при этом полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800?1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме. Изобретение позволяет получать готовые бета-вольтаические чипы с фиксированным на момент изготовления изотопным обогащением в одном устройстве и в едином замкнутом процессе. 1. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны 3222.56±0.001?, 5464.006±0.001?, 5442.195±0.001? с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, отличающийся тем, что полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800?1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на поверхность чипа подают отрицательное напряжение 500-1000 В.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа медленно прогревают в вакууме до температуры 400?1000 К.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа очищают потоком ионов аргона с использованием специальных источников ионов или тлеющего разряда, зажигаемого в вакуумной камере при напуске аргона до давления 1?10-1 Па.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на поверхность чипа подают отрицательное напряжение 500-1000 В.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа медленно прогревают в вакууме до температуры 400?1000 К.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа очищают потоком ионов аргона с использованием специальных источников ионов или тлеющего разряда, зажигаемого в вакуумной камере при напуске аргона до давления 1?10-1 Па.