Изобретения

"1. Способ получения керамических пластин из оксида галлия на подложке в установке, содержащей плазмотрон, отличающийся тем, что в качестве исходного материала для образования пластины оксида галлия на подложке используют микропорошок β-Ga2O3, который подают в плазмотрон с самоустанавливающейся длиной дуги, вихревой стабилизацией и расширяющимся газоразрядным трактом, находящийся в открытой атмосфере и работающий в режиме постоянного тока, для продувки плазмотрона применяют аргон и (или) азот, продукт взаимодействия плазмы и микропорошка β-Ga2O3 направляют на плоскую подложку, установленную в конце дуги плазмотрона нормально потоку таза, а после выключения плазмотрона и остывания всех частей установки отделяют керамическую пластину β-Ga2O3 от подложки механически. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что размер частиц микропорошка β-Ga2O3 составляет 5÷50 мкм. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что скорости подачи в плазматорон транспортирующего микропорошок и плазмообразующего газа 0.18÷0.22 г с-1 и 1.4÷1.6 г с-1, соответственно, состав газа - смесь аргона и азота (0.7Ar+0.3N2 по весу), сила тока дуги 240-250 А. 4. Способ по п. 1 отличающийся тем, что подачу микропорошка в плазматрон осуществляют на расстоянии 50-70 мм от сопла плазматрона, а подложку размещают на расстоянии 50-70 мм от сопла плазматрона."

"1. Способ контроля объемного распределения носителей заряда и деформаций в кристаллах, включающий облучение кристалла, установленного на гониометрической системе с возможностью вращения, рентгеновским излучением с одновременным воздействием на кристалл электрическим полем, отличающийся тем, что исследуемый кристалл устанавливают на гониометрической системе в дифракционное положение в геометрии дифракции «на просвет» и облучают пучком рентгеновского излучения, полученным посредством отражения от асимметричного кристаллического монохроматора и сопоставимым по размеру с поперечным сечением исследуемого кристалла, при этом воздействуют на исследуемый кристалл внешним электрическим полем, одновременно регистрируя серию изображений при каждом угловом положении кристалла при помощи двухкоординатного детектора и записывая получаемые двумерные изображения интенсивности излучения с последующим изменением величины напряженности внешнего электрического поля и повторением регистрации серии изображений, далее на основании полученных изображений формируют пятимерный массив данных, включающий данные о рентгеновской интенсивности, угловой отстройке исследуемого кристалла от максимума дифракционного отражения, вертикальной и горизонтальной пространственных координатах, а также напряженности электрического поля, после чего на основании полученного массива создают карты пространственного распределения параметров кривой дифракционного отражения, что позволяет определить зависимость изменения указанных параметров от величины напряженности внешнего электрического поля, выявить пространственное распределение электроиндуцированных деформаций, их величину, а также анизотропию перераспределения носителей заряда. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что рентгеновское излучение получено от источника, в качестве которого используют рентгеновскую трубку с длиной волны характеристической и тормозной части спектра излучения в диапазоне длин волн 0.02-0.4 нм. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве асимметричного кристаллического монохроматора рентгеновского излучения используют высокосовершенный монокристалл кремния с отражением 440, вырезанный асимметрично с коэффициентом асимметрии 0,025, уширяющий сечение предварительно сколлимированного пучка рентгеновского излучения в 40 раз. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что двухкоординатный детектор представляет собой полупроводниковый детектор с матрицей из теллурида кадмия (CdTe) с размером пикселя 55 мкм. 5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что воздействие на кристалл осуществляется электрическим полем с напряженностью в диапазоне до 5 кВ."