Изобретения

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния. Способ анизотропного плазменного травления кремния включает циклический двухшаговый процесс травления, состоящий из чередующихся шагов анизотропного плазмохимического травления и пассивации, в котором на шаге травления проводят травление кремния в плазме SF6, а на шаге пассивации на поверхностях формируемой микроструктуры создают пассивирующую пленку, при этом на шаге пассивации в качестве пассивирующей пленки на вскрытых поверхностях кремния формируют либо слой SiNx, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме N2, либо слой SiOxNy, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме смеси O2/N2 с процентным содержанием азота в диапазоне 10-100%. Изобретение обеспечивает возможность анизотропного травления кремния при температуре, близкой по значению к комнатной, поскольку отсутствует необходимость глубокого охлаждения и термостабилизации пластины в технологической камере при криогенных температурах. 1 з.п. ф-лы.

ФТИАН

Изобретение относится к устройствам и способам для измерения характеристик электрических ракетных двигателей (ЭРД): тяги, плотности плазмы и скорости потока. Устройство содержит полый диэлектрический стержень, на одном конце которого установлена приемная пластина-мишень, на другом - опорный элемент, корпус, тензометрический датчик и электронную схему, при этом приемная пластина-мишень является одновременно коллектором зонда Ленгмюра, а площадь коллектора равна площади приемной пластины-мишени, интерфейсный разъем для подключения к источнику напряжения и блоку вычислений, внутри полого диэлектрического стержня проходит проводник, соединенный с приемной пластиной-мишенью, электронная схема, соединяющаяся с тензометрическим датчиком, проводником и с интерфейсным разъемом, размещена внутри корпуса и содержит блоки нормализации сигналов от тензометрического датчика и зонда Ленгмюра с внутренним стабилизатором напряжений питания, в нижней части корпуса прикрепляется экранирующая трубка и расположенный в ее полости тензометрический датчик. Технический результат - мишень, воспринимающая плазменный поток ЭРД, одновременно является зондом Ленгмюра, имеет небольшой размер и не оказывает заметного влияния на параметры потока. 1. Устройство измерения параметров потока плазмы электрических ракетных двигателей (ЭРД), характеризующееся тем, что содержит рычажный элемент, представляющий собой полый диэлектрический стержень, на одном конце которого жестко установлена приемная пластина-мишень, на другом опорный элемент - корпус, выполненный с возможностью закрепления на стенде электрических ракетных двигателей, тензометрический датчик и электронную схему, при этом приемная пластина-мишень является одновременно коллектором зонда Ленгмюра, причем площадь коллектора равна площади приемной пластины-мишени, на верхней части корпуса размещен интерфейсный разъем для подключения к источнику напряжения и блоку вычислений, внутри полого диэлектрического стержня проходит проводник, нижний конец которого электрически соединен с приемной пластиной-мишенью, причем электронная схема, соединяющаяся с тензометрическим датчиком, проводником и с интерфейсным разъемом, размещена внутри корпуса и включает в себя блоки нормализации сигналов от тензометрического датчика и зонда Ленгмюра с внутренним стабилизатором напряжений питания, в нижней части корпуса имеется прилив, к которому винтовым соединением прикрепляется экранирующая трубка и расположенный в ее полости тензометрический датчик, к которому винтовым соединением прикреплена верхняя часть полого диэлектрического стержня. 2. Способ измерения параметров потока плазмы электрических ракетных двигателей (ЭРД), характеризующийся совместной обработкой сигналов от тензометрического датчика и зонда Ленгмюра, при этом приемная пластина-мишень является одновременно коллектором зонда Ленгмюра, причем площадь коллектора равна площади приемной пластины-мишени, определение давления, плотности и скорости потока плазмы ЭРД осуществляют за счет регистрации в плоскости одной приемной пластины-мишени механических и электрических характеристик потока плазмы, а именно: силы давления и ионного тока.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к кристаллографии и кристаллохимии и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных детекторов ионизирующих излучений. Монокристаллы вольфрамата кадмия скалывают по плоскости спайности (010) и делают на ней укол индентором с нагрузкой 50-200 г. Образующиеся лучи розетки укола совпадают по направлению с осью [001] в этой же плоскости. Полученная информации о положении плоскости (010) и направлении оси [001] позволяет определить и направление оси [100], также лежащей в этой плоскости. Изобретение позволяет определять направление основных кристаллографических осей в монокристаллах CdWO4 без применения рентгеноструктурного анализа. 1 ил., 5 пр.

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН) (RU)

Изобретение относится к материалам квантовой электроники на основе смешанных кристаллов. Предложен кристаллический модулятор добротности для лазеров видимого спектрального диапазона из твердого раствора на основе монокристаллического фторида магния с добавкой фторидов иттрия и кобальта, соответствующего эмпирической формуле Mg1-x-yYxCoyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) состава, масс. %: MgF2 - 90-94,8; YF3 - 5,0; CoF2 - 0,2-5,0, или монокристаллического флюорита с добавлением тербия, соответствующего эмпирической формуле Ca1-x-yYxTbyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) состава, масс. %: CaF2 - 90- 94,8; YF3 - 5,0; TbF3 - 0,2-5,0, выращенные методом горизонтально направленной кристаллизации из расплава кристаллохимических систем MgF2-YF3-CoF3 или CaF2-YF3-TbF3 в графитовых тиглях соединений составов, масс. %: MgF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, CoF2 - 0,2-5,0 при температуре 1260°С и CaF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, TbF3 - 0,2-5,0 при температуре 1420°С с перегревами расплава в обоих случаях до 100°С в смешанной атмосфере Ar+F2 при избыточном давлении до 0,9 атм и протяжкой со скоростью 3 мм/ч через градиентную зону кристаллизации с последующим охлаждением 30°/ч. Технический результат - создание кристаллов пассивных затворов, с низкой интенсивностью насыщения поглощения, для модуляции добротности лазеров, в области 0,45-0,75 мкм. Кристаллический модулятор добротности для лазеров видимого спектрального диапазона, представляющий собой твердый раствор на основе монокристаллического фторида магния с добавкой фторидов иттрия и кобальта, соответствующего эмпирической формуле Mg1-x-yYxCoyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) следующего состава, масс. %: MgF2 - 90-94,8; YF3 - 5,0; CoF2 - 0,2-5,0, или монокристаллического флюорита с добавлением тербия, соответствующего эмпирической формуле Ca1-x-yYxTbyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) следующего состава, масс. %: CaF2 - 90-94,8; YF3 - 5,0; TbF3 - 0,2-5,0, выращенные методом горизонтально направленной кристаллизации из расплава кристаллохимических систем MgF2-YF3-CoF3 или CaF2-YF3-TbF3 в графитовых тиглях соединений составов, масс. %: MgF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, CoF2 - 0,2-5,0 при температуре 1260°С и CaF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, TbF3 - 0,2-5,0 при температуре 1420°С с перегревами расплава в обоих случаях до 100°С в смешанной атмосфере Ar+F2 при избыточном давлении до 0,9 атм и протяжкой со скоростью 3 мм/ч через градиентную зону кристаллизации с последующим охлаждением 30°/ч.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к биотехнологии. Предложен способ экспресс-анализа чувствительности дрожжей к ингибиторам, сопутствующим при производстве пищевой и алкогольной продукции, включающий подготовку тест-организмов, приготовление агаризированной питательной среды, представляющей собой виноградное или солодовое сусло, или среду YPD, или среду YPDF, нагревание ее до температуры 55°С, внесение в нее расчетного количества ингибитора и последующий розлив в стерильные чашки Петри. Посевы проводят путем десяти последовательных уколов иглой со споровой суспензией в толщу плотной среды на 1-2 мм вдоль одной линии на расстоянии 6-7 мм друг от друга. При одновременном использовании двух и более тест-организмов расстояние между посевом следующего тест-организма должно быть не менее 10 мм. Культивирование тест-организмов проводят при температуре 25±2°С в течение 2-х суток в зависимости от интенсивности роста и осуществляют учет результатов путем измерения и суммирования диаметров колонии, выросших на средах с ингибитором и без него; вычисляют угнетение роста дрожжей по представленной формуле. Изобретение обеспечивает возможность предварительной оценки чувствительности дрожжей к ингибиторам и эффективности применения витаминных и питательных препаратов в заданных условиях культивирования. 2 табл., 3 пр. Способ экспресс-анализа чувствительности дрожжей к ингибиторам, сопутствующим при производстве пищевой и алкогольной продукции, включающий подготовку тест-организмов, приготовление питательных сред, проведение посевов, культивирование тест-организмов, вычисление результатов, отличающийся в тем, что для подготовки тест-организмов используют биомассу двухсуточной культуры дрожжей толщиной не менее 1 мм, которая содержит не менее 50-60% почкующихся клеток и не более 5% мертвых, при этом в одном тестировании используют от 1-го до 6-ти тест-организмов одновременно, осуществляют приготовление питательных сред в агаризированной питательной среде, представляющей собой виноградное сусло, или солодовое сусло, или среду YPD, или среду YPDF, нагревая ее до температуры 55°С, вносят в нее расчетное количество ингибитора, предварительно растворенного в стерильной воде, перемешивают, а затем немедленно разливают в три стерильные чашки Петри, проводят посевы путем укола иглой со споровой суспензией, отбирают тест-организмы уколом в биомассу, перенося их в чашку Петри, при этом делают десять последовательных уколов в толщу плотной среды на 1-2 мм вдоль одной линии на расстоянии 6-7 мм друг от друга, при этом при одновременном использовании двух и более тест-организмов расстояние между посевом следующего тест-организма должно быть не менее 10 мм, проводят культивирование тест-организмов при температуре 25±2°С в течение 2-х суток в зависимости от интенсивности роста, при этом при слишком слабом росте тест-организмов и затруднении измерения диаметров колоний до 1 мм проводят дополнительный период культивирования в течение 48 ч, проводят учет результатов путем измерения и суммирования диаметров колонии, выросших на средах с ингибитором и без него, вычисляют угнетение роста дрожжей по формуле (СМ ПАТЕНТ)

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к технологиям структурирования пластин кремния и создания на них методами химической и лазерной обработки структур для исследования жидких сред методами гигантского комбинационного рассеяния и эквивалентных аналитических методов. Технической задачей способа является создание устройства, позволяющего обеспечить получение стабильных и воспроизводимых результатов при проведении измерений гигантского комбинационного рассеяния. Задача достигается в результате того, что в способе изготовления плазмонного микротитрационного планшета, включающем создание многослойной комплексной плазмонной структуры на подложке, методом лазерной абляции на подложке создают заранее выбранное количество ячеек, в центре каждой ячейки методом лазерной абляции создают кольцо с диаметром ? диаметра апертуры спектрометра комбинационного рассеяния (?50-100 мкм), которое является гидрофильным. 6 ил.

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)

Изобретение относится к микроскопии, а именно к рентгеновской микроскопии и может применяться, например, для создания проекционного рентгеновского микроскопа для проведения неразрушающего контроля и диагностики структур и процессов с высоким разрешением. Технический результат - обеспечение возможности создания проекционного рентгеновского микроскопа для проведения неразрушающего контроля и диагностики структур и процессов с высоким разрешением. В микрофокусном рентгеновском источнике, содержащем фемтосекундный лазер, зеркало, объектив, установленную на позиционере, снабженном двигателем, мишень и детектор излучения, по ходу лазерного луча установлено диэлектрическое зеркало, которое отражает инфракрасное излучение лазера в сторону мишени и пропускает излучение видимого диапазона в сторону цифровой камеры, за зеркалом по ходу инфракрасного излучения размещен объектив, снабженный соплом для поддувки газом, за которым по ходу инфракрасного излучения размещена на позиционере мишень в форме диска. Мишень обращена к излучению боковой поверхностью и совершает вращательное и возвратно-поступательное движение в направлении оси вращения. Лазер, цифровая камера, детектор рентгеновского излучения и двигатель позиционера подключены к управляющему компьютеру. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)

Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу изготовления высокопористого электрода микробного биотопливного элемента. Повышение удельной поверхности, механической прочности и электропроводности электрода является техническим результатом изобретения, который достигается тем, что готовят суспензию из хитозана концентрацией 1-2 мас.%, в которую добавляют оксид графена или углеродные нанотрубки в количестве 1-5% от массы полимера, или технический углерод в количестве 1-20% от массы полимера, с последующим перемешиванием, добавляют раствор глуатаровый альдегид в количестве 0,5-1,5% от массы полимера с последующим перемешиванием 3-5 мин со скоростью 100 об/мин, после чего полученную суспензию замораживают в жидком азоте до полного замерзания, высушивают в камере лиофильной сушки при давлении 0,220 бар 48 часов с понижением давления до 0,010 мбар и сушкой 2 часа. Полученный композиционный материал имеет размер пор 15-200 мкм, удельную площадь поверхности 5-8 м2/г, модуль Юнга 0,9-3,5 МПа, электропроводность 0,01-0,5 мСм, что обеспечивает эффективность электрода, применяемого для иммобилизации клеток микроорганизмов на нем. 2 ил., 3 пр. Способ изготовления высокопористого электрода микробного биотопливного элемента, включающий получение сузпензии из полимера - хитозана путем растворения его в 1,5-3% растворе уксусной кислоты с дальнейшим перемешиванием 150-200 об/мин до получения раствора с концентрацией 1-2 мас.%, добавление филлера, в качестве которого применяют восстановленный оксид графена или углеродные нанотрубки в количестве 1-5% от массы полимера или технический углерод в количестве 1-20% от массы полимера, перемешивание со скоростью 100-150 об/мин в течение 24 часов, обработку ультразвуком в течение 50-70 минут в случае использования углеродных нанотрубок или 10-20 мин в случаях использования восстановленного оксида графена или технического углерода, добавление в раствор глутарового альдегида в количестве 0,5-1,5% от массы полимера с последующим перемешиванием 3-5 мин со скоростью 100 об/мин, направленную заморозку в жидком азоте до полного замерзания, высушивание в камере лиофильной сушки при давлении 0,220 бар 48 часов с последующим понижением давления до 0,010 мбар и сушкой 2 часа.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к способам формирования гетероструктур, а именно графеновых структур, демонстрирующих спиновую поляризацию носителей заряда, которые могут быть использованы при создании сверхкомпактных спинтронных устройств. Техническим результатом является предельное уменьшение толщины функциональных графеновых структур со спин-поляризованными носителями заряда с сохранением устойчивости к окислению. Для его достижения предложен способ создания устойчивых к окислению сверхтонких графеновых структур со спин-поляризованными носителями заряда, заключающийся в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии путем осаждения Eu формируют поверхностную фазу Eu, представляющую собой субмонослойную периодическую структуру из атомов Eu, при этом, осаждение Eu производят на предварительно сформированную гетероструктуру Графен/SiO2/Si(001), в которой слой оксида кремния удаляют из-под графена путем отжига гетероструктуры при температуре Ts=950±20°С, при этом поверхностную фазу Eu 1?6 формируют под графеном на поверхности подложки Si(001) путем открытия заслонки ячейки Eu, обеспечивающего осаждение атомов Eu при давлении PEu=(0,3?10)?10-8 торр потока атомов Eu на гетероструктуру, поддерживаемую при температуре Ts=700±20°С, в течение времени, необходимого для формирования поверхностной фазы, после чего заслонку ячейки Eu закрывают, и гетероструктуру охлаждают до комнатной температуры. 3 ил. Способ создания устойчивых к окислению сверхтонких графеновых структур со спин-поляризованными носителями заряда, заключающийся в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии путем осаждения Eu формируют поверхностную фазу Eu, представляющую собой субмонослойную периодическую структуру из атомов Eu, отличающийся тем, что осаждение Eu производят на предварительно сформированную гетероструктуру Графен/SiO2/Si(001), в которой слой оксида кремния удаляют из-под графена путем отжига гетероструктуры при температуре Ts=950±20°С, при этом поверхностную фазу Eu 1?6 формируют под графеном на поверхности подложки Si(001) путем открытия заслонки ячейки Eu, обеспечивающего осаждение атомов Eu при давлении PEu=(0,3?10)?10-8 торр потока атомов Eu на гетероструктуру, поддерживаемую при температуре Ts=700±20°С, в течение времени, необходимого для формирования поверхностной фазы, после чего заслонку ячейки Eu закрывают, и гетероструктуру охлаждают до комнатной температуры.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области биотехнологии. Предложен трансформант дрожжей Komagataella phaffii, продуцирующий химозин альпака Vicugna pacos в активной форме и содержащий в хромосомной ДНК оптимизированный синтетический ген прохимозина альпака Vicugna pacos, нуклеотидная последовательность которого приведена в перечне последовательностей под номером SEQ ID NO: 1. Также предложен штамм K. phaffii N416 ВКПМ Y-5079 - продуцент химозина альпака Vicugna pacos в активной форме. Изобретение обеспечивает расширение арсенала дрожжевых рекомбинантных микроорганизмов, продуцирующих химозин в активной форме. 1. Трансформант дрожжей Komagataella phaffii - продуцент химозина альпака Vicugna pacos в активной форме, содержащий в хромосомной ДНК оптимизированный синтетический ген прохимозина альпака Vicugna pacos, нуклеотидная последовательность которого приведена в перечне последовательностей под номером SEQ ID NO: 1. 2. Штамм K. phaffii N416 ВКПМ Y-5079 - продуцент химозина альпака Vicugna pacos в активной форме.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)