Изобретение относится к материалам квантовой электроники на основе смешанных кристаллов. Предложен кристаллический модулятор добротности для лазеров видимого спектрального диапазона из твердого раствора на основе монокристаллического фторида магния с добавкой фторидов иттрия и кобальта, соответствующего эмпирической формуле Mg1-x-yYxCoyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) состава, масс. %: MgF2 - 90-94,8; YF3 - 5,0; CoF2 - 0,2-5,0, или монокристаллического флюорита с добавлением тербия, соответствующего эмпирической формуле Ca1-x-yYxTbyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) состава, масс. %: CaF2 - 90- 94,8; YF3 - 5,0; TbF3 - 0,2-5,0, выращенные методом горизонтально направленной кристаллизации из расплава кристаллохимических систем MgF2-YF3-CoF3 или CaF2-YF3-TbF3 в графитовых тиглях соединений составов, масс. %: MgF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, CoF2 - 0,2-5,0 при температуре 1260°С и CaF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, TbF3 - 0,2-5,0 при температуре 1420°С с перегревами расплава в обоих случаях до 100°С в смешанной атмосфере Ar+F2 при избыточном давлении до 0,9 атм и протяжкой со скоростью 3 мм/ч через градиентную зону кристаллизации с последующим охлаждением 30°/ч. Технический результат - создание кристаллов пассивных затворов, с низкой интенсивностью насыщения поглощения, для модуляции добротности лазеров, в области 0,45-0,75 мкм. Кристаллический модулятор добротности для лазеров видимого спектрального диапазона, представляющий собой твердый раствор на основе монокристаллического фторида магния с добавкой фторидов иттрия и кобальта, соответствующего эмпирической формуле Mg1-x-yYxCoyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) следующего состава, масс. %: MgF2 - 90-94,8; YF3 - 5,0; CoF2 - 0,2-5,0, или монокристаллического флюорита с добавлением тербия, соответствующего эмпирической формуле Ca1-x-yYxTbyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) следующего состава, масс. %: CaF2 - 90-94,8; YF3 - 5,0; TbF3 - 0,2-5,0, выращенные методом горизонтально направленной кристаллизации из расплава кристаллохимических систем MgF2-YF3-CoF3 или CaF2-YF3-TbF3 в графитовых тиглях соединений составов, масс. %: MgF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, CoF2 - 0,2-5,0 при температуре 1260°С и CaF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, TbF3 - 0,2-5,0 при температуре 1420°С с перегревами расплава в обоих случаях до 100°С в смешанной атмосфере Ar+F2 при избыточном давлении до 0,9 атм и протяжкой со скоростью 3 мм/ч через градиентную зону кристаллизации с последующим охлаждением 30°/ч.