|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
431
|
Патент 2492177
|
чистки рекомбинантного гормона роста человека, секретируемого дрожжами Saccharomyces cerevisiae в процессе их ферментации в соответствующих условиях. Осаждают целевой белок из освобожденной от биомассы культуральной жидкости путем либо подкисления до pH 2,9-4,0, либо добавлением полиэтиленгликоля 3000-6000 Да. Затем растворяют полученный осадок в подходящем растворителе. Осуществляют предварительную очистку целевого белка либо методом анионообменной хроматографии при pH 5,6, либо методом диафильтрации в присутствии 0,1-0,5 M хлористого натрия. Затем проводят основную очистку целевого белка методом анионообменной хроматографии при pH не менее 7,3 и гель-фильтрацию. Изобретение позволяет получить гормон роста, свободный от родственных белков, белков продуцента-хозяина и других примесей, таких как пигменты, с выходом до 60%. 8 пр.
Основное назначение
чистки рекомбинантного гормона роста человека, секретируемого дрожжами Saccharomyces cerevisiae в процессе их ферментации в соответствующих условиях. Осаждают целевой белок из освобожденной от биомассы культуральной жидкости путем либо подкисления до pH 2,9-4,0, либо добавлением полиэтиленгликоля 3000-6000 Да. Затем растворяют полученный осадок в подходящем растворителе. Осуществляют предварительную очистку целевого белка либо методом анионообменной хроматографии при pH 5,6, либо методом диафильтрации в присутствии 0,1-0,5 M хлористого натрия. Затем проводят основную очистку целевого белка методом анионообменной хроматографии при pH не менее 7,3 и гель-фильтрацию. Изобретение позволяет получить гормон роста, свободный от родственных белков, белков продуцента-хозяина и других примесей, таких как пигменты, с выходом до 60%. 8 пр.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
чистки рекомбинантного гормона роста человека, секретируемого дрожжами Saccharomyces cerevisiae в процессе их ферментации в соответствующих условиях. Осаждают целевой белок из освобожденной от биомассы культуральной жидкости путем либо подкисления до pH 2,9-4,0, либо добавлением полиэтиленгликоля 3000-6000 Да. Затем растворяют полученный осадок в подходящем растворителе. Осуществляют предварительную очистку целевого белка либо методом анионообменной хроматографии при pH 5,6, либо методом диафильтрации в присутствии 0,1-0,5 M хлористого натрия. Затем проводят основную очистку целевого белка методом анионообменной хроматографии при pH не менее 7,3 и гель-фильтрацию. Изобретение позволяет получить гормон роста, свободный от родственных белков, белков продуцента-хозяина и других примесей, таких как пигменты, с выходом до 60%. 8 пр.
Основное назначение
чистки рекомбинантного гормона роста человека, секретируемого дрожжами Saccharomyces cerevisiae в процессе их ферментации в соответствующих условиях. Осаждают целевой белок из освобожденной от биомассы культуральной жидкости путем либо подкисления до pH 2,9-4,0, либо добавлением полиэтиленгликоля 3000-6000 Да. Затем растворяют полученный осадок в подходящем растворителе. Осуществляют предварительную очистку целевого белка либо методом анионообменной хроматографии при pH 5,6, либо методом диафильтрации в присутствии 0,1-0,5 M хлористого натрия. Затем проводят основную очистку целевого белка методом анионообменной хроматографии при pH не менее 7,3 и гель-фильтрацию. Изобретение позволяет получить гормон роста, свободный от родственных белков, белков продуцента-хозяина и других примесей, таких как пигменты, с выходом до 60%. 8 пр.
|
||
|
432
|
Патент 2617766
|
Изобретение относится к области аналитической химии, нефтехимии, химии лаков и красок и предназначено для выделения вяжущего компонента из растворов битумных композиций, битумных эмульсий, битумных лаков, а также любых других смесей, содержащих в качестве вяжущего битумную составляющую и дальнейшего его анализа или использования. Способ выделения битумного вяжущего осуществляется из растворов и эмульсий, в которых весовое соотношение вяжущего компонента к растворителю составляет 1:0,3-10, а в качестве растворителя используется вода или углеводородный растворитель, имеющий температуру кипения не выше 300°С, либо их смесь. Способ включает первоначальную стадию отгона растворителя, последующую конденсацию растворителя и затем выделение и анализ битумного вяжущего, при этом отгон и конденсация растворителя осуществляется на роторно-пленочном испарителе при следующем поэтапном температурно-временном режиме: 1 ч с равномерным повышением температуры от 60 до 120°С (25 мм рт.ст.), 1 ч с равномерным повышением температуры от 120 до 160°С (25 мм рт.ст.), 2-4 ч при 160°С (1-5 мм рт.ст.). Способ позволяет проводить выделение вяжущих без изменения их свойств, измерять, исследовать и контролировать готовый продукт, взятый в необходимых количествах, на соответствие его действующим стандартам. 1. Способ выделения битумного вяжущего из растворов и эмульсий, в которых весовое соотношение вяжущего компонента к растворителю составляет 1:0,3-10, а в качестве растворителя используется углеводородный растворитель, имеющий температуру кипения не выше 300°С, либо его смесь с водой, либо вода, при этом процесс выделения включает первоначальную стадию отгона растворителя, последующую конденсацию растворителя и затем выделение и анализ битумного вяжущего, а стадии отгона и конденсации растворителя осуществляются на роторно-пленочном испарителе при следующем поэтапном температурно-временном режиме: 1 ч с равномерным повышением температуры от 60 до 120°С (25 мм рт.ст.), 1 ч с равномерным повышением температуры от 120 до 160°С (25 мм рт.ст.), 2-4 ч при 160°С (1-5 мм рт.ст.).
2. Способ по п.1, характеризующийся тем, что дополнительно включает стадию контрольного взвешивания выпарной емкости с анализируемым образцом до начала упаривания и стадию последовательного контрольного взвешивания выпарной емкости с анализируемым образцом после третьего часа упаривания, проводимые при комнатной температуре.
Основное назначение
Изобретение относится к области аналитической химии, нефтехимии, химии лаков и красок и предназначено для выделения вяжущего компонента из растворов битумных композиций, битумных эмульсий, битумных лаков, а также любых других смесей, содержащих в качестве вяжущего битумную составляющую и дальнейшего его анализа или использования. Способ выделения битумного вяжущего осуществляется из растворов и эмульсий, в которых весовое соотношение вяжущего компонента к растворителю составляет 1:0,3-10, а в качестве растворителя используется вода или углеводородный растворитель, имеющий температуру кипения не выше 300°С, либо их смесь. Способ включает первоначальную стадию отгона растворителя, последующую конденсацию растворителя и затем выделение и анализ битумного вяжущего, при этом отгон и конденсация растворителя осуществляется на роторно-пленочном испарителе при следующем поэтапном температурно-временном режиме: 1 ч с равномерным повышением температуры от 60 до 120°С (25 мм рт.ст.), 1 ч с равномерным повышением температуры от 120 до 160°С (25 мм рт.ст.), 2-4 ч при 160°С (1-5 мм рт.ст.). Способ позволяет проводить выделение вяжущих без изменения их свойств, измерять, исследовать и контролировать готовый продукт, взятый в необходимых количествах, на соответствие его действующим стандартам. 1. Способ выделения битумного вяжущего из растворов и эмульсий, в которых весовое соотношение вяжущего компонента к растворителю составляет 1:0,3-10, а в качестве растворителя используется углеводородный растворитель, имеющий температуру кипения не выше 300°С, либо его смесь с водой, либо вода, при этом процесс выделения включает первоначальную стадию отгона растворителя, последующую конденсацию растворителя и затем выделение и анализ битумного вяжущего, а стадии отгона и конденсации растворителя осуществляются на роторно-пленочном испарителе при следующем поэтапном температурно-временном режиме: 1 ч с равномерным повышением температуры от 60 до 120°С (25 мм рт.ст.), 1 ч с равномерным повышением температуры от 120 до 160°С (25 мм рт.ст.), 2-4 ч при 160°С (1-5 мм рт.ст.).
2. Способ по п.1, характеризующийся тем, что дополнительно включает стадию контрольного взвешивания выпарной емкости с анализируемым образцом до начала упаривания и стадию последовательного контрольного взвешивания выпарной емкости с анализируемым образцом после третьего часа упаривания, проводимые при комнатной температуре.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
|
1. Способ выделения битумного вяжущего из растворов и эмульсий, в которых весовое соотношение вяжущего компонента к растворителю составляет 1:0,3-10, а в качестве растворителя используется углеводородный растворитель, имеющий температуру кипения не выше 300°С, либо его смесь с водой, либо вода, при этом процесс выделения включает первоначальную стадию отгона растворителя, последующую конденсацию растворителя и затем выделение и анализ битумного вяжущего, а стадии отгона и конденсации растворителя осуществляются на роторно-пленочном испарителе при следующем поэтапном температурно-временном режиме: 1 ч с равномерным повышением температуры от 60 до 120°С (25 мм рт.ст.), 1 ч с равномерным повышением температуры от 120 до 160°С (25 мм рт.ст.), 2-4 ч при 160°С (1-5 мм рт.ст.).
2. Способ по п.1, характеризующийся тем, что дополнительно включает стадию контрольного взвешивания выпарной емкости с анализируемым образцом до начала упаривания и стадию последовательного контрольного взвешивания выпарной емкости с анализируемым образцом после третьего часа упаривания, проводимые при комнатной температуре.
Основное назначение
1. Способ выделения битумного вяжущего из растворов и эмульсий, в которых весовое соотношение вяжущего компонента к растворителю составляет 1:0,3-10, а в качестве растворителя используется углеводородный растворитель, имеющий температуру кипения не выше 300°С, либо его смесь с водой, либо вода, при этом процесс выделения включает первоначальную стадию отгона растворителя, последующую конденсацию растворителя и затем выделение и анализ битумного вяжущего, а стадии отгона и конденсации растворителя осуществляются на роторно-пленочном испарителе при следующем поэтапном температурно-временном режиме: 1 ч с равномерным повышением температуры от 60 до 120°С (25 мм рт.ст.), 1 ч с равномерным повышением температуры от 120 до 160°С (25 мм рт.ст.), 2-4 ч при 160°С (1-5 мм рт.ст.).
2. Способ по п.1, характеризующийся тем, что дополнительно включает стадию контрольного взвешивания выпарной емкости с анализируемым образцом до начала упаривания и стадию последовательного контрольного взвешивания выпарной емкости с анализируемым образцом после третьего часа упаривания, проводимые при комнатной температуре.
|
||
|
433
|
Патент 2396361
|
Изобретение относится к восстановлению физико-механических свойств металла корпусов энергетических реакторов. Для упрощения процесса восстановления физико-механических свойств после воздействия эксплуатационных факторов, снижения градиентов температур и количества дефектов в металле корпуса водо-водяного энергетического реактора (ВВЭР)-100 осуществляют теплоизоляцию наружной стенки корпуса, размещают нагреватели внутри корпуса, нагревают стенки корпуса со стороны внутренней поверхности, выдерживают и охлаждают, при этом нагрев ведут до температуры 400-580°С со скоростью не более 20 град/ч, выдержку осуществляют в течение 100-150 часов при градиенте температур между наружной и внутренней поверхностями корпуса не более 15°С, охлаждение ведут со скоростью 20 град/ч до температуры 300°С и со скоростью 30 град/ч до температуры 100°С и далее с выключенными нагревателями
Основное назначение
Изобретение относится к восстановлению физико-механических свойств металла корпусов энергетических реакторов. Для упрощения процесса восстановления физико-механических свойств после воздействия эксплуатационных факторов, снижения градиентов температур и количества дефектов в металле корпуса водо-водяного энергетического реактора (ВВЭР)-100 осуществляют теплоизоляцию наружной стенки корпуса, размещают нагреватели внутри корпуса, нагревают стенки корпуса со стороны внутренней поверхности, выдерживают и охлаждают, при этом нагрев ведут до температуры 400-580°С со скоростью не более 20 град/ч, выдержку осуществляют в течение 100-150 часов при градиенте температур между наружной и внутренней поверхностями корпуса не более 15°С, охлаждение ведут со скоростью 20 град/ч до температуры 300°С и со скоростью 30 град/ч до температуры 100°С и далее с выключенными нагревателями
|
Федеральное Государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (РНЦ "Курчатовский институт") (RU)
Основное назначение
Федеральное Государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (РНЦ "Курчатовский институт") (RU)
|
Изобретение относится к восстановлению физико-механических свойств металла корпусов энергетических реакторов. Для упрощения процесса восстановления физико-механических свойств после воздействия эксплуатационных факторов, снижения градиентов температур и количества дефектов в металле корпуса водо-водяного энергетического реактора (ВВЭР)-100 осуществляют теплоизоляцию наружной стенки корпуса, размещают нагреватели внутри корпуса, нагревают стенки корпуса со стороны внутренней поверхности, выдерживают и охлаждают, при этом нагрев ведут до температуры 400-580°С со скоростью не более 20 град/ч, выдержку осуществляют в течение 100-150 часов при градиенте температур между наружной и внутренней поверхностями корпуса не более 15°С, охлаждение ведут со скоростью 20 град/ч до температуры 300°С и со скоростью 30 град/ч до температуры 100°С и далее с выключенными нагревателями
Основное назначение
Изобретение относится к восстановлению физико-механических свойств металла корпусов энергетических реакторов. Для упрощения процесса восстановления физико-механических свойств после воздействия эксплуатационных факторов, снижения градиентов температур и количества дефектов в металле корпуса водо-водяного энергетического реактора (ВВЭР)-100 осуществляют теплоизоляцию наружной стенки корпуса, размещают нагреватели внутри корпуса, нагревают стенки корпуса со стороны внутренней поверхности, выдерживают и охлаждают, при этом нагрев ведут до температуры 400-580°С со скоростью не более 20 град/ч, выдержку осуществляют в течение 100-150 часов при градиенте температур между наружной и внутренней поверхностями корпуса не более 15°С, охлаждение ведут со скоростью 20 град/ч до температуры 300°С и со скоростью 30 град/ч до температуры 100°С и далее с выключенными нагревателями
|
||
|
434
|
Патент 2557386
|
Изобретение относится к восстановительной термической обработке узлов водо-водяных энергетических реакторов (ВВЭР) и направлено на повышение ресурса и обеспечение безопасной эксплуатации реакторов ВВЭР-1000. Указанный результат достигается тем, что способ восстановления физико-механических свойств материала внутрикорпусных устройств водо-водяного энергетического реактора после воздействия эксплуатационных факторов включает извлечение внутрикорпусных устройств из корпуса реактора и их последующую термообработку, предусматривающую нагрев, выдержку и охлаждение, при этом нагрев ведут до температуры 975-1025°C, выдержку осуществляют при этой температуре в течение 120-130 ч, а охлаждение ведут на воздухе. Способ восстановления физико-механических свойств материала внутрикорпусных устройств водо-водяного энергетического реактора ВВЭР-1000 после воздействия эксплуатационных факторов, включающий извлечение внутрикорпусных устройств из корпуса реактора и их последующую термообработку путем нагрева, выдержки и охлаждения, при этом нагрев ведут до температуры 975-1025°C, выдержку осуществляют при этой температуре в течение 120-130 ч, а охлаждение ведут на воздухе.
Основное назначение
Изобретение относится к восстановительной термической обработке узлов водо-водяных энергетических реакторов (ВВЭР) и направлено на повышение ресурса и обеспечение безопасной эксплуатации реакторов ВВЭР-1000. Указанный результат достигается тем, что способ восстановления физико-механических свойств материала внутрикорпусных устройств водо-водяного энергетического реактора после воздействия эксплуатационных факторов включает извлечение внутрикорпусных устройств из корпуса реактора и их последующую термообработку, предусматривающую нагрев, выдержку и охлаждение, при этом нагрев ведут до температуры 975-1025°C, выдержку осуществляют при этой температуре в течение 120-130 ч, а охлаждение ведут на воздухе. Способ восстановления физико-механических свойств материала внутрикорпусных устройств водо-водяного энергетического реактора ВВЭР-1000 после воздействия эксплуатационных факторов, включающий извлечение внутрикорпусных устройств из корпуса реактора и их последующую термообработку путем нагрева, выдержки и охлаждения, при этом нагрев ведут до температуры 975-1025°C, выдержку осуществляют при этой температуре в течение 120-130 ч, а охлаждение ведут на воздухе.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ восстановления физико-механических свойств материала внутрикорпусных устройств водо-водяного энергетического реактора ВВЭР-1000 после воздействия эксплуатационных факторов, включающий извлечение внутрикорпусных устройств из корпуса реактора и их последующую термообработку путем нагрева, выдержки и охлаждения, при этом нагрев ведут до температуры 975-1025°C, выдержку осуществляют при этой температуре в течение 120-130 ч, а охлаждение ведут на воздухе.
Основное назначение
Способ восстановления физико-механических свойств материала внутрикорпусных устройств водо-водяного энергетического реактора ВВЭР-1000 после воздействия эксплуатационных факторов, включающий извлечение внутрикорпусных устройств из корпуса реактора и их последующую термообработку путем нагрева, выдержки и охлаждения, при этом нагрев ведут до температуры 975-1025°C, выдержку осуществляют при этой температуре в течение 120-130 ч, а охлаждение ведут на воздухе.
|
||
|
435
|
Патент 2702112
|
Изобретение относится к способу восстановления данных в атомно-зондовой томографии, в частности, относящихся к построению масс-спектров. Способ заключается в последовательном применении методики определения масс ионов по их времени пролета от исследуемого образца, на который подается постоянное напряжение, до позиционно чувствительного детектора, находящегося на определенном расстоянии от образца, и последующей корректировке длин пролета и вкладов напряжения для каждого зарегистрированного иона, которая заключается в последовательном разбиении общего массива данных на основании координат ионов, номеров их регистрации, и подаваемого в момент их регистрации напряжения, с дальнейшим вычислением корректируемых параметров, путем сравнения значений масс выбранных пиков масс-спектров для атомов в ячейке разбиения с теоретически известным положением. Технический результат - увеличение точности определения масс ионов, выражаемое в увеличении разрешения получаемого масс-спектра. 1. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии, заключающийся в использовании базового метода восстановления, основанного на принципах времяпролетной масс-спектрометрии с последующим дополнительным расчетом, включающий корректировку длин пролета ионов и корректировку вкладов напряжений, отличающийся тем, что последовательно проводят следующие этапы с использованием ЭВМ:
a) базовое восстановление масс путем расчета масс по времени пролета, напряжению, подаваемому на образец в момент испарения, и длине пролета, вычисляемой по координатам регистрации иона на детекторе,
b) первая корректировка длин пролета путем разбиения массива данных, полученных на этапе (а), на части, каждая из которых соответствует набору атомов, удовлетворяющему координатам ячейки квадратного разбиения, накладываемого на плоскость детектора, с последующим восстановлением масс-спектров в каждой ячейке разбиения, соотнесением положения выбранного пика и его теоретического положения и дальнейшим перерасчетом длины пролета с целью совмещения выбранного пика масс-спектра, в результате чего формируют двумерную матрицу поправок,
c) бикубическая интерполяция длин пролета с использованием двумерной матрицы поправок, вычисленной на этапе (b),
d) вторая корректировка длин пролета путем разбиения массива данных, восстановленных с применением полученных на этапе (с) длин пролета, на новые массивы, в каждом из которых содержатся атомы, соответствующие диапазону номеров событий согласно их регистрации на детекторе, последующего восстановления масс-спектра для каждого диапазона и перерасчета длины пролета с целью совмещения ранее выбранного пика с его теоретическим положением, в результате чего формируется одномерный линейный массив поправок, каждый элемент которого соответствует вычисленной поправке для соответствующего диапазона номеров,
e) линейная интерполяция длин пролета по одномерному линейному массиву поправок, вычисленному на этапе (d),
f) опциональная корректировка напряжений путем разбиения массива данных, восстановленных с применением полученных на этапе (е) длин пролета, на наборы, в каждом из которых содержатся атомы, соответствующие диапазону напряжений, последующего восстановления масс-спектра для каждого диапазона и последующего перерасчета напряжения с целью совмещения дополнительно выбранного пика с его теоретическим положением на масс-спектре, в результате чего формируется одномерный линейный массив поправок, каждый элемент которого соответствует вычисленной поправке для соответствующего диапазона напряжений,
g) линейная интерполяция напряжений по массиву поправок, вычисленному на этапе (f), восстановление и построение финального масс-спектра с восстановленными таким образом массами атомов.
2. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии по п. 1, отличающийся тем, что увеличение точности определения масс ионов, выражаемое в увеличении разрешения получаемого масс-спектра, достигается за счет последовательного разбиения общего массива данных на основании координат длин пролета ионов, номеров их регистрации, и подаваемого в момент их регистрации напряжения, с дальнейшим вычислением корректируемых параметров, путем сравнения значений масс выбранных пиков масс-спектров для атомов в ячейке разбиения с теоретически известным положением.
3. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии по любому из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что этапы (а)-(g) выполняются следующим образом:
а) с целью вычисления массы каждого регистрируемого атома проводится обработка полученных после исследования образца данных, касающихся массива значений координат на поверхности детектора X и Y, времен пролета Т, и напряжений, подаваемых на образец в момент регистрации иона U, при помощи базового метода восстановления масс по формуле 2:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000013-m.jpg
где m - масса иона, z - заряд иона, U - напряжение, подаваемое на образец, Т - время пролета иона, е - заряд электрона, mР - масса, соответствующая 1 а.е.м., L - длина траектории иона, вычисленная по формуле 3:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000014.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где X и Y - координаты регистрации иона на поверхности позиционно чувствительного детектора, D - расстояние от образца до детектора;
b) разбивка данных, полученных на этапе (а), на наборы по геометрическому положению места регистрации иона на плоскости детектора X, Y с помощью квадратной сетки, где наборы данных представляют собой последовательности указателей на атомы: {At1, At2, At3, … Atn}, где каждый атом - At1,2,3…n - структура, представляющая набор значений X, Y, М, где X, Y – координаты, соответствующие местоположению регистрации иона на позиционно-чувствительном детекторе, а М - его масса, координаты которых удовлетворяют координатам квадратной ячейки; при этом для каждого набора-ячейки, число событий в котором превышает 2000 атомов, строится масс-спектр, положение максимума основного пика отдельного элемента или изотопа сравнивается с его теоретическим положением в зоне поиска с допуском ±1 а.е.м при помощи алгоритма поиска максимума и дальнейшее вычисление поправки длины пролета ?L, основываясь на разнице значений массы к заряду теоретического и фактического положений пика отдельного элемента или изотопа, по формуле 4:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000015-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где М - фактическое положение максимума заданного пика, a Mth - теоретическое положение максимума данного пика; где полученные поправки образуют двумерную матрицу поправок, привязанных к координатам ячеек-разбиений,
c) интерполяция длин пролета атомов с помощью двумерной матрицы поправок, полученной на стадии (b), при помощи метода бикубической интерполяции на основании X, Y координат зарегистрированных атомов и последующий пересчет масс атомов по формуле (2) с включенной в L поправкой ?L так, что новое значение L равно сумме старого значения L и ?L, и построение нового масс-спектра и набора данных с удалением ячеек-разбиения, полученных на стадии (b);
d) разбиение полученных на этапе (с) данных по номеру регистрации атома на новые наборы данных, представляющие собой диапазоны в среднем по 5000 событий; где для каждого диапазона, как и на этапе (b), строится масс-спектр, который, в свою очередь, снова корректируется при помощи формулы (4) по основному пику отдельного элемента или изотопа, в результате чего получают линейный одномерный массив поправок;
e) полученный на этапе (d) линейный одномерный массив поправок используется как опорный для линейной интерполяции длин пролета, с пересчетом масс атомов по формуле (2) с включенной в L поправкой ?L так, что новое значение L равно сумме старого значения L и ?L, и построением нового масс-спектра с удалением диапазонов, полученных на стадии (d);
f) опциональная корректировка путем разбивки полученных после этапа (е) данных на диапазоны по напряжениям, где для каждого диапазона строятся масс-спектры положения максимума выбранного пика отдельного элемента или изотопа, которые снова сравниваются с теоретическим положением и последующая корректировка вклада напряжения https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000016-m.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) по формуле (5):
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000017-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
в результате чего получают линейный одномерный массив поправок;
g) линейная интерполяция показателей напряжений по опорным значениям, заданным вычисленными на стадии (f) поправками, где массы атомов пересчитываются по формуле (2) с включенной в U поправкой ?U так, что новое значение U равно сумме старого значения U и ?U, и построение финального масс-спектра.
Основное назначение
Изобретение относится к способу восстановления данных в атомно-зондовой томографии, в частности, относящихся к построению масс-спектров. Способ заключается в последовательном применении методики определения масс ионов по их времени пролета от исследуемого образца, на который подается постоянное напряжение, до позиционно чувствительного детектора, находящегося на определенном расстоянии от образца, и последующей корректировке длин пролета и вкладов напряжения для каждого зарегистрированного иона, которая заключается в последовательном разбиении общего массива данных на основании координат ионов, номеров их регистрации, и подаваемого в момент их регистрации напряжения, с дальнейшим вычислением корректируемых параметров, путем сравнения значений масс выбранных пиков масс-спектров для атомов в ячейке разбиения с теоретически известным положением. Технический результат - увеличение точности определения масс ионов, выражаемое в увеличении разрешения получаемого масс-спектра. 1. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии, заключающийся в использовании базового метода восстановления, основанного на принципах времяпролетной масс-спектрометрии с последующим дополнительным расчетом, включающий корректировку длин пролета ионов и корректировку вкладов напряжений, отличающийся тем, что последовательно проводят следующие этапы с использованием ЭВМ:
a) базовое восстановление масс путем расчета масс по времени пролета, напряжению, подаваемому на образец в момент испарения, и длине пролета, вычисляемой по координатам регистрации иона на детекторе,
b) первая корректировка длин пролета путем разбиения массива данных, полученных на этапе (а), на части, каждая из которых соответствует набору атомов, удовлетворяющему координатам ячейки квадратного разбиения, накладываемого на плоскость детектора, с последующим восстановлением масс-спектров в каждой ячейке разбиения, соотнесением положения выбранного пика и его теоретического положения и дальнейшим перерасчетом длины пролета с целью совмещения выбранного пика масс-спектра, в результате чего формируют двумерную матрицу поправок,
c) бикубическая интерполяция длин пролета с использованием двумерной матрицы поправок, вычисленной на этапе (b),
d) вторая корректировка длин пролета путем разбиения массива данных, восстановленных с применением полученных на этапе (с) длин пролета, на новые массивы, в каждом из которых содержатся атомы, соответствующие диапазону номеров событий согласно их регистрации на детекторе, последующего восстановления масс-спектра для каждого диапазона и перерасчета длины пролета с целью совмещения ранее выбранного пика с его теоретическим положением, в результате чего формируется одномерный линейный массив поправок, каждый элемент которого соответствует вычисленной поправке для соответствующего диапазона номеров,
e) линейная интерполяция длин пролета по одномерному линейному массиву поправок, вычисленному на этапе (d),
f) опциональная корректировка напряжений путем разбиения массива данных, восстановленных с применением полученных на этапе (е) длин пролета, на наборы, в каждом из которых содержатся атомы, соответствующие диапазону напряжений, последующего восстановления масс-спектра для каждого диапазона и последующего перерасчета напряжения с целью совмещения дополнительно выбранного пика с его теоретическим положением на масс-спектре, в результате чего формируется одномерный линейный массив поправок, каждый элемент которого соответствует вычисленной поправке для соответствующего диапазона напряжений,
g) линейная интерполяция напряжений по массиву поправок, вычисленному на этапе (f), восстановление и построение финального масс-спектра с восстановленными таким образом массами атомов.
2. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии по п. 1, отличающийся тем, что увеличение точности определения масс ионов, выражаемое в увеличении разрешения получаемого масс-спектра, достигается за счет последовательного разбиения общего массива данных на основании координат длин пролета ионов, номеров их регистрации, и подаваемого в момент их регистрации напряжения, с дальнейшим вычислением корректируемых параметров, путем сравнения значений масс выбранных пиков масс-спектров для атомов в ячейке разбиения с теоретически известным положением.
3. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии по любому из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что этапы (а)-(g) выполняются следующим образом:
а) с целью вычисления массы каждого регистрируемого атома проводится обработка полученных после исследования образца данных, касающихся массива значений координат на поверхности детектора X и Y, времен пролета Т, и напряжений, подаваемых на образец в момент регистрации иона U, при помощи базового метода восстановления масс по формуле 2:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000013-m.jpg
где m - масса иона, z - заряд иона, U - напряжение, подаваемое на образец, Т - время пролета иона, е - заряд электрона, mР - масса, соответствующая 1 а.е.м., L - длина траектории иона, вычисленная по формуле 3:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000014.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где X и Y - координаты регистрации иона на поверхности позиционно чувствительного детектора, D - расстояние от образца до детектора;
b) разбивка данных, полученных на этапе (а), на наборы по геометрическому положению места регистрации иона на плоскости детектора X, Y с помощью квадратной сетки, где наборы данных представляют собой последовательности указателей на атомы: {At1, At2, At3, … Atn}, где каждый атом - At1,2,3…n - структура, представляющая набор значений X, Y, М, где X, Y – координаты, соответствующие местоположению регистрации иона на позиционно-чувствительном детекторе, а М - его масса, координаты которых удовлетворяют координатам квадратной ячейки; при этом для каждого набора-ячейки, число событий в котором превышает 2000 атомов, строится масс-спектр, положение максимума основного пика отдельного элемента или изотопа сравнивается с его теоретическим положением в зоне поиска с допуском ±1 а.е.м при помощи алгоритма поиска максимума и дальнейшее вычисление поправки длины пролета ?L, основываясь на разнице значений массы к заряду теоретического и фактического положений пика отдельного элемента или изотопа, по формуле 4:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000015-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где М - фактическое положение максимума заданного пика, a Mth - теоретическое положение максимума данного пика; где полученные поправки образуют двумерную матрицу поправок, привязанных к координатам ячеек-разбиений,
c) интерполяция длин пролета атомов с помощью двумерной матрицы поправок, полученной на стадии (b), при помощи метода бикубической интерполяции на основании X, Y координат зарегистрированных атомов и последующий пересчет масс атомов по формуле (2) с включенной в L поправкой ?L так, что новое значение L равно сумме старого значения L и ?L, и построение нового масс-спектра и набора данных с удалением ячеек-разбиения, полученных на стадии (b);
d) разбиение полученных на этапе (с) данных по номеру регистрации атома на новые наборы данных, представляющие собой диапазоны в среднем по 5000 событий; где для каждого диапазона, как и на этапе (b), строится масс-спектр, который, в свою очередь, снова корректируется при помощи формулы (4) по основному пику отдельного элемента или изотопа, в результате чего получают линейный одномерный массив поправок;
e) полученный на этапе (d) линейный одномерный массив поправок используется как опорный для линейной интерполяции длин пролета, с пересчетом масс атомов по формуле (2) с включенной в L поправкой ?L так, что новое значение L равно сумме старого значения L и ?L, и построением нового масс-спектра с удалением диапазонов, полученных на стадии (d);
f) опциональная корректировка путем разбивки полученных после этапа (е) данных на диапазоны по напряжениям, где для каждого диапазона строятся масс-спектры положения максимума выбранного пика отдельного элемента или изотопа, которые снова сравниваются с теоретическим положением и последующая корректировка вклада напряжения https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000016-m.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) по формуле (5):
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000017-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
в результате чего получают линейный одномерный массив поправок;
g) линейная интерполяция показателей напряжений по опорным значениям, заданным вычисленными на стадии (f) поправками, где массы атомов пересчитываются по формуле (2) с включенной в U поправкой ?U так, что новое значение U равно сумме старого значения U и ?U, и построение финального масс-спектра.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии, заключающийся в использовании базового метода восстановления, основанного на принципах времяпролетной масс-спектрометрии с последующим дополнительным расчетом, включающий корректировку длин пролета ионов и корректировку вкладов напряжений, отличающийся тем, что последовательно проводят следующие этапы с использованием ЭВМ:
a) базовое восстановление масс путем расчета масс по времени пролета, напряжению, подаваемому на образец в момент испарения, и длине пролета, вычисляемой по координатам регистрации иона на детекторе,
b) первая корректировка длин пролета путем разбиения массива данных, полученных на этапе (а), на части, каждая из которых соответствует набору атомов, удовлетворяющему координатам ячейки квадратного разбиения, накладываемого на плоскость детектора, с последующим восстановлением масс-спектров в каждой ячейке разбиения, соотнесением положения выбранного пика и его теоретического положения и дальнейшим перерасчетом длины пролета с целью совмещения выбранного пика масс-спектра, в результате чего формируют двумерную матрицу поправок,
c) бикубическая интерполяция длин пролета с использованием двумерной матрицы поправок, вычисленной на этапе (b),
d) вторая корректировка длин пролета путем разбиения массива данных, восстановленных с применением полученных на этапе (с) длин пролета, на новые массивы, в каждом из которых содержатся атомы, соответствующие диапазону номеров событий согласно их регистрации на детекторе, последующего восстановления масс-спектра для каждого диапазона и перерасчета длины пролета с целью совмещения ранее выбранного пика с его теоретическим положением, в результате чего формируется одномерный линейный массив поправок, каждый элемент которого соответствует вычисленной поправке для соответствующего диапазона номеров,
e) линейная интерполяция длин пролета по одномерному линейному массиву поправок, вычисленному на этапе (d),
f) опциональная корректировка напряжений путем разбиения массива данных, восстановленных с применением полученных на этапе (е) длин пролета, на наборы, в каждом из которых содержатся атомы, соответствующие диапазону напряжений, последующего восстановления масс-спектра для каждого диапазона и последующего перерасчета напряжения с целью совмещения дополнительно выбранного пика с его теоретическим положением на масс-спектре, в результате чего формируется одномерный линейный массив поправок, каждый элемент которого соответствует вычисленной поправке для соответствующего диапазона напряжений,
g) линейная интерполяция напряжений по массиву поправок, вычисленному на этапе (f), восстановление и построение финального масс-спектра с восстановленными таким образом массами атомов.
2. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии по п. 1, отличающийся тем, что увеличение точности определения масс ионов, выражаемое в увеличении разрешения получаемого масс-спектра, достигается за счет последовательного разбиения общего массива данных на основании координат длин пролета ионов, номеров их регистрации, и подаваемого в момент их регистрации напряжения, с дальнейшим вычислением корректируемых параметров, путем сравнения значений масс выбранных пиков масс-спектров для атомов в ячейке разбиения с теоретически известным положением.
3. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии по любому из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что этапы (а)-(g) выполняются следующим образом:
а) с целью вычисления массы каждого регистрируемого атома проводится обработка полученных после исследования образца данных, касающихся массива значений координат на поверхности детектора X и Y, времен пролета Т, и напряжений, подаваемых на образец в момент регистрации иона U, при помощи базового метода восстановления масс по формуле 2:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000013-m.jpg
где m - масса иона, z - заряд иона, U - напряжение, подаваемое на образец, Т - время пролета иона, е - заряд электрона, mР - масса, соответствующая 1 а.е.м., L - длина траектории иона, вычисленная по формуле 3:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000014.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где X и Y - координаты регистрации иона на поверхности позиционно чувствительного детектора, D - расстояние от образца до детектора;
b) разбивка данных, полученных на этапе (а), на наборы по геометрическому положению места регистрации иона на плоскости детектора X, Y с помощью квадратной сетки, где наборы данных представляют собой последовательности указателей на атомы: {At1, At2, At3, … Atn}, где каждый атом - At1,2,3…n - структура, представляющая набор значений X, Y, М, где X, Y – координаты, соответствующие местоположению регистрации иона на позиционно-чувствительном детекторе, а М - его масса, координаты которых удовлетворяют координатам квадратной ячейки; при этом для каждого набора-ячейки, число событий в котором превышает 2000 атомов, строится масс-спектр, положение максимума основного пика отдельного элемента или изотопа сравнивается с его теоретическим положением в зоне поиска с допуском ±1 а.е.м при помощи алгоритма поиска максимума и дальнейшее вычисление поправки длины пролета ?L, основываясь на разнице значений массы к заряду теоретического и фактического положений пика отдельного элемента или изотопа, по формуле 4:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000015-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где М - фактическое положение максимума заданного пика, a Mth - теоретическое положение максимума данного пика; где полученные поправки образуют двумерную матрицу поправок, привязанных к координатам ячеек-разбиений,
c) интерполяция длин пролета атомов с помощью двумерной матрицы поправок, полученной на стадии (b), при помощи метода бикубической интерполяции на основании X, Y координат зарегистрированных атомов и последующий пересчет масс атомов по формуле (2) с включенной в L поправкой ?L так, что новое значение L равно сумме старого значения L и ?L, и построение нового масс-спектра и набора данных с удалением ячеек-разбиения, полученных на стадии (b);
d) разбиение полученных на этапе (с) данных по номеру регистрации атома на новые наборы данных, представляющие собой диапазоны в среднем по 5000 событий; где для каждого диапазона, как и на этапе (b), строится масс-спектр, который, в свою очередь, снова корректируется при помощи формулы (4) по основному пику отдельного элемента или изотопа, в результате чего получают линейный одномерный массив поправок;
e) полученный на этапе (d) линейный одномерный массив поправок используется как опорный для линейной интерполяции длин пролета, с пересчетом масс атомов по формуле (2) с включенной в L поправкой ?L так, что новое значение L равно сумме старого значения L и ?L, и построением нового масс-спектра с удалением диапазонов, полученных на стадии (d);
f) опциональная корректировка путем разбивки полученных после этапа (е) данных на диапазоны по напряжениям, где для каждого диапазона строятся масс-спектры положения максимума выбранного пика отдельного элемента или изотопа, которые снова сравниваются с теоретическим положением и последующая корректировка вклада напряжения https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000016-m.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) по формуле (5):
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000017-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
в результате чего получают линейный одномерный массив поправок;
g) линейная интерполяция показателей напряжений по опорным значениям, заданным вычисленными на стадии (f) поправками, где массы атомов пересчитываются по формуле (2) с включенной в U поправкой ?U так, что новое значение U равно сумме старого значения U и ?U, и построение финального масс-спектра.
Основное назначение
1. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии, заключающийся в использовании базового метода восстановления, основанного на принципах времяпролетной масс-спектрометрии с последующим дополнительным расчетом, включающий корректировку длин пролета ионов и корректировку вкладов напряжений, отличающийся тем, что последовательно проводят следующие этапы с использованием ЭВМ:
a) базовое восстановление масс путем расчета масс по времени пролета, напряжению, подаваемому на образец в момент испарения, и длине пролета, вычисляемой по координатам регистрации иона на детекторе,
b) первая корректировка длин пролета путем разбиения массива данных, полученных на этапе (а), на части, каждая из которых соответствует набору атомов, удовлетворяющему координатам ячейки квадратного разбиения, накладываемого на плоскость детектора, с последующим восстановлением масс-спектров в каждой ячейке разбиения, соотнесением положения выбранного пика и его теоретического положения и дальнейшим перерасчетом длины пролета с целью совмещения выбранного пика масс-спектра, в результате чего формируют двумерную матрицу поправок,
c) бикубическая интерполяция длин пролета с использованием двумерной матрицы поправок, вычисленной на этапе (b),
d) вторая корректировка длин пролета путем разбиения массива данных, восстановленных с применением полученных на этапе (с) длин пролета, на новые массивы, в каждом из которых содержатся атомы, соответствующие диапазону номеров событий согласно их регистрации на детекторе, последующего восстановления масс-спектра для каждого диапазона и перерасчета длины пролета с целью совмещения ранее выбранного пика с его теоретическим положением, в результате чего формируется одномерный линейный массив поправок, каждый элемент которого соответствует вычисленной поправке для соответствующего диапазона номеров,
e) линейная интерполяция длин пролета по одномерному линейному массиву поправок, вычисленному на этапе (d),
f) опциональная корректировка напряжений путем разбиения массива данных, восстановленных с применением полученных на этапе (е) длин пролета, на наборы, в каждом из которых содержатся атомы, соответствующие диапазону напряжений, последующего восстановления масс-спектра для каждого диапазона и последующего перерасчета напряжения с целью совмещения дополнительно выбранного пика с его теоретическим положением на масс-спектре, в результате чего формируется одномерный линейный массив поправок, каждый элемент которого соответствует вычисленной поправке для соответствующего диапазона напряжений,
g) линейная интерполяция напряжений по массиву поправок, вычисленному на этапе (f), восстановление и построение финального масс-спектра с восстановленными таким образом массами атомов.
2. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии по п. 1, отличающийся тем, что увеличение точности определения масс ионов, выражаемое в увеличении разрешения получаемого масс-спектра, достигается за счет последовательного разбиения общего массива данных на основании координат длин пролета ионов, номеров их регистрации, и подаваемого в момент их регистрации напряжения, с дальнейшим вычислением корректируемых параметров, путем сравнения значений масс выбранных пиков масс-спектров для атомов в ячейке разбиения с теоретически известным положением.
3. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии по любому из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что этапы (а)-(g) выполняются следующим образом:
а) с целью вычисления массы каждого регистрируемого атома проводится обработка полученных после исследования образца данных, касающихся массива значений координат на поверхности детектора X и Y, времен пролета Т, и напряжений, подаваемых на образец в момент регистрации иона U, при помощи базового метода восстановления масс по формуле 2:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000013-m.jpg
где m - масса иона, z - заряд иона, U - напряжение, подаваемое на образец, Т - время пролета иона, е - заряд электрона, mР - масса, соответствующая 1 а.е.м., L - длина траектории иона, вычисленная по формуле 3:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000014.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где X и Y - координаты регистрации иона на поверхности позиционно чувствительного детектора, D - расстояние от образца до детектора;
b) разбивка данных, полученных на этапе (а), на наборы по геометрическому положению места регистрации иона на плоскости детектора X, Y с помощью квадратной сетки, где наборы данных представляют собой последовательности указателей на атомы: {At1, At2, At3, … Atn}, где каждый атом - At1,2,3…n - структура, представляющая набор значений X, Y, М, где X, Y – координаты, соответствующие местоположению регистрации иона на позиционно-чувствительном детекторе, а М - его масса, координаты которых удовлетворяют координатам квадратной ячейки; при этом для каждого набора-ячейки, число событий в котором превышает 2000 атомов, строится масс-спектр, положение максимума основного пика отдельного элемента или изотопа сравнивается с его теоретическим положением в зоне поиска с допуском ±1 а.е.м при помощи алгоритма поиска максимума и дальнейшее вычисление поправки длины пролета ?L, основываясь на разнице значений массы к заряду теоретического и фактического положений пика отдельного элемента или изотопа, по формуле 4:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000015-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где М - фактическое положение максимума заданного пика, a Mth - теоретическое положение максимума данного пика; где полученные поправки образуют двумерную матрицу поправок, привязанных к координатам ячеек-разбиений,
c) интерполяция длин пролета атомов с помощью двумерной матрицы поправок, полученной на стадии (b), при помощи метода бикубической интерполяции на основании X, Y координат зарегистрированных атомов и последующий пересчет масс атомов по формуле (2) с включенной в L поправкой ?L так, что новое значение L равно сумме старого значения L и ?L, и построение нового масс-спектра и набора данных с удалением ячеек-разбиения, полученных на стадии (b);
d) разбиение полученных на этапе (с) данных по номеру регистрации атома на новые наборы данных, представляющие собой диапазоны в среднем по 5000 событий; где для каждого диапазона, как и на этапе (b), строится масс-спектр, который, в свою очередь, снова корректируется при помощи формулы (4) по основному пику отдельного элемента или изотопа, в результате чего получают линейный одномерный массив поправок;
e) полученный на этапе (d) линейный одномерный массив поправок используется как опорный для линейной интерполяции длин пролета, с пересчетом масс атомов по формуле (2) с включенной в L поправкой ?L так, что новое значение L равно сумме старого значения L и ?L, и построением нового масс-спектра с удалением диапазонов, полученных на стадии (d);
f) опциональная корректировка путем разбивки полученных после этапа (е) данных на диапазоны по напряжениям, где для каждого диапазона строятся масс-спектры положения максимума выбранного пика отдельного элемента или изотопа, которые снова сравниваются с теоретическим положением и последующая корректировка вклада напряжения https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000016-m.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) по формуле (5):
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000017-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
в результате чего получают линейный одномерный массив поправок;
g) линейная интерполяция показателей напряжений по опорным значениям, заданным вычисленными на стадии (f) поправками, где массы атомов пересчитываются по формуле (2) с включенной в U поправкой ?U так, что новое значение U равно сумме старого значения U и ?U, и построение финального масс-спектра.
|
||
|
436
|
Патент 2843894
|
Использование: для изготовления интегральных схем, приборов микро и наноэлектроники на основе кремния и других полупроводников. Сущность изобретения заключается в том, что способ атомно-слоевого травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, реализуемый на оборудовании для плазмохимического травления микроэлектронных структур, оснащенном удаленным ВЧ-источником сильно ионизованной плазмы низкого давления с генератором с частотой в диапазоне 1-50 МГц и независимым генератором ВЧ-смещения, позволяющим подавать на обрабатываемую кремниевую пластину потенциал смещения в диапазоне 20-200 В при температуре пластины +10 - +50°С, представляющий собой циклический двухшаговый процесс, в котором выполняют последовательно два шага: шаг модификации поверхности диэлектрика, в плазме смеси газов CF4, Н2 и Ar при давлении в камере реактора 1-100 мТорр и шаг активации реакции на поверхности диэлектрика, при этом на шаге активации реакции применяют плазму ксенона. Технический результат: обеспечение возможности анизотропного травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью с высокой точностью. 1. Способ атомно-слоевого травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, реализуемый на оборудовании для плазмохимического травления микроэлектронных структур, оснащенном удаленным ВЧ-источником сильно ионизованной плазмы низкого давления с генератором с частотой в диапазоне 1-50 МГц и независимым генератором ВЧ-смещения, позволяющим подавать на обрабатываемую кремниевую пластину потенциал смещения в диапазоне 20-200 В при температуре пластины +10 - +50°С, представляющий собой циклический двухшаговый процесс, в котором выполняют последовательно два шага: шаг модификации поверхности диэлектрика, в плазме смеси газов CF4, Н2 и Ar при давлении в камере реактора 1-100 мТорр и шаг активации реакции на поверхности диэлектрика, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму ксенона.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму смеси ксенона и аргона, обеспечивающую минимизацию паразитного распыления диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью в процессе атомно-слоевого травления.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что между шагами циклического процесса добавляют шаг продувки камеры реактора смесью ксенона и аргона длительностью от 0,5 до 30 с, что обеспечивает повышение синергии процессов на шагах модификации поверхности диэлектрика и активации реакции.
Основное назначение
Использование: для изготовления интегральных схем, приборов микро и наноэлектроники на основе кремния и других полупроводников. Сущность изобретения заключается в том, что способ атомно-слоевого травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, реализуемый на оборудовании для плазмохимического травления микроэлектронных структур, оснащенном удаленным ВЧ-источником сильно ионизованной плазмы низкого давления с генератором с частотой в диапазоне 1-50 МГц и независимым генератором ВЧ-смещения, позволяющим подавать на обрабатываемую кремниевую пластину потенциал смещения в диапазоне 20-200 В при температуре пластины +10 - +50°С, представляющий собой циклический двухшаговый процесс, в котором выполняют последовательно два шага: шаг модификации поверхности диэлектрика, в плазме смеси газов CF4, Н2 и Ar при давлении в камере реактора 1-100 мТорр и шаг активации реакции на поверхности диэлектрика, при этом на шаге активации реакции применяют плазму ксенона. Технический результат: обеспечение возможности анизотропного травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью с высокой точностью. 1. Способ атомно-слоевого травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, реализуемый на оборудовании для плазмохимического травления микроэлектронных структур, оснащенном удаленным ВЧ-источником сильно ионизованной плазмы низкого давления с генератором с частотой в диапазоне 1-50 МГц и независимым генератором ВЧ-смещения, позволяющим подавать на обрабатываемую кремниевую пластину потенциал смещения в диапазоне 20-200 В при температуре пластины +10 - +50°С, представляющий собой циклический двухшаговый процесс, в котором выполняют последовательно два шага: шаг модификации поверхности диэлектрика, в плазме смеси газов CF4, Н2 и Ar при давлении в камере реактора 1-100 мТорр и шаг активации реакции на поверхности диэлектрика, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму ксенона.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму смеси ксенона и аргона, обеспечивающую минимизацию паразитного распыления диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью в процессе атомно-слоевого травления.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что между шагами циклического процесса добавляют шаг продувки камеры реактора смесью ксенона и аргона длительностью от 0,5 до 30 с, что обеспечивает повышение синергии процессов на шагах модификации поверхности диэлектрика и активации реакции.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ атомно-слоевого травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, реализуемый на оборудовании для плазмохимического травления микроэлектронных структур, оснащенном удаленным ВЧ-источником сильно ионизованной плазмы низкого давления с генератором с частотой в диапазоне 1-50 МГц и независимым генератором ВЧ-смещения, позволяющим подавать на обрабатываемую кремниевую пластину потенциал смещения в диапазоне 20-200 В при температуре пластины +10 - +50°С, представляющий собой циклический двухшаговый процесс, в котором выполняют последовательно два шага: шаг модификации поверхности диэлектрика, в плазме смеси газов CF4, Н2 и Ar при давлении в камере реактора 1-100 мТорр и шаг активации реакции на поверхности диэлектрика, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму ксенона.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму смеси ксенона и аргона, обеспечивающую минимизацию паразитного распыления диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью в процессе атомно-слоевого травления.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что между шагами циклического процесса добавляют шаг продувки камеры реактора смесью ксенона и аргона длительностью от 0,5 до 30 с, что обеспечивает повышение синергии процессов на шагах модификации поверхности диэлектрика и активации реакции.
Основное назначение
1. Способ атомно-слоевого травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, реализуемый на оборудовании для плазмохимического травления микроэлектронных структур, оснащенном удаленным ВЧ-источником сильно ионизованной плазмы низкого давления с генератором с частотой в диапазоне 1-50 МГц и независимым генератором ВЧ-смещения, позволяющим подавать на обрабатываемую кремниевую пластину потенциал смещения в диапазоне 20-200 В при температуре пластины +10 - +50°С, представляющий собой циклический двухшаговый процесс, в котором выполняют последовательно два шага: шаг модификации поверхности диэлектрика, в плазме смеси газов CF4, Н2 и Ar при давлении в камере реактора 1-100 мТорр и шаг активации реакции на поверхности диэлектрика, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму ксенона.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму смеси ксенона и аргона, обеспечивающую минимизацию паразитного распыления диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью в процессе атомно-слоевого травления.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что между шагами циклического процесса добавляют шаг продувки камеры реактора смесью ксенона и аргона длительностью от 0,5 до 30 с, что обеспечивает повышение синергии процессов на шагах модификации поверхности диэлектрика и активации реакции.
|
||
|
437
|
Патент 2796239
|
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния. Способ анизотропного плазменного травления кремния включает циклический двухшаговый процесс травления, состоящий из чередующихся шагов анизотропного плазмохимического травления и пассивации, в котором на шаге травления проводят травление кремния в плазме SF6, а на шаге пассивации на поверхностях формируемой микроструктуры создают пассивирующую пленку, при этом на шаге пассивации в качестве пассивирующей пленки на вскрытых поверхностях кремния формируют либо слой SiNx, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме N2, либо слой SiOxNy, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме смеси O2/N2 с процентным содержанием азота в диапазоне 10-100%. Изобретение обеспечивает возможность анизотропного травления кремния при температуре, близкой по значению к комнатной, поскольку отсутствует необходимость глубокого охлаждения и термостабилизации пластины в технологической камере при криогенных температурах. 1 з.п. ф-лы.
Основное назначение
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния. Способ анизотропного плазменного травления кремния включает циклический двухшаговый процесс травления, состоящий из чередующихся шагов анизотропного плазмохимического травления и пассивации, в котором на шаге травления проводят травление кремния в плазме SF6, а на шаге пассивации на поверхностях формируемой микроструктуры создают пассивирующую пленку, при этом на шаге пассивации в качестве пассивирующей пленки на вскрытых поверхностях кремния формируют либо слой SiNx, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме N2, либо слой SiOxNy, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме смеси O2/N2 с процентным содержанием азота в диапазоне 10-100%. Изобретение обеспечивает возможность анизотропного травления кремния при температуре, близкой по значению к комнатной, поскольку отсутствует необходимость глубокого охлаждения и термостабилизации пластины в технологической камере при криогенных температурах. 1 з.п. ф-лы.
|
ФТИАН
Основное назначение
ФТИАН
|
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния. Способ анизотропного плазменного травления кремния включает циклический двухшаговый процесс травления, состоящий из чередующихся шагов анизотропного плазмохимического травления и пассивации, в котором на шаге травления проводят травление кремния в плазме SF6, а на шаге пассивации на поверхностях формируемой микроструктуры создают пассивирующую пленку, при этом на шаге пассивации в качестве пассивирующей пленки на вскрытых поверхностях кремния формируют либо слой SiNx, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме N2, либо слой SiOxNy, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме смеси O2/N2 с процентным содержанием азота в диапазоне 10-100%. Изобретение обеспечивает возможность анизотропного травления кремния при температуре, близкой по значению к комнатной, поскольку отсутствует необходимость глубокого охлаждения и термостабилизации пластины в технологической камере при криогенных температурах. 1 з.п. ф-лы.
Основное назначение
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния. Способ анизотропного плазменного травления кремния включает циклический двухшаговый процесс травления, состоящий из чередующихся шагов анизотропного плазмохимического травления и пассивации, в котором на шаге травления проводят травление кремния в плазме SF6, а на шаге пассивации на поверхностях формируемой микроструктуры создают пассивирующую пленку, при этом на шаге пассивации в качестве пассивирующей пленки на вскрытых поверхностях кремния формируют либо слой SiNx, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме N2, либо слой SiOxNy, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме смеси O2/N2 с процентным содержанием азота в диапазоне 10-100%. Изобретение обеспечивает возможность анизотропного травления кремния при температуре, близкой по значению к комнатной, поскольку отсутствует необходимость глубокого охлаждения и термостабилизации пластины в технологической камере при криогенных температурах. 1 з.п. ф-лы.
|
||
|
438
|
Патент 2691758
|
Использование: изобретение относится к технологии изготовления транзисторов, интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния. Способ анизотропного плазменного травления кремния представляет собой циклический двухшаговый процесс травление-пассивация, характеризующийся тем, что на шаге пассивации в качестве пассивирующей пленки на поверхностях формируемой микроструктуры используется слой SiO2, создаваемый реакцией окисления кремния в плазме O2. С целью предотвращения изменения состава пассивирующей пленки и для лучшего разделения во времени стадий травления и пассивации, а также предотвращения образования в объеме реактора смеси SF6 и O2, в которой не происходит эффективная пассивация поверхности слоем оксида кремния, используются шаги откачки между шагами травления и пассивации длительностью от 0,5 до 10 с. Техническим результатом является обеспечение анизотропного травления кремния при температуре, близкой по значению к комнатной. Преимуществом данного способа является отсутствие необходимости охлаждения и термостабилизации пластины в технологической камере при криогенных температурах, а также отсутствие загрязнений формируемой микроструктуры фтор-полимерными пленками, что позволяет исключить необходимость использования дополнительных технологических операций для очистки сформированных кремниевых микроструктур от загрязнений полимерами. 2 з.п. ф-лы.
Основное назначение
Использование: изобретение относится к технологии изготовления транзисторов, интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния. Способ анизотропного плазменного травления кремния представляет собой циклический двухшаговый процесс травление-пассивация, характеризующийся тем, что на шаге пассивации в качестве пассивирующей пленки на поверхностях формируемой микроструктуры используется слой SiO2, создаваемый реакцией окисления кремния в плазме O2. С целью предотвращения изменения состава пассивирующей пленки и для лучшего разделения во времени стадий травления и пассивации, а также предотвращения образования в объеме реактора смеси SF6 и O2, в которой не происходит эффективная пассивация поверхности слоем оксида кремния, используются шаги откачки между шагами травления и пассивации длительностью от 0,5 до 10 с. Техническим результатом является обеспечение анизотропного травления кремния при температуре, близкой по значению к комнатной. Преимуществом данного способа является отсутствие необходимости охлаждения и термостабилизации пластины в технологической камере при криогенных температурах, а также отсутствие загрязнений формируемой микроструктуры фтор-полимерными пленками, что позволяет исключить необходимость использования дополнительных технологических операций для очистки сформированных кремниевых микроструктур от загрязнений полимерами. 2 з.п. ф-лы.
|
ФТИАН
Основное назначение
ФТИАН
|
Использование: изобретение относится к технологии изготовления транзисторов, интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния. Способ анизотропного плазменного травления кремния представляет собой циклический двухшаговый процесс травление-пассивация, характеризующийся тем, что на шаге пассивации в качестве пассивирующей пленки на поверхностях формируемой микроструктуры используется слой SiO2, создаваемый реакцией окисления кремния в плазме O2. С целью предотвращения изменения состава пассивирующей пленки и для лучшего разделения во времени стадий травления и пассивации, а также предотвращения образования в объеме реактора смеси SF6 и O2, в которой не происходит эффективная пассивация поверхности слоем оксида кремния, используются шаги откачки между шагами травления и пассивации длительностью от 0,5 до 10 с. Техническим результатом является обеспечение анизотропного травления кремния при температуре, близкой по значению к комнатной. Преимуществом данного способа является отсутствие необходимости охлаждения и термостабилизации пластины в технологической камере при криогенных температурах, а также отсутствие загрязнений формируемой микроструктуры фтор-полимерными пленками, что позволяет исключить необходимость использования дополнительных технологических операций для очистки сформированных кремниевых микроструктур от загрязнений полимерами. 2 з.п. ф-лы.
Основное назначение
Использование: изобретение относится к технологии изготовления транзисторов, интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния. Способ анизотропного плазменного травления кремния представляет собой циклический двухшаговый процесс травление-пассивация, характеризующийся тем, что на шаге пассивации в качестве пассивирующей пленки на поверхностях формируемой микроструктуры используется слой SiO2, создаваемый реакцией окисления кремния в плазме O2. С целью предотвращения изменения состава пассивирующей пленки и для лучшего разделения во времени стадий травления и пассивации, а также предотвращения образования в объеме реактора смеси SF6 и O2, в которой не происходит эффективная пассивация поверхности слоем оксида кремния, используются шаги откачки между шагами травления и пассивации длительностью от 0,5 до 10 с. Техническим результатом является обеспечение анизотропного травления кремния при температуре, близкой по значению к комнатной. Преимуществом данного способа является отсутствие необходимости охлаждения и термостабилизации пластины в технологической камере при криогенных температурах, а также отсутствие загрязнений формируемой микроструктуры фтор-полимерными пленками, что позволяет исключить необходимость использования дополнительных технологических операций для очистки сформированных кремниевых микроструктур от загрязнений полимерами. 2 з.п. ф-лы.
|
||
|
439
|
Патент 2611395
|
Изобретение относится к аддитивным технологиям, биотехнологии и медицине, а именно к cпособу получения трехмерных конструкций в объеме полимеризуемого материала. Способ характеризуется тем, что осуществляют облучение фотоктиватора глубоко проникающим в полимеризуемую композицию непрерывным источником света ближнего ИК-диапазона, что приводит к активации процесса полимеризации посредством безызлучательного резонансного переноса энергии от наночастицы на фотоинициатор, при этом фотоактиватор представляет собой молекулярный комплекс, состоящий из апконвертирующей наночастицы NaYF4:Yb3+,Tm3+, обладающей антистоксовой люминесценцией в ультрафиолетовой (УФ) и синей области спектра. Способ позволяет исключить радиационную нагрузку цитотоксичного ультрафиолетового излучения и применять фотоактиватор для создания полимерных композиций в объеме, содержащем клеточные культуры. Изобретение может быть использовано для создания различных тканеинженерных конструкций, матриц для индивидуальных биоактивных имплантов и искусственных органов. 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к аддитивным технологиям, биотехнологии и медицине, а именно к cпособу получения трехмерных конструкций в объеме полимеризуемого материала. Способ характеризуется тем, что осуществляют облучение фотоктиватора глубоко проникающим в полимеризуемую композицию непрерывным источником света ближнего ИК-диапазона, что приводит к активации процесса полимеризации посредством безызлучательного резонансного переноса энергии от наночастицы на фотоинициатор, при этом фотоактиватор представляет собой молекулярный комплекс, состоящий из апконвертирующей наночастицы NaYF4:Yb3+,Tm3+, обладающей антистоксовой люминесценцией в ультрафиолетовой (УФ) и синей области спектра. Способ позволяет исключить радиационную нагрузку цитотоксичного ультрафиолетового излучения и применять фотоактиватор для создания полимерных композиций в объеме, содержащем клеточные культуры. Изобретение может быть использовано для создания различных тканеинженерных конструкций, матриц для индивидуальных биоактивных имплантов и искусственных органов. 3 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
|
Изобретение относится к аддитивным технологиям, биотехнологии и медицине, а именно к cпособу получения трехмерных конструкций в объеме полимеризуемого материала. Способ характеризуется тем, что осуществляют облучение фотоктиватора глубоко проникающим в полимеризуемую композицию непрерывным источником света ближнего ИК-диапазона, что приводит к активации процесса полимеризации посредством безызлучательного резонансного переноса энергии от наночастицы на фотоинициатор, при этом фотоактиватор представляет собой молекулярный комплекс, состоящий из апконвертирующей наночастицы NaYF4:Yb3+,Tm3+, обладающей антистоксовой люминесценцией в ультрафиолетовой (УФ) и синей области спектра. Способ позволяет исключить радиационную нагрузку цитотоксичного ультрафиолетового излучения и применять фотоактиватор для создания полимерных композиций в объеме, содержащем клеточные культуры. Изобретение может быть использовано для создания различных тканеинженерных конструкций, матриц для индивидуальных биоактивных имплантов и искусственных органов. 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к аддитивным технологиям, биотехнологии и медицине, а именно к cпособу получения трехмерных конструкций в объеме полимеризуемого материала. Способ характеризуется тем, что осуществляют облучение фотоктиватора глубоко проникающим в полимеризуемую композицию непрерывным источником света ближнего ИК-диапазона, что приводит к активации процесса полимеризации посредством безызлучательного резонансного переноса энергии от наночастицы на фотоинициатор, при этом фотоактиватор представляет собой молекулярный комплекс, состоящий из апконвертирующей наночастицы NaYF4:Yb3+,Tm3+, обладающей антистоксовой люминесценцией в ультрафиолетовой (УФ) и синей области спектра. Способ позволяет исключить радиационную нагрузку цитотоксичного ультрафиолетового излучения и применять фотоактиватор для создания полимерных композиций в объеме, содержащем клеточные культуры. Изобретение может быть использовано для создания различных тканеинженерных конструкций, матриц для индивидуальных биоактивных имплантов и искусственных органов. 3 ил.
|
||
|
440
|
Патент 2604228
|
Изобретение относится к способу аккумулирования водорода и может быть использовано в химической промышленности для переработки углеводородных газов, а также в системах транспорта и водородных технологий. Нагретый поток, содержащий водяной пар и низшие алканы, имеющие от одного до четырех атомов углерода, пропускают через адиабатический реактор, заполненный насадкой катализатора. Затем из нагретого потока водород выводят путем диффузии через герметичную металлическую стенку в капсулу, в которой проводят поглощение водорода реакционным газом. Обеспечивается снижение расхода энергоресурсов, уменьшение затрат на прокачку и потери, связанные с выбросом избыточного тепла в атмосферу, снижение затрат на получение и аккумулирование водорода. 1. Способ аккумулирования водорода, в котором нагретый поток, содержащий водяной пар и низшие алканы, имеющие от одного до четырех атомов углерода, пропускают через адиабатический реактор, заполненный насадкой катализатора, а затем из потока выводят водород, отличающийся тем, что водород выводят путем диффузии через герметичную металлическую стенку в капсулу, в которой проводят поглощение водорода реакционным газом.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что капсула выполнена выемной с возможностью диффузионного выпуска водорода.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после адиабатического реактора выводят из потока водяной пар и диоксид углерода.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед нагревом потока проводят очистку потока от соединений серы.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после вывода водорода охлаждение потока ведут в теплообменнике за счет получения водяного пара.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в адиабатическом реакторе поддерживают температуру в диапазоне 600°С-900°С.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что низший алкан представляет собой метан.
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что давление потока выбирают в диапазоне 2,0 -12,0 МПа.
9. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в нагретый поток, содержащий водяной пар и низшие алканы, подводят кислород, получаемый из воздуха путем отделения от азота, который подают на заполнение капсулы в качестве реакционного газа.
10. Способ по п. 1, отличающийся тем, что капсулу заполняют бензолом в качестве реакционного газа.
11. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве источника водяного пара используют ядерный реактор.
12. Способ по п. 1, отличающийся тем, что капсула содержит катализатор поглощения водорода.
Основное назначение
Изобретение относится к способу аккумулирования водорода и может быть использовано в химической промышленности для переработки углеводородных газов, а также в системах транспорта и водородных технологий. Нагретый поток, содержащий водяной пар и низшие алканы, имеющие от одного до четырех атомов углерода, пропускают через адиабатический реактор, заполненный насадкой катализатора. Затем из нагретого потока водород выводят путем диффузии через герметичную металлическую стенку в капсулу, в которой проводят поглощение водорода реакционным газом. Обеспечивается снижение расхода энергоресурсов, уменьшение затрат на прокачку и потери, связанные с выбросом избыточного тепла в атмосферу, снижение затрат на получение и аккумулирование водорода. 1. Способ аккумулирования водорода, в котором нагретый поток, содержащий водяной пар и низшие алканы, имеющие от одного до четырех атомов углерода, пропускают через адиабатический реактор, заполненный насадкой катализатора, а затем из потока выводят водород, отличающийся тем, что водород выводят путем диффузии через герметичную металлическую стенку в капсулу, в которой проводят поглощение водорода реакционным газом.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что капсула выполнена выемной с возможностью диффузионного выпуска водорода.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после адиабатического реактора выводят из потока водяной пар и диоксид углерода.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед нагревом потока проводят очистку потока от соединений серы.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после вывода водорода охлаждение потока ведут в теплообменнике за счет получения водяного пара.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в адиабатическом реакторе поддерживают температуру в диапазоне 600°С-900°С.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что низший алкан представляет собой метан.
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что давление потока выбирают в диапазоне 2,0 -12,0 МПа.
9. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в нагретый поток, содержащий водяной пар и низшие алканы, подводят кислород, получаемый из воздуха путем отделения от азота, который подают на заполнение капсулы в качестве реакционного газа.
10. Способ по п. 1, отличающийся тем, что капсулу заполняют бензолом в качестве реакционного газа.
11. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве источника водяного пара используют ядерный реактор.
12. Способ по п. 1, отличающийся тем, что капсула содержит катализатор поглощения водорода.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ аккумулирования водорода, в котором нагретый поток, содержащий водяной пар и низшие алканы, имеющие от одного до четырех атомов углерода, пропускают через адиабатический реактор, заполненный насадкой катализатора, а затем из потока выводят водород, отличающийся тем, что водород выводят путем диффузии через герметичную металлическую стенку в капсулу, в которой проводят поглощение водорода реакционным газом.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что капсула выполнена выемной с возможностью диффузионного выпуска водорода.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после адиабатического реактора выводят из потока водяной пар и диоксид углерода.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед нагревом потока проводят очистку потока от соединений серы.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после вывода водорода охлаждение потока ведут в теплообменнике за счет получения водяного пара.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в адиабатическом реакторе поддерживают температуру в диапазоне 600°С-900°С.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что низший алкан представляет собой метан.
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что давление потока выбирают в диапазоне 2,0 -12,0 МПа.
9. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в нагретый поток, содержащий водяной пар и низшие алканы, подводят кислород, получаемый из воздуха путем отделения от азота, который подают на заполнение капсулы в качестве реакционного газа.
10. Способ по п. 1, отличающийся тем, что капсулу заполняют бензолом в качестве реакционного газа.
11. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве источника водяного пара используют ядерный реактор.
12. Способ по п. 1, отличающийся тем, что капсула содержит катализатор поглощения водорода.
Основное назначение
1. Способ аккумулирования водорода, в котором нагретый поток, содержащий водяной пар и низшие алканы, имеющие от одного до четырех атомов углерода, пропускают через адиабатический реактор, заполненный насадкой катализатора, а затем из потока выводят водород, отличающийся тем, что водород выводят путем диффузии через герметичную металлическую стенку в капсулу, в которой проводят поглощение водорода реакционным газом.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что капсула выполнена выемной с возможностью диффузионного выпуска водорода.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после адиабатического реактора выводят из потока водяной пар и диоксид углерода.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед нагревом потока проводят очистку потока от соединений серы.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после вывода водорода охлаждение потока ведут в теплообменнике за счет получения водяного пара.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в адиабатическом реакторе поддерживают температуру в диапазоне 600°С-900°С.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что низший алкан представляет собой метан.
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что давление потока выбирают в диапазоне 2,0 -12,0 МПа.
9. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в нагретый поток, содержащий водяной пар и низшие алканы, подводят кислород, получаемый из воздуха путем отделения от азота, который подают на заполнение капсулы в качестве реакционного газа.
10. Способ по п. 1, отличающийся тем, что капсулу заполняют бензолом в качестве реакционного газа.
11. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве источника водяного пара используют ядерный реактор.
12. Способ по п. 1, отличающийся тем, что капсула содержит катализатор поглощения водорода.
|
||