Изобретения

Изобретение относится к физике высокотемпературной плазмы и может найти применение в управляемом термоядерном синтезе, в радиационном материаловедении, для исследований в физике космической плазмы. В заявленном изобретении используется механизм неиндукционной генерации тороидального затравочного тока за счет нагрева ионов малой добавки, движущихся по потато орбитам, при помощи широкополосного генератора излучения на ионно-циклотронной частоте в конечной области близи магнитной оси установки. Техническим результатом является создание затравочного тока, необходимо для создания стационарного токамака-реактора. 1. Способ генерации неиндукционного тороидального затравочного тока при стационарной работе термоядерного реактора, включающий введение в формируемую в вакуумной камере реактора плазму излучения на ионно-циклотронной частоте и высокочастотный нагрев ионов, движущихся по потато орбитам, проходящим вблизи магнитной оси токамака, отличающийся тем, что дополнительно в плазму вводят ионы 3He, высокочастотный нагрев которых производят посредством широкополосного (?f=±0.04f0) излучения генератора ионной циклотронной частоты, причем нагрев осуществляют в области с радиусом до https://new.fips.ru/Archive//PAT/2014FULL/2014.04.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/510/678/00000006-m.gif Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) вблизи магнитной оси установки, где: A=R/a - аспектное отношение, https://new.fips.ru/Archive//PAT/2014FULL/2014.04.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/510/678/00000002-m.gif Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) ?i - ларморовскии радиус иона, q - коэффициент запаса устойчивости, R и a - большой и малый радиусы токамака. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при формировании плазмы вакуумную камеру реактора заполняют смесью дейтерия, трития, а ионы 3He добавляют в количестве от 1 до 5% относительно количества ионов основной плазмы.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к медицине и может быть использовано для прогнозирования риска развития болезни Альцгеймера (БА) у лиц с мягким когнитивным снижением (MCI). Определяют в крови маркеры системного воспаления: С-реактивный белок (СРБ), интерлейкины IL-1?, IL-8, фактор некроза опухоли TNF?. Устанавливают выраженность системного воспаления: 0 баллов, если уровень всех маркеров системного воспаления ниже референтных значений; 1 балл, если уровень 1 из маркеров системного воспаления выше референтных значений; 2 балла, если уровень 2 и более маркеров системного воспаления выше референтных значений. При оценке в 2 балла определяют наличие системного воспаления и проводят через полгода определение в крови общего иммуноглобулина G (IgG). Если уровень IgG ниже 10,0 г/л, определяют повышенный риск развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI. Если уровень IgG выше 10,0 г/л, определяют низкий риск развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI. Способ обеспечивает прогнозирование развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI за счет определения степени иммуновоспалительных нарушений путем выявления в крови больного уровня маркеров гуморального иммунитета, цитокинов и хемокинов, белков острой фазы. Способ выявления повышенного риска развития болезни Альцгеймера у лиц с амнестическим мягким когнитивным снижением (aMCI), включающий определение в крови маркеров системного воспаления: С-реактивного белка (СРБ), интерлейкинов IL-1?, IL-8, фактора некроза опухоли TNF?, далее устанавливают выраженность системного воспаления: 0 баллов, если уровень всех маркеров системного воспаления ниже референтных значений; 1 балл, если уровень 1 из маркеров системного воспаления выше референтных значений; 2 балла, если уровень 2 и более маркеров системного воспаления выше референтных значений, при оценке в 2 балла определяют наличие системного воспаления и проводят обследование через полгода, включающее определение в крови общего иммуноглобулина G (IgG), если уровень IgG ниже 10,0 г/л, определяют повышенный риск развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI, если уровень IgG выше 10,0 г/л, определяют низкий риск развития болезни Альцгеймера.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, в частности тонких пленок на основе монооксида европия, и может быть использовано для создания устройств спинтроники, например спиновых транзисторов и инжекторов спин-поляризованного тока. Способ выращивания эпитаксиальной пленки монооксида европия EuO на кремниевой подложке включает формирование путем молекулярно-пучковой эпитаксии субмонослоя силицида европия при температуре подложки T=640-680°C и давлении потока атомов европия (1-7)?10-8 Торр, после чего сначала проводят осаждение монооксида европия при температуре подложки 340-380°C, давлении потока кислорода (0,2-3)·10-8 Торр и давлении потока атомов европия (1-4)·10-8 Торр, а затем - при температуре подложки 430-490°C, потоке кислорода с давлением (0,2-3)·10-8 Торр и потоке атомов европия с давлением (1-7)·10-8 Торр. Обеспечивается формирование эпитаксиальных пленок EuO на кремниевых подложках без буферного слоя с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии. 1. Способ выращивания эпитаксиальной пленки монооксида европия EuO на кремниевой подложке, отличающийся тем, что путем молекулярно-пучковой эпитаксии формируют субмонослой силицида европия при температуре подложки T=640-680°C и давлении потока атомов европия (1-7)?10-8 Торр, после чего проводят осаждение монооксида европия при температуре подложки 340-380°C, давлении потока кислорода (0,2-3)·10-8 Торр и давлении потока атомов европия (1-4)·10-8 Торр, а затем - при температуре подложки 430-490°C и потоке кислорода с давлением (0,2-3)·10-8 Торр и потоке атомов европия с давлением (1-7)·10-8 Торр. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после осаждения осуществляют отжиг пленки в вакууме в диапазоне температур T=500-560°C. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после осаждения при температуре подложки 340-380°C проводят отжиг пленки в вакууме в диапазоне температур T=490-520°C. 4. Способ по п. 2, отличающийся тем, что после осаждения при температуре подложки 340-380°C проводят отжиг пленки в вакууме в диапазоне температур T=490-520°C. 5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что осаждение при температуре подложки 340-380°C заканчивают по формировании слоя толщиной более 2 монослоев EuO на поверхности силицида европия.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно пленок монооксида европия на графене, и может быть использовано для создания таких устройств спинтроники, как спиновый транзистор и инжектор спин-поляризованных носителей. Способ выращивания эпитаксиальных пленок монооксида европия EuO на графене включает формирование субмонослоя европия с поверхностной фазой (V3xV3) методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности предварительно сформированной структуры монослой графена/подложка при температуре подложки Ts=20-100°С и давлении потока атомов европия PEu=(1?10-8-1?10-7) Торр, осаждение слоя монооксида европия EuO при температуре подложки Ts=20-100°C, давлении потока кислорода PO2=(1?10-9-1?10-8) Торр и давлении потока атомов европия PEu=(1?10-8-1?10-7) Торр, удовлетворяющих условию 10?PО2?PEu?11?PO2, до достижения необходимой толщины слоя монооксида европия EuO. В одном из вариантов осуществления изобретения после вышеперечисленых операций осаждают слой монооксида европия EuO при температуре подложки Ts=340-420°С, давлении потока кислорода PO2=(1?10-9-1?10-8) Торр и давлении потока атомов европия PEu=(1?10-8-1,5?10-7) Торр, удовлетворяющих условию 10?PO2?PEu?15?PO2, до достижения необходимой общей толщины слоя монооксида европия EuO. В частных случаях осуществления изобретения после осаждения пленки монооксида европия осуществляют ее отжиг в вакууме в диапазоне температур Ts=490-520оС. Обеспечивается формирование эпитаксиальных стехиометрических пленок монооксида европия толщиной более 5нм с высоким кристаллическим совершенством без включений фаз высших оксидов на графене, что позволяет получить магнитные состояния в графене для создания таких технических устройств, как одноэлектронный транзистор и спиновый фильтр. Формула изобретения 1. Способ выращивания эпитаксиальных пленок монооксида европия EuO на графене, включающий формирование субмонослоя европия с поверхностной фазой (V3xV3) методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности предварительно сформированной структуры монослой графена/подложка при температуре подложки Ts=20-100°С и давлении потока атомов европия PEu=(1?10-8-1?10-7) Торр, осаждение слоя монооксида европия EuO при температуре подложки Ts=20-100°C, давлении потока кислорода PO2=(1?10-9-1?10-8) Торр и давлении потока атомов европия PEu=(1?10-8-1?10-7) Торр, удовлетворяющих условию 10?PО2?PEu?11?PO2, до достижения необходимой толщины слоя монооксида европия EuO. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после осаждения пленки монооксида европия EuO осуществляют ее отжиг в вакууме в диапазоне температур Ts=490-520°С. 3. Способ выращивания эпитаксиальных пленок монооксида европия EuO на графене, включающий формирование субмонослоя европия с поверхностной фазой (V3xV3) методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности предварительно сформированной структуры монослой графена/подложка при температуре подложки Ts=20-100°С и давлении потока атомов европия PEu=(1?10-8-1?10-7) Торр, осаждение слоя монооксида европия EuO при температуре подложки Ts=20-100°С, давлении потока кислорода РО2=(1?10-9-1?10-8) Торр и давлении потока атомов европия PEu=(1?10-8-1,1?10-7) Торр, удовлетворяющих условию 10?PO2?PEu?11?PO2, после чего осаждают слой монооксида европия EuO при температуре подложки Ts=340-420°С, давлении потока кислорода PO2=(1?10-9-1?10-8) Торр и давлении потока атомов европия PEu=(1?10-8-1,5?10-7) Торр, удовлетворяющих условию 10?PO2?PEu?15?PO2, до достижения необходимой общей толщины слоя монооксида европия EuO. 4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что после осаждения пленки монооксида европия EuO осуществляют ее отжиг в вакууме в диапазоне температур Ts=490-520°С.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно новой фазы дисилицида стронция, обладающего в контакте с кремнием низкой высотой барьера Шоттки, и может быть использовано для создания контактов истока/стока в технологии производства полевых транзисторов с барьером Шоттки. Способ выращивания эпитаксиальных пленок дисилицида стронция на кремниевой подложке методом молекулярно-лучевой эпитаксии заключается в осаждении атомарного потока стронция с давлением PSr=(0,5?3)?10-8 Торр на предварительно очищенную и нагретую до Ts=500±20°С поверхность подложки кремния до формирования пленки дисилицида стронция требуемой толщины. Техническим результатом заявленного изобретения является создание технологии формирования эпитаксиальных пленок SrSi2 методом молекулярно-лучевой эпитаксии, ориентация которых определяется подложкой, что позволит выращивать пленки с различными заданными свойствами. 1. Способ выращивания эпитаксиальной пленки дисилицида стронция SrSi2 на кремниевой подложке методом молекулярно-лучевой эпитаксии, заключающийся в осаждении атомарного потока стронция с давлением PSr=(0,5?3)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки кремния, нагретую до Ts=500±20°C до формирования пленки дисилицида стронция требуемой толщины. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что кремний имеет ориентацию подложки Si(100). 3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что кремний имеет ориентацию подложки Si(111).

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к способу получения эпитаксиальной пленки дисилицида европия на кремниевой подложке и может быть использовано для создания контактов истока/стока в технологии производства полевых МОП транзисторов с барьером Шоттки (SB-MOSFET), а также для создания устройств спинтроники в качестве контакта-инжектора/детектора спин-поляризованных носителей. Способ заключается в осаждении атомарного потока европия с давлением PEu=(0,5?5)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Si(001), нагретую до Ts=400±20°C, до формирования пленки дисилицида европия требуемой толщины. При достижении толщины пленки 100 ? и более, дальнейшее осаждение производится при Ts=560±20°C до формирования пленки дисилицида европия требуемой толщины. Техническим результатом изобретения является формирование эпитаксиальных пленок EuSi2 методом молекулярно-пучковой эпитаксии, что позволяет достичь необходимого в микроэлектронике качества контактов. Способ выращивания эпитаксиальной пленки дисилицида европия на кремниевой подложке, включающий осаждение атомарного потока европия молекулярно-пучковой эпитаксией, отличающийся тем, что поверхность кремниевой подложки Si(001) предварительно очищают, нагревают до Ts=400±20°С и осуществляют осаждение атомарного потока европия с давлением PEu=(0,5?5)?10-8 Торр до достижения толщины пленки 100 ? и более, а затем температуру подложки повышают до Ts=560±20°С и производят осаждение до формирования пленки дисилицида европия заданной толщины.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов многокомпонентных фторидов со структурой флюорита в системах MF2-CeF3, которые широко используются в оптике, фотонике, физике высоких энергий. Способ включает кристаллизацию из расплава шихты, состоящей из смеси фторидов одного или нескольких фторидов щелочноземельных металлов M=Са, Sr, Ва и церия при мольном содержании фторида церия от 0,05 до 50% в атмосфере фторирующих агентов с последующим послеростовым охлаждением до температуры 400-500°С, после достижения этой температуры из ростовой зоны удаляют газообразные фторирующие агенты и ведут термообработку в неокисительной атмосфере при температуре 400-500°С не менее 5 часов, а затем медленно охлаждают кристалл до комнатной температуры. Изобретение направлено на получение кристаллов с высоким оптическим качеством при отсутствии экологически вредных выбросов легколетучих фторидов. 6 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)

Изобретение относится к технологии выращивания фторидных кристаллов, которые широко используются в оптике, фотонике, физике высоких энергий. Одним из вариантов является способ выращивания кристаллов флюоритовых твердых растворов М1-xM'xF2, где М=Са, Sr, Ва; М'=Pb, Cd, где 0<х<1 и является мольной долей летучего компонента М'F2, включающий вертикальную направленную кристаллизацию компонентов во фторирующей атмосфере, при этом предварительно переплавляют во фторирующей атмосфере компоненты MF2 и М'F2, размалывают названные компоненты, затем количество (1-х) компонента MF2, определяемое стехиометрией выращиваемого твердого раствора M1-xM'xF2, помещают в тигель 3 в корпус 1 ростовой печи, содержащей тепловой узел 2, а необходимое количество компонента М'F2, определяемое его мольной долей х, помещают в виде гранул в дозирующее устройство 5, которое вакуумноплотно устанавливают на верхний фланец ростовой камеры печи, далее печь вакуумируют до уровня остаточного давления 5?10-4-10-5 мм рт.ст., заполняют печь смесью газов Не и CF4 в количестве 5-10 об. %, нагревают до температуры, превышающей температуру плавления MF2 на 20-50°С, выдерживают расплав 4 в течение 60-120 мин для его фторирования и гомогенизации, а затем однократно или порционно в расплав 4 через дозирующее устройство 5 вводят гранулы компонента или смеси компонентов М'F2 до полного израсходования компонента М'F2 в дозирующем устройстве, далее перемещают тигель 3 с расплавом 4 в холодную зону печи со скоростью 2-5 мм/ч, охлаждают тигель после кристаллизации расплава со скоростью 100-200°С/ч до комнатной температуры и извлекают кристалл флюоритового твердого раствора М1-xM'xF2. Другим вариантом является способ получения флюоритовых твердых растворов М1-xM'xF2 в виде сплавов, где М=Са, Sr, Ва; М'=Pb, Cd, где 0<х<1 и является мольной долей летучего компонента М'F2, заключающийся в том, что предварительно переплавляют во фторирующей атмосфере компоненты MF2 и М'F2, размалывают названные компоненты, затем количество (1-х) компонента MF2, определяемое стехиометрией выращиваемого твердого раствора М1-xM'xF2, помещают в тигле 3 в ростовую печь, а необходимое количество компонента М'F2, определяемое его мольной долей х, помещают в виде гранул в дозирующее устройство 5, которое вакуумноплотно устанавливают на верхний фланец ростовой камеры печи, далее печь вакуумируют до уровня остаточного давления 5?10-4-10-5 мм рт.ст., заполняют печь смесью газов Не и CF4 в количестве 5-10 об. %, нагревают до температуры, превышающей температуру плавления MF2 на 20-50°С, выдерживают расплав 4 в течение 60-120 мин для его фторирования и гомогенизации, а затем однократно в расплав 4 через дозирующее устройство 5 вводят гранулы компонента или смеси компонентов M'F2 до полного израсходования компонента М'F2 в дозирующем устройстве, понижают температуру в печи на 100-150°С ниже температуры плавления твердого раствора М1-xM'xF2, термостатируют расплав в течение 30-60 мин, а затем охлаждают со скоростью 100-200°С/ч до комнатной температуры и извлекают гомогенный поликристаллический сплав М1-xM'xF2. Изобретение обеспечивает получение объемных фторидных кристаллов высокого качества с однородным или заданным градиентным распределением летучего компонента или комбинации летучих компонентов по длине кристаллов. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 4 ил., 2 пр.

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)

Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую. Для поддержания постоянного уровня в первой части из нее отводят в сборник конденсата, размещенный вне кристаллизатора, объем раствора, который равен объему раствора, вытесненного из второй части. Подачу газа во вторую часть производят вручную или автоматически. В качестве газа возможно применение воздуха. Технический результат – повышение качества кристалла при одновременном упрощении процесса. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)

Изобретение относится к области биотехнологии. Предложен способ выделения липидов для биодизеля из биомассы микроводоросли рода Chlorella. Способ включает гомогенизацию сухой биомассы микроводоросли измельчением, обработку смесью органических растворителей хлороформ-метанол или хлороформ-этанол в соотношении 1:2-2:1. Суспензию биомассы подвергают обработке ультразвуком с частотой 30-50 кГц в течение 5-20 минут и отделяют липиды. Изобретение обеспечивает повышение выхода целевого продукта. 1. Способ выделения липидов из биомассы микроводоросли рода Chlorella, заключающийся в том, что биомассу микроводоросли обрабатывают органическим растворителем и полученные липиды отделяют, при этом указанные операции проводят дважды с последующим объединением целевого продукта, отличающийся тем, что предварительно сухую биомассу микроводоросли с влагосодержанием не более 10% гомогенизируют измельчением, а после первой обработки биомассы органическим растворителем полученную суспензию биомассы обрабатывают ультразвуком. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку ультразвуком проводят с частотой 30-50 кГц в течение 5-20 минут. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве органического растворителя используют смесь хлороформ-метанол в соотношении 1:2-2:1. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве органического растворителя используют смесь хлороформ-этанол в соотношении 1:2-2:1.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)