Изобретение относится к способу получения эпитаксиальной пленки дисилицида европия на кремниевой подложке и может быть использовано для создания контактов истока/стока в технологии производства полевых МОП транзисторов с барьером Шоттки (SB-MOSFET), а также для создания устройств спинтроники в качестве контакта-инжектора/детектора спин-поляризованных носителей. Способ заключается в осаждении атомарного потока европия с давлением PEu=(0,5?5)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Si(001), нагретую до Ts=400±20°C, до формирования пленки дисилицида европия требуемой толщины. При достижении толщины пленки 100 ? и более, дальнейшее осаждение производится при Ts=560±20°C до формирования пленки дисилицида европия требуемой толщины. Техническим результатом изобретения является формирование эпитаксиальных пленок EuSi2 методом молекулярно-пучковой эпитаксии, что позволяет достичь необходимого в микроэлектронике качества контактов. Способ выращивания эпитаксиальной пленки дисилицида европия на кремниевой подложке, включающий осаждение атомарного потока европия молекулярно-пучковой эпитаксией, отличающийся тем, что поверхность кремниевой подложки Si(001) предварительно очищают, нагревают до Ts=400±20°С и осуществляют осаждение атомарного потока европия с давлением PEu=(0,5?5)?10-8 Торр до достижения толщины пленки 100 ? и более, а затем температуру подложки повышают до Ts=560±20°С и производят осаждение до формирования пленки дисилицида европия заданной толщины.