Изобретения

Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных затворов, позволяющее создавать более резкие p-n переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового напряжения; возможность изменения типа проводимости канала для применения предлагаемых транзисторов в КМОП технологии цифровых интегральных схем, упрощение технологии изготовления нанотранзисторов с нанометровыми затворами, отсутствие технологических операций, связанных с легированием, расширение функциональных возможностей нанотранзисторов, увеличение крутизны подпороговой характеристики за счет увеличения количества управляющих электродов и обеспечение работы в режиме туннельного транзистора. Сущность изобретения: предлагается способ изготовления туннельного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки и несколькими управляющими электродами затворов на полупроводниковой подложке с использованием вспомогательного слоя (ВС) диэлектрик-металл, осажденного на предварительно нанесенный на полупроводниковую подложку контактный слой истока/стока, в котором формируется нанометровая щель, с последующим формированием на ее стенках и дне первого и третьего управляющих электродов, их спейсеров и подзатворного диэлектрика путем последовательного осаждения в щель и плазмохимического травления диэлектрика спейсеров и металла, а второй управляющий электрод формируется осаждением в зауженную на суммарную ширину первого и третьего управляющих электродов и их спейсеров щель слоя металла и его ПХТ, при этом вначале формируются диэлектрический спейсер и подзатворный диэлектрик второго управляющего электрода путем осаждения диэлектрика на боковые стенки первого и третьего управляющих электродов и дно щели в ВС. Одновременно с управляющими электродами формируются с использованием фоторезистивной маски, дополнительного слоя металла и метода сухого травления контактные площадки трех управляющих электродов, а контактные площадки истока/стока создаются после завершения технологических операций формирования управляющих электродов. 13 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую. Для поддержания постоянного уровня в первой части из нее отводят в сборник конденсата, размещенный вне кристаллизатора, объем раствора, который равен объему раствора, вытесненного из второй части. Подачу газа во вторую часть производят вручную или автоматически. В качестве газа возможно применение воздуха. Технический результат – повышение качества кристалла при одновременном упрощении процесса. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

1. Трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий ?-глюканазу и содержащий ген bgl, кодирующий эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus safensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-?-1,3(4)-D-глюканазе из Bacillus safensis не менее чем на 96%. 2. Трансформант по п. 1, в котором в качестве фермента, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-?-1,3(4)-D-глюканазе из Bacillus safensis не менее чем на 96%, используют эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus pumilus, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus stratosphericus, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus altitudinis, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus aerius, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus cellulasensis, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus australimaris.

1. Трансформант дрожжей Komagataella kurtzmanii, продуцирующий ?-глюканазу, содержащий ген bgl, кодирующий эндо-?-l,3(4)-D-глюканазу из Bacillus pumilus или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-?-l,3(4)-D-глюканазе из Bacillus pumilus не менее чем на 96%. 2. Трансформант по п. 1, в котором в качестве фермента, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-?-l,3(4)-D-глюканазе из Bacillus pumilus не менее чем на 96%, используют эндо-?-l,3(4)-D-глюканазу из Bacillus safensis, или эндо-?-l,3(4)-D-глюканазу из Bacillus stratosphericus, или эндо-?-l,3(4)-D-глюканазу из Bacillus altitudinis, или эндо-?-l,3(4)-D-глюканазу из Bacillus aerius, или эндо-?-l,3(4)-D-глюканазу из Bacillus cellulasensis, или эндо-?-l,3(4)-D-глюканазу из Bacillus australimaris.

Способ создания двумерных ферромагнитных материалов EuGe2 или GdGe2 на основе германена, заключающийся в осаждении атомарного потока европия с давлением PEu=(0,1?100)?10-8 Торр и гадолиния с давлением PGd=(0,1?10)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Ge(111), нагретую до 290°С<Ts<510°С для европия или 400°С<Ts<510°С для гадолиния, до формирования пленки германида европия толщиной не более 5 нм или пленки германида гадолиния толщиной не более 13 нм с последующим опциональным отжигом полученных пленок до температуры не более Ts=530°С.

1. Способ получения производных N-((гидроксиамино)-оксоалкил)-2-(хиназолин-4-иламино)-бензамидов общей формулы https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/722/694/ИЗ-02722694-00001/00000025.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне), где R1 и R2 независимо друг от друга представляют собой Н, Cl, Br, ОМе; n=4, 5, осуществляемый с использованием в качестве исходных соединений производных гидроксамовой кислоты, а именно 2-амино-N-(6-(гидроксиамино)-6-оксогексил)бензамида или 2-амино-N-(7-(гидроксиамино)-7-оксогептил)бензамида, которые в эквимолярном количестве в виде раствора в органическом растворителе прибавляют к идентичному раствору производных 4-хлорхиназолина, выбранных из группы следующих соединений: 4-хлорхиназолин, 4,6-дихлорхиназолин, 6-бром-4-хлорхиназолин, 6,7-диметокси-4-хлорхиназолин, после чего реакционную смесь перемешивают при температуре 20-100°С, охлаждают до комнатной температуры, выпавший осадок отфильтровывают, промывают используемым в реакции растворителем, затем диэтиловым эфиром и сушат. 2. Способ по п. 1, осуществляемый с использованием производных гидроксамовой кислоты, предварительно полученных реакцией изатового ангидрида с аминоэфирами с последующим аминолизом полученных эфиров гидроксиламином. 3. Способ по п. 1, оптимально осуществляемый реакцией взаимодействия 4-хлорхиназолинов с производными гидроксамовой кислоты, проводимый в среде диметилформамида при температуре 40-50°С.

Энергетическая установка с топливным элементом для арктической зоны, содержащая твердополимерный топливный элемент, источник водорода, воздуходувку, увлажнитель, регуляторы давления, краны-дозаторы, отличающаяся тем, что содержит каталитический рекомбинатор и барботер, вход каталитического рекомбинатора соединен через краны-дозаторы с воздуходувкой и источником водорода, выход каталитического рекомбинатора соединен с входом барботера, а выход барботера соединен через краны-дозаторы с водородным и воздушным входами топливного элемента.

Зарядная система для электрического транспорта, характеризующаяся, по меньшей мере, одним распределительным газопроводом, соединяющим магистральный газопровод, как минимум, с одним топливным элементом, который последовательно соединен посредством токопроводящих линий с линией электропередач и, по меньшей мере, одной зарядной станцией, выполненной с возможностью подключения электрического транспорта.

Способ получения материалов на основе германена EuGe2 и SrGe2 с высокой подвижностью носителей заряда, включающий осаждение атомарного потока европия или стронция с давлением (0,1?100)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Ge(111), нагретую до Ts=250?510°С, с формированием пленок толщиной более 100 нм и последующий опциональный отжиг полученных пленок при температуре не более Ts=530°С.

1. Способ пайки ВТСП лент, заключающийся в последовательной пайке накладки из ВТСП ленты к концам соединяемых ВТСП лент непосредственно на катушке соленоида путем охвата места спая по дуге ленточным гибким нагревателем, к которому приложена прижимающая сила и источник тока. 2. Устройство для пайки ВТСП лент, состоящее из станины, на которой размещены стойка и штанга с перемещающейся по ней до необходимой для пайки высоты и фиксируемой стопорным болтом неподвижной планкой, с закрепленной на ней подвижной планкой с ленточным гибким нагревателем, прижимающим место спая силой, создаваемой при закручивании натяжных болтов, и нагревающимся посредством подключения к клеммам источника тока.