Изобретения

Изобретение относится к области огнезащитных материалов напыляемого типа для защиты металлических конструкций и касается состава для изготовления огнезащитного покрытия. Cостав в виде сухой смеси включает цемент, вермикулит, каолин, сухой редиспергируемый латекс, волокнистый материал, предпочтительно молотое стекловолокно, стеклянные микросферы, пластификатор, поверхностно-активное вещество (ПАВ), предпочтительно смесь натриевых солей алкилбензолсульфокислот, при следующем соотношении компонентов смеси (мас.%): вермикулит - 15-33, каолин - 15-40, стеклянные микросферы - 10-30, волокнистый материал 2-15, ПАВ - 0,01-0,1, пластификатор - 0,03-0,2, редиспергируемый латекс - 0,5-4,0, цемент - остальное. Изобретение обеспечивает создание огнезащитного покрытия, которое в условиях резкого повышения температуры и при больших аэродинамических нагрузках и вибрации не растрескивается, не плавится и не отслаивается от поверхности. 1. Состав для изготовления огнезащитных покрытий в виде сухой смеси, включающий цемент, вермикулит, каолин, редиспергируемый латекс, отличающийся тем, что дополнительно содержит волокнистый материал, стеклянные микросферы, пластификатор, поверхностно-активное вещество (ПАВ) при следующем соотношении компонентов смеси (мас.%): Вермикулит 15-33 Каолин 15-40 Стеклянные микросферы 10-30 Волокнистый материал 2-15 ПАВ 0,01-0,1 Пластификатор 0,03-0,2 Редиспергируемый латекс 0,5-4,0 Цемент остальное 2. Огнезащитный состав по п.1, отличающийся тем, что в качестве волокнистого материала содержит молотое стекловолокно. 3. Огнезащитный состав по п.1, отличающийся тем, что в качестве ПАВ предпочтительно содержит смесь натриевых солей алкилбензолсульфокислот. 4. Состав по п.1, отличающийся тем, что содержит стеклянные микросферы размером 15-200 мкм, выполненные из натриево-боросиликатного стекла. 5. Состав по п.1, отличающийся тем, что в качестве редиспергируемого латекса предпочтительно содержит сополимеры винилацетата и этилена с преобладающим размером частиц редисперсии 1-7 мкм.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)

Изобретение относится к области неразрушающего контроля технологических процессов микроэлектроники в реальном времени и касается способа мониторинга характеристик пленок пористых диэлектриков на подложке из полупроводника. Способ основан на использовании системы спектральной рефлектометрии, включающей в себя оптический зонд с двумя волоконными световодами для падающего и отраженного лучей, источник белого света и спектрометр. Измерение характеристик выполняют в условиях криогенного плазменного травления и результаты получают в реальном времени, для чего используют систему потокового вывода данных и персональный компьютер с установленным программным обеспечением для сбора данных и решения обратной задачи рефлектометрии для определения степени пористости, толщины, показателя преломления, степени заполнения пор сконденсированным адсорбатом и температуры полупроводниковой подложки, с помощью численных методов оптимизации или регрессионной модели машинного обучения. Технический результат заключается в обеспечении возможности выполнения измерений в реальном времени при криогенном плазменном травлении и расширении класса установок травления, на которых способ применим. Способ мониторинга характеристик пленок пористых диэлектриков на подложке из полупроводника, основанный на использовании системы спектральной рефлектометрии, включающей в себя оптический зонд с двумя волоконными световодами для падающего и отраженного лучей, источник белого света, спектрометр, отличающийся тем, что измерение характеристик выполняют в условиях криогенного плазменного травления, результаты получают в реальном времени, для чего используют систему потокового вывода данных и персональный компьютер с установленным программным обеспечением для сбора данных и решения обратной задачи рефлектометрии для определения степени пористости, толщины, показателя преломления, степени заполнения пор сконденсированным адсорбатом и температуры полупроводниковой подложки, с помощью численных методов оптимизации или регрессионной модели машинного обучения.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к технологиям структурирования пластин кремния и создания на них методами химической и лазерной обработки структур для исследования жидких сред методами гигантского комбинационного рассеяния и эквивалентных аналитических методов. Технической задачей способа является создание устройства, позволяющего обеспечить получение стабильных и воспроизводимых результатов при проведении измерений гигантского комбинационного рассеяния. Задача достигается в результате того, что в способе изготовления плазмонного микротитрационного планшета, включающем создание многослойной комплексной плазмонной структуры на подложке, методом лазерной абляции на подложке создают заранее выбранное количество ячеек, в центре каждой ячейки методом лазерной абляции создают кольцо с диаметром ? диаметра апертуры спектрометра комбинационного рассеяния (?50-100 мкм), которое является гидрофильным. 6 ил.

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)

Изобретение относится к области нанооксидных материалов, конкретно к методу получения нанопорошка триоксида молибдена, применяемого для изготовления сцинтилляторов сложного состава, как катализатора для селективного окисления в качестве присадки в масла для снижения трения и как промежуточного продукта для получения тонких прозрачных оксидных пленок. Способ получения нанопорошка MoO3 в реакторе путем испарения порошка MoO3 и осаждения его паров на подложку характеризуется тем, что реактор, внутри которого размещена подложка с порошком MoO3, заполняют гелием под давлением 6-8 МПа, нагревают порошок до 650-700°C в течение 10-20 минут, а затем охлаждают до комнатной температуры и извлекают из реактора. Техническим результатом изобретения является обеспечение способа изготовления целевого материала с диаметром стержней 5-10 нм на простом по конструкции оборудовании. 2 ил., 6 пр.

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)

Изобретение относится к области микроэлектроники и, в частности, к сенсорным и микромощным микросхемам. Технический результат заключается в повышении эффективности обработки сигналов за счет исключения влияния паразитной инжекции электронов в подложку при подключении индуктивной нагрузки и достигается за счет управляемого установления скорости изменения выходного тока формирователя импульсов напряжения. Формирователь импульсов напряжения включает выходной каскад на комплементарных транзисторах, реализованный на основе КМОП-транзисторов и разделенный на несколько секций, каждая из которых содержит два элемента задержки сигнала, Р-МОП-транзистор и N-МОП-транзистор, и логический блок управления выходными транзисторами, включающий асинхронный D-триггер, логический элемент совпадения состояний, логические элементы «ИЛИ», «И». 1 ил.

Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН) (RU)

Изобретение относится к области микробиологической промышленности и касается бактерии Escherichia coli - продуцента янтарной кислоты и способа получения янтарной кислоты с использованием такой бактерии. Описанная бактерия модифицирована путем изменения нуклеотидной последовательности промотора и сайта связывания рибосом, контролирующих экспрессию генов aceEF-lpdA оперона в хромосоме бактерии, таким образом, что экспрессия генов асеЕ, aceF и lpdA в указанной бактерии усилена. Способ получения янтарной кислоты заключается в культивировании такой бактерии в питательной среде и выделении янтарной кислоты из культуральной жидкости. Представленные изобретения позволяют получить повышенное количество янтарной кислоты микробиологическим путем. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 2 табл., 2 пр.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники. Способ изготовления диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения, заключается в нанесении нанокомпозитной пленки оксинитрида кремния с включенными кластерами кремния. Нанесение осуществляют методом плазменного распыления кремниевой мишени при скорости осаждения 5-7 нм/мин в среде аргона с добавками 3-5% об. кислорода и 6-8% об. азота. Техническим результатом изобретения является получение диэлектрических слоев, обладающих эффектом переключения проводимости, полностью совместимых с материалами, а также с большинством технологических воздействий, применяемых в традиционной кремниевой технологии интегральных микросхем. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук (RU

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и наноэлектроники. Ячейка памяти включает два электрода с расположенным между ними слоем диэлектрика. Слой диэлектрика имеет дефекты, обеспечивающие электрическую проводимость путем туннелирования носителей заряда по дефектам, и содержит включения полупроводникового материала, расположенные вблизи одного из электродов и обеспечивающие приобретение, сохранение и удаление электрического заряда, который блокирует протекание тока по дефектам слоя диэлектрика. Техническим результатом изобретения является создание двухэлектродной энергонезависимой перепрограммируемой ячейки памяти с воспроизводимыми параметрами, использующей эффект сохранения электрического заряда. 6 ил.

ФТИАН

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к технологии изготовления синаптического мемристора на основе нанокомпозита металл-нестехиометрический оксид, который обладает адаптивными (нейроморфными) свойствами. Техническим результатом является создание мемристивных структур Cr/Cu/Cr/(Co40Fe40B20)x(LiNbO3-y)100-x/Cr/Cu/Cr с использованием нестехиометрических оксидов, способных моделировать свойства биологических синапсов и одновременно обладающих повышенной устойчивостью к циклическим резистивным переключениям. Для его достижения предложен способ формирования синаптического мемристора на основе нанокомпозита металл-нестехиометрический оксид, заключающийся в последовательном осаждении слоев на подложку, при этом, методом ионно-лучевого распыления последовательно осаждают на ситалловые подложки слой Cr/Cu/Cr, являющийся нижним электродом, слой нанокомпозита металл-нестехиометрический оксид и слой Cr/Cu/Cr, являющийся верхним электродом. В нанокомпозите металл-нестехиометрический оксид в качестве оксида используют сегнетоэлектрик LiNbO3, а в качестве металла - аморфный сплав Co40Fe40B20. Осаждение нанокомпозита металл-нестехиометрический оксид проводят с недостатком кислорода толщиной 2,5-3,5 мкм и с содержанием металла на 2-4 ат.% ниже порога перколяции хр ? 15 ат.% на подложки, имеющие комнатную температуру. 1. Способ формирования синаптического мемристора на основе нанокомпозита металл-нестехиометрический оксид, заключающийся в последовательном осаждении слоев на подложку, отличающийся тем, что методом ионно-лучевого распыления последовательно осаждают на ситалловые подложки слой Cr/Cu/Cr, являющийся нижним электродом, слой нанокомпозита металл-нестехиометрический оксид и слой Cr/Cu/Cr, являющийся верхним электродом. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в нанокомпозите металл-нестехиометрический оксид в качестве оксида используют сегнетоэлектрик LiNbO3, а в качестве металла - аморфный сплав Co40Fe40B20. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что осаждение нанокомпозита металл-нестехиометрический оксид толщиной 2,5-3,5 мкм и с содержанием металла на 2-4 ат.% ниже порога перколяции хр=15 ат.% проводят с недостатком кислорода. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что у поверхности нижнего электрода формируют высокоомную прослойку толщиной ?0,05-0,1 мкм путем добавления на начальном этапе осаждения слоя нанокомпозита избыточного кислорода с парциальным давлением PO2=(1-3) 10-5 Торр в течение 5-10 мин, после чего проводят осаждение слоев с недостатком кислорода. 5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что осаждают слои на подложки, имеющие комнатную температуру.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к технологии изготовления гибкой мемристивной кроссбар-структуры на основе поли-n-ксилилена, элементы которой демонстрируют синаптические свойства. Предложен гибкий мемристор кроссбар-структуры на основе поли-n-ксилилена, представляющий собой структуру, которая содержит в качестве основы поли-хлор-пара-ксилилен с толщиной слоя 1-20 мкм, в качестве нижнего электрода, расположенного в верхней части основы, двухслойную металлическую пленку, выбранную из хром/золота, с толщиной слоя от 10 нм/100 нм до 30 нм/700 нм, в качестве верхнего электрода металлическую пленку, выполненную из меди, с толщиной слоя 200-500 нм, а в качестве диэлектрического слоя поли-n-ксилилен с толщиной слоя 100-300 нм, при этом диэлектрический слой расположен между нижним и верхним электродами. Также предложен способ изготовления механически гибкого мемристора кроссбар-структуры на основе поли-n-ксилилена. Технический результат - создание механически гибких мемристоров на основе поли-n-ксилилена, способных демонстрировать циклические резистивные переключения при разных радиусах изгиба с сохранением не менее 9 резистивных состояний длительностью не менее 300 секунд.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)