Изобретение относится к области неразрушающего контроля технологических процессов микроэлектроники в реальном времени и касается способа мониторинга характеристик пленок пористых диэлектриков на подложке из полупроводника. Способ основан на использовании системы спектральной рефлектометрии, включающей в себя оптический зонд с двумя волоконными световодами для падающего и отраженного лучей, источник белого света и спектрометр. Измерение характеристик выполняют в условиях криогенного плазменного травления и результаты получают в реальном времени, для чего используют систему потокового вывода данных и персональный компьютер с установленным программным обеспечением для сбора данных и решения обратной задачи рефлектометрии для определения степени пористости, толщины, показателя преломления, степени заполнения пор сконденсированным адсорбатом и температуры полупроводниковой подложки, с помощью численных методов оптимизации или регрессионной модели машинного обучения. Технический результат заключается в обеспечении возможности выполнения измерений в реальном времени при криогенном плазменном травлении и расширении класса установок травления, на которых способ применим. Способ мониторинга характеристик пленок пористых диэлектриков на подложке из полупроводника, основанный на использовании системы спектральной рефлектометрии, включающей в себя оптический зонд с двумя волоконными световодами для падающего и отраженного лучей, источник белого света, спектрометр, отличающийся тем, что измерение характеристик выполняют в условиях криогенного плазменного травления, результаты получают в реальном времени, для чего используют систему потокового вывода данных и персональный компьютер с установленным программным обеспечением для сбора данных и решения обратной задачи рефлектометрии для определения степени пористости, толщины, показателя преломления, степени заполнения пор сконденсированным адсорбатом и температуры полупроводниковой подложки, с помощью численных методов оптимизации или регрессионной модели машинного обучения.