Изобретения

Использование: для применения в процессорах с высокой плотностью функциональных элементов на основе сверхпроводящих нанопроводов. Сущность изобретения заключается в том, что способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное заключается во включении участков нормальных сопротивлений в наноразмерный сверхпроводник. Технический результат: обеспечеение возможности снижения энергопотребления и тепловыделения в электронных функциональных наноразмерных устройствах с высокой плотностью элементов. Способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное, заключающийся во включении участков нормальных сопротивлений в наноразмерный сверхпроводник.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Использование: для создания функциональных переключаемых электронных устройств. Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования сверхпроводящих функциональных элементов электронных устройств, имеющих области с различными значениями плотности критического тока, включает использование корпускулярного излучения, при этом создают элементы требуемых геометрических форм и размеров, облучают только выбранные участки функциональных элементов, а в качестве корпускулярного излучения используют низкоэнергетический поток ионов или атомов, энергия и доза которого достаточны для образования дефектов кристаллической структуры и/или изменения стехиометрии материала сверхпроводника. Технический результат - формирование наноразмерных функциональных элементов электронных устройств со стабильными параметрами критического тока в требуемых областях. 1. Способ формирования сверхпроводящих функциональных элементов электронных устройств, имеющих области с различными значениями плотности критического тока, включающий использование корпускулярного излучения, отличающийся тем, что создают элементы требуемых геометрических форм и размеров, облучают только выбранные участки функциональных элементов, а в качестве корпускулярного излучения используют низкоэнергетический поток ионов или атомов, энергия и доза которого достаточны для образования дефектов кристаллической структуры и/или изменения стехиометрии материала сверхпроводника. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что параметры ионного облучения, при которых достигаются требуемые изменения критических токов при сохранении сверхпроводящих свойств материала, выбирают экспериментально путем построения их зависимости от параметров облучения. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве корпускулярного излучения используют низкоэнергетический поток ионов или атомов кислорода, ионов или атомов водорода или протонов и ионов ОН+.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к способу получения радионуклида 177Lu без носителя для использования в ядерной медицине. Способ включает в себя облучение мишени, содержащей 176Yb, потоком нейтронов в ядерном реакторе, в процессе облучения по реакции 176Yb(n,?) I77Yb (1,9 час) ?-?I77Lu в мишени нарабатывается целевой изотоп 177Lu, который затем отделяют от иттербия, сначала осаждая иттербий в виде сульфата иттербия путем контакта сернокислого раствора иттербия и 177Lu и амальгамы натрия, при перемешивании и капельной подаче амальгамы, с очисткой раствора от осадка, после чего, переводя 177Lu и оставшийся иттербий в уксуснокислый раствор и проводя последовательные операции контактного восстановления с капельной подачей амальгамы и перемешиванием, для уменьшения потерь лютеция, в ячейку вводят легкокипящий, несмешивающийся с рабочими растворами растворитель. Техническим результатом является получение изотопа 177Lu в практически значимых количествах (десятки кюри) при использовании ядерных реакторов со средним потоком нейтронов ~1014 н?см-2?с-1 1. Способ получения радионуклида 177Lu без носителя, включающий облучение нейтронами мишени с изотопом 176Yb, наработку по реакции 176Yb(n,?) 177Yb (1,9 час) ?-?177Lu целевого радиоизотопа 177Lu, растворение облученной мишени, разделение 177Lu и Yb путем многократного контактного восстановления иттербия из раствора в реакционной ячейке на амальгаме натрия, подаваемой в реакционную ячейку в капельном режиме, в присутствии кислот при перемешивании, при этом перед восстановлением иттербия в реакционную ячейку помещают не смешивающийся с раствором легкокипящий органический растворитель, отличающийся тем, что перед разделением 177Lu и иттербия путем контактного восстановления осаждают иттербий в виде сульфата иттербия (II) из сернокислого раствора в рабочей ячейке путем контактирования сернокислого раствора с амальгамой натрия, подаваемой в рабочую ячейку капельным путем, с перемешиванием амальгамы и сернокислого раствора, с удалением осадка сульфата иттербия из сернокислого раствора и добавлением в рабочую ячейку легкокипящего несмешивающегося с раствором органического растворителя, с последующим переводом иттербия и 177Lu в ацетатный раствор путем осаждения иттербия и 177Lu в виде гидроксидов и растворения гидроксидов в уксуснокислом растворе. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве легкокипящего органического растворителя, несмешивающегося с сернокислым раствором, используют гептан. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для удаления осадка сульфата иттербия из сернокислого раствора его постоянно прокачивают перистальтическим насосом через фильтр и возвращают в рабочую ячейку. 4. Способ по п. 2, отличающийся тем, что гептан удаляют из раствора нагреванием.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области дистанционной лучевой терапии, а именно протонной лучевой терапии. Компактный однокабинный комплекс протонной лучевой терапии, включает протонный ускоритель, систему формирования дозового поля и деку позиционера, при этом в качестве протонного ускорителя используют протонный синхротрон, который укреплен на единой раме совместно с поворотным магнитом, предназначенным для перевода пучка протонов из плоскости эжекции в вертикальную плоскость, направленную в полюс ротации на лежащего на позиционере пациента, а ротация рамы осуществляется на ±185° вокруг оси в медианной плоскости ускорителя и поворотного магнита, параллельно горизонтальной плоскости деки позиционера. Использование изобретения позволяет минимизировать радиационное излучение на пациента и персонал. 1. Компактный однокабинный комплекс протонной лучевой терапии, включающий протонный ускоритель, систему формирования дозового поля и деку позиционера, отличающийся тем, что в качестве протонного ускорителя используют протонный синхротрон, который укреплен на единой раме совместно с поворотным магнитом, предназначенным для перевода пучка протонов из плоскости эжекции в вертикальную плоскость, направленную в полюс ротации на лежащего на позиционере пациента, при этом ротация указанной рамы осуществляется на ±185° вокруг оси в медианной плоскости ускорителя и поворотного магнита, параллельно горизонтальной плоскости деки позиционера. 2. Компактный однокабинный комплекс протонной лучевой терапии по п. 1, отличающийся тем, что в качестве протонного синхротрона используют синхротрон на сверхпроводящих магнитах. 3. Компактный однокабинный комплекс протонной лучевой терапии по любому из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что угол поворота 100°?110° поворотного магнита конструктивно варьируют в зависимости от угла эжекции пучка из ускорителя.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (RU)

Группа изобретений относится к области биотехнологии. Предложена бактерия вида Escherichia coli, обладающая способностью продуцировать L-треонин, отличающаяся тем, что в ней инактивирован ген yifK. Предложен способ микробиологического синтеза L-треонина с использованием указанной бактерии. Предложен штамм Escherichia coli ВКПМ В-13240 - продуцент треонина. Группа изобретений позволяет расширить арсенал бактерий вида Escherichia coli, способных к продукции L-треонина, и арсенал способов микробиологического синтеза L-треонина, а также позволяет увеличить продукцию L-треонина в указанном модифицированном микроорганизме по сравнению с контрольным родительским микроорганизмом. 1. Бактерия вида Escherichia coli, обладающая способностью продуцировать L-треонин, отличающаяся тем, что в ней инактивирован ген yifK. 2. Способ микробиологического синтеза L-треонина, включающий в себя выращивание бактерии вида Escherichia coli в подходящей питательной среде, отличающийся тем, что в качестве бактерии используют бактерию по п. 1. 3. Штамм Escherichia coli ВКПМ В-13240 - продуцент треонина.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)

Использование: для получения спин-поляризованных носителей заряда в графене. Сущность изобретения заключается в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности предварительно сформированной структуры монослой графена/подложка формируют субмонослой европия со структурой (V3xV3)Eu. Технический результат: обеспечение возможности получения спин-поляризованных носителей заряда в графене. Способ получения спин-поляризованных носителей заряда в графене, заключающийся в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности предварительно сформированной структуры монослой графена/подложка формируют субмонослой европия со структурой (V3xV3)Eu..

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области экологии и материаловедения, а именно нанотехнологии, и может быть использовано для количественного определения углеродных наноструктур (УН), в частности углеродных нанотрубок, в твердых и жидких образцах и различных средах. Для этого в исследуемом образце с неизвестным массовым содержанием УН измеряют массу присутствующих в УН сопутствующих примесей катализаторов методами масс-спектрометрии с индуктивно-связанной плазмой или атомно-эмиссионной спектрометрией с индуктивно-связанной плазмой. Содержание УН в исследуемом образце определяют путем сравнения массы технологической примеси в исследуемом образце с массой этой примеси в эталонном образце, содержащем известную массу УН. Изобретение позволяет повысить достоверность количественного измерения УН в образцах различного состава без изменения физико-химических свойств образцов. 1. Способ количественного определения массы углеродных наноструктур (УН) в образце путем измерения в исследуемом образце с неизвестным массовым содержанием УН массы присутствующих в УН сопутствующих примесей катализаторов методами масс-спектрометрии с индуктивно-связанной плазмой или атомно-эмиссионной спектрометрией с индуктивно-связанной плазмой, при этом искомую массу УН в исследуемом образце определяют путем сравнения массы технологической примеси в исследуемом образце с массой этой примеси в эталонном образце, содержащем известную массу УН. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве образцов могут быть использованы твердые и жидкие образцы органических веществ.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к модификации диоксида циркония как химически чистого, так и стабилизированного оксидами редкоземельных элементов, в результате которой получается продукт, который может применяться для изготовления фотоотверждаемых композиций на основе акрилатных мономеров, предназначенных для формования керамических изделий методом трехмерной печати. Модификации подвергается исходный порошкообразный диоксид циркония с размерами частиц 10-1000 нм и размером агрегатов (d50) порядка 1 мкм, или стабилизированный 3-12 моль.% редкоземельных элементов из группы: оксид иттрия, оксид скандия или их смесь. При этом процесс модификации осуществляется смешением модификатора и исходного диоксида циркония в количественном соотношении 0,1-10,0:99,9-90,0 (вес.%), добавлением к смеси органического легколетучего растворителя и нагреванием смеси при перемешивании при температуре кипения растворителя до равномерного состояния. Далее охлаждают реакционную массу до комнатной температуры, воздействуют на нее ультразвуком в течение 1-2 часов, упаривают путем вакуумного испарения под воздействием ультразвука и выделяют конечный продукт в форме высокодисперсного порошка. Обеспечивается получение модифицированного продукта с выходом 97% 1. Способ модификации диоксида циркония обработкой исходного продукта производным гидроксамовой кислоты, осуществляемой в среде органического растворителя при повышенной температуре, с последующим выделением конечного продукта, отличающийся тем, что исходный диоксид циркония используется в виде диоксида циркония как такового или в виде диоксида циркония, стабилизированного 3-12 моль.% редкоземельных элементов из группы: оксид иттрия, оксид скандия или их смесь, а в качестве модификатора используется гидроксамид олеиновой кислоты при их весовом процентном соотношении, соответственно, равном 99,9-90,0:0,1-10,0, и процесс модификации осуществляется смешением гидроксамида олеиновой кислоты с исходным порошкообразным оксидом циркония, добавлением к смеси органического легколетучего апротонного растворителя и нагреванием смеси при перемешивании при температуре кипения растворителя не выше 100°С в течение 1-4 часов, с последующим охлаждением реакционной массы до комнатной температуры, воздействием на нее ультразвуком в течение 1-2 часов и упариванием путем вакуумного испарения под воздействием ультразвука и выделением конечного высокодисперсного порошкообразного продукта. 2. Способ модификации по п. 1, отличающийся тем, что модификации подвергается исходный порошкообразный диоксид циркония с размерами частиц 10-1000 нм и размером агрегатов (d50) порядка 1 мкм. 3. Способ модификации по п. 1, отличающийся тем, что в качестве органического растворителя предпочтительно используется соединение из группы: тетрагидрофуран, ацетон, дихлорметан и метилтрет-бутиловый эфир, диэтиловый эфир.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов полупроводников вертикальным методом Бриджмена. Устройство содержит корпус 1 с размещенной внутри него теплоизоляцией 2, два последовательно установленных нагревателя 3, 5 и тигель 6 с рабочей камерой, имеющий возможность осевого перемещения, при этом устройство дополнительно содержит третий - средний нагреватель 4 высотой hс, установленный в зазоре между теплоизоляцией 2 и нагревателями 3, 5, имеющими одинаковые внутренние dв и внешние dн диаметры, симметрично плоскости соприкосновения нижнего 5 и верхнего 3 нагревателей, причем общая высота hвн верхнего 3 и нижнего 5 нагревателей составляет 1,5Н-2Н, внутренний диаметр dв - 1,1D-1,2D, внешний диаметр dн - 1,4D-1,5D, а высота третьего нагревателя hс составляет 0,25Н-0,5Н, его внутренний диаметр Dв - 1,55D-1,65D, и внешний диаметр Dн - 1,85D-1,95D, где Н - высота рабочей камеры тигля, a D - внешний диаметр тигля. Изобретение позволяет получать кристаллы высокого качества за счет обеспечения равномерного и регулируемого температурного поля в области контакта нагревателей. 1 ил., 1 пр.

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)

Изобретение относится к способу получения диангидридов ароматических тетракарбоновых кислот, а именно диангидрида 3,3-бис-(3,4-дикарбоксифенил)фталида, который осуществляется окислением 3,3-бис-(3,4-диметилфенил)фталида 20-25%-ным водным раствором азотной кислоты при использовании 12-18 моль азотной кислоты на 1 моль 3,3-бис-(3,4-диметилфенил)фталида и при температуре 180-200°C в течение 30-90 минут под давлением 18-25 атм, после чего осуществляют охлаждение реакционной массы до температуры 60-70°C с установлением атмосферного давления, затем проводят частичное упаривание полученного раствора и охлаждение его до 3-6°C в течение 3-8 часов, затем фильтрацию полученного 3,3-бис-(3,4-дикарбоксифенил)фталида и его последующую ступенчатую сушку: сначала в вакууме при 1-10 мм рт.ст. и при температуре 80-100°C в течение 6-8 часов и затем дальнейшим повышением температуры до 200-230°C и выдержкой при этой температуре в течение 3-5 часов с последующим выделением конечного продукта. Технический результат – разработан новый способ получения диангидрида 3,3-бис-(3,4-дикарбоксифенил)фталида, который может быть использован для получения полиимидов и композитов, применяемых в микроэлектронике, а также в качестве отвердителя для эпоксидных и алкидных смол. Способ получения диангидрида 3,3-бис-(3,4-дикарбоксифенил)фталида окислением 3,3-бис-(3,4-диметилфенил)фталида, осуществляемый при повышенной температуре с последующим выделением конечного продукта и его очисткой, отличающийся тем, что окисление 3,3-бис-(3,4-диметилфенил)фталида проводят 20-25%-ным водным раствором азотной кислоты при использовании 12-18 моль азотной кислоты на 1 моль 3,3-бис-(3,4-диметилфенил)фталида и при температуре 180-200°C в течение 30-90 минут под давлением 18-25 атм, после чего осуществляют охлаждение реакционной массы до температуры 60-70°C с установлением атмосферного давления, затем проводят частичное упаривание полученного раствора и охлаждение его до 3-6°C в течение 3-8 часов, затем фильтрацию полученного 3,3-бис-(3,4-дикарбоксифенил)фталида и его последующую ступенчатую сушку: сначала в вакууме при 1-10 мм рт.ст. и при температуре 80-100°C в течение 6-8 часов и затем дальнейшим повышением температуры до 200-230°C и выдержкой при этой температуре в течение 3-5 часов с последующим выделением конечного продукта - диангидрида 3,3-бис-(3,4-дикарбоксифенил)фталида.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)