|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
371
|
Патент 2760731
|
Изобретение относится к устройствам, которые управляют аниматронными системами. Техническим результатом является упрощение процесса задания алгоритма функционирования аниматронной системы за счет применения модульной структуры. Система содержит главный и подчиненный контроллеры, каждый из которых предназначен для конкретной группы движителей и/или датчиков. Главный контроллер содержит процессор, индикатор питания, LCD-дисплей, блок питания и плату коннектора, осуществляющую соединение через кабели связи и управления с коннекторами подчиненных контроллеров, подчиненные контроллеры содержат процессор, индикатор питания, модуль управления движителями или сенсорами, датчики, пороги значений которых настраиваются при помощи регулятора датчиков и регулятора порогов датчиков. Система управления аниматронными устройствами, включающая главный контроллер, соединенный кабелями связи и электропитания с подчиненными контроллерами и каналом связи с внешним устройством, состоящим из консольного приложения и устройства ввода, подключенные к терминалу компьютера, при этом главный контроллер состоит из процессора, соединенного с индикатором питания, показывающим напряжение на главном контроллере, и LCD-дисплем, отображающим информацию о работе системы, блока питания, питающего процессор и плату коннектора главного контроллера, осуществляющую соединение через кабели связи и управления с коннекторами подчиненных контроллеров, при этом подчиненные контроллеры состоят из процессора, соединенного с индикатором питания, показывающим напряжение на подчиненном контроллере, модуля управления движителями или сенсорами, датчиков, пороги значений которых настраиваются при помощи регулятора датчиков и регулятора порогов датчиков, сигналы с которых передаются через процессор на дисплей для настройки датчиков.
Основное назначение
Изобретение относится к устройствам, которые управляют аниматронными системами. Техническим результатом является упрощение процесса задания алгоритма функционирования аниматронной системы за счет применения модульной структуры. Система содержит главный и подчиненный контроллеры, каждый из которых предназначен для конкретной группы движителей и/или датчиков. Главный контроллер содержит процессор, индикатор питания, LCD-дисплей, блок питания и плату коннектора, осуществляющую соединение через кабели связи и управления с коннекторами подчиненных контроллеров, подчиненные контроллеры содержат процессор, индикатор питания, модуль управления движителями или сенсорами, датчики, пороги значений которых настраиваются при помощи регулятора датчиков и регулятора порогов датчиков. Система управления аниматронными устройствами, включающая главный контроллер, соединенный кабелями связи и электропитания с подчиненными контроллерами и каналом связи с внешним устройством, состоящим из консольного приложения и устройства ввода, подключенные к терминалу компьютера, при этом главный контроллер состоит из процессора, соединенного с индикатором питания, показывающим напряжение на главном контроллере, и LCD-дисплем, отображающим информацию о работе системы, блока питания, питающего процессор и плату коннектора главного контроллера, осуществляющую соединение через кабели связи и управления с коннекторами подчиненных контроллеров, при этом подчиненные контроллеры состоят из процессора, соединенного с индикатором питания, показывающим напряжение на подчиненном контроллере, модуля управления движителями или сенсорами, датчиков, пороги значений которых настраиваются при помощи регулятора датчиков и регулятора порогов датчиков, сигналы с которых передаются через процессор на дисплей для настройки датчиков.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Система управления аниматронными устройствами, включающая главный контроллер, соединенный кабелями связи и электропитания с подчиненными контроллерами и каналом связи с внешним устройством, состоящим из консольного приложения и устройства ввода, подключенные к терминалу компьютера, при этом главный контроллер состоит из процессора, соединенного с индикатором питания, показывающим напряжение на главном контроллере, и LCD-дисплем, отображающим информацию о работе системы, блока питания, питающего процессор и плату коннектора главного контроллера, осуществляющую соединение через кабели связи и управления с коннекторами подчиненных контроллеров, при этом подчиненные контроллеры состоят из процессора, соединенного с индикатором питания, показывающим напряжение на подчиненном контроллере, модуля управления движителями или сенсорами, датчиков, пороги значений которых настраиваются при помощи регулятора датчиков и регулятора порогов датчиков, сигналы с которых передаются через процессор на дисплей для настройки датчиков.
Основное назначение
Система управления аниматронными устройствами, включающая главный контроллер, соединенный кабелями связи и электропитания с подчиненными контроллерами и каналом связи с внешним устройством, состоящим из консольного приложения и устройства ввода, подключенные к терминалу компьютера, при этом главный контроллер состоит из процессора, соединенного с индикатором питания, показывающим напряжение на главном контроллере, и LCD-дисплем, отображающим информацию о работе системы, блока питания, питающего процессор и плату коннектора главного контроллера, осуществляющую соединение через кабели связи и управления с коннекторами подчиненных контроллеров, при этом подчиненные контроллеры состоят из процессора, соединенного с индикатором питания, показывающим напряжение на подчиненном контроллере, модуля управления движителями или сенсорами, датчиков, пороги значений которых настраиваются при помощи регулятора датчиков и регулятора порогов датчиков, сигналы с которых передаются через процессор на дисплей для настройки датчиков.
|
||
|
372
|
Патент 2776093
|
Изобретение относится к области физики элементарных частиц, в частности к прецизионным измерительным системам параметров пучка излучаемых частиц. Сущность изобретения состоит в измерении плотности пучка путем интегрального счета количества следов частиц в изображении каждого из кадров ПЗС-камеры за одно измерение, зарегистрированных твердотельным детектором в поперечном сечении пучка квазиоднородного излучения, с использованием ЭВМ, при этом измерение проводят в пороговом режиме ПЗС камеры в сочетании с использованием численного значения порога. Техническим результатом изобретения является возможность определения распределения плотности излучения по поперечному сечению пучка частиц с высокой достоверностью. 1. Способ измерения плотности пучка излучаемых частиц, зарегистрированных плоским твердотельным детектором, основанный на обработке изображений с использованием автоматизированного измерительного микроскопа, оснащенного компьютерной видеосистемой с телевизионной ПЗС-камерой, обработка кадров которой осуществляется с применением технологии машинного зрения, отличающийся тем, что плотность пучка измеряют путем интегрального счета числа следов частиц в изображении каждого из кадров ПЗС-камеры, зарегистрированных твердотельным детектором в поперечном сечении пучка квазиоднородного излучения, с использованием ЭВМ, где измерения проводят в пороговом изображении кадра ПЗС-камеры в сочетании с использованием численного значения порога.
2. Способ по п. 1, где способ включает следующие этапы:
1) определение уровня почернения величины порога Р и его численного значения;
2) переход от измерений количества черного в кадре к его измерению в пикселях;
3) подсчет количества следов (k) в каждом из кадров изображения ПЗС-камеры короткой серии кадров;
4) определение значения ?0, которое используется для расчетов количества следов частиц в каждом кадре последующего измерительного процесса при поточном сканировании плоскости детектора;
5) сканирование выделенной для измерений области плоскости детектора и вычисление значения (K) количества следов частиц в области плоскости детектора, захватываемой каждым из кадров изображения ПЗС-камеры;
6) вычисление плотности пучка излучаемых частиц в области плоскости детектора, захватываемой кадром ПЗС-камеры.
3. Способ по п. 2, где на первом этапе способа проводят выделение короткой серии кадров ПЗС-камеры, зафиксированных в нескольких различных точках заданной области измерения с последующим определением величины Р порога изображения в одном из кадров этой серии с последующим проведением перехода от серого изображения, генерируемого ПЗС-камерой в основном состоянии, к оцифрованному черно-белому пороговому изображению с единым численным значением Р уровня почернения порога в каждом кадре короткой серии изображений ПЗС-камеры, позволяющему перейти от измерений количества черного в изображении следов частиц в кадре ПЗС-камеры к определению количества черных пикселей ПЗС-матрицы в кадре ПЗС-камеры в изображении следов частиц, и интегральным счетом количества следов частиц во всем кадре в целом.
4. Способ по п. 2, где на втором этапе способа осуществляют определение числа n пикселей в пороговом изображении следов частиц в каждом из кадров ПЗС-камеры расчетным путем по формуле:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2022.07.13/RUNWC1/000/000/002/776/093/ИЗ-02776093-00001/00000045-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: М - численное значение количества черного в каждом кадре порогового изображения следов частиц, измеряемое суммой численных значений уровней почернения пикселей в кадре, каждое из которых равно численному значению Р уровня почернения порога;
Р - численное значение порога, которому равен уровень почернения пикселя в каждом кадре;
n - число черных пикселей в каждом кадре.
5. Способ по п. 2, где на третьем этапе способа проводят подсчет числа следов (k) в каждом из кадров изображения ПЗС-камеры короткой серии кадров путем визуально-ручного способа, предполагающего проставление метки рядом со следом частицы при очередном отсчете на экране монитора.
6. Способ по п. 2, где на четвертом этапе способа рассчитывают число пикселей (?) в одном следе в каждом из m кадров короткой серии кадров ПЗС-камеры по формуле:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2022.07.13/RUNWC1/000/000/002/776/093/ИЗ-02776093-00001/00000046-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: i - порядковый номер кадра от 1 до m, m - число кадров в короткой серии кадров,
ni - число черных пикселей в каждом i-м кадре;
ki - число следов в каждом i-м кадре короткой серии кадров, полученное визуально-поштучным счетом;
?i - число пикселей в изображении одного следа в каждом i-м кадре;
с последующим вычислением расчетных значений K' числа следов частиц в каждом i-м кадре короткой серии кадров ПЗС-камеры, при поочередно фиксируемых значениях Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) и переменном значении ni по формуле:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2022.07.13/RUNWC1/000/000/002/776/093/ИЗ-02776093-00001/00000048-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: i - порядковый номер кадра от 1 до m в короткой серии кадров, m - число кадров в короткой серии кадров, Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) - выделенный номер кадра в короткой серии кадров;
ni - число пикселей в каждом очередном для расчета кадре короткой серии кадров при каждом фиксированном значении Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне);
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) - число пикселей в изображении одного следа в i-м кадре с выделенным номером кадра i';
и определением среднего значения ?0, общего для каждого кадра короткой серии кадров, по формуле:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) - сумма значений Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) в пределах от 1 до t,
t - число суммируемых значений Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне), относящихся к тем кадрам короткой серии кадров, для каждого из которых разница между расчетным значением K и счетным значением k не превышает задаваемого предела Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне), где ? - принятая величина, при этом всегда t?m,
при этом полученное значение ?0 используется для расчетов числа следов частиц в каждом кадре короткой серии кадров и последующего измерительного процесса при поточном сканировании плоскости детектора.
7. Способ по п. 2, где на пятом этапе способа осуществляют сканирование выделенной для измерений области плоскости детектора с использованием общего значения ?0, ранее установленного с помощью кадров короткой серии кадров на этапе (4), и вычисление числа следов (K) в области плоскости детектора, захватываемой каждым из кадров изображения ПЗС-камеры, по формуле:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: n - число черных пикселей в пороговом изображении следов частиц в кадре.
8. Способ по п. 2, где на шестом этапе способа проводят вычисление плотности пучка излучаемых частиц в области плоскости детектора, захватываемой кадром ПЗС-камеры, с использованием значения (K), ранее установленного на этапе (5), по формуле:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: S - площадь плоскости детектора, захватываемая кадром ПЗС-камеры - величина постоянная;
D - численное значение плотности пучка частиц в поперечном сечении пучка излучения в области плоскости детектора, захваченной каждым из кадров ПЗС-камеры.
Основное назначение
Изобретение относится к области физики элементарных частиц, в частности к прецизионным измерительным системам параметров пучка излучаемых частиц. Сущность изобретения состоит в измерении плотности пучка путем интегрального счета количества следов частиц в изображении каждого из кадров ПЗС-камеры за одно измерение, зарегистрированных твердотельным детектором в поперечном сечении пучка квазиоднородного излучения, с использованием ЭВМ, при этом измерение проводят в пороговом режиме ПЗС камеры в сочетании с использованием численного значения порога. Техническим результатом изобретения является возможность определения распределения плотности излучения по поперечному сечению пучка частиц с высокой достоверностью. 1. Способ измерения плотности пучка излучаемых частиц, зарегистрированных плоским твердотельным детектором, основанный на обработке изображений с использованием автоматизированного измерительного микроскопа, оснащенного компьютерной видеосистемой с телевизионной ПЗС-камерой, обработка кадров которой осуществляется с применением технологии машинного зрения, отличающийся тем, что плотность пучка измеряют путем интегрального счета числа следов частиц в изображении каждого из кадров ПЗС-камеры, зарегистрированных твердотельным детектором в поперечном сечении пучка квазиоднородного излучения, с использованием ЭВМ, где измерения проводят в пороговом изображении кадра ПЗС-камеры в сочетании с использованием численного значения порога.
2. Способ по п. 1, где способ включает следующие этапы:
1) определение уровня почернения величины порога Р и его численного значения;
2) переход от измерений количества черного в кадре к его измерению в пикселях;
3) подсчет количества следов (k) в каждом из кадров изображения ПЗС-камеры короткой серии кадров;
4) определение значения ?0, которое используется для расчетов количества следов частиц в каждом кадре последующего измерительного процесса при поточном сканировании плоскости детектора;
5) сканирование выделенной для измерений области плоскости детектора и вычисление значения (K) количества следов частиц в области плоскости детектора, захватываемой каждым из кадров изображения ПЗС-камеры;
6) вычисление плотности пучка излучаемых частиц в области плоскости детектора, захватываемой кадром ПЗС-камеры.
3. Способ по п. 2, где на первом этапе способа проводят выделение короткой серии кадров ПЗС-камеры, зафиксированных в нескольких различных точках заданной области измерения с последующим определением величины Р порога изображения в одном из кадров этой серии с последующим проведением перехода от серого изображения, генерируемого ПЗС-камерой в основном состоянии, к оцифрованному черно-белому пороговому изображению с единым численным значением Р уровня почернения порога в каждом кадре короткой серии изображений ПЗС-камеры, позволяющему перейти от измерений количества черного в изображении следов частиц в кадре ПЗС-камеры к определению количества черных пикселей ПЗС-матрицы в кадре ПЗС-камеры в изображении следов частиц, и интегральным счетом количества следов частиц во всем кадре в целом.
4. Способ по п. 2, где на втором этапе способа осуществляют определение числа n пикселей в пороговом изображении следов частиц в каждом из кадров ПЗС-камеры расчетным путем по формуле:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2022.07.13/RUNWC1/000/000/002/776/093/ИЗ-02776093-00001/00000045-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: М - численное значение количества черного в каждом кадре порогового изображения следов частиц, измеряемое суммой численных значений уровней почернения пикселей в кадре, каждое из которых равно численному значению Р уровня почернения порога;
Р - численное значение порога, которому равен уровень почернения пикселя в каждом кадре;
n - число черных пикселей в каждом кадре.
5. Способ по п. 2, где на третьем этапе способа проводят подсчет числа следов (k) в каждом из кадров изображения ПЗС-камеры короткой серии кадров путем визуально-ручного способа, предполагающего проставление метки рядом со следом частицы при очередном отсчете на экране монитора.
6. Способ по п. 2, где на четвертом этапе способа рассчитывают число пикселей (?) в одном следе в каждом из m кадров короткой серии кадров ПЗС-камеры по формуле:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2022.07.13/RUNWC1/000/000/002/776/093/ИЗ-02776093-00001/00000046-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: i - порядковый номер кадра от 1 до m, m - число кадров в короткой серии кадров,
ni - число черных пикселей в каждом i-м кадре;
ki - число следов в каждом i-м кадре короткой серии кадров, полученное визуально-поштучным счетом;
?i - число пикселей в изображении одного следа в каждом i-м кадре;
с последующим вычислением расчетных значений K' числа следов частиц в каждом i-м кадре короткой серии кадров ПЗС-камеры, при поочередно фиксируемых значениях Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) и переменном значении ni по формуле:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2022.07.13/RUNWC1/000/000/002/776/093/ИЗ-02776093-00001/00000048-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: i - порядковый номер кадра от 1 до m в короткой серии кадров, m - число кадров в короткой серии кадров, Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) - выделенный номер кадра в короткой серии кадров;
ni - число пикселей в каждом очередном для расчета кадре короткой серии кадров при каждом фиксированном значении Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне);
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) - число пикселей в изображении одного следа в i-м кадре с выделенным номером кадра i';
и определением среднего значения ?0, общего для каждого кадра короткой серии кадров, по формуле:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) - сумма значений Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) в пределах от 1 до t,
t - число суммируемых значений Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне), относящихся к тем кадрам короткой серии кадров, для каждого из которых разница между расчетным значением K и счетным значением k не превышает задаваемого предела Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне), где ? - принятая величина, при этом всегда t?m,
при этом полученное значение ?0 используется для расчетов числа следов частиц в каждом кадре короткой серии кадров и последующего измерительного процесса при поточном сканировании плоскости детектора.
7. Способ по п. 2, где на пятом этапе способа осуществляют сканирование выделенной для измерений области плоскости детектора с использованием общего значения ?0, ранее установленного с помощью кадров короткой серии кадров на этапе (4), и вычисление числа следов (K) в области плоскости детектора, захватываемой каждым из кадров изображения ПЗС-камеры, по формуле:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: n - число черных пикселей в пороговом изображении следов частиц в кадре.
8. Способ по п. 2, где на шестом этапе способа проводят вычисление плотности пучка излучаемых частиц в области плоскости детектора, захватываемой кадром ПЗС-камеры, с использованием значения (K), ранее установленного на этапе (5), по формуле:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: S - площадь плоскости детектора, захватываемая кадром ПЗС-камеры - величина постоянная;
D - численное значение плотности пучка частиц в поперечном сечении пучка излучения в области плоскости детектора, захваченной каждым из кадров ПЗС-камеры.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Изобретение относится к области термоядерной техники, в частности к бланкетам гибридных термоядерных реакторов. Модуль бланкета гибридного термоядерного реактора с жидкометаллическим теплоносителем содержит тепловыделяющие сборки с тепловыделяющими элементами. Топливо тепловыделяющих элементов изготовлено из оксида минорных актинидов. Тепловыделяющие сборки выполнены прямоугольного сечения. Технический результат - увеличение размножающих свойств ядерной зоны модуля бланкета термоядерного реактора. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области термоядерной техники, в частности к бланкетам гибридных термоядерных реакторов. Модуль бланкета гибридного термоядерного реактора с жидкометаллическим теплоносителем содержит тепловыделяющие сборки с тепловыделяющими элементами. Топливо тепловыделяющих элементов изготовлено из оксида минорных актинидов. Тепловыделяющие сборки выполнены прямоугольного сечения. Технический результат - увеличение размножающих свойств ядерной зоны модуля бланкета термоядерного реактора. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
||
|
373
|
Патент 2770751
|
Изобретение относится к оптической диагностической технике. Способ одновременной теневой хронографической регистрации ударно-волновых и плазменных процессов включает генерацию импульсного лазерного излучения с активным элементом из монокристалла ортоалюмината иттрия с неодимом, при этом излучение поступает в вакуумную камеру через диагностические окна перпендикулярно к оси диода, просвечивая образец с отполированными боковыми гранями и диодный зазор, с дальнейшим разделением лазерного излучения, попавшего в объектив, снабженный щелевой диафрагмой, светоделительным зеркалом, для одновременного попадания на щель быстрого и медленного электронно-оптических преобразователей, работающих в хронографическом режиме, с дальнейшим построением изображений на экране электронно-оптических преобразователей и фотофиксацией этих изображений, при этом лазерное излучение после прохождения диафрагмы пропускается через, по меньшей мере, один зеленый или интерференционный светофильтр. Технический результат – хронографическая визуализация ударно-волновых и плазменных процессов, возникающих в процессе воздействия сильноточного электронного пучка на исследуемый образец. 2 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к оптической диагностической технике. Способ одновременной теневой хронографической регистрации ударно-волновых и плазменных процессов включает генерацию импульсного лазерного излучения с активным элементом из монокристалла ортоалюмината иттрия с неодимом, при этом излучение поступает в вакуумную камеру через диагностические окна перпендикулярно к оси диода, просвечивая образец с отполированными боковыми гранями и диодный зазор, с дальнейшим разделением лазерного излучения, попавшего в объектив, снабженный щелевой диафрагмой, светоделительным зеркалом, для одновременного попадания на щель быстрого и медленного электронно-оптических преобразователей, работающих в хронографическом режиме, с дальнейшим построением изображений на экране электронно-оптических преобразователей и фотофиксацией этих изображений, при этом лазерное излучение после прохождения диафрагмы пропускается через, по меньшей мере, один зеленый или интерференционный светофильтр. Технический результат – хронографическая визуализация ударно-волновых и плазменных процессов, возникающих в процессе воздействия сильноточного электронного пучка на исследуемый образец. 2 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Изобретение относится к оптической диагностической технике. Способ одновременной теневой хронографической регистрации ударно-волновых и плазменных процессов включает генерацию импульсного лазерного излучения с активным элементом из монокристалла ортоалюмината иттрия с неодимом, при этом излучение поступает в вакуумную камеру через диагностические окна перпендикулярно к оси диода, просвечивая образец с отполированными боковыми гранями и диодный зазор, с дальнейшим разделением лазерного излучения, попавшего в объектив, снабженный щелевой диафрагмой, светоделительным зеркалом, для одновременного попадания на щель быстрого и медленного электронно-оптических преобразователей, работающих в хронографическом режиме, с дальнейшим построением изображений на экране электронно-оптических преобразователей и фотофиксацией этих изображений, при этом лазерное излучение после прохождения диафрагмы пропускается через, по меньшей мере, один зеленый или интерференционный светофильтр. Технический результат – хронографическая визуализация ударно-волновых и плазменных процессов, возникающих в процессе воздействия сильноточного электронного пучка на исследуемый образец. 2 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к оптической диагностической технике. Способ одновременной теневой хронографической регистрации ударно-волновых и плазменных процессов включает генерацию импульсного лазерного излучения с активным элементом из монокристалла ортоалюмината иттрия с неодимом, при этом излучение поступает в вакуумную камеру через диагностические окна перпендикулярно к оси диода, просвечивая образец с отполированными боковыми гранями и диодный зазор, с дальнейшим разделением лазерного излучения, попавшего в объектив, снабженный щелевой диафрагмой, светоделительным зеркалом, для одновременного попадания на щель быстрого и медленного электронно-оптических преобразователей, работающих в хронографическом режиме, с дальнейшим построением изображений на экране электронно-оптических преобразователей и фотофиксацией этих изображений, при этом лазерное излучение после прохождения диафрагмы пропускается через, по меньшей мере, один зеленый или интерференционный светофильтр. Технический результат – хронографическая визуализация ударно-волновых и плазменных процессов, возникающих в процессе воздействия сильноточного электронного пучка на исследуемый образец. 2 ил.
|
||
|
374
|
Патент 2609895
|
Изобретение относится к ядерной энергетике, а именно к разработке реактора-конвертера с расплавленным уран-плутониевым топливом, работающим со средним коэффициентом воспроизводства, достаточным для самообеспечения топливом. Реактор-конвертер подпитывается низкообогащенной смесью сырьевых и делящихся изотопов урана и плутония с содержанием делящихся изотопов не более, чем в отработавшем ядерном топливе (ОЯТ) легководных реакторов, а также отвальным ураном, поэтому реактор не требует производств внешнего топливного цикла. Использование в качестве теплоносителя полисилазана позволяет улучшить нейтронно-физические характеристики топливного цикла, увеличить коэффициент воспроизводства. Реактор-конвертер канального типа с расплавленным топливом состоит из корпуса низкого давления с размещенной активной зоной, состоящей из вертикальных колонн бокового отражателя и внутрикорпусных устройств (ВКУ) с установленными в центральные отверстия колонн ВКУ технологическими каналами (ТК) для протока теплоносителя и размещенными в них тепловыделяющими сборками (ТВС) с тепловыделяющими элементами (ТВЭЛ), корпус низкого давления заполнен теплоносителем, в который погружена активная зона, внутренний объем ТВЭЛ ТВС, размещенных в технологических каналах, заполнен жидкометаллическим уран-плутониевым топливом, верхние концы ТВЭЛ объединены в накопителе продуктов деления ТВС, концы ТВЭЛ выполнены сообщающимися с полостью ТВС, последняя выполнена сообщающейся с открытой полостью над топливом, находясь с ней под общим давлением, при этом корпус низкого давления выполнен из высокопрочного титанового сплава, например марки ВТ3-1, ВТ6, ВТ6С, ВТ14 или ВТ22, защищенного изнутри нанопористым композитом на основе нитрида бора, а теплоноситель выполнен на основе полисилазана следующего стехиометрического состава: Si315N3C12D22. Накопитель продуктов деления ТВС содержит нанопористый сорбционный материал для удаления газообразных продуктов деления и продуктов деления с высокой упругостью пара, например, на основе SiАlON при дисперсности микропор в интервале 5-15 ?, и материал-поглотитель продуктов деления с низкой упругостью пара. 1. Реактор-конвертер канального типа с расплавленным топливом, состоящий из корпуса низкого давления с размещенной в нем активной зоной, состоящей из вертикальных колонн бокового отражателя и внутрикорпусных устройств (ВКУ) с установленными в центральные отверстия колонн ВКУ технологическими каналами (ТК) для протока теплоносителя и размещенными в них тепловыделяющими сборками (ТВС) с тепловыделяющими элементами (ТВЭЛ), корпус низкого давления заполнен теплоносителем, в который погружена активная зона, внутренний объем ТВЭЛ ТВС, размещенных в технологических каналах, заполнен жидкометаллическим уран-плутониевым топливом, верхние концы ТВЭЛ объединены в накопителе продуктов деления ТВС, концы ТВЭЛ выполнены сообщающимися с полостью ТВС, последняя выполнена сообщающейся с открытой полостью над топливом, находясь с ней под общим давлением, отличающийся тем, что корпус низкого давления выполнен из высокопрочного титанового сплава, защищенного изнутри нанопористым композитом, а теплоноситель выполнен на основе полисилазана.
2. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что корпус низкого давления выполнен из высокопрочного титанового сплава марки ВТ3-1, или ВТ6, или ВТ6С, или ВТ14, или ВТ22.
3. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что нанопористый композит выполнен на основе нитрида бора.
4. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что в качестве топлива используют низкообогащенную смесь сырьевых и делящихся изотопов урана и плутония с содержанием делящихся изотопов, не превышающим его значений в отработавшем ядерном топливе (ОЯТ) легководных реакторов, и отвальный уран.
5. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что оболочки ТВЭЛ, ТВС, ТК и ВКУ выполнены из композитного материала на основе нитрида бора с изотопным составом 11B15N, упрочненного наноразмерными нитевидными кристаллами ?-SiC, нанодисперсными частицами кубического 11B15N, и насыщены гелием, при следующем соотношении компонентов:
11B15N - 93-79 об.%
11B15N - 1-3 об.% - кубический
?-SiC - 5-15 об.%
4He - 1-3 об.%.
6. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что теплоноситель на основе полисилазана имеет следующий стехиометрический состав:
Si315N3C12D22.
7. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что накопитель продуктов деления ТВС содержит нанопористый сорбционный материал для удаления газообразных продуктов деления и продуктов деления.
8. Реактор-конвертер по п. 7, отличающийся тем, что нанопористый сорбционный материал выполнен на основе SiАlON при дисперсности микропор в интервале 5-15 ?.
Основное назначение
Изобретение относится к ядерной энергетике, а именно к разработке реактора-конвертера с расплавленным уран-плутониевым топливом, работающим со средним коэффициентом воспроизводства, достаточным для самообеспечения топливом. Реактор-конвертер подпитывается низкообогащенной смесью сырьевых и делящихся изотопов урана и плутония с содержанием делящихся изотопов не более, чем в отработавшем ядерном топливе (ОЯТ) легководных реакторов, а также отвальным ураном, поэтому реактор не требует производств внешнего топливного цикла. Использование в качестве теплоносителя полисилазана позволяет улучшить нейтронно-физические характеристики топливного цикла, увеличить коэффициент воспроизводства. Реактор-конвертер канального типа с расплавленным топливом состоит из корпуса низкого давления с размещенной активной зоной, состоящей из вертикальных колонн бокового отражателя и внутрикорпусных устройств (ВКУ) с установленными в центральные отверстия колонн ВКУ технологическими каналами (ТК) для протока теплоносителя и размещенными в них тепловыделяющими сборками (ТВС) с тепловыделяющими элементами (ТВЭЛ), корпус низкого давления заполнен теплоносителем, в который погружена активная зона, внутренний объем ТВЭЛ ТВС, размещенных в технологических каналах, заполнен жидкометаллическим уран-плутониевым топливом, верхние концы ТВЭЛ объединены в накопителе продуктов деления ТВС, концы ТВЭЛ выполнены сообщающимися с полостью ТВС, последняя выполнена сообщающейся с открытой полостью над топливом, находясь с ней под общим давлением, при этом корпус низкого давления выполнен из высокопрочного титанового сплава, например марки ВТ3-1, ВТ6, ВТ6С, ВТ14 или ВТ22, защищенного изнутри нанопористым композитом на основе нитрида бора, а теплоноситель выполнен на основе полисилазана следующего стехиометрического состава: Si315N3C12D22. Накопитель продуктов деления ТВС содержит нанопористый сорбционный материал для удаления газообразных продуктов деления и продуктов деления с высокой упругостью пара, например, на основе SiАlON при дисперсности микропор в интервале 5-15 ?, и материал-поглотитель продуктов деления с низкой упругостью пара. 1. Реактор-конвертер канального типа с расплавленным топливом, состоящий из корпуса низкого давления с размещенной в нем активной зоной, состоящей из вертикальных колонн бокового отражателя и внутрикорпусных устройств (ВКУ) с установленными в центральные отверстия колонн ВКУ технологическими каналами (ТК) для протока теплоносителя и размещенными в них тепловыделяющими сборками (ТВС) с тепловыделяющими элементами (ТВЭЛ), корпус низкого давления заполнен теплоносителем, в который погружена активная зона, внутренний объем ТВЭЛ ТВС, размещенных в технологических каналах, заполнен жидкометаллическим уран-плутониевым топливом, верхние концы ТВЭЛ объединены в накопителе продуктов деления ТВС, концы ТВЭЛ выполнены сообщающимися с полостью ТВС, последняя выполнена сообщающейся с открытой полостью над топливом, находясь с ней под общим давлением, отличающийся тем, что корпус низкого давления выполнен из высокопрочного титанового сплава, защищенного изнутри нанопористым композитом, а теплоноситель выполнен на основе полисилазана.
2. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что корпус низкого давления выполнен из высокопрочного титанового сплава марки ВТ3-1, или ВТ6, или ВТ6С, или ВТ14, или ВТ22.
3. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что нанопористый композит выполнен на основе нитрида бора.
4. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что в качестве топлива используют низкообогащенную смесь сырьевых и делящихся изотопов урана и плутония с содержанием делящихся изотопов, не превышающим его значений в отработавшем ядерном топливе (ОЯТ) легководных реакторов, и отвальный уран.
5. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что оболочки ТВЭЛ, ТВС, ТК и ВКУ выполнены из композитного материала на основе нитрида бора с изотопным составом 11B15N, упрочненного наноразмерными нитевидными кристаллами ?-SiC, нанодисперсными частицами кубического 11B15N, и насыщены гелием, при следующем соотношении компонентов:
11B15N - 93-79 об.%
11B15N - 1-3 об.% - кубический
?-SiC - 5-15 об.%
4He - 1-3 об.%.
6. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что теплоноситель на основе полисилазана имеет следующий стехиометрический состав:
Si315N3C12D22.
7. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что накопитель продуктов деления ТВС содержит нанопористый сорбционный материал для удаления газообразных продуктов деления и продуктов деления.
8. Реактор-конвертер по п. 7, отличающийся тем, что нанопористый сорбционный материал выполнен на основе SiАlON при дисперсности микропор в интервале 5-15 ?.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (ФГБУ НИЦ "Курчатовский институт") (RU),
Акционерное общество "Государственный ордена трудового Красного знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (АО "ГНИИХТЭОС") (RU),
Заковоротный Александр Григорьевич (RU),
Логинов Александр Сергеевич (RU),
Петров Анатолий Александрович (RU),
Слободчиков Алексей Владимирович (RU),
Умяров Роман Мансурович (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (ФГБУ НИЦ "Курчатовский институт") (RU),
Акционерное общество "Государственный ордена трудового Красного знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (АО "ГНИИХТЭОС") (RU),
Заковоротный Александр Григорьевич (RU),
Логинов Александр Сергеевич (RU),
Петров Анатолий Александрович (RU),
Слободчиков Алексей Владимирович (RU),
Умяров Роман Мансурович (RU)
|
1. Реактор-конвертер канального типа с расплавленным топливом, состоящий из корпуса низкого давления с размещенной в нем активной зоной, состоящей из вертикальных колонн бокового отражателя и внутрикорпусных устройств (ВКУ) с установленными в центральные отверстия колонн ВКУ технологическими каналами (ТК) для протока теплоносителя и размещенными в них тепловыделяющими сборками (ТВС) с тепловыделяющими элементами (ТВЭЛ), корпус низкого давления заполнен теплоносителем, в который погружена активная зона, внутренний объем ТВЭЛ ТВС, размещенных в технологических каналах, заполнен жидкометаллическим уран-плутониевым топливом, верхние концы ТВЭЛ объединены в накопителе продуктов деления ТВС, концы ТВЭЛ выполнены сообщающимися с полостью ТВС, последняя выполнена сообщающейся с открытой полостью над топливом, находясь с ней под общим давлением, отличающийся тем, что корпус низкого давления выполнен из высокопрочного титанового сплава, защищенного изнутри нанопористым композитом, а теплоноситель выполнен на основе полисилазана.
2. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что корпус низкого давления выполнен из высокопрочного титанового сплава марки ВТ3-1, или ВТ6, или ВТ6С, или ВТ14, или ВТ22.
3. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что нанопористый композит выполнен на основе нитрида бора.
4. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что в качестве топлива используют низкообогащенную смесь сырьевых и делящихся изотопов урана и плутония с содержанием делящихся изотопов, не превышающим его значений в отработавшем ядерном топливе (ОЯТ) легководных реакторов, и отвальный уран.
5. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что оболочки ТВЭЛ, ТВС, ТК и ВКУ выполнены из композитного материала на основе нитрида бора с изотопным составом 11B15N, упрочненного наноразмерными нитевидными кристаллами ?-SiC, нанодисперсными частицами кубического 11B15N, и насыщены гелием, при следующем соотношении компонентов:
11B15N - 93-79 об.%
11B15N - 1-3 об.% - кубический
?-SiC - 5-15 об.%
4He - 1-3 об.%.
6. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что теплоноситель на основе полисилазана имеет следующий стехиометрический состав:
Si315N3C12D22.
7. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что накопитель продуктов деления ТВС содержит нанопористый сорбционный материал для удаления газообразных продуктов деления и продуктов деления.
8. Реактор-конвертер по п. 7, отличающийся тем, что нанопористый сорбционный материал выполнен на основе SiАlON при дисперсности микропор в интервале 5-15 ?.
Основное назначение
1. Реактор-конвертер канального типа с расплавленным топливом, состоящий из корпуса низкого давления с размещенной в нем активной зоной, состоящей из вертикальных колонн бокового отражателя и внутрикорпусных устройств (ВКУ) с установленными в центральные отверстия колонн ВКУ технологическими каналами (ТК) для протока теплоносителя и размещенными в них тепловыделяющими сборками (ТВС) с тепловыделяющими элементами (ТВЭЛ), корпус низкого давления заполнен теплоносителем, в который погружена активная зона, внутренний объем ТВЭЛ ТВС, размещенных в технологических каналах, заполнен жидкометаллическим уран-плутониевым топливом, верхние концы ТВЭЛ объединены в накопителе продуктов деления ТВС, концы ТВЭЛ выполнены сообщающимися с полостью ТВС, последняя выполнена сообщающейся с открытой полостью над топливом, находясь с ней под общим давлением, отличающийся тем, что корпус низкого давления выполнен из высокопрочного титанового сплава, защищенного изнутри нанопористым композитом, а теплоноситель выполнен на основе полисилазана.
2. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что корпус низкого давления выполнен из высокопрочного титанового сплава марки ВТ3-1, или ВТ6, или ВТ6С, или ВТ14, или ВТ22.
3. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что нанопористый композит выполнен на основе нитрида бора.
4. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что в качестве топлива используют низкообогащенную смесь сырьевых и делящихся изотопов урана и плутония с содержанием делящихся изотопов, не превышающим его значений в отработавшем ядерном топливе (ОЯТ) легководных реакторов, и отвальный уран.
5. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что оболочки ТВЭЛ, ТВС, ТК и ВКУ выполнены из композитного материала на основе нитрида бора с изотопным составом 11B15N, упрочненного наноразмерными нитевидными кристаллами ?-SiC, нанодисперсными частицами кубического 11B15N, и насыщены гелием, при следующем соотношении компонентов:
11B15N - 93-79 об.%
11B15N - 1-3 об.% - кубический
?-SiC - 5-15 об.%
4He - 1-3 об.%.
6. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что теплоноситель на основе полисилазана имеет следующий стехиометрический состав:
Si315N3C12D22.
7. Реактор-конвертер по п. 1, отличающийся тем, что накопитель продуктов деления ТВС содержит нанопористый сорбционный материал для удаления газообразных продуктов деления и продуктов деления.
8. Реактор-конвертер по п. 7, отличающийся тем, что нанопористый сорбционный материал выполнен на основе SiАlON при дисперсности микропор в интервале 5-15 ?.
|
||
|
375
|
2846621
|
Изобретение относится к кристаллографии и технике детектирования ионизирующих излучений. Способ изготовления керамических пластин из оксида галлия, характеризуется тем, что исходный микропорошок β-Ga2O3 подают вместе с потоком транспортирующего газа в плазмотрон постоянного тока с самоустанавливающейся длиной дуги, вихревой стабилизацией и расширяющимся газоразрядным трактом, находящийся в открытой атмосфере. Продукты взаимодействия плазмы и микропорошка β-Ga2O3 направляют на плоскую подложку, установленную в конце плазменного потока нормально к потоку газа, а после выключения плазмотрона и остывания всех частей системы отделяют керамическую пластину β-Ga2O3 от подложки механически. При этом размер частиц микропорошка β-Ga2O3 составляет 5÷50 мкм; скорости подачи в плазмотрон транспортирующего микропорошок и проточного газа 0.18÷0.22 г с-1 и 1.4÷1.6 г с-1, соответственно, состав газа - смесь аргона и азота (0.7Ar+0.3N2 по весу), сила тока дуги 148÷152 А. Изобретение обеспечивает наличием отклика в виде интенсивного электромагнитного сигнала на внешнее воздействие ионизирующим излучением. 3 з.п. ф-лы, 7 ил., 6 пр.
Основное назначение
Изобретение относится к кристаллографии и технике детектирования ионизирующих излучений. Способ изготовления керамических пластин из оксида галлия, характеризуется тем, что исходный микропорошок β-Ga2O3 подают вместе с потоком транспортирующего газа в плазмотрон постоянного тока с самоустанавливающейся длиной дуги, вихревой стабилизацией и расширяющимся газоразрядным трактом, находящийся в открытой атмосфере. Продукты взаимодействия плазмы и микропорошка β-Ga2O3 направляют на плоскую подложку, установленную в конце плазменного потока нормально к потоку газа, а после выключения плазмотрона и остывания всех частей системы отделяют керамическую пластину β-Ga2O3 от подложки механически. При этом размер частиц микропорошка β-Ga2O3 составляет 5÷50 мкм; скорости подачи в плазмотрон транспортирующего микропорошок и проточного газа 0.18÷0.22 г с-1 и 1.4÷1.6 г с-1, соответственно, состав газа - смесь аргона и азота (0.7Ar+0.3N2 по весу), сила тока дуги 148÷152 А. Изобретение обеспечивает наличием отклика в виде интенсивного электромагнитного сигнала на внешнее воздействие ионизирующим излучением. 3 з.п. ф-лы, 7 ил., 6 пр.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
|
"1. Способ получения керамических пластин из оксида галлия на подложке в установке, содержащей плазмотрон, отличающийся тем, что в качестве исходного материала для образования пластины оксида галлия на подложке используют микропорошок β-Ga2O3, который подают в плазмотрон с самоустанавливающейся длиной дуги, вихревой стабилизацией и расширяющимся газоразрядным трактом, находящийся в открытой атмосфере и работающий в режиме постоянного тока, для продувки плазмотрона применяют аргон и (или) азот, продукт взаимодействия плазмы и микропорошка β-Ga2O3 направляют на плоскую подложку, установленную в конце дуги плазмотрона нормально потоку таза, а после выключения плазмотрона и остывания всех частей установки отделяют керамическую пластину β-Ga2O3 от подложки механически.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что размер частиц микропорошка β-Ga2O3 составляет 5÷50 мкм.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что скорости подачи в плазматорон транспортирующего микропорошок и плазмообразующего газа 0.18÷0.22 г с-1 и 1.4÷1.6 г с-1, соответственно, состав газа - смесь аргона и азота (0.7Ar+0.3N2 по весу), сила тока дуги 240-250 А.
4. Способ по п. 1 отличающийся тем, что подачу микропорошка в плазматрон осуществляют на расстоянии 50-70 мм от сопла плазматрона, а подложку размещают на расстоянии 50-70 мм от сопла плазматрона."
Основное назначение
"1. Способ получения керамических пластин из оксида галлия на подложке в установке, содержащей плазмотрон, отличающийся тем, что в качестве исходного материала для образования пластины оксида галлия на подложке используют микропорошок β-Ga2O3, который подают в плазмотрон с самоустанавливающейся длиной дуги, вихревой стабилизацией и расширяющимся газоразрядным трактом, находящийся в открытой атмосфере и работающий в режиме постоянного тока, для продувки плазмотрона применяют аргон и (или) азот, продукт взаимодействия плазмы и микропорошка β-Ga2O3 направляют на плоскую подложку, установленную в конце дуги плазмотрона нормально потоку таза, а после выключения плазмотрона и остывания всех частей установки отделяют керамическую пластину β-Ga2O3 от подложки механически.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что размер частиц микропорошка β-Ga2O3 составляет 5÷50 мкм.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что скорости подачи в плазматорон транспортирующего микропорошок и плазмообразующего газа 0.18÷0.22 г с-1 и 1.4÷1.6 г с-1, соответственно, состав газа - смесь аргона и азота (0.7Ar+0.3N2 по весу), сила тока дуги 240-250 А.
4. Способ по п. 1 отличающийся тем, что подачу микропорошка в плазматрон осуществляют на расстоянии 50-70 мм от сопла плазматрона, а подложку размещают на расстоянии 50-70 мм от сопла плазматрона."
|
||
|
376
|
2843322
|
Изобретение относится к области исследования материалов рентгенодифракционными способами. Способ контроля объемного распределения носителей заряда и деформаций в кристаллах включает облучение кристалла, установленного в дифракционное положение в геометрии дифракции «на просвет» на гониометрической системе с возможностью вращения, рентгеновским излучением, полученным посредством отражения от асимметричного кристаллического монохроматора, с одновременным воздействием на кристалл электрическим полем. Регистрация серий двумерных изображений интенсивности излучения при каждом угловом положении кристалла двухкоординатным детектором с изменением величины напряженности внешнего электрического поля и повторением регистрации серии изображений. По данным создают карты пространственного распределения параметров кривой дифракционного отражения, и определяется зависимость изменения указанных параметров от величины напряженности внешнего электрического поля, и получают пространственное распределение электроиндуцированных деформаций, их величину, а также анизотропию перераспределения носителей заряда. Технический результат - повышение информативности исследования объемного распределения носителей заряда и деформаций и их визуализация. 4 з.п. ф-лы, 5 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области исследования материалов рентгенодифракционными способами. Способ контроля объемного распределения носителей заряда и деформаций в кристаллах включает облучение кристалла, установленного в дифракционное положение в геометрии дифракции «на просвет» на гониометрической системе с возможностью вращения, рентгеновским излучением, полученным посредством отражения от асимметричного кристаллического монохроматора, с одновременным воздействием на кристалл электрическим полем. Регистрация серий двумерных изображений интенсивности излучения при каждом угловом положении кристалла двухкоординатным детектором с изменением величины напряженности внешнего электрического поля и повторением регистрации серии изображений. По данным создают карты пространственного распределения параметров кривой дифракционного отражения, и определяется зависимость изменения указанных параметров от величины напряженности внешнего электрического поля, и получают пространственное распределение электроиндуцированных деформаций, их величину, а также анизотропию перераспределения носителей заряда. Технический результат - повышение информативности исследования объемного распределения носителей заряда и деформаций и их визуализация. 4 з.п. ф-лы, 5 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
|
"1. Способ контроля объемного распределения носителей заряда и деформаций в кристаллах, включающий облучение кристалла, установленного на гониометрической системе с возможностью вращения, рентгеновским излучением с одновременным воздействием на кристалл электрическим полем, отличающийся тем, что исследуемый кристалл устанавливают на гониометрической системе в дифракционное положение в геометрии дифракции «на просвет» и облучают пучком рентгеновского излучения, полученным посредством отражения от асимметричного кристаллического монохроматора и сопоставимым по размеру с поперечным сечением исследуемого кристалла, при этом воздействуют на исследуемый кристалл внешним электрическим полем, одновременно регистрируя серию изображений при каждом угловом положении кристалла при помощи двухкоординатного детектора и записывая получаемые двумерные изображения интенсивности излучения с последующим изменением величины напряженности внешнего электрического поля и повторением регистрации серии изображений, далее на основании полученных изображений формируют пятимерный массив данных, включающий данные о рентгеновской интенсивности, угловой отстройке исследуемого кристалла от максимума дифракционного отражения, вертикальной и горизонтальной пространственных координатах, а также напряженности электрического поля, после чего на основании полученного массива создают карты пространственного распределения параметров кривой дифракционного отражения, что позволяет определить зависимость изменения указанных параметров от величины напряженности внешнего электрического поля, выявить пространственное распределение электроиндуцированных деформаций, их величину, а также анизотропию перераспределения носителей заряда.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что рентгеновское излучение получено от источника, в качестве которого используют рентгеновскую трубку с длиной волны характеристической и тормозной части спектра излучения в диапазоне длин волн 0.02-0.4 нм.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве асимметричного кристаллического монохроматора рентгеновского излучения используют высокосовершенный монокристалл кремния с отражением 440, вырезанный асимметрично с коэффициентом асимметрии 0,025, уширяющий сечение предварительно сколлимированного пучка рентгеновского излучения в 40 раз.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что двухкоординатный детектор представляет собой полупроводниковый детектор с матрицей из теллурида кадмия (CdTe) с размером пикселя 55 мкм.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что воздействие на кристалл осуществляется электрическим полем с напряженностью в диапазоне до 5 кВ."
Основное назначение
"1. Способ контроля объемного распределения носителей заряда и деформаций в кристаллах, включающий облучение кристалла, установленного на гониометрической системе с возможностью вращения, рентгеновским излучением с одновременным воздействием на кристалл электрическим полем, отличающийся тем, что исследуемый кристалл устанавливают на гониометрической системе в дифракционное положение в геометрии дифракции «на просвет» и облучают пучком рентгеновского излучения, полученным посредством отражения от асимметричного кристаллического монохроматора и сопоставимым по размеру с поперечным сечением исследуемого кристалла, при этом воздействуют на исследуемый кристалл внешним электрическим полем, одновременно регистрируя серию изображений при каждом угловом положении кристалла при помощи двухкоординатного детектора и записывая получаемые двумерные изображения интенсивности излучения с последующим изменением величины напряженности внешнего электрического поля и повторением регистрации серии изображений, далее на основании полученных изображений формируют пятимерный массив данных, включающий данные о рентгеновской интенсивности, угловой отстройке исследуемого кристалла от максимума дифракционного отражения, вертикальной и горизонтальной пространственных координатах, а также напряженности электрического поля, после чего на основании полученного массива создают карты пространственного распределения параметров кривой дифракционного отражения, что позволяет определить зависимость изменения указанных параметров от величины напряженности внешнего электрического поля, выявить пространственное распределение электроиндуцированных деформаций, их величину, а также анизотропию перераспределения носителей заряда.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что рентгеновское излучение получено от источника, в качестве которого используют рентгеновскую трубку с длиной волны характеристической и тормозной части спектра излучения в диапазоне длин волн 0.02-0.4 нм.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве асимметричного кристаллического монохроматора рентгеновского излучения используют высокосовершенный монокристалл кремния с отражением 440, вырезанный асимметрично с коэффициентом асимметрии 0,025, уширяющий сечение предварительно сколлимированного пучка рентгеновского излучения в 40 раз.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что двухкоординатный детектор представляет собой полупроводниковый детектор с матрицей из теллурида кадмия (CdTe) с размером пикселя 55 мкм.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что воздействие на кристалл осуществляется электрическим полем с напряженностью в диапазоне до 5 кВ."
|
||
|
377
|
Патент 2837731
|
Изобретение относится к способам формирования гетероструктур. Способ создания сверхтонких графеновых структур с высокой подвижностью спин-поляризованных носителей заряда, заключающийся в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии путем осаждения атомов металла на гетероструктуру Графен/SiO2/Si(001), в которой слой оксида кремния предварительно удаляют из-под графена путем отжига гетероструктуры при температуре Ts=950±20°С, под графеном на поверхности подложки Si(001) формируют поверхностную фазу, представляющую собой субмонослойную периодическую структуру из атомов металла. В качестве поверхностной фазы выступает Gd 1?4, и ее формирование производят путем открытия заслонки ячейки Gd, обеспечивающего осаждение атомов Gd при давлении PGd=(0,3?10)?10-8 Торр потока атомов Gd на гетероструктуру, поддерживаемую при температуре Ts=675±20°С, в течение времени, необходимого для формирования поверхностной фазы, после чего заслонку ячейки Gd закрывают и гетероструктуру охлаждают до комнатной температуры, при этом материал, состоящий из графеновой структуры и субмонослойной периодической структуры из атомов металла, выполнен с подвижностью носителей заряда в графеновой структуре 2500?3000 см2?В-1?c-1. Технический результат - достижение высокой подвижности спин-поляризованных носителей заряда. Способ создания сверхтонких графеновых структур с высокой подвижностью спин-поляризованных носителей заряда, заключающийся в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии путем осаждения атомов металла на гетероструктуру Графен/SiO2/Si(001), в которой слой оксида кремния предварительно удаляют из-под графена путем отжига гетероструктуры при температуре Ts=950±20°С, под графеном на поверхности подложки Si(001) формируют поверхностную фазу, представляющую собой субмонослойную периодическую структуру из атомов металла, отличающийся тем, что в качестве поверхностной фазы выступает Gd 1?4, и ее формирование производят путем открытия заслонки ячейки Gd, обеспечивающего осаждение атомов Gd при давлении PGd=(0,3?10)?10-8 Торр потока атомов Gd на гетероструктуру, поддерживаемую при температуре Ts=675±20°С, в течение времени, необходимого для формирования поверхностной фазы, после чего заслонку ячейки Gd закрывают и гетероструктуру охлаждают до комнатной температуры, при этом материал, состоящий из графеновой структуры и субмонослойной периодической структуры из атомов металла, выполнен с подвижностью носителей заряда в графеновой структуре 2500?3000 см2?В-1?c-1
Основное назначение
Изобретение относится к способам формирования гетероструктур. Способ создания сверхтонких графеновых структур с высокой подвижностью спин-поляризованных носителей заряда, заключающийся в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии путем осаждения атомов металла на гетероструктуру Графен/SiO2/Si(001), в которой слой оксида кремния предварительно удаляют из-под графена путем отжига гетероструктуры при температуре Ts=950±20°С, под графеном на поверхности подложки Si(001) формируют поверхностную фазу, представляющую собой субмонослойную периодическую структуру из атомов металла. В качестве поверхностной фазы выступает Gd 1?4, и ее формирование производят путем открытия заслонки ячейки Gd, обеспечивающего осаждение атомов Gd при давлении PGd=(0,3?10)?10-8 Торр потока атомов Gd на гетероструктуру, поддерживаемую при температуре Ts=675±20°С, в течение времени, необходимого для формирования поверхностной фазы, после чего заслонку ячейки Gd закрывают и гетероструктуру охлаждают до комнатной температуры, при этом материал, состоящий из графеновой структуры и субмонослойной периодической структуры из атомов металла, выполнен с подвижностью носителей заряда в графеновой структуре 2500?3000 см2?В-1?c-1. Технический результат - достижение высокой подвижности спин-поляризованных носителей заряда. Способ создания сверхтонких графеновых структур с высокой подвижностью спин-поляризованных носителей заряда, заключающийся в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии путем осаждения атомов металла на гетероструктуру Графен/SiO2/Si(001), в которой слой оксида кремния предварительно удаляют из-под графена путем отжига гетероструктуры при температуре Ts=950±20°С, под графеном на поверхности подложки Si(001) формируют поверхностную фазу, представляющую собой субмонослойную периодическую структуру из атомов металла, отличающийся тем, что в качестве поверхностной фазы выступает Gd 1?4, и ее формирование производят путем открытия заслонки ячейки Gd, обеспечивающего осаждение атомов Gd при давлении PGd=(0,3?10)?10-8 Торр потока атомов Gd на гетероструктуру, поддерживаемую при температуре Ts=675±20°С, в течение времени, необходимого для формирования поверхностной фазы, после чего заслонку ячейки Gd закрывают и гетероструктуру охлаждают до комнатной температуры, при этом материал, состоящий из графеновой структуры и субмонослойной периодической структуры из атомов металла, выполнен с подвижностью носителей заряда в графеновой структуре 2500?3000 см2?В-1?c-1
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
|
Способ создания сверхтонких графеновых структур с высокой подвижностью спин-поляризованных носителей заряда, заключающийся в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии путем осаждения атомов металла на гетероструктуру Графен/SiO2/Si(001), в которой слой оксида кремния предварительно удаляют из-под графена путем отжига гетероструктуры при температуре Ts=950±20°С, под графеном на поверхности подложки Si(001) формируют поверхностную фазу, представляющую собой субмонослойную периодическую структуру из атомов металла, отличающийся тем, что в качестве поверхностной фазы выступает Gd 1?4, и ее формирование производят путем открытия заслонки ячейки Gd, обеспечивающего осаждение атомов Gd при давлении PGd=(0,3?10)?10-8 Торр потока атомов Gd на гетероструктуру, поддерживаемую при температуре Ts=675±20°С, в течение времени, необходимого для формирования поверхностной фазы, после чего заслонку ячейки Gd закрывают и гетероструктуру охлаждают до комнатной температуры, при этом материал, состоящий из графеновой структуры и субмонослойной периодической структуры из атомов металла, выполнен с подвижностью носителей заряда в графеновой структуре 2500?3000 см2?В-1?c-1
Основное назначение
Способ создания сверхтонких графеновых структур с высокой подвижностью спин-поляризованных носителей заряда, заключающийся в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии путем осаждения атомов металла на гетероструктуру Графен/SiO2/Si(001), в которой слой оксида кремния предварительно удаляют из-под графена путем отжига гетероструктуры при температуре Ts=950±20°С, под графеном на поверхности подложки Si(001) формируют поверхностную фазу, представляющую собой субмонослойную периодическую структуру из атомов металла, отличающийся тем, что в качестве поверхностной фазы выступает Gd 1?4, и ее формирование производят путем открытия заслонки ячейки Gd, обеспечивающего осаждение атомов Gd при давлении PGd=(0,3?10)?10-8 Торр потока атомов Gd на гетероструктуру, поддерживаемую при температуре Ts=675±20°С, в течение времени, необходимого для формирования поверхностной фазы, после чего заслонку ячейки Gd закрывают и гетероструктуру охлаждают до комнатной температуры, при этом материал, состоящий из графеновой структуры и субмонослойной периодической структуры из атомов металла, выполнен с подвижностью носителей заряда в графеновой структуре 2500?3000 см2?В-1?c-1
|
||
|
378
|
Патент 2844461
|
Группа изобретений относится к рентгеновской оптике и может быть использована для временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют подачу пучка от источника монохроматичного рентгеновского излучения после его прохождения через щелевую диафрагму на дифракционный элемент, в качестве которого используют магнитоупорядоченный кристалл бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, отличающийся тем, что к дифракционному элементу прикладывают по заранее определенной временной программе переменное по величине и/или полярности электромагнитное поле в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме так, что амплитудные значения напряженности магнитного поля на дифракционном элементе находятся в диапазоне 3-40 Э, обеспечивая тем самым модуляцию интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения в диапазоне 2-470 Гц. Технический результат - обеспечение возможности без дополнительной юстировки других элементов дифрактометра управляемо изменять угловые параметры рентгеновского излучения с течением времени. 1. Способ осуществления временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения, включающий подачу пучка от источника монохроматичного рентгеновского излучения после его прохождения через щелевую диафрагму на дифракционный элемент, в качестве которого используют магнитоупорядоченный кристалл бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, отличающийся тем, что к дифракционному элементу прикладывают по заранее определенной временной программе переменное по величине и/или полярности электромагнитное поле в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме так, что амплитудные значения напряженности магнитного поля на дифракционном элементе находятся в диапазоне 3-40 Э, обеспечивая тем самым модуляцию интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения в диапазоне 2-470 Гц.
2. Установка, реализующая способ осуществления временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения по п. 1, включающая источник монохроматического рентгеновского излучения, за которым по ходу пучка монохроматического излучения расположена щелевая диафрагма, дифракционный элемент, установленный в положении максимума дифракционного отражения, гониометр для образца и детектор, отличающаяся тем, что дифракционный элемент размещен на ячейке, расположенной на гониометре и одновременно снабженной электромагнитными катушками с возможностью регулировки их положения относительно дифракционного элемента, при этом электромагнитные катушки подключены к блоку подачи управляющих сигналов, обеспечивая таким образом приложение переменного по величине и/или полярности электромагнитного поля в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме к дифракционному элементу.
3. Установка по п. 2, отличающаяся тем, что электромагнитные катушки выполнены с медной обмоткой и ферритовыми сердечниками.
4. Установка по п. 2, отличающаяся тем, что ячейка включает в себя держатель, опорную пластину, столик для размещения дифракционного элемента и подшипник, который позволяет осуществлять поворот электромагнитных катушек относительно дифракционного элемента.
5. Установка по п. 2, отличающаяся тем, ячейка снабжена магнитопроводом.
Основное назначение
Группа изобретений относится к рентгеновской оптике и может быть использована для временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют подачу пучка от источника монохроматичного рентгеновского излучения после его прохождения через щелевую диафрагму на дифракционный элемент, в качестве которого используют магнитоупорядоченный кристалл бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, отличающийся тем, что к дифракционному элементу прикладывают по заранее определенной временной программе переменное по величине и/или полярности электромагнитное поле в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме так, что амплитудные значения напряженности магнитного поля на дифракционном элементе находятся в диапазоне 3-40 Э, обеспечивая тем самым модуляцию интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения в диапазоне 2-470 Гц. Технический результат - обеспечение возможности без дополнительной юстировки других элементов дифрактометра управляемо изменять угловые параметры рентгеновского излучения с течением времени. 1. Способ осуществления временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения, включающий подачу пучка от источника монохроматичного рентгеновского излучения после его прохождения через щелевую диафрагму на дифракционный элемент, в качестве которого используют магнитоупорядоченный кристалл бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, отличающийся тем, что к дифракционному элементу прикладывают по заранее определенной временной программе переменное по величине и/или полярности электромагнитное поле в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме так, что амплитудные значения напряженности магнитного поля на дифракционном элементе находятся в диапазоне 3-40 Э, обеспечивая тем самым модуляцию интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения в диапазоне 2-470 Гц.
2. Установка, реализующая способ осуществления временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения по п. 1, включающая источник монохроматического рентгеновского излучения, за которым по ходу пучка монохроматического излучения расположена щелевая диафрагма, дифракционный элемент, установленный в положении максимума дифракционного отражения, гониометр для образца и детектор, отличающаяся тем, что дифракционный элемент размещен на ячейке, расположенной на гониометре и одновременно снабженной электромагнитными катушками с возможностью регулировки их положения относительно дифракционного элемента, при этом электромагнитные катушки подключены к блоку подачи управляющих сигналов, обеспечивая таким образом приложение переменного по величине и/или полярности электромагнитного поля в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме к дифракционному элементу.
3. Установка по п. 2, отличающаяся тем, что электромагнитные катушки выполнены с медной обмоткой и ферритовыми сердечниками.
4. Установка по п. 2, отличающаяся тем, что ячейка включает в себя держатель, опорную пластину, столик для размещения дифракционного элемента и подшипник, который позволяет осуществлять поворот электромагнитных катушек относительно дифракционного элемента.
5. Установка по п. 2, отличающаяся тем, ячейка снабжена магнитопроводом.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
|
1. Способ осуществления временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения, включающий подачу пучка от источника монохроматичного рентгеновского излучения после его прохождения через щелевую диафрагму на дифракционный элемент, в качестве которого используют магнитоупорядоченный кристалл бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, отличающийся тем, что к дифракционному элементу прикладывают по заранее определенной временной программе переменное по величине и/или полярности электромагнитное поле в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме так, что амплитудные значения напряженности магнитного поля на дифракционном элементе находятся в диапазоне 3-40 Э, обеспечивая тем самым модуляцию интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения в диапазоне 2-470 Гц.
2. Установка, реализующая способ осуществления временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения по п. 1, включающая источник монохроматического рентгеновского излучения, за которым по ходу пучка монохроматического излучения расположена щелевая диафрагма, дифракционный элемент, установленный в положении максимума дифракционного отражения, гониометр для образца и детектор, отличающаяся тем, что дифракционный элемент размещен на ячейке, расположенной на гониометре и одновременно снабженной электромагнитными катушками с возможностью регулировки их положения относительно дифракционного элемента, при этом электромагнитные катушки подключены к блоку подачи управляющих сигналов, обеспечивая таким образом приложение переменного по величине и/или полярности электромагнитного поля в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме к дифракционному элементу.
3. Установка по п. 2, отличающаяся тем, что электромагнитные катушки выполнены с медной обмоткой и ферритовыми сердечниками.
4. Установка по п. 2, отличающаяся тем, что ячейка включает в себя держатель, опорную пластину, столик для размещения дифракционного элемента и подшипник, который позволяет осуществлять поворот электромагнитных катушек относительно дифракционного элемента.
5. Установка по п. 2, отличающаяся тем, ячейка снабжена магнитопроводом.
Основное назначение
1. Способ осуществления временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения, включающий подачу пучка от источника монохроматичного рентгеновского излучения после его прохождения через щелевую диафрагму на дифракционный элемент, в качестве которого используют магнитоупорядоченный кристалл бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, отличающийся тем, что к дифракционному элементу прикладывают по заранее определенной временной программе переменное по величине и/или полярности электромагнитное поле в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме так, что амплитудные значения напряженности магнитного поля на дифракционном элементе находятся в диапазоне 3-40 Э, обеспечивая тем самым модуляцию интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения в диапазоне 2-470 Гц.
2. Установка, реализующая способ осуществления временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения по п. 1, включающая источник монохроматического рентгеновского излучения, за которым по ходу пучка монохроматического излучения расположена щелевая диафрагма, дифракционный элемент, установленный в положении максимума дифракционного отражения, гониометр для образца и детектор, отличающаяся тем, что дифракционный элемент размещен на ячейке, расположенной на гониометре и одновременно снабженной электромагнитными катушками с возможностью регулировки их положения относительно дифракционного элемента, при этом электромагнитные катушки подключены к блоку подачи управляющих сигналов, обеспечивая таким образом приложение переменного по величине и/или полярности электромагнитного поля в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме к дифракционному элементу.
3. Установка по п. 2, отличающаяся тем, что электромагнитные катушки выполнены с медной обмоткой и ферритовыми сердечниками.
4. Установка по п. 2, отличающаяся тем, что ячейка включает в себя держатель, опорную пластину, столик для размещения дифракционного элемента и подшипник, который позволяет осуществлять поворот электромагнитных катушек относительно дифракционного элемента.
5. Установка по п. 2, отличающаяся тем, ячейка снабжена магнитопроводом.
|
||
|
379
|
Патент 2835090
|
Изобретение относится к области органической химии и может найти применение в аналитической химии и биологических исследованиях. Предложен новый меченный дейтерием Boc-Trp-Pro-Pro-Trp. Техническим результатом, достигаемым настоящим изобретением, является расширение ассортимента меченых аналогов физиологически активных соединений. Меченный дейтерием Boc-Trp-Pro-Pro-Trp.
Основное назначение
Изобретение относится к области органической химии и может найти применение в аналитической химии и биологических исследованиях. Предложен новый меченный дейтерием Boc-Trp-Pro-Pro-Trp. Техническим результатом, достигаемым настоящим изобретением, является расширение ассортимента меченых аналогов физиологически активных соединений. Меченный дейтерием Boc-Trp-Pro-Pro-Trp.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
|
Меченный дейтерием Boc-Trp-Pro-Pro-Trp.
Основное назначение
Меченный дейтерием Boc-Trp-Pro-Pro-Trp.
|
||
|
380
|
Патент 2843924
|
Изобретение относится к области фармацевтики, а именно к способу получения триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты указанной ниже формулы, который может найти применение в качестве прекурсора при создании радиофармацевтических препаратов. Способ получения триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты заключается в алкилировании сернокислой соли этилендиамин-N-моно-3-пропионовой кислоты (ЭДМП) этилакрилатом в условиях реакции аза-Михаэля в этиловом спирте в присутствии этилата натрия при мольном соотношении сернокислой соли ЭДМП к этилакрилату 1:3-6 соответственно и температуре 20-25°С в течение 95-100 ч. Последующее выделение целевого продуктаосуществляют экстракцией этилацетатом водного слоя, полученного после разбавления водой и подкисления предварительно упаренной реакционной массы. Технический результат: получение триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты с выходом 86-95%. Способ получения триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты формулы
алкилированием сернокислой соли этилендиамин-N-моно-3-пропионовой кислоты (ЭДМП) этилакрилатом в условиях реакции аза-Михаэля в этиловом спирте в присутствии этилата натрия при мольном соотношении сернокислой соли ЭДМП к этилакрилату 1:3-6 соответственно и температуре 20-25°С в течение 95-100 ч с последующим выделением целевого продукта экстракцией этилацетатом водного слоя, полученного после разбавления водой и подкисления предварительно упаренной реакционной массы.
Основное назначение
Изобретение относится к области фармацевтики, а именно к способу получения триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты указанной ниже формулы, который может найти применение в качестве прекурсора при создании радиофармацевтических препаратов. Способ получения триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты заключается в алкилировании сернокислой соли этилендиамин-N-моно-3-пропионовой кислоты (ЭДМП) этилакрилатом в условиях реакции аза-Михаэля в этиловом спирте в присутствии этилата натрия при мольном соотношении сернокислой соли ЭДМП к этилакрилату 1:3-6 соответственно и температуре 20-25°С в течение 95-100 ч. Последующее выделение целевого продуктаосуществляют экстракцией этилацетатом водного слоя, полученного после разбавления водой и подкисления предварительно упаренной реакционной массы. Технический результат: получение триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты с выходом 86-95%. Способ получения триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты формулы
алкилированием сернокислой соли этилендиамин-N-моно-3-пропионовой кислоты (ЭДМП) этилакрилатом в условиях реакции аза-Михаэля в этиловом спирте в присутствии этилата натрия при мольном соотношении сернокислой соли ЭДМП к этилакрилату 1:3-6 соответственно и температуре 20-25°С в течение 95-100 ч с последующим выделением целевого продукта экстракцией этилацетатом водного слоя, полученного после разбавления водой и подкисления предварительно упаренной реакционной массы.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
|
Способ получения триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты формулы
алкилированием сернокислой соли этилендиамин-N-моно-3-пропионовой кислоты (ЭДМП) этилакрилатом в условиях реакции аза-Михаэля в этиловом спирте в присутствии этилата натрия при мольном соотношении сернокислой соли ЭДМП к этилакрилату 1:3-6 соответственно и температуре 20-25°С в течение 95-100 ч с последующим выделением целевого продукта экстракцией этилацетатом водного слоя, полученного после разбавления водой и подкисления предварительно упаренной реакционной массы.
Основное назначение
Способ получения триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты формулы
алкилированием сернокислой соли этилендиамин-N-моно-3-пропионовой кислоты (ЭДМП) этилакрилатом в условиях реакции аза-Михаэля в этиловом спирте в присутствии этилата натрия при мольном соотношении сернокислой соли ЭДМП к этилакрилату 1:3-6 соответственно и температуре 20-25°С в течение 95-100 ч с последующим выделением целевого продукта экстракцией этилацетатом водного слоя, полученного после разбавления водой и подкисления предварительно упаренной реакционной массы.
|
||