|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
231
|
Патент 2666552
|
Изобретение относится к технологии получения радионуклидов и может быть использовано для производства радионуклида молибден-99 высокой удельной активности (без носителя), являющегося основой для создания радионуклидных генераторов технеция-99, нашедших широкое применение в ядерной медицине для диагностических целей. Способ реализуется использованием в качестве мишени мезопористого неорганического материала - активированного угля, с характерными размерами полостей и каналов до 50 нм, на поверхность которых наносятся последовательно слои МoО3 и растворимого в воде соединения, например КСl или NaCl. После этого проводят выжигание угля в кислороде, в результате чего образуется мелкая однородная двухкомпонентная смесь МoО3 и КСl или NaCl. На последнем этапе проводят конверсию МoО3 в растворимое в воде соединение МoО2. Изобретение позволяет повысить фактор обогащения 99Мо. 1. Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радиоизотопа 99Мо в виде матрицы из гранулированного активированного угля, с полостями и каналами с характерными размерами в интервале 2-50 нм, на поверхность которых нанесен слой оксида молибдена MoO3, толщина которого меньше длины пробега атома отдачи 99Мо в веществе нанослоя, отличающийся тем, что
на поверхности полостей и каналов матрицы из гранулированного активированного угля наносят последовательно слои MoO3 и растворимого в воде хлорида щелочного металла, после чего проводят выжигание угля в кислороде и проводят конверсию MoO3 в полученной двухкомпонентной смеси MoO3 и хлорида щелочного металла в нерастворимое в воде соединение MoO2.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве матрицы используют гранулированный активированный уголь с удельной поверхностью более 300 м2/г, предварительно обезгаженный вакуумированием при 300°С.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве растворимого в воде хлорида щелочного металла используют хлорид калия KCl или хлорид натрия NaCl.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что конверсию MoO3 в MoO2 проводят в атмосфере водорода при 480°С.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что наносят оксид молибдена MoO3, обогащенный по изотопам 98Мо или 100Мо.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что общая толщина слоев MoO3 не превышает 10 нм.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что проводят выжигание активированного угля в токе кислорода при температуре 470-500°С.
Основное назначение
Изобретение относится к технологии получения радионуклидов и может быть использовано для производства радионуклида молибден-99 высокой удельной активности (без носителя), являющегося основой для создания радионуклидных генераторов технеция-99, нашедших широкое применение в ядерной медицине для диагностических целей. Способ реализуется использованием в качестве мишени мезопористого неорганического материала - активированного угля, с характерными размерами полостей и каналов до 50 нм, на поверхность которых наносятся последовательно слои МoО3 и растворимого в воде соединения, например КСl или NaCl. После этого проводят выжигание угля в кислороде, в результате чего образуется мелкая однородная двухкомпонентная смесь МoО3 и КСl или NaCl. На последнем этапе проводят конверсию МoО3 в растворимое в воде соединение МoО2. Изобретение позволяет повысить фактор обогащения 99Мо. 1. Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радиоизотопа 99Мо в виде матрицы из гранулированного активированного угля, с полостями и каналами с характерными размерами в интервале 2-50 нм, на поверхность которых нанесен слой оксида молибдена MoO3, толщина которого меньше длины пробега атома отдачи 99Мо в веществе нанослоя, отличающийся тем, что
на поверхности полостей и каналов матрицы из гранулированного активированного угля наносят последовательно слои MoO3 и растворимого в воде хлорида щелочного металла, после чего проводят выжигание угля в кислороде и проводят конверсию MoO3 в полученной двухкомпонентной смеси MoO3 и хлорида щелочного металла в нерастворимое в воде соединение MoO2.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве матрицы используют гранулированный активированный уголь с удельной поверхностью более 300 м2/г, предварительно обезгаженный вакуумированием при 300°С.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве растворимого в воде хлорида щелочного металла используют хлорид калия KCl или хлорид натрия NaCl.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что конверсию MoO3 в MoO2 проводят в атмосфере водорода при 480°С.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что наносят оксид молибдена MoO3, обогащенный по изотопам 98Мо или 100Мо.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что общая толщина слоев MoO3 не превышает 10 нм.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что проводят выжигание активированного угля в токе кислорода при температуре 470-500°С.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радиоизотопа 99Мо в виде матрицы из гранулированного активированного угля, с полостями и каналами с характерными размерами в интервале 2-50 нм, на поверхность которых нанесен слой оксида молибдена MoO3, толщина которого меньше длины пробега атома отдачи 99Мо в веществе нанослоя, отличающийся тем, что
на поверхности полостей и каналов матрицы из гранулированного активированного угля наносят последовательно слои MoO3 и растворимого в воде хлорида щелочного металла, после чего проводят выжигание угля в кислороде и проводят конверсию MoO3 в полученной двухкомпонентной смеси MoO3 и хлорида щелочного металла в нерастворимое в воде соединение MoO2.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве матрицы используют гранулированный активированный уголь с удельной поверхностью более 300 м2/г, предварительно обезгаженный вакуумированием при 300°С.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве растворимого в воде хлорида щелочного металла используют хлорид калия KCl или хлорид натрия NaCl.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что конверсию MoO3 в MoO2 проводят в атмосфере водорода при 480°С.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что наносят оксид молибдена MoO3, обогащенный по изотопам 98Мо или 100Мо.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что общая толщина слоев MoO3 не превышает 10 нм.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что проводят выжигание активированного угля в токе кислорода при температуре 470-500°С.
Основное назначение
1. Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радиоизотопа 99Мо в виде матрицы из гранулированного активированного угля, с полостями и каналами с характерными размерами в интервале 2-50 нм, на поверхность которых нанесен слой оксида молибдена MoO3, толщина которого меньше длины пробега атома отдачи 99Мо в веществе нанослоя, отличающийся тем, что
на поверхности полостей и каналов матрицы из гранулированного активированного угля наносят последовательно слои MoO3 и растворимого в воде хлорида щелочного металла, после чего проводят выжигание угля в кислороде и проводят конверсию MoO3 в полученной двухкомпонентной смеси MoO3 и хлорида щелочного металла в нерастворимое в воде соединение MoO2.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве матрицы используют гранулированный активированный уголь с удельной поверхностью более 300 м2/г, предварительно обезгаженный вакуумированием при 300°С.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве растворимого в воде хлорида щелочного металла используют хлорид калия KCl или хлорид натрия NaCl.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что конверсию MoO3 в MoO2 проводят в атмосфере водорода при 480°С.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что наносят оксид молибдена MoO3, обогащенный по изотопам 98Мо или 100Мо.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что общая толщина слоев MoO3 не превышает 10 нм.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что проводят выжигание активированного угля в токе кислорода при температуре 470-500°С.
|
||
|
232
|
Патент 2578039
|
Изобретение относится к реакторной технологии получения радиоизотопа молибден-99 (99Мо), являющегося основой для создания радиоизотопных генераторов технеция-99m (99mTc). В заявленном способе производство радиоизотопа молибден-99 по реакции 98Мо(n,?)99Мо, осуществляемой в потоке тепловых нейтронов ядерного реактора, проводится с использованием матрицы-буфера из мезопористых неорганических материалов, в каналы которой вносят соединения молибдена. Изготовление мишени производится пропиткой активированного угля с удельной поверхностью более 300 м2/г раствором парамолибдата аммония (NH4)6Mo7O24 и последующей термообработкой, в результате чего на поверхности каналов образуются нанослои MoO3. Доля атомов отдачи 99Мо, покидающих слои MoO3 и локализующихся в буфере, зависит от толщины нанесенных слоев. Средняя толщина нанослоев MoO3, последовательно наносимых в каналы матрицы, задается числом нанесений и ограничена эффективным диаметром каналов. После облучения разделение содержащего ядра отдачи активированного угля и стартовых наночастиц MoO3 достигается путем элюирования более 97% MoO3 из мишени 20%-ным раствором аммиака в воде. Последующий процесс выделения ядер отдачи из матрицы реализуется газификацией угольной составляющей матрицы путем сжигания. Техническим результатом является упрощение способа изготовления мишени, повышение производительности процесса наработки 99Мо за счет создания нанослоев по всему объему матрицы, что позволяет достичь высокой гомогенности состава «нанослой Мо - буфер», обеспечить эффективность использования стартового материала и повысить эффективность сбора атомов отдачи, возможность получения равномерного распределения молибдена по объему активированного угля при осаждении молибденовых покрытий на поверхности его мезопор. 1. Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радиоизотопа 99Мо по реакции радиационного захвата 98Мо(n,?) в виде буфера из твердого вещества и наночастиц, содержащих молибден с характерным размером наночастиц d, причем ?/d>>1, где ? - длина пробега атомов отдачи 99Мо в веществе наночастицы,
отличающийся тем, что
буфер выполнен в виде матрицы из мезопористого неорганического материала с полостями и каналами с характерными размерами в интервале 2-50 нм, а на поверхность полостей и каналов наносят нанослой оксида молибдена МoО3, толщина которого меньше длины пробега атома отдачи 99Мо в веществе нанослоя, а в качестве матрицы используют гранулированный активированный уголь с удельной поверхностью более 300 м2/г, предварительно прокаленный при 700?750°C.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формируют нанослой из окиси молибдена МoО3 путем пропитки полостей и каналов матрицы раствором парамолибдата аммония (NН4)6Мо7O24 с последующей термообработкой мишени для разложения парамолибдата.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют парамолибдат аммония, полученный путем конверсии из прекурсора - гексафторида молибдена, обогащенного по изотопу 98Мо.
Основное назначение
Изобретение относится к реакторной технологии получения радиоизотопа молибден-99 (99Мо), являющегося основой для создания радиоизотопных генераторов технеция-99m (99mTc). В заявленном способе производство радиоизотопа молибден-99 по реакции 98Мо(n,?)99Мо, осуществляемой в потоке тепловых нейтронов ядерного реактора, проводится с использованием матрицы-буфера из мезопористых неорганических материалов, в каналы которой вносят соединения молибдена. Изготовление мишени производится пропиткой активированного угля с удельной поверхностью более 300 м2/г раствором парамолибдата аммония (NH4)6Mo7O24 и последующей термообработкой, в результате чего на поверхности каналов образуются нанослои MoO3. Доля атомов отдачи 99Мо, покидающих слои MoO3 и локализующихся в буфере, зависит от толщины нанесенных слоев. Средняя толщина нанослоев MoO3, последовательно наносимых в каналы матрицы, задается числом нанесений и ограничена эффективным диаметром каналов. После облучения разделение содержащего ядра отдачи активированного угля и стартовых наночастиц MoO3 достигается путем элюирования более 97% MoO3 из мишени 20%-ным раствором аммиака в воде. Последующий процесс выделения ядер отдачи из матрицы реализуется газификацией угольной составляющей матрицы путем сжигания. Техническим результатом является упрощение способа изготовления мишени, повышение производительности процесса наработки 99Мо за счет создания нанослоев по всему объему матрицы, что позволяет достичь высокой гомогенности состава «нанослой Мо - буфер», обеспечить эффективность использования стартового материала и повысить эффективность сбора атомов отдачи, возможность получения равномерного распределения молибдена по объему активированного угля при осаждении молибденовых покрытий на поверхности его мезопор. 1. Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радиоизотопа 99Мо по реакции радиационного захвата 98Мо(n,?) в виде буфера из твердого вещества и наночастиц, содержащих молибден с характерным размером наночастиц d, причем ?/d>>1, где ? - длина пробега атомов отдачи 99Мо в веществе наночастицы,
отличающийся тем, что
буфер выполнен в виде матрицы из мезопористого неорганического материала с полостями и каналами с характерными размерами в интервале 2-50 нм, а на поверхность полостей и каналов наносят нанослой оксида молибдена МoО3, толщина которого меньше длины пробега атома отдачи 99Мо в веществе нанослоя, а в качестве матрицы используют гранулированный активированный уголь с удельной поверхностью более 300 м2/г, предварительно прокаленный при 700?750°C.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формируют нанослой из окиси молибдена МoО3 путем пропитки полостей и каналов матрицы раствором парамолибдата аммония (NН4)6Мо7O24 с последующей термообработкой мишени для разложения парамолибдата.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют парамолибдат аммония, полученный путем конверсии из прекурсора - гексафторида молибдена, обогащенного по изотопу 98Мо.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радиоизотопа 99Мо по реакции радиационного захвата 98Мо(n,?) в виде буфера из твердого вещества и наночастиц, содержащих молибден с характерным размером наночастиц d, причем ?/d>>1, где ? - длина пробега атомов отдачи 99Мо в веществе наночастицы,
отличающийся тем, что
буфер выполнен в виде матрицы из мезопористого неорганического материала с полостями и каналами с характерными размерами в интервале 2-50 нм, а на поверхность полостей и каналов наносят нанослой оксида молибдена МoО3, толщина которого меньше длины пробега атома отдачи 99Мо в веществе нанослоя, а в качестве матрицы используют гранулированный активированный уголь с удельной поверхностью более 300 м2/г, предварительно прокаленный при 700?750°C.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формируют нанослой из окиси молибдена МoО3 путем пропитки полостей и каналов матрицы раствором парамолибдата аммония (NН4)6Мо7O24 с последующей термообработкой мишени для разложения парамолибдата.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют парамолибдат аммония, полученный путем конверсии из прекурсора - гексафторида молибдена, обогащенного по изотопу 98Мо.
Основное назначение
1. Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радиоизотопа 99Мо по реакции радиационного захвата 98Мо(n,?) в виде буфера из твердого вещества и наночастиц, содержащих молибден с характерным размером наночастиц d, причем ?/d>>1, где ? - длина пробега атомов отдачи 99Мо в веществе наночастицы,
отличающийся тем, что
буфер выполнен в виде матрицы из мезопористого неорганического материала с полостями и каналами с характерными размерами в интервале 2-50 нм, а на поверхность полостей и каналов наносят нанослой оксида молибдена МoО3, толщина которого меньше длины пробега атома отдачи 99Мо в веществе нанослоя, а в качестве матрицы используют гранулированный активированный уголь с удельной поверхностью более 300 м2/г, предварительно прокаленный при 700?750°C.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формируют нанослой из окиси молибдена МoО3 путем пропитки полостей и каналов матрицы раствором парамолибдата аммония (NН4)6Мо7O24 с последующей термообработкой мишени для разложения парамолибдата.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют парамолибдат аммония, полученный путем конверсии из прекурсора - гексафторида молибдена, обогащенного по изотопу 98Мо.
|
||
|
233
|
Патент 2588594
|
Изобретение относится к реакторной технологии получения радиоизотопа молибден-99 (99Mo), являющегося основой для создания радиоизотопных генераторов технеция-99m (99mTc). Способ изготовления мишени для производства радиоизотопа молибден-99 осуществляется посредством реакции 98Mo(n,?)99Mo, протекающей в потоке тепловых нейтронов ядерного реактора, с использованием матрицы-буфера из мезопористых неорганических материалов, в каналы которой вносят соединения молибдена. Изготовление мишени производится пропиткой сорбента Al2O3 с удельной поверхностью 200 м2/г раствором парамолибдата аммония (NH4)6Mo7O24 и последующей термообработкой в потоке кислорода, в результате чего на поверхности каналов образуется нанослой MoO3. Средняя толщина нанослоев MoO3, последовательно наносимых в каналы матрицы, задается числом нанесений и ограничена эффективным диаметром каналов. После облучения разделение содержащего ядра отдачи буфера Al2O3 и стартовых наночастиц MoO3 достигается путем элюирования более 97% MoO3 из мишени 20%-ным раствором аммиака в воде. Техническим результатом является возможность получения равномерного распределения молибдена по объему Al2O3 при осаждении молибденовых покрытий на поверхности его мезопор, упрощение способа изготовления мишени, повышение производительности процесса наработки 99Mo за счет создания нанослоев по всему объему матрицы, достижение высокой гомогенности состава «нанослой Мо - буфер» при повышении эффективности использования стартового материала и сбора атомов отдачи. 1. Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радиоизотопа 99Mo по реакции радиационного захвата 98Mo(n, ?) в виде буфера из твердого вещества и наночастиц, содержащих молибден с характерным размером наночастиц d, причем ?/d>>1, где ? - длина пробега атомов отдачи 99Mo в веществе наночастицы,
отличающийся тем, что
буфер выполнен в виде матрицы из мезопористого неорганического материала с полостями и каналами с характерными размерами в интервале 2-50 нм, а на поверхность полостей и каналов наносят нанослой оксида молибдена MoO3, толщина которого меньше длины пробега атома отдачи 99Mo в веществе нанослоя, а в качестве матрицы используют гранулированную окись алюминия Al2O3 с удельной поверхностью 200 м2/г, предварительно прокаленную при 700-750°С.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формируют нанослой из окиси молибдена MoO3 путем пропитки полостей и каналов матрицы раствором парамолибдата аммония (NH4)6Mo7O24 с последующей термообработкой мишени в потоке кислорода.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют парамолибдат аммония, полученный путем конверсии из прекурсора - гексафторида молибдена, обогащенного по изотопу 98Mo.
Основное назначение
Изобретение относится к реакторной технологии получения радиоизотопа молибден-99 (99Mo), являющегося основой для создания радиоизотопных генераторов технеция-99m (99mTc). Способ изготовления мишени для производства радиоизотопа молибден-99 осуществляется посредством реакции 98Mo(n,?)99Mo, протекающей в потоке тепловых нейтронов ядерного реактора, с использованием матрицы-буфера из мезопористых неорганических материалов, в каналы которой вносят соединения молибдена. Изготовление мишени производится пропиткой сорбента Al2O3 с удельной поверхностью 200 м2/г раствором парамолибдата аммония (NH4)6Mo7O24 и последующей термообработкой в потоке кислорода, в результате чего на поверхности каналов образуется нанослой MoO3. Средняя толщина нанослоев MoO3, последовательно наносимых в каналы матрицы, задается числом нанесений и ограничена эффективным диаметром каналов. После облучения разделение содержащего ядра отдачи буфера Al2O3 и стартовых наночастиц MoO3 достигается путем элюирования более 97% MoO3 из мишени 20%-ным раствором аммиака в воде. Техническим результатом является возможность получения равномерного распределения молибдена по объему Al2O3 при осаждении молибденовых покрытий на поверхности его мезопор, упрощение способа изготовления мишени, повышение производительности процесса наработки 99Mo за счет создания нанослоев по всему объему матрицы, достижение высокой гомогенности состава «нанослой Мо - буфер» при повышении эффективности использования стартового материала и сбора атомов отдачи. 1. Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радиоизотопа 99Mo по реакции радиационного захвата 98Mo(n, ?) в виде буфера из твердого вещества и наночастиц, содержащих молибден с характерным размером наночастиц d, причем ?/d>>1, где ? - длина пробега атомов отдачи 99Mo в веществе наночастицы,
отличающийся тем, что
буфер выполнен в виде матрицы из мезопористого неорганического материала с полостями и каналами с характерными размерами в интервале 2-50 нм, а на поверхность полостей и каналов наносят нанослой оксида молибдена MoO3, толщина которого меньше длины пробега атома отдачи 99Mo в веществе нанослоя, а в качестве матрицы используют гранулированную окись алюминия Al2O3 с удельной поверхностью 200 м2/г, предварительно прокаленную при 700-750°С.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формируют нанослой из окиси молибдена MoO3 путем пропитки полостей и каналов матрицы раствором парамолибдата аммония (NH4)6Mo7O24 с последующей термообработкой мишени в потоке кислорода.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют парамолибдат аммония, полученный путем конверсии из прекурсора - гексафторида молибдена, обогащенного по изотопу 98Mo.
|
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU),
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU),
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радиоизотопа 99Mo по реакции радиационного захвата 98Mo(n, ?) в виде буфера из твердого вещества и наночастиц, содержащих молибден с характерным размером наночастиц d, причем ?/d>>1, где ? - длина пробега атомов отдачи 99Mo в веществе наночастицы,
отличающийся тем, что
буфер выполнен в виде матрицы из мезопористого неорганического материала с полостями и каналами с характерными размерами в интервале 2-50 нм, а на поверхность полостей и каналов наносят нанослой оксида молибдена MoO3, толщина которого меньше длины пробега атома отдачи 99Mo в веществе нанослоя, а в качестве матрицы используют гранулированную окись алюминия Al2O3 с удельной поверхностью 200 м2/г, предварительно прокаленную при 700-750°С.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формируют нанослой из окиси молибдена MoO3 путем пропитки полостей и каналов матрицы раствором парамолибдата аммония (NH4)6Mo7O24 с последующей термообработкой мишени в потоке кислорода.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют парамолибдат аммония, полученный путем конверсии из прекурсора - гексафторида молибдена, обогащенного по изотопу 98Mo.
Основное назначение
1. Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радиоизотопа 99Mo по реакции радиационного захвата 98Mo(n, ?) в виде буфера из твердого вещества и наночастиц, содержащих молибден с характерным размером наночастиц d, причем ?/d>>1, где ? - длина пробега атомов отдачи 99Mo в веществе наночастицы,
отличающийся тем, что
буфер выполнен в виде матрицы из мезопористого неорганического материала с полостями и каналами с характерными размерами в интервале 2-50 нм, а на поверхность полостей и каналов наносят нанослой оксида молибдена MoO3, толщина которого меньше длины пробега атома отдачи 99Mo в веществе нанослоя, а в качестве матрицы используют гранулированную окись алюминия Al2O3 с удельной поверхностью 200 м2/г, предварительно прокаленную при 700-750°С.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формируют нанослой из окиси молибдена MoO3 путем пропитки полостей и каналов матрицы раствором парамолибдата аммония (NH4)6Mo7O24 с последующей термообработкой мишени в потоке кислорода.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют парамолибдат аммония, полученный путем конверсии из прекурсора - гексафторида молибдена, обогащенного по изотопу 98Mo.
|
||
|
234
|
Патент 2690692
|
Изобретение относится к реакторной технологии получения радионуклидов и может быть использовано для производства радионуклида молибден-99 (99Мо) высокой удельной активности (без носителя), являющегося основой создания радионуклидных генераторов технеция-99m (99mTc), нашедших широкое применение в ядерной медицине для диагностических целей. Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радионуклида 99Мо по реакции радиационного захвата 98Мо(n,?) в виде матрицы, выполненной из кремниевой или кварцевой микроканальной пластины с полостями и каналами с характерными размерами в интервале 50-100 мкм, на поверхности которых нанесен нанослой оксида молибдена MoO3, толщина которого меньше длины пробега атома отдачи 99Мо в веществе нанослоя, и буфера, выполненного в виде газовой смеси, включающей азот N2 и шестифтористую серу SF6. Газообразный буфер периодически или постоянно удаляют из полостей и каналов матрицы и направляют на переработку для выделения радионуклида 99Мо из гексафторида молибдена 99MoF6. Изобретение позволяет упростить способ получения радионуклида 99Мо за счет исключения операции радиохимической переработки мишени после каждого ее облучения в нейтронном потоке реактора. 1. Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радионуклида 99Мо по реакции радиационного захвата 98Мо(n,?) в виде матрицы из мезопористого неорганического материала с полостями и каналами, на поверхности которых нанесен нанослой оксида молибдена MoO3, толщина которого меньше длины пробега атома отдачи 99Mo в веществе нанослоя, и буфера, отличающийся тем, что буфер выполнен в виде газовой смеси, включающей азот N2 и шестифтористую серу SF6, а матрица выполнена в виде кремниевой или кварцевой микроканальной пластины с полостями и каналами с характерными размерами в интервале 50-100 мкм, при этом газообразный буфер периодически или постоянно удаляют из полостей и каналов матрицы и направляют на переработку для выделения радионуклида 99Мо из гексафторида молибдена 99MoF6.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формируют нанослой из окисида молибдена MoO3 путем пропитки полостей и каналов матрицы раствором парамолибдата аммония (NH4)6Mo7O24 с последующей термообработкой мишени в потоке кислорода.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют парамолибдат аммония, полученный путем конверсии из прекурсора - гексафторида молибдена, обогащенного по изотопу 98Мо.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве буфера используют газовую смесь, включающую азот N2 и шестифтористую серу SF6 в соотношении 1:10.
Основное назначение
Изобретение относится к реакторной технологии получения радионуклидов и может быть использовано для производства радионуклида молибден-99 (99Мо) высокой удельной активности (без носителя), являющегося основой создания радионуклидных генераторов технеция-99m (99mTc), нашедших широкое применение в ядерной медицине для диагностических целей. Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радионуклида 99Мо по реакции радиационного захвата 98Мо(n,?) в виде матрицы, выполненной из кремниевой или кварцевой микроканальной пластины с полостями и каналами с характерными размерами в интервале 50-100 мкм, на поверхности которых нанесен нанослой оксида молибдена MoO3, толщина которого меньше длины пробега атома отдачи 99Мо в веществе нанослоя, и буфера, выполненного в виде газовой смеси, включающей азот N2 и шестифтористую серу SF6. Газообразный буфер периодически или постоянно удаляют из полостей и каналов матрицы и направляют на переработку для выделения радионуклида 99Мо из гексафторида молибдена 99MoF6. Изобретение позволяет упростить способ получения радионуклида 99Мо за счет исключения операции радиохимической переработки мишени после каждого ее облучения в нейтронном потоке реактора. 1. Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радионуклида 99Мо по реакции радиационного захвата 98Мо(n,?) в виде матрицы из мезопористого неорганического материала с полостями и каналами, на поверхности которых нанесен нанослой оксида молибдена MoO3, толщина которого меньше длины пробега атома отдачи 99Mo в веществе нанослоя, и буфера, отличающийся тем, что буфер выполнен в виде газовой смеси, включающей азот N2 и шестифтористую серу SF6, а матрица выполнена в виде кремниевой или кварцевой микроканальной пластины с полостями и каналами с характерными размерами в интервале 50-100 мкм, при этом газообразный буфер периодически или постоянно удаляют из полостей и каналов матрицы и направляют на переработку для выделения радионуклида 99Мо из гексафторида молибдена 99MoF6.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формируют нанослой из окисида молибдена MoO3 путем пропитки полостей и каналов матрицы раствором парамолибдата аммония (NH4)6Mo7O24 с последующей термообработкой мишени в потоке кислорода.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют парамолибдат аммония, полученный путем конверсии из прекурсора - гексафторида молибдена, обогащенного по изотопу 98Мо.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве буфера используют газовую смесь, включающую азот N2 и шестифтористую серу SF6 в соотношении 1:10.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радионуклида 99Мо по реакции радиационного захвата 98Мо(n,?) в виде матрицы из мезопористого неорганического материала с полостями и каналами, на поверхности которых нанесен нанослой оксида молибдена MoO3, толщина которого меньше длины пробега атома отдачи 99Mo в веществе нанослоя, и буфера, отличающийся тем, что буфер выполнен в виде газовой смеси, включающей азот N2 и шестифтористую серу SF6, а матрица выполнена в виде кремниевой или кварцевой микроканальной пластины с полостями и каналами с характерными размерами в интервале 50-100 мкм, при этом газообразный буфер периодически или постоянно удаляют из полостей и каналов матрицы и направляют на переработку для выделения радионуклида 99Мо из гексафторида молибдена 99MoF6.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формируют нанослой из окисида молибдена MoO3 путем пропитки полостей и каналов матрицы раствором парамолибдата аммония (NH4)6Mo7O24 с последующей термообработкой мишени в потоке кислорода.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют парамолибдат аммония, полученный путем конверсии из прекурсора - гексафторида молибдена, обогащенного по изотопу 98Мо.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве буфера используют газовую смесь, включающую азот N2 и шестифтористую серу SF6 в соотношении 1:10.
Основное назначение
1. Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радионуклида 99Мо по реакции радиационного захвата 98Мо(n,?) в виде матрицы из мезопористого неорганического материала с полостями и каналами, на поверхности которых нанесен нанослой оксида молибдена MoO3, толщина которого меньше длины пробега атома отдачи 99Mo в веществе нанослоя, и буфера, отличающийся тем, что буфер выполнен в виде газовой смеси, включающей азот N2 и шестифтористую серу SF6, а матрица выполнена в виде кремниевой или кварцевой микроканальной пластины с полостями и каналами с характерными размерами в интервале 50-100 мкм, при этом газообразный буфер периодически или постоянно удаляют из полостей и каналов матрицы и направляют на переработку для выделения радионуклида 99Мо из гексафторида молибдена 99MoF6.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формируют нанослой из окисида молибдена MoO3 путем пропитки полостей и каналов матрицы раствором парамолибдата аммония (NH4)6Mo7O24 с последующей термообработкой мишени в потоке кислорода.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют парамолибдат аммония, полученный путем конверсии из прекурсора - гексафторида молибдена, обогащенного по изотопу 98Мо.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве буфера используют газовую смесь, включающую азот N2 и шестифтористую серу SF6 в соотношении 1:10.
|
||
|
235
|
Патент 2711219
|
Изобретение относится к области техники детектирования ионизирующего излучения при помощи сцинтилляционных детекторов. Способ изготовления отражающих поверхностей для сцинтилляционных элементов, включающий стадию приготовления исходной смеси, состоящей из полимерной основы и 0,1-90 вес. % порошкообразного пигмента, а также последующую стадию формования отражающей поверхности, осуществляемую методом трехмерной печати, в результате которой исходная смесь преобразуется в изделие из композитного светоотражающего материала, форма и размер которого позволяют совмещать две и более поверхности указанного изделия с двумя и более поверхностями одного или более сцинтилляционного элемента. Технический результат – упрощение процесса сборки матриц сцинтилляционных элементов пиксельных детекторов, повышение светосбора детекторного модуля. 1. Способ изготовления отражающих поверхностей для сцинтилляционных элементов, включающий стадию приготовления исходной смеси, состоящей из полимерной основы и 0,1-90 вес. % порошкообразного пигмента, а также последующую стадию формования отражающей поверхности, осуществляемую методом трехмерной печати, в результате которой исходная смесь преобразуется в изделие из композитного светоотражающего материала, форма и размер которого позволяют совмещать две и более поверхности указанного изделия с двумя и более поверхностями одного или более сцинтилляционного элемента.
2. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в качестве порошкообразного пигмента предпочтительно используют диоксид титана или стабилизированный диоксид циркония.
3. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в качестве полимерной основы предпочтительно, используются акрилатные полимеры.
4. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в качестве метода формования, предпочтительно используется стереолитография.
Основное назначение
Изобретение относится к области техники детектирования ионизирующего излучения при помощи сцинтилляционных детекторов. Способ изготовления отражающих поверхностей для сцинтилляционных элементов, включающий стадию приготовления исходной смеси, состоящей из полимерной основы и 0,1-90 вес. % порошкообразного пигмента, а также последующую стадию формования отражающей поверхности, осуществляемую методом трехмерной печати, в результате которой исходная смесь преобразуется в изделие из композитного светоотражающего материала, форма и размер которого позволяют совмещать две и более поверхности указанного изделия с двумя и более поверхностями одного или более сцинтилляционного элемента. Технический результат – упрощение процесса сборки матриц сцинтилляционных элементов пиксельных детекторов, повышение светосбора детекторного модуля. 1. Способ изготовления отражающих поверхностей для сцинтилляционных элементов, включающий стадию приготовления исходной смеси, состоящей из полимерной основы и 0,1-90 вес. % порошкообразного пигмента, а также последующую стадию формования отражающей поверхности, осуществляемую методом трехмерной печати, в результате которой исходная смесь преобразуется в изделие из композитного светоотражающего материала, форма и размер которого позволяют совмещать две и более поверхности указанного изделия с двумя и более поверхностями одного или более сцинтилляционного элемента.
2. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в качестве порошкообразного пигмента предпочтительно используют диоксид титана или стабилизированный диоксид циркония.
3. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в качестве полимерной основы предпочтительно, используются акрилатные полимеры.
4. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в качестве метода формования, предпочтительно используется стереолитография.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
|
1. Способ изготовления отражающих поверхностей для сцинтилляционных элементов, включающий стадию приготовления исходной смеси, состоящей из полимерной основы и 0,1-90 вес. % порошкообразного пигмента, а также последующую стадию формования отражающей поверхности, осуществляемую методом трехмерной печати, в результате которой исходная смесь преобразуется в изделие из композитного светоотражающего материала, форма и размер которого позволяют совмещать две и более поверхности указанного изделия с двумя и более поверхностями одного или более сцинтилляционного элемента.
2. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в качестве порошкообразного пигмента предпочтительно используют диоксид титана или стабилизированный диоксид циркония.
3. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в качестве полимерной основы предпочтительно, используются акрилатные полимеры.
4. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в качестве метода формования, предпочтительно используется стереолитография.
Основное назначение
1. Способ изготовления отражающих поверхностей для сцинтилляционных элементов, включающий стадию приготовления исходной смеси, состоящей из полимерной основы и 0,1-90 вес. % порошкообразного пигмента, а также последующую стадию формования отражающей поверхности, осуществляемую методом трехмерной печати, в результате которой исходная смесь преобразуется в изделие из композитного светоотражающего материала, форма и размер которого позволяют совмещать две и более поверхности указанного изделия с двумя и более поверхностями одного или более сцинтилляционного элемента.
2. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в качестве порошкообразного пигмента предпочтительно используют диоксид титана или стабилизированный диоксид циркония.
3. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в качестве полимерной основы предпочтительно, используются акрилатные полимеры.
4. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в качестве метода формования, предпочтительно используется стереолитография.
|
||
|
236
|
Патент 2802543
|
Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к технологиям структурирования пластин кремния и создания на них методами химической и лазерной обработки структур для исследования жидких сред методами гигантского комбинационного рассеяния и эквивалентных аналитических методов. Технической задачей способа является создание устройства, позволяющего обеспечить получение стабильных и воспроизводимых результатов при проведении измерений гигантского комбинационного рассеяния. Задача достигается в результате того, что в способе изготовления плазмонного микротитрационного планшета, включающем создание многослойной комплексной плазмонной структуры на подложке, методом лазерной абляции на подложке создают заранее выбранное количество ячеек, в центре каждой ячейки методом лазерной абляции создают кольцо с диаметром ? диаметра апертуры спектрометра комбинационного рассеяния (?50-100 мкм), которое является гидрофильным. 6 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к технологиям структурирования пластин кремния и создания на них методами химической и лазерной обработки структур для исследования жидких сред методами гигантского комбинационного рассеяния и эквивалентных аналитических методов. Технической задачей способа является создание устройства, позволяющего обеспечить получение стабильных и воспроизводимых результатов при проведении измерений гигантского комбинационного рассеяния. Задача достигается в результате того, что в способе изготовления плазмонного микротитрационного планшета, включающем создание многослойной комплексной плазмонной структуры на подложке, методом лазерной абляции на подложке создают заранее выбранное количество ячеек, в центре каждой ячейки методом лазерной абляции создают кольцо с диаметром ? диаметра апертуры спектрометра комбинационного рассеяния (?50-100 мкм), которое является гидрофильным. 6 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
|
Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к технологиям структурирования пластин кремния и создания на них методами химической и лазерной обработки структур для исследования жидких сред методами гигантского комбинационного рассеяния и эквивалентных аналитических методов. Технической задачей способа является создание устройства, позволяющего обеспечить получение стабильных и воспроизводимых результатов при проведении измерений гигантского комбинационного рассеяния. Задача достигается в результате того, что в способе изготовления плазмонного микротитрационного планшета, включающем создание многослойной комплексной плазмонной структуры на подложке, методом лазерной абляции на подложке создают заранее выбранное количество ячеек, в центре каждой ячейки методом лазерной абляции создают кольцо с диаметром ? диаметра апертуры спектрометра комбинационного рассеяния (?50-100 мкм), которое является гидрофильным. 6 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к технологиям структурирования пластин кремния и создания на них методами химической и лазерной обработки структур для исследования жидких сред методами гигантского комбинационного рассеяния и эквивалентных аналитических методов. Технической задачей способа является создание устройства, позволяющего обеспечить получение стабильных и воспроизводимых результатов при проведении измерений гигантского комбинационного рассеяния. Задача достигается в результате того, что в способе изготовления плазмонного микротитрационного планшета, включающем создание многослойной комплексной плазмонной структуры на подложке, методом лазерной абляции на подложке создают заранее выбранное количество ячеек, в центре каждой ячейки методом лазерной абляции создают кольцо с диаметром ? диаметра апертуры спектрометра комбинационного рассеяния (?50-100 мкм), которое является гидрофильным. 6 ил.
|
||
|
237
|
Патент 2504861
|
Использование: в области микро- и наноэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления полевого нанотранзистора с контактами Шоттки на истоке/стоке и с управляющим электродом нанометровой длины включает выделение на полупроводниковой подложке активной области прибора, нанесение на поверхность полупроводниковой подложки контактного слоя истока/стока, состоящего из двух слоев - первого (нижнего), более тонкого, чем второй, стойкого к плазмохимическому травлению (ПХТ), в котором создаются заостренные края контактов Шоттки истока/стока и второго (верхнего), травящегося ПХТ, для увеличения общей толщины контактного слоя, обеспечивающего малое сопротивление контактов истока/стока, затем осаждаются слои вспомогательного слоя, состоящего из слоя диэлектрика и слоя металла, в котором методами литографии, самоформирования, плазмохимического травления формируется нанометровая щель, через которую производится плазмохимическое травление материала второго (верхнего) слоя контактного слоя истока/стока, а для дальнейшего уменьшения длины управляющего электрода и изоляции его от контактов истока/стока в сформированную нанометровую щель осаждается диэлектрик с низким значением диэлектрической проницаемости, плазмохимическим травлением на боковых стенках щели формируются диэлектрические спейсеры и изотропным химическим травлением удаляется металл первого (нижнего) слоя контактного слоя на дне щели, с последующим осаждением в эту углубленную щель подзатворного диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости и материала управляющего электрода, и проводится формирование затвора, при этом одновременно с управляющим электродом формируется контактная площадка управляющего электрода, а после удаления вспомогательного слоя с незащищенных участков формируются контактные площадки для истока/стока. Изобретения обеспечивает уменьшение длины управляющего электрода до нескольких нанометров, возможность изготовления элементов полевого нанотранзистора по самосовмещенной технологии, возможность использования металлов и силицидов металлов в качестве контактных слоев. 18 з.п. ф-лы, 12 ил.
Основное назначение
Использование: в области микро- и наноэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления полевого нанотранзистора с контактами Шоттки на истоке/стоке и с управляющим электродом нанометровой длины включает выделение на полупроводниковой подложке активной области прибора, нанесение на поверхность полупроводниковой подложки контактного слоя истока/стока, состоящего из двух слоев - первого (нижнего), более тонкого, чем второй, стойкого к плазмохимическому травлению (ПХТ), в котором создаются заостренные края контактов Шоттки истока/стока и второго (верхнего), травящегося ПХТ, для увеличения общей толщины контактного слоя, обеспечивающего малое сопротивление контактов истока/стока, затем осаждаются слои вспомогательного слоя, состоящего из слоя диэлектрика и слоя металла, в котором методами литографии, самоформирования, плазмохимического травления формируется нанометровая щель, через которую производится плазмохимическое травление материала второго (верхнего) слоя контактного слоя истока/стока, а для дальнейшего уменьшения длины управляющего электрода и изоляции его от контактов истока/стока в сформированную нанометровую щель осаждается диэлектрик с низким значением диэлектрической проницаемости, плазмохимическим травлением на боковых стенках щели формируются диэлектрические спейсеры и изотропным химическим травлением удаляется металл первого (нижнего) слоя контактного слоя на дне щели, с последующим осаждением в эту углубленную щель подзатворного диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости и материала управляющего электрода, и проводится формирование затвора, при этом одновременно с управляющим электродом формируется контактная площадка управляющего электрода, а после удаления вспомогательного слоя с незащищенных участков формируются контактные площадки для истока/стока. Изобретения обеспечивает уменьшение длины управляющего электрода до нескольких нанометров, возможность изготовления элементов полевого нанотранзистора по самосовмещенной технологии, возможность использования металлов и силицидов металлов в качестве контактных слоев. 18 з.п. ф-лы, 12 ил.
|
ФТИАН
Основное назначение
ФТИАН
|
Использование: в области микро- и наноэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления полевого нанотранзистора с контактами Шоттки на истоке/стоке и с управляющим электродом нанометровой длины включает выделение на полупроводниковой подложке активной области прибора, нанесение на поверхность полупроводниковой подложки контактного слоя истока/стока, состоящего из двух слоев - первого (нижнего), более тонкого, чем второй, стойкого к плазмохимическому травлению (ПХТ), в котором создаются заостренные края контактов Шоттки истока/стока и второго (верхнего), травящегося ПХТ, для увеличения общей толщины контактного слоя, обеспечивающего малое сопротивление контактов истока/стока, затем осаждаются слои вспомогательного слоя, состоящего из слоя диэлектрика и слоя металла, в котором методами литографии, самоформирования, плазмохимического травления формируется нанометровая щель, через которую производится плазмохимическое травление материала второго (верхнего) слоя контактного слоя истока/стока, а для дальнейшего уменьшения длины управляющего электрода и изоляции его от контактов истока/стока в сформированную нанометровую щель осаждается диэлектрик с низким значением диэлектрической проницаемости, плазмохимическим травлением на боковых стенках щели формируются диэлектрические спейсеры и изотропным химическим травлением удаляется металл первого (нижнего) слоя контактного слоя на дне щели, с последующим осаждением в эту углубленную щель подзатворного диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости и материала управляющего электрода, и проводится формирование затвора, при этом одновременно с управляющим электродом формируется контактная площадка управляющего электрода, а после удаления вспомогательного слоя с незащищенных участков формируются контактные площадки для истока/стока. Изобретения обеспечивает уменьшение длины управляющего электрода до нескольких нанометров, возможность изготовления элементов полевого нанотранзистора по самосовмещенной технологии, возможность использования металлов и силицидов металлов в качестве контактных слоев. 18 з.п. ф-лы, 12 ил.
Основное назначение
Использование: в области микро- и наноэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления полевого нанотранзистора с контактами Шоттки на истоке/стоке и с управляющим электродом нанометровой длины включает выделение на полупроводниковой подложке активной области прибора, нанесение на поверхность полупроводниковой подложки контактного слоя истока/стока, состоящего из двух слоев - первого (нижнего), более тонкого, чем второй, стойкого к плазмохимическому травлению (ПХТ), в котором создаются заостренные края контактов Шоттки истока/стока и второго (верхнего), травящегося ПХТ, для увеличения общей толщины контактного слоя, обеспечивающего малое сопротивление контактов истока/стока, затем осаждаются слои вспомогательного слоя, состоящего из слоя диэлектрика и слоя металла, в котором методами литографии, самоформирования, плазмохимического травления формируется нанометровая щель, через которую производится плазмохимическое травление материала второго (верхнего) слоя контактного слоя истока/стока, а для дальнейшего уменьшения длины управляющего электрода и изоляции его от контактов истока/стока в сформированную нанометровую щель осаждается диэлектрик с низким значением диэлектрической проницаемости, плазмохимическим травлением на боковых стенках щели формируются диэлектрические спейсеры и изотропным химическим травлением удаляется металл первого (нижнего) слоя контактного слоя на дне щели, с последующим осаждением в эту углубленную щель подзатворного диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости и материала управляющего электрода, и проводится формирование затвора, при этом одновременно с управляющим электродом формируется контактная площадка управляющего электрода, а после удаления вспомогательного слоя с незащищенных участков формируются контактные площадки для истока/стока. Изобретения обеспечивает уменьшение длины управляющего электрода до нескольких нанометров, возможность изготовления элементов полевого нанотранзистора по самосовмещенной технологии, возможность использования металлов и силицидов металлов в качестве контактных слоев. 18 з.п. ф-лы, 12 ил.
|
||
|
238
|
Патент 2715735
|
Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковых бета-вольтаических преобразователей на основе радионуклида никель-63 для использования в автономных источниках электрического питания. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны 3222.56±0.001?, 5464.006±0.001?, 5442.195±0.001? с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, при этом полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800?1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме. Изобретение позволяет получать готовые бета-вольтаические чипы с фиксированным на момент изготовления изотопным обогащением в одном устройстве и в едином замкнутом процессе. 1. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны 3222.56±0.001?, 5464.006±0.001?, 5442.195±0.001? с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, отличающийся тем, что полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800?1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на поверхность чипа подают отрицательное напряжение 500-1000 В.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа медленно прогревают в вакууме до температуры 400?1000 К.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа очищают потоком ионов аргона с использованием специальных источников ионов или тлеющего разряда, зажигаемого в вакуумной камере при напуске аргона до давления 1?10-1 Па.
Основное назначение
Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковых бета-вольтаических преобразователей на основе радионуклида никель-63 для использования в автономных источниках электрического питания. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны 3222.56±0.001?, 5464.006±0.001?, 5442.195±0.001? с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, при этом полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800?1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме. Изобретение позволяет получать готовые бета-вольтаические чипы с фиксированным на момент изготовления изотопным обогащением в одном устройстве и в едином замкнутом процессе. 1. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны 3222.56±0.001?, 5464.006±0.001?, 5442.195±0.001? с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, отличающийся тем, что полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800?1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на поверхность чипа подают отрицательное напряжение 500-1000 В.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа медленно прогревают в вакууме до температуры 400?1000 К.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа очищают потоком ионов аргона с использованием специальных источников ионов или тлеющего разряда, зажигаемого в вакуумной камере при напуске аргона до давления 1?10-1 Па.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны 3222.56±0.001?, 5464.006±0.001?, 5442.195±0.001? с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, отличающийся тем, что полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800?1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на поверхность чипа подают отрицательное напряжение 500-1000 В.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа медленно прогревают в вакууме до температуры 400?1000 К.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа очищают потоком ионов аргона с использованием специальных источников ионов или тлеющего разряда, зажигаемого в вакуумной камере при напуске аргона до давления 1?10-1 Па.
Основное назначение
1. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны 3222.56±0.001?, 5464.006±0.001?, 5442.195±0.001? с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, отличающийся тем, что полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800?1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на поверхность чипа подают отрицательное напряжение 500-1000 В.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа медленно прогревают в вакууме до температуры 400?1000 К.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа очищают потоком ионов аргона с использованием специальных источников ионов или тлеющего разряда, зажигаемого в вакуумной камере при напуске аргона до давления 1?10-1 Па.
|
||
|
239
|
2851141
|
Изобретение относится к области квантовых технологий, к способу создания рабочего элемента для генераторов терагерцового излучения. Способ изготовления рабочего элемента устройства для генерации терагерцового излучения отличается от известного способа тем, что поры первоначально заполняют на 15-30% их длины первым металлом или сплавом, Ni или FeNi, используя первый электролит, а затем продолжают заполнение пор еще на 15-30% их длины вторым металлом или сплавом, Со или FeCo, используя второй электролит. Гальваническое заполнение пор вторым металлом или сплавом начинают через 5-10 минут после окончания заполнения пор первым металлом или сплавом, далее гальванически осаждают медь в поры. Медь первоначально заполняет поры до конца их длины, а далее осаждается на поверхности мембраны, формируя со второй стороны мембраны контактные медные полоски, соответствующие первоначально нанесенной маске, изготавливают рабочий элемент из полученной заготовки в форме ленты путем вырезания под углом 45° к направлению полосок, габаритные характеристики выбирают экспериментально в соответствии с требуемым электрическим сопротивлением элемента. Технический результат – повышение электрического сопротивления. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области квантовых технологий, к способу создания рабочего элемента для генераторов терагерцового излучения. Способ изготовления рабочего элемента устройства для генерации терагерцового излучения отличается от известного способа тем, что поры первоначально заполняют на 15-30% их длины первым металлом или сплавом, Ni или FeNi, используя первый электролит, а затем продолжают заполнение пор еще на 15-30% их длины вторым металлом или сплавом, Со или FeCo, используя второй электролит. Гальваническое заполнение пор вторым металлом или сплавом начинают через 5-10 минут после окончания заполнения пор первым металлом или сплавом, далее гальванически осаждают медь в поры. Медь первоначально заполняет поры до конца их длины, а далее осаждается на поверхности мембраны, формируя со второй стороны мембраны контактные медные полоски, соответствующие первоначально нанесенной маске, изготавливают рабочий элемент из полученной заготовки в форме ленты путем вырезания под углом 45° к направлению полосок, габаритные характеристики выбирают экспериментально в соответствии с требуемым электрическим сопротивлением элемента. Технический результат – повышение электрического сопротивления. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ изготовления рабочего элемента устройства для генерации терагерцового излучения, содержащий процесс изготовления заготовки элемента, включающий нанесение на первую поверхность трековой мембраны контактного сплошного медного слоя, нанесение на вторую противоположную поверхность мембраны маски в виде параллельных полосок из диэлектрического материала, гальваническое заполнение пор мембраны на поверхности, которая не закрыта полосками, на части их длины сначала первым металлом или сплавом при применении первого электролита, затем заполнение оставшейся части длины пор вторым металлом или сплавом при применении второго электролита путем смены электролитов с промежуточной выдержкой, гальваническое формирование контактного слоя из чередующихся в соответствии с маской медных полосок на второй поверхности мембраны, нанесение на первую поверхность мембраны полосок из диэлектрического материала, которые располагают перпендикулярно полоскам на второй поверхности мембраны, образование медных контактных полосок путем частичного погружения мембраны первой стороной в растворитель, что обеспечивает образование медных контактных полосок на первой стороне мембраны в результате вытравливания меди с областей сплошной медной поверхности, которая не покрыта полосками из диэлектрического материала, отличающийся тем, что первоначально заполняют поры на 15-30% их длины первым металлом или сплавом, в качестве которого применяют Ni или FeNi, для чего используют первый электролит, а затем продолжают заполнение пор еще на 15-30% их длины вторым металлом или сплавом, в качестве которого применяют Со или FeCo, для чего используют второй электролит, причем гальваническое заполнение пор вторым металлом или сплавом начинают через 5-10 минут после окончания заполнения пор первым металлом или сплавом, по завершении этой операции проводят гальваническое осаждение меди в поры, при этом медь первоначально заполняет поры до конца их длины, а затем как продолжение роста слоя меди в порах осаждается на поверхности мембраны, что приводит к формированию со второй стороны мембраны контактных медных полосок, расположенных в соответствии с первоначально нанесенной маской, затем изготавливают рабочий элемент из полученной заготовки в форме ленты путем вырезания под углом 45° к направлению полосок, ширину медных полосок и промежутков между ними на обеих поверхностях мембраны, а также ширину и длину рабочего элемента выбирают экспериментально в соответствии с требуемым электрическим сопротивлением элемента.
Основное назначение
1. Способ изготовления рабочего элемента устройства для генерации терагерцового излучения, содержащий процесс изготовления заготовки элемента, включающий нанесение на первую поверхность трековой мембраны контактного сплошного медного слоя, нанесение на вторую противоположную поверхность мембраны маски в виде параллельных полосок из диэлектрического материала, гальваническое заполнение пор мембраны на поверхности, которая не закрыта полосками, на части их длины сначала первым металлом или сплавом при применении первого электролита, затем заполнение оставшейся части длины пор вторым металлом или сплавом при применении второго электролита путем смены электролитов с промежуточной выдержкой, гальваническое формирование контактного слоя из чередующихся в соответствии с маской медных полосок на второй поверхности мембраны, нанесение на первую поверхность мембраны полосок из диэлектрического материала, которые располагают перпендикулярно полоскам на второй поверхности мембраны, образование медных контактных полосок путем частичного погружения мембраны первой стороной в растворитель, что обеспечивает образование медных контактных полосок на первой стороне мембраны в результате вытравливания меди с областей сплошной медной поверхности, которая не покрыта полосками из диэлектрического материала, отличающийся тем, что первоначально заполняют поры на 15-30% их длины первым металлом или сплавом, в качестве которого применяют Ni или FeNi, для чего используют первый электролит, а затем продолжают заполнение пор еще на 15-30% их длины вторым металлом или сплавом, в качестве которого применяют Со или FeCo, для чего используют второй электролит, причем гальваническое заполнение пор вторым металлом или сплавом начинают через 5-10 минут после окончания заполнения пор первым металлом или сплавом, по завершении этой операции проводят гальваническое осаждение меди в поры, при этом медь первоначально заполняет поры до конца их длины, а затем как продолжение роста слоя меди в порах осаждается на поверхности мембраны, что приводит к формированию со второй стороны мембраны контактных медных полосок, расположенных в соответствии с первоначально нанесенной маской, затем изготавливают рабочий элемент из полученной заготовки в форме ленты путем вырезания под углом 45° к направлению полосок, ширину медных полосок и промежутков между ними на обеих поверхностях мембраны, а также ширину и длину рабочего элемента выбирают экспериментально в соответствии с требуемым электрическим сопротивлением элемента.
|
||
|
240
|
Патент 2476373
|
Изобретение относится к области получения сверхпроводящих соединений и изготовления нанопроводников и приборов на их основе, что может быть использовано в электротехнической, радиотехнической, медицинской и других отраслях промышленности, в частности для оптического тестирования интегральных микросхем, исследования излучения квантовых точек и в системах квантовой криптографии. Способ включает формирование на диэлектрической подложке канала проводимости из нитрида ниобия любым из известных методов толщиной не более 20 нм, но не менее толщины, приводящей к нарушению сплошности, и с шириной не более 350 нм и его последующее облучение потоком ускоренных частиц в присутствии кислорода. В качестве ускоренных частиц используют атомы водорода или протоны, ионы или атомы гелия, ионы или атомы кислорода или смеси перечисленных частиц с энергией от 0,5 до 5,0 кэВ. В качестве подложки используют лейкосапфир. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности детектирования. Способ изготовления сверхпроводниковых однофотонных детекторов, включающий формирование на диэлектрической подложке канала проводимости из нитрида ниобия с толщиной не более 20 нм, но не менее толщины, приводящей к нарушению сплошности, и с шириной не более 350 нм и его облучение потоком ускоренных частиц в присутствии кислорода.
Основное назначение
Изобретение относится к области получения сверхпроводящих соединений и изготовления нанопроводников и приборов на их основе, что может быть использовано в электротехнической, радиотехнической, медицинской и других отраслях промышленности, в частности для оптического тестирования интегральных микросхем, исследования излучения квантовых точек и в системах квантовой криптографии. Способ включает формирование на диэлектрической подложке канала проводимости из нитрида ниобия любым из известных методов толщиной не более 20 нм, но не менее толщины, приводящей к нарушению сплошности, и с шириной не более 350 нм и его последующее облучение потоком ускоренных частиц в присутствии кислорода. В качестве ускоренных частиц используют атомы водорода или протоны, ионы или атомы гелия, ионы или атомы кислорода или смеси перечисленных частиц с энергией от 0,5 до 5,0 кэВ. В качестве подложки используют лейкосапфир. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности детектирования. Способ изготовления сверхпроводниковых однофотонных детекторов, включающий формирование на диэлектрической подложке канала проводимости из нитрида ниобия с толщиной не более 20 нм, но не менее толщины, приводящей к нарушению сплошности, и с шириной не более 350 нм и его облучение потоком ускоренных частиц в присутствии кислорода.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ изготовления сверхпроводниковых однофотонных детекторов, включающий формирование на диэлектрической подложке канала проводимости из нитрида ниобия с толщиной не более 20 нм, но не менее толщины, приводящей к нарушению сплошности, и с шириной не более 350 нм и его облучение потоком ускоренных частиц в присутствии кислорода.
Основное назначение
Способ изготовления сверхпроводниковых однофотонных детекторов, включающий формирование на диэлектрической подложке канала проводимости из нитрида ниобия с толщиной не более 20 нм, но не менее толщины, приводящей к нарушению сплошности, и с шириной не более 350 нм и его облучение потоком ускоренных частиц в присутствии кислорода.
|
||