Изобретения

Изобретение относится замыканию ядерного топливного цикла и может быть использовано для возврата урана, выделенного из отработавшего ядерного топлива (ОЯТ), в топливный цикл как легководных реакторов, так и других типов реакторов, работающих на обогащенном уране. Способ изотопного восстановления регенерированного урана предусматривает повышение содержания изотопа 235U до 3-5 мас. % в регенерированном уране при понижении абсолютной и/или относительной концентрации четных изотопов урана, с разделением изотопов сырьевого уранового регенерата на установке из двух последовательных газоцентрифужных каскадов. Причем обогащают сырьевой урановый регенерат по делящемуся изотопу уран-235 в первом газоцентрифужном ординарном каскаде до содержания 5-15 мас. %. 235U, для получения товарной изотопной смеси отвал второго каскада содержащего 5-14 мас. %. 235U смешивают с низкообогащенным ураном-разбавителем природного происхождения и концентрацией 235U 3-5 мас. %, а отборный поток второго каскада обогащенный по 235U до 20 мас. % направляют в емкость для хранения. После выдержки и радиохимической очистки смешивают с регенерированным ураном следующей партии на входе первого газоцентрифужного каскада. Техническим результатом является исключение опасных высоких концентраций делящегося изотопа 235U не более 20% по изотопу 235U на любых стадиях процесса, обеспечение полного возврата регенерированного урана в воспроизводство топлива за счет отсутствия неиспользованного регенерата, направляемого на длительное складское хранение. 1. Способ изотопного восстановления регенерированного урана, заключающийся в повышении содержания изотопа 235U до 3-5 мас. % в регенерированном уране при понижении абсолютной и/или относительной концентрации четных изотопов урана, включающий разделение изотопов сырьевого уранового регенерата на установке из двух последовательных газоцентрифужных каскадов, смешении выделенной товарной изотопной смеси с ураном-разбавителем, отличающийся тем, что обогащают сырьевой урановый регенерат по делящемуся изотопу 235U в первом газоцентрифужном ординарном каскаде до содержания 5-15 мас. %. 235U, для получения товарной изотопной смеси отвал второго каскада, содержащего 5-14 мас. %. 235U, смешивают с низкообогащенным ураном-разбавителем природного происхождения и концентрацией 235U 3-5 мас. %, а поток отбора второго каскада, обогащенный по 235U до 20 мас. %, направляют в емкость для хранения, и после выдержки смешивают с регенерированным ураном следующей партии на входе в первый каскад газовых центрифуг. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после выдержки проводят радиохимическую очистку изотопной смеси.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к физике реакторов и может быть использовано для измерения подкритичности реакторов атомных станций. Импульсный источник нейтронов ИИН помещают в ядерный реактор. Измеряют скорость счета детектора нейтронов до начала запусков ИИН (фон). Осуществляют запуск ИИН с частотой следования импульсов нейтронов более 10 Гц и измеряют полное число нейтронов в ядерном реакторе n(t) как скорость счета детектора нейтронов x(t). При установившемся в среднем постоянном числе нейтронов в реакторе в течение времени Т измеряют Y(t) - число отсчетов детектора нейтронов в реакторе с дискретностью по времени ?t, и вычисляют скорость счета x(t) детектора нейтронов. По результатам этих измерений вычисляют значение параметра Sv. Вычисляют значение экспериментальной погрешности ?Sv. По калибровочной кривой ?k=f(Sv) находят искомую подкритичность. Изобретение позволяет повысить достоверность измерения подкритичности ядерного реактора за счет исключения методической погрешности. Способ измерения подкритичности ?k ядерного реактора, заключающийся в том, что помещают импульсный источник нейтронов ИИН в ядерный реактор, осуществляют запуск ИИН с частотой следования импульсов нейтронов более 10 Гц, измеряют полное число нейтронов в ядерном реакторе n(t) как скорость счета детектора нейтронов x(t) при установившемся в среднем постоянном числе нейтронов в реакторе и определяют подкритичность ядерного реактора, отличающийся тем, что измеряют скорость счета детектора нейтронов до начала запусков ИИН (фон), а запуски ИНН прекращают после установления в среднем постоянного числа нейтронов в реакторе, после чего в течение времени Т измеряют Y(t) - число отсчетов детектора нейтронов в реакторе с дискретностью по времени ?t, и вычисляют скорость счета x(t) детектора нейтронов по результатам этих измерений, вычисляют значение параметра Sv по формуле Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) https://new.fips.ru/Archive//PAT/2012FULL/2012.05.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/450/378/00000008.tif где Xi - значения функции x(t) в моменты времени i·?t за вычетом фона, вычисляют значение экспериментальной погрешности параметра Sv по формуле Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) https://new.fips.ru/Archive//PAT/2012FULL/2012.05.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/450/378/00000009.tif где ?Sv - абсолютная погрешность параметра Sv, Yi - числа отсчетов детектора в моменты времени i·?t за вычетом фона, и по калибровочной кривой ?k=f(Sv) находят искомую подкритичность и погрешность измерения подкритичности. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что запуски ИИН прекращают через 5-6 мин. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что измеряют Y(t) в течение времени Т, равном 10?300 с. 4. Способ по п.3, отличающийся тем, что выбирают Т, равным 60 с. 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что калибровочную кривую - зависимость подкритичности реактора от значений параметра Sv - рассчитывают из системы точечных уравнений кинетики.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к физике ядерных реакторов и может быть использовано для измерения F - нейтронной мощности реактора в абсолютных единицах, например, при пусках космических ядерных энергетических установок (КЯЭУ). Техническим результатом, на которое направлено изобретение, является увеличение максимальных значений F. В способе измерения нейтронной мощности ядерного реактора в абсолютных единицах F=V·?, где V - значение мощности реактора в относительных единицах, ? - коэффициент пропорциональности, нейтронную мощность ядерного реактора в относительных единицах измеряют как среднюю скорость счета детектора нейтронов в стационарном критическом состоянии средствами измерения При этом коэффициент пропорциональности рассчитывают, используя значение автокорреляционной функции. В качестве средства измерения числа нейтронов используют ионизационную камеру для определения флуктуации числа нейтронов. Измеряют отдельно среднее значение тока ионизационной камеры и флуктуирующую составляющую тока ионизационной камеры непрерывно во времени с интервалом дискретности, рассчитывают автокорреляционную функцию флуктуирующего тока ионизационной камеры, после чего рассчитывают коэффициент пропорциональности. 1. Способ измерения нейтронной мощности ядерного реактора в абсолютных единицах F=V·?, где V - значение мощности реактора в относительных единицах, ? = коэффициент пропорциональности, при этом нейтронную мощность ядерного реактора в относительных единицах измеряют как среднюю скорость счета детектора нейтронов в стационарном критическом состоянии средствами измерения, а коэффициент пропорциональности рассчитывают, используя значение автокорреляционной функции, отличающийся тем, что в качестве средства измерения числа нейтронов используют ионизационную камеру для определения флуктуации числа нейтронов I(t)=?+i(t), измеряя отдельно среднее значение тока ионизационной камеры ? и флуктуирующую составляющую тока ионизационной камеры i(t) непрерывно во времени с интервалом дискретности ?t, рассчитывают автокорреляционную функцию флуктуирующего тока ионизационной камеры по формуле https://new.fips.ru/Archive//PAT/2014FULL/2014.09.20/DOC/RUNWC1/000/000/002/528/401/00000017-m.gif Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) где, im, im+n - переменные токи в момент времени T и T+t соответственно t=k·?t, k=1, 2, 3… n=0, 1, 2 … после чего рассчитывают коэффициент пропорциональности N - число чисел отсчетов детектора (N>>n) ?=Y·ехр(-?·t), где https://new.fips.ru/Archive//PAT/2014FULL/2014.09.20/DOC/RUNWC1/000/000/002/528/401/00000018-m.gif Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) Dv - параметр Дайвена (константа, табличная величина), Dv=0.795 для U235, Beff - эффективная доля запаздывающих нейтронов, ? - константа спада мгновенных нейтронов в критическом реакторе. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что выбирают интервал дискретности ?t?0.1/?. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что число измерений i(t) во времени должно быть не менее десяти тысяч.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к физике высокотемпературной плазмы и может найти применение в управляемом термоядерном синтезе. Сущность изобретения заключается в том, что способ измерения электронной температуры термоядерной плазмы, включающий операции, заключающиеся в том, что поток рентгеновских квантов из установки пропускают через средства детектирования, включающие фильтрующие элементы, причем в качестве средств детектирования используют две низковольтные ионизационные камеры (НИК), на входе одной из которых помещают алюминиевый фильтрующий элемент, который выполняют толщиной 10-20 мкм, сигналы с НИК подают на один общий анод, при этом на катоды одной из НИК подают постоянное смещение величиной +15 B, а на другую - переменное напряжение - меандр амплитудой ±15 B и полученные сигналы используют для определения показателей прозрачности фильтра для излучения данного спектрального состава для соотнесения с определяемой температурой термоядерной плазмы. Технический результат - упрощение конструкции и повышение надежности измерения. 1. Способ измерения электронной температуры термоядерной плазмы, включающий операции, заключающиеся в том, что поток рентгеновских квантов из установки пропускают через средства детектирования, включающие фильтрующие элементы, отличающийся тем, что в качестве средств детектирования используют две низковольтные ионизационные камеры (НИК), на входе одной из которых помещают алюминиевый фильтрующий элемент, который выполняют толщиной 10-20 мкм, сигналы с НИК подают на один общий анод, при этом на катоды одной из НИК подают постоянное смещение величиной +15 В, а на другую - переменное напряжение - меандр, амплитудой ±15 В и полученные сигналы используют для определения показателей прозрачности фильтра для излучения данного спектрального состава для соотнесения с определяемой температурой термоядерной плазмы. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что диапазон измерения электронной температуры термоядерной плазмы регулируют подбором толщины и материала фильтра, при этом для измерения температуры в диапазоне 0.5-5 кэВ используют алюминиевый фильтр толщиной 10-12 мкм, а для измерения температуры в диапазоне 5-20 кэВ используют алюминиевый фильтр толщиной 17-20 мкм.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к физике ядерных реакторов и может быть использовано для измерения эффективности одного или групп стержней регулирования реакторных установок (РУ) в случаях, когда по условиям эксплуатации РУ необходимо обеспечить метрологическую аттестацию этих измерений в режимах доброса. Эффективность стержней регулирования определяется по изменениям реактивности РУ, которые происходят в результате их перемещения. Выводят РУ в стационарное, критическое состояние. Измеряют полное число нейтронов РУ n(t) как скорость счета детектора нейтронов во времени v(t) непрерывно, с интервалом дискретности ?t. Изменяют мощность РУ путем сброса исследуемых стержней регулирования. Вычисляют реактивность после сброса из уравнений баланса нейтронов по результатам измерений v(t), которые используют с поправкой посредством умножения значения скорости счета детектора v(t) на коэффициент ?k. Этот коэффициент больше или меньше 1, k - номер группы сброшенных стержней. Технический результат - повышение точности определения эффективности стержней регулирования за счет минимизации характерных методических погрешностей определений реактивности. 1. Способ измерения эффективности стержней регулирования реакторной установки (РУ), заключающийся в том, что выводят РУ в стационарное критическое состояние, с интервалом дискретности ?t измеряют полное число нейтронов n(t) РУ во времени как скорость счета v(t) детектора нейтронов и v(0) начальную скорость счета детектора до сброса стержней регулирования, вычисляют из уравнений баланса нейтронов реактивность и эффективности стержней регулирования, отличающийся тем, что сбрасывают с определенным временным интервалом один или группу исследуемых стержней регулирования, измеряют v(t) непрерывно во времени с интервалом дискретности ?t в течение эксперимента, при этом для вычисления реактивности из уравнений баланса нейтронов используют значения v(t) с поправкой посредством умножения значений v(t) на число ?k, где ?k - коэффициент больше или меньше 1, k - номер группы сброшенных стержней. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что каждый сброс стержней регулирования осуществляют за время не более 5 с. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что интервал между сбросами стержней регулирования составляет примерно 20 с. 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что величина ?k определяется по отсутствию тренда вычисленных значений реактивности из уравнений баланса нейтронов по результатам измерений v(t) на временном отрезке между сбросами стержней. 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что суммарная эффективность сброшенных стержней не должна быть больше 5$.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к способам получения тонкопленочных материалов, в частности тонких пленок на основе оксида европия(III), и может быть использовано для защиты функционального слоя EuO. Способ изготовления защитного диэлектрического слоя Eu2O3 для полупроводниковой пленки, полученной на подложке, включает доокисление поверхностного слоя выращенной в сверхвысоковакуумной камере полупроводниковой пленки EuO в той же камере в кислороде, при этом давление потока кислорода составляет от 1·10-9 до 1·10-6 Торр в диапазоне температур подложки от 0 до 19°C. Обеспечивается формирование эффективного защитного диэлектрического слоя Eu2O3 на поверхности функционального слоя из полупроводникового оксида европия(II) - EuO, способного предотвратить деградацию функционального слоя в результате химического взаимодействия с внешней средой. Способ изготовления защитного диэлектрического слоя Eu2O3 для полупроводниковой пленки на подложке, включающий доокисление поверхностного слоя выращенной в сверхвысоковакуумной камере полупроводниковой пленки EuO в той же камере в кислороде, отличающийся тем, что давление потока кислорода составляет от 1·10-9 до 1·10-6 Торр в диапазоне температур подложки от 0 до 19°C.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Использование: для изготовления сверхпроводниковых туннельных или джозефсоновских переходов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления сверхпроводящих наноэлементов с туннельными или джозефсоновскими переходами включает формирование нанопроводов из веществ, обладающих сверхпроводящими свойствами, и преобразование их в несверхпроводящие в выбранных разделительных участках заданной ширины за счет селективного изменения атомного состава путем воздействия пучком ускоренных частиц через защитную маску с заданным рельефом. Технический результат: обеспечение возможности повышения производительности. 1. Способ изготовления сверхпроводящих наноэлементов с туннельными или джозефсоновскими переходами, включающий формирование нанопроводов из веществ, обладающих сверхпроводящими свойствами, и преобразование их в несверхпроводящие в выбранных разделительных участках заданной ширины за счет селективного изменения атомного состава путем воздействия пучком ускоренных частиц через защитную маску с заданным рельефом. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанопровод формируют из нитрида ниобия, а преобразование выбранных разделительных участков в несверхпроводящие осуществляют путем селективного удаления атомов азота путем воздействия пучком ускоренных протонов или атомов водорода через защитную маску с заданным рельефом. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанопровод формируют из нитрида ниобия, а преобразование выбранных разделительных участков в несверхпроводящие осуществляют путем селективного замещения атомов азота на атомы кислорода путем воздействия пучком ускоренных протонов или атомов водорода и ионов или атомов кислорода через защитную маску с заданным рельефом. 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанопровод формируют из нитрида ниобия, а преобразование выбранных разделительных участков в несверхпроводящие осуществляют путем селективного удаления атомов азота путем воздействия пучком ускоренных протонов или атомов водорода через защитную маску с заданным рельефом в присутствии кислорода в реакционном объеме. 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанопровод формируют из карбида ниобия, а преобразование выбранных разделительных участков в несверхпроводящие осуществляют путем селективного удаления атомов углерода путем воздействия пучком ускоренных протонов или атомов водорода через защитную маску с заданным рельефом. 6. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанопровод формируют из карбида ниобия, а преобразование выбранных разделительных участков в несверхпроводящие осуществляют путем селективного замещения атомов углерода на атомы кислорода путем воздействия пучком ускоренных протонов или атомов водорода и ионов или атомов кислорода через защитную маску с заданным рельефом. 7. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанопровод формируют из карбида ниобия, а преобразование выбранных разделительных участков в несверхпроводящие осуществляют путем селективного замещения атомов углерода на атомы кислорода путем воздействия ускоренных протонов или атомов водорода через защитную маску с заданным рельефом в присутствии кислорода в реакционном объеме. 8. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение нанопровода осуществляют пучком ускоренных частиц через защитную маску, наклоненную под углом к оси пучка. 9. Способ по п.1, отличающийся тем, что энергию частиц и время воздействия ускоренным пучком на выбранные участки нанопровода подбирают расчетным путем или экспериментально в зависимости от вещества нанопровода и требуемого состава разделительного несверхпроводящего участка.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Использование: для изготовления сверхпроводниковых датчиков излучения. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления сверхпроводящих многосекционных оптических детекторов, включающий формирование отдельных секций из сверхпроводящих нанопроводов, образующих рисунок в виде меандра, и сверхпроводящих соединительных проводов для соединения секций через токоограничители с контактными площадками, токоограничители формируют путем нанесения на сформированную структуру защитной резистивной маски, вскрытия в ней окон над отрезками соединительных проводов меандра с контактной площадкой и преобразованием их в несверхпроводящие за счет селективного изменения атомного состава воздействием пучка ускоренных частиц через защитную маску. Технический результат: обеспечение возможности создания нанорезисторов с высокими эксплуатационными характеристиками и меньшим количеством технологических операций. 1. Способ изготовления сверхпроводящих многосекционных оптических детекторов, включающий формирование отдельных секций из сверхпроводящих нанопроводов, образующих рисунок в виде меандра, и сверхпроводящих соединительных проводов для соединения секций через токоограничители с контактными площадками, отличающийся тем, что токоограничители формируют путем нанесения на сформированную структуру защитной резистивной маски, вскрытия в ней окон над отрезками соединительных проводов меандра с контактной площадкой и преобразованием их в несверхпроводящие за счет селективного изменения атомного состава воздействием пучка ускоренных частиц через защитную маску. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что соединительные нанопровода формируют из нитрида ниобия, а преобразование выбранных участков в несверхпроводящие осуществляют путем селективного замещения атомов азота на атомы кислорода путем воздействия пучком ускоренных частиц в присутствии кислорода в реакционном объеме через защитную маску до получения металлического оксида ниобия. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что соединительные нанопровода формируют из нитрида ниобия, а преобразование выбранных участков в несверхпроводящие осуществляют путем селективного удаления атомов азота путем воздействия пучком ускоренных частиц через защитную маску до получения металлического ниобия. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что соединительные нанопровода формируют из карбида ниобия, а преобразование выбранных участков в несверхпроводящие осуществляют путем селективного удаления атомов углерода путем воздействия пучком ускоренных частиц через защитную маску до получения металлического ниобия. 5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что нанопровод формируют из карбида ниобия, а преобразование выбранных участков в несверхпроводящие осуществляют путем селективного замещения атомов углерода на атомы кислорода путем воздействия ускоренных частиц через защитную маску в присутствии кислорода в реакционном объеме до получения металлического оксида ниобия. 6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что облучение нанопровода осуществляют пучком ускоренных частиц через защитную маску, наклоненную под острым углом к оси пучка. 7. Способ по любому из пп .1, 2, 3, 4, 5, 6, отличающийся тем, что в качестве ускоренных частиц используют протоны или атомы водорода. 8. Способ по любому из пп .1, 2, 3, 4, 5, 6, отличающийся тем, что энергию частиц и время воздействия ускоренным пучком на выбранные участки нанопровода подбирают расчетным путем или экспериментально в зависимости от вещества нанопровода и требуемого состава разделительного несверхпроводящего участка.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области получения сверхпроводящих соединений и изготовления нанопроводников и приборов на их основе, что может быть использовано в электротехнической, радиотехнической, медицинской и других отраслях промышленности, в частности для оптического тестирования интегральных микросхем, исследования излучения квантовых точек и в системах квантовой криптографии. Способ включает формирование на диэлектрической подложке канала проводимости из нитрида ниобия любым из известных методов толщиной не более 20 нм, но не менее толщины, приводящей к нарушению сплошности, и с шириной не более 350 нм и его последующее облучение потоком ускоренных частиц в присутствии кислорода. В качестве ускоренных частиц используют атомы водорода или протоны, ионы или атомы гелия, ионы или атомы кислорода или смеси перечисленных частиц с энергией от 0,5 до 5,0 кэВ. В качестве подложки используют лейкосапфир. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности детектирования. Способ изготовления сверхпроводниковых однофотонных детекторов, включающий формирование на диэлектрической подложке канала проводимости из нитрида ниобия с толщиной не более 20 нм, но не менее толщины, приводящей к нарушению сплошности, и с шириной не более 350 нм и его облучение потоком ускоренных частиц в присутствии кислорода.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковых бета-вольтаических преобразователей на основе радионуклида никель-63 для использования в автономных источниках электрического питания. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны 3222.56±0.001?, 5464.006±0.001?, 5442.195±0.001? с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, при этом полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800?1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме. Изобретение позволяет получать готовые бета-вольтаические чипы с фиксированным на момент изготовления изотопным обогащением в одном устройстве и в едином замкнутом процессе. 1. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны 3222.56±0.001?, 5464.006±0.001?, 5442.195±0.001? с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, отличающийся тем, что полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800?1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на поверхность чипа подают отрицательное напряжение 500-1000 В. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа медленно прогревают в вакууме до температуры 400?1000 К. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед началом фотоионизационного нанесения 63Ni поверхность чипа очищают потоком ионов аргона с использованием специальных источников ионов или тлеющего разряда, зажигаемого в вакуумной камере при напуске аргона до давления 1?10-1 Па.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)