Изобретения

Группа изобретений относится к материалам, используемым в сцинтилляционной технике. Сущность группы изобретений заключается в том, что сцинтилляционный материал для регистрации ионизирующего излучения представляет собой кристаллический твердый раствор с общей эмпирической формулой Li(Y1-x Lux)F4 при х=0,01-0,8, образующийся в бинарной системе LiYF4 - LiLuF4. Также сцинтилляционный материал для регистрации ионизирующего излучения представляет собой кристаллический твердый раствор с общей эмпирической формулой Ba(Y1-x Ybx)2F8 при х=0,01-0,9, образующийся в бинарной системе BaY2F8 - BaYb2F8. Технический результат – получение сцинтилляционных материалов, в том числе крупногабаритных, с возможностью направленного управления чувствительностью данных материалов к ионизирующим излучениям с максимальной чувствительностью к излучению ?-квантов. 1. Сцинтилляционный материал для регистрации ионизирующего излучения, представляющий собой кристаллический твердый раствор с общей эмпирической формулой Li(Y1-xLux)F4 при х=0,01-0,8, образующийся в бинарной системе LiYF4-LiLuF4. 2. Материал по п. 1, отличающийся тем, что для регистрации нейтронного излучения х=0,01. 3. Материал по п. 1, отличающийся тем, что для регистрации рентгеновского и ?-излучения х=0,5-0,7. 4. Материал по пп. 1-3, отличающийся тем, что он активирован ионами Се3+ или Pr3+ в количестве 0,5-1,5 мол.%. 5. Материал по п. 1, отличающийся тем, что он получен методом горизонтальной направленной кристаллизации. 6. Материал по п. 1, отличающийся тем, что он выполнен в виде монокристалла в виде пластин с размерами не менее 50?80?20 мм. 7. Сцинтилляционный материал для регистрации ионизирующего излучения, представляющий собой кристаллический твердый раствор с общей эмпирической формулой Ba(Y1-xYbx)2F8 при х=0,01-0,9, образующийся в бинарной системе BaY2F8-BaYb2F8. 8. Материал по п. 7, отличающийся тем, что для регистрации рентгеновского и ?-излучения х=0,5-0,7. 9. Материал по пп. 7-8, отличающийся тем, что он активирован ионами Се3+ или Pr3+ в количестве 0,5-1,5 мол.%. 10. Материал по п. 7, отличающийся тем, что он получен методом горизонтальной направленной кристаллизации. 11. Материал по п. 7, отличающийся тем, что он выполнен в виде монокристалла в виде пластин с размерами не менее 50?80?20 мм.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Группа изобретений относится к медицине и касается антикоагулянтного лекарственного средства, представляющего собой синтетический дипептид Ac-Trp-Arg-Pip?HCl или его фармацевтически приемлемые соли. Группа изобретений также касается фармацевтической композиции, включающей в качестве действующего вещества указанное антикоагулянтное лекарственное средство и вспомогательные вещества - микрокристаллическую целлюлозу и стеариновую кислоту и/или ее фармацевтически приемлемую соль. Группа изобретений обеспечивает снижение риска неконтролируемого тромбообразования. 1. Антикоагулянтное лекарственное средство, представляющее собой синтетический дипептид Ac-Trp-Arg-Pip?HCl или его фармацевтически приемлемые соли. 2. Фармацевтическая композиция, включающая в качестве действующего вещества антикоагулянтное лекарственное средство по п. 1 и вспомогательные вещества: микрокристаллическую целлюлозу и стеариновую кислоту и/или ее фармацевтически приемлемую соль, при следующем соотношении компонентов, мас. %: - дипептид - 50,0 - стеариновая кислота и/или ее фармацевтически приемлимая соль - 1,0 - целлюлоза микрокристалическая - до 100,0. Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) 3. Фармацевтическая композиция по п. 2, отличающаяся тем, что в качестве соли стеариновой кислоты используют преимущественно магниевую соль. 4. Фармацевтическая композиция по любому из пп. 2, 3, отличающаяся тем, что она выполнена в форме таблетки, капсулы, гранулы, саше. 5. Фармацевтическая композиция по любому из пп. 2, 3, отличающаяся тем, что она выполнена в форме таблетки, покрытой кишечнорастворимой оболочкой. 6. Фармацевтическая композиция по п. 5, отличающаяся тем, что средняя масса ядра таблетки составляет 0,3 г. 7. Фармацевтическая композиция по пп. 5, 6, отличающаяся тем, что оболочка таблетки составляет до 10% от массы таблетки-ядра. 8. Фармацевтическая композиция по пп. 5-7, отличающаяся тем, что оболочка таблетки содержит кополимер метакриловой кислоты, кремния диоксид коллоидный безводный, натрия бикарбонат, натрия лаурилсульфат, тальк, титана диоксид, триэтил цитрат, приемлемые красители или готовую смесь для пленочного покрытия марки «Acryl-EZE® 93А White».

Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)

Группа изобретений относится к микробиологии и биотехнологии и касается получения трансформантов дрожжей Schizosaccharomyces pombe, продуцирующих молочную кислоту. Предложен трансформант, несущий ген ldh, кодирующий лактатдегидрогеназу из Lactobacillus acidophilus или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%. Также предложен трансформант, несущий ген ldh, кодирующий лактатдегидрогеназу из Lactobacillus acidophilus или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%, в котором инактивирован или делетирован один или несколько генов, кодирующих ферменты, участвующие в пути биосинтеза этанола. Предложен трансформант, несущий ген ldh, кодирующий лактатдегидрогеназу из Lactobacillus acidophilus, или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%, и ген ldh, кодирующий лактатдегидрогеназу из Lactobacillus plantarum или Lactobacillus pentosus. Предложен трансформант, несущий ген ldh, кодирующий лактатдегидрогеназу из Lactobacillus acidophilus или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%, и ген ldh, кодирующий лактатдегидрогеназу из Lactobacillus plantarum или Lactobacillus pentosus, в котором инактивирован или делетирован один или несколько генов, кодирующих ферменты, участвующие в пути биосинтеза этанола. Также предложены варианты способа получения указанных трансформантов и способ микробиологического синтеза молочной кислоты. Группа изобретений обеспечивает эффективную продукцию молочной кислоты при небольшой концентрации побочного продукта. 1. Трансформант дрожжей Schizosaccharomyces pombe, продуцирующий молочную кислоту, содержащий ген ldh, кодирующий лактатдегидрогеназу из Lactobacillus acidophilus или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%. 2. Трансформант по п.1, в котором указанный ген ldh интегрирован в состав хромосомы. 3. Трансформант по п.1, в котором в качестве фермента, аминокислотная последовательность которого гомологична лактатдегидрогеназе из Lactobacillus acidophilus не менее чем на 93%, используют лактатдегидрогеназу из Lactobacillus kitasatonis, или Lactobacillus ultunensis, или Lactobacillus crispatus, или Lactobacillus gallinarum, или Lactobacillus amylovorus, или Lactobacillus kefiranofaciens. 4. Трансформант дрожжей Schizosaccharomyces pombe, продуцирующий молочную кислоту, содержащий ген ldh, кодирующий лактатдегидрогеназу из Lactobacillus acidophilus или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%, в котором инактивирован или делетирован один или несколько генов, кодирующих ферменты, участвующие в пути биосинтеза этанола. 5. Трансформант по п.4, в котором инактивирован ген adh1 и/или pdc2. 6. Трансформант дрожжей Schizosaccharomyces pombe, продуцирующий молочную кислоту, содержащий ген ldh, кодирующий лактатдегидрогеназу из Lactobacillus acidophilus или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%, и ген ldh, кодирующий лактатдегидрогеназу из Lactobacillus plantarum или Lactobacillus pentosus. 7. Трансформант дрожжей Schizosaccharomyces pombe продуцирующий молочную кислоту, содержащий ген ldh, кодирующий лактатдегидрогеназу из Lactobacillus acidophilus или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее, чем на 93%, и ген ldh, кодирующий лактатдегидрогеназу из Lactobacillus plantarum или Lactobacillus pentosus, в котором инактивирован или делетирован один или несколько генов, кодирующих ферменты, участвующие в пути биосинтеза этанола. 8. Трансформант по п.7, в котором инактивирован ген adh1 и/или pdc2. 9. Способ получения трансформанта по п.1, включающий введение в клетки дрожжей Schizosaccharomyces pombe гена ldh, кодирующего лактатдегидрогеназу из Lactobacillus acidophilus или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%. 10. Способ получения трансформанта по п.4, включающий введение в клетки дрожжей Schizosaccharomyces pombe гена ldh, кодирующего лактатдегидрогеназу, из Lactobacillus acidophilus или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%, и инактивацию или делетирование одного или нескольких генов, кодирующих ферменты, участвующие в пути биосинтеза этанола. 11. Способ получения трансформанта по п.6, включающий введение в клетки дрожжей Schizosaccharomyces pombe гена ldh, кодирующего лактатдегидрогеназу из Lactobacillus acidophilus или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%, и гена ldh, кодирующего лактатдегидрогеназу из Lactobacillus plantarum или Lactobacillus pentosus. 12. Способ получения трансформанта по п.7, включающий введение в клетки дрожжей Schizosaccharomyces pombe гена ldh, кодирующего лактатдегидрогеназу из Lactobacillus acidophilus или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%, гена ldh, кодирующего лактатдегидрогеназу из Lactobacillus plantarum или Lactobacillus pentosus, и инактивацию или делетирование одного или нескольких генов, кодирующих ферменты, участвующие в пути биосинтеза этанола. 13. Способ микробиологического синтеза молочной кислоты, включающий культивирование дрожжей Schizosaccharomyces pombe в питательной среде, отличающийся тем, что для культивирования используют трансформант по пп.1-8.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)

Группа изобретений относится к микробиологической промышленности. Предложен способ повышения продукции изолимонной кислоты в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту с использованием дрожжей Yarrowia lipolytica, в которых усилен уровень экспрессии гена Y. lipolytica YALI0E34672g, кодирующий митохондриальный транспортер YALI0E34672p, участвующий в экспорте изоцитрата из митохондрии. Предложены также дрожжи вида Yarrowia lipolytica, продуцирующие изолимонную кислоту в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту, у которых увеличено число копий гена Y. lipolytica YALI0E34672g и/или усилена промоторная область указанного гена. Группа изобретений обеспечивает повышение продукции изолимонной кислоты у дрожжей Yarrowia lipolytica. 1. Способ повышения продукции изолимонной кислоты у дрожжей Yarrowia lipolytica в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту путем повышения уровня экспрессии гена Y. lipolytica YALI0E34672g за счет увеличения числа копий гена и/или замены нативного промотора указанного гена на более сильный промотор. 2. Дрожжи вида Yarrowia lipolytica, продуцирующие изолимонную кислоту в условиях избытка источника углерода и лимита по азоту, отличающиеся тем, что в них увеличено число копий гена Y. lipolytica YALI0E34672g и/или усилена промоторная область указанного гена.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)

Группа изобретений относится к области биотехнологии. Предложен вариант мутантной рекомбинантной гепариназы I из Pedobacter heparinus, содержащий следующие аминокислотные замены по сравнению с аминокислотной последовательностью исходной гепариназы I: E117Q, Q118P, Е362Р, Y363P. Предложен фрагмент ДНК, кодирующий указанную мутантную гепариназу I. Группа изобретений позволяет получить рекомбинантную мутантную гепариназу I, обладающую повышенной удельной активностью по сравнению с исходной немодифицированной гепариназой I. 1. Мутантная рекомбинантная гепариназа I, характеризующаяся аминокислотной последовательностью соответствующей аминокислотной последовательности гепариназы I Pedobacter heparinus, в которой аминокислотный остаток глутаминовой кислоты в положении 117 заменен на остаток глутамина, аминокислотный остаток глутамина в положении 118 заменен на остаток пролина, аминокислотный остаток глутаминовой кислоты в положении 362 заменен на остаток пролина, аминокислотный остаток тирозина в положении 363 заменен на остаток пролина. 2. Фрагмент ДНК, кодирующий мутантную гепариназу I по п.1, характеризующийся тем, что имеет нуклеотидную последовательность, указанную в списке последовательностей под номером SEQ ID NO: 2, в которой нуклеотиды в положении 349-354 образуют пару кодонов, кодирующих глутамин и пролин, в положении 1084-1089 образуют пару кодонов, кодирующих два пролина, или последовательность, отличающуюся от последовательности SEQ ID NO: 2, вследствие вырожденности генетического кода.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)

Группа изобретений относится к области биотехнологии. Предложена бактерия вида Escherichia coli, обладающая способностью продуцировать L-треонин, отличающаяся тем, что в ней инактивирован ген yifK. Предложен способ микробиологического синтеза L-треонина с использованием указанной бактерии. Предложен штамм Escherichia coli ВКПМ В-13240 - продуцент треонина. Группа изобретений позволяет расширить арсенал бактерий вида Escherichia coli, способных к продукции L-треонина, и арсенал способов микробиологического синтеза L-треонина, а также позволяет увеличить продукцию L-треонина в указанном модифицированном микроорганизме по сравнению с контрольным родительским микроорганизмом. 1. Бактерия вида Escherichia coli, обладающая способностью продуцировать L-треонин, отличающаяся тем, что в ней инактивирован ген yifK. 2. Способ микробиологического синтеза L-треонина, включающий в себя выращивание бактерии вида Escherichia coli в подходящей питательной среде, отличающийся тем, что в качестве бактерии используют бактерию по п. 1. 3. Штамм Escherichia coli ВКПМ В-13240 - продуцент треонина.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)

Группа изобретений относится к области вычислительной техники и электроники и может быть использована для построения цифровых микросхем, отказоустойчивых к облучению. Техническим результатом является обеспечение косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых испытательных цифровых микросхем, построенных способом постоянного мажоритарного резервирования. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы содержит входной n-разрядный двоичный регистр, выходной n-разрядный двоичный регистр, узел управления приемом n-разрядного двоичного кода контрольного эталона во входной регистр, узел управления приемом кода результата работы микросхемы в выходной регистр. Для реализации мажоритарного резервирования в микросхеме установлены k-кратно резервированные узлы. На выходе каждого узла установлен мажоритарный клапан. На k входах мажоритарного клапана установлены соответственно k одинаковых резервируемых блоков. Каждый из блоков содержит цепочку одновходовых комбинационных логических элементов. 1. Способ косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых микросхем, построенных способом постоянного резервирования, состоящий в том, что это косвенное измерение отказоустойчивости проводят на испытательной микросхеме во время ее облучения и при этом измеряют начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, затем вычисляют флюенс, при котором произошел отказ микросхемы, по формуле: Ф=I?tотк,, где Ф - флюенс, I - интенсивность облучения, tотк - начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, а затем по вычисленному флюенсу, площади микросхемы, числу логических элементов в микросхеме и заданной вероятности повреждения единицы площади микросхемы при попадании в нее частицы, вычисляют отказоустойчивость микросхемы по соответствующей способу ее построения формуле вероятности отказа микросхемы, измерение начального отрезка времени облучения микросхемы до ее отказа производят на облучаемой испытательной микросхеме, соединенной с необлучаемой вычислительной системой управления измерением, с помощью которой производят измерение времени облучения, вычисления флюенса и отказоустойчивости микросхемы, проверку результатов работы микросхемы, фиксацию ее отказов и формируют управляющие сигналы циклов ее работы и работы микросхемы, время облучения микросхемы измеряют по числу циклов ее работы, умноженному на длительность цикла работы указанной вычислительной системы, в каждом цикле из указанной вычислительной системы передают на вход микросхемы контрольные эталоны, в эту вычислительную систему передают коды результатов работы микросхемы, а в качестве указанного начального отрезка времени работы микросхемы до ее отказа измеряют средний отрезок времени облучения микросхемы от момента облучения, принятого за начальный, до последнего отказа в заданном числе соседних циклов ее работы, отличающийся тем, что в качестве испытательной микросхемы используют микросхему, построенную способом мажоритарного резервирования логических блоков с формированием результатов с помощью мажоритарных клапанов, расположенных на выходах этих логических блоков, в вычислительной системе в каждом цикле фиксируют отказ микросхемы при несоответствии кода ее результата входному эталону, а отказоустойчивость микросхемы вычисляют по формуле, соответствующей мажоритарному способу ее построения и кратности резервирования. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что несоответствие кода результата работы испытательной микросхемы входному эталону состоит в том, что код разряда этого результата, сформированный хотя бы одним мажоритарным клапаном, не равен большинству кодов в разрядах входного эталона, подаваемых на входы резервируемых логических блоков, на выходе которых установлен этот мажоритарный клапан. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента начала измерения времени облучения микросхемы по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемого в необлучаемую вычислительную систему управления измерением, до цикла работы микросхемы, в котором будет обнаружен первый отказ микросхемы, характеризуемый фактом ошибки в коде результата работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим моменту начала измерения времени облучения. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают начальный момент начала измерения времени облучения по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемому в необлучаемую вычислительную систему управления измерением. 5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают момент первого отказа микросхемы после начала измерения в необлучаемой вычислительной системе управления измерением. 6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента предыдущего ее отказа до момента следующего ее отказа по числу циклов работы микросхемы, прошедших от момента предыдущего отказа до цикла ее работы, в котором будет обнаружена ошибка в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим коду результата при предыдущем отказе микросхемы. 7. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы для косвенного измерения ее отказоустойчивости при облучении, реализуемая способом постоянного резервирования, содержащая входной и выходной n-разрядные двоичные регистры, узел управления приемом контрольных эталонов во входной регистр от необлучаемой вычислительной системы управления измерением и узел управления приемом кода результата в выходной регистр по сигналу указанной вычислительной системы управления измерением, отличающаяся тем, что на входе каждого разряда выходного регистра установлен один k-кратно резервированный логический узел, содержащий мажоритарный клапан, выход которого соединен со входом того разряда выходного регистра, который соответствует этому логическому узлу, и установленные на входах мажоритарного клапана k одинаковых резервируемых блоков, каждый из которых содержит последовательную цепочку одновходовых комбинационных логических элементов, а вход каждой из этих цепочек соединен с выходом одного из разрядов входного регистра.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Группа изобретений относится к области регистрации нейтронов сцинтилляционным методом с использованием неорганического сцинтилляционного материала. Сущность изобретений заключается в том, что способ регистрации нейтронов содержит этапы, на которых регистрируют фотоны сцинтилляций, образующиеся при попадании нейтронов в гамма-лучевой сцинтиллятор на основе неорганического материала, содержащего нейтронпоглощающие компоненты, и определяют характеристики нейтронного излучения, при этом используют неорганический сцинтилляционный материал, содержащий атомы гадолиния, фотоны сцинтилляций от гамма-квантов регистрируют в энергетическом диапазоне 40-1300 кэВ и проводят сравнительный анализ интенсивности линий и/или групп линий в измеренном спектре излученных гамма-квантов в не менее чем двух энергетических диапазонах и по результатам данного анализа делают вывод о величине и спектральных характеристиках регистрируемого излучения нейтронов. Технический результат – расширение энергетического диапазона и повышение чувствительности детектора нейтронов. 1. Способ регистрации нейтронов, при котором регистрируют фотоны сцинтилляций, образующиеся при попадании нейтронов в гамма-лучевой сцинтиллятор на основе неорганического материала, содержащего нейтронпоглощающие компоненты, и определяют характеристики нейтронного излучения, отличающийся тем, что используют неорганический сцинтилляционный материал, содержащий атомы гадолиния, фотоны сцинтилляций от гамма-квантов регистрируют в энергетическом диапазоне 40-1300 кэВ и проводят сравнительный анализ интенсивности линий и/или групп линий в измеренном спектре излученных гамма-квантов в не менее чем двух энергетических диапазонах и по результатам данного анализа делают вывод о величине и спектральных характеристиках регистрируемого излучения нейтронов. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что фотоны сцинтилляций от гамма-квантов регистрируют в энергетическом диапазоне 40-600 кэВ. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сравнивают интенсивности как минимум в двух линиях или группах линий, выбранных в энергетическом диапазоне 40-100 кэВ, 100-200 кэВ, и линии 511 кэВ. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве неорганического сцинтилляционного материала, содержащего атомы гадолиния, используют материалы из ряда: Gd2SiO5, Gd2Si2O7, GdBr3, Gd3Al2Ga3O12 в форме монокристаллического или поликристаллического материала, содержащие в качестве активатора атомы Се, и/или Tb, и/или Еu, которые вводят в состав материала, замещая один или несколько элементов в количестве до 2 ат. %. 5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что в неорганических сцинтилляционных материалах, содержащих атомы гадолиния, замещают до 60% атомов Gd атомами Y или лантаноидами. 6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве неорганического сцинтилляционного материала, содержащего атомы гадолиния, используют сцинтилляционное стекло, содержащее оксиды Gd, Si, а в качестве активатора атомы Се и/или Tb. 7. Устройство для регистрации нейтронов для реализации способа по пп. 1-6, содержащее гамма-лучевой сцинтиллятор на основе неорганического сцинтилляционного материала, оптически соединенного с фотодетектором, соединенным с анализирующим устройством, неорганический сцинтилляционный материал содержит атомы гадолиния, причем гамма-лучевой сцинтиллятор и фотодетектор окружены экраном из неорганического вещества, поглощающим фоновое гамма-излучение. 8. Устройство по п. 7, отличающееся тем, что в качестве неорганического сцинтилляционного материала, содержащего атомы гадолиния, используют материалы, выбранные из ряда: Gd2SiO5, Gd2Si2O7, GdBr3, Gd3Al2Ga3O12 в форме монокристаллического или поликристаллического материала, содержащие в качестве активатора атомы Се, и/или Tb, и/или Еu, которые вводят в состав материала, замещая один или несколько элементов в количестве до 2 ат. %. 9. Устройство по п. 8, отличающееся тем, что в неорганических сцинтилляционных материалах, содержащих атомы гадолиния, замещают до 60% атомов Gd атомами Y или лантаноидами. 10. Устройство по п. 7, отличающееся тем, что в качестве поглощающего фоновое гамма-излучение экрана из неорганического вещества используют внешний слой свинца с толщиной не менее 1 мм и внутренний слой меди с толщиной не менее 1 мм.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Группа изобретений относится к офтальмологии. Способ лечения открытоугольной формы глаукомы путем обеспечения оттока водянистой влаги через склеру в проекции цилиарного тела посредством серии лазерных аппликаций по его периметру. В месте каждой конкретной аппликации с помощью рабочего инструмента создают замкнутую полость, давление в которой давление меньше внутриглазного давления, находящейся внутри полости. Направляют лазерное излучение. Замеряют величину интенсивности отраженного от склеры лазерного излучения для определения ее минимальной и максимальной величины, когда коэффициент отношения указанных величин принимает значение в диапазоне 2,5-3,0 лазерное излучение прекращают и указанную последовательность операции повторяют в соседней точке склеры вдоль периметра цилиарного тела. Устройство содержит лазер с подключенным к нему через оптический волновод рабочим инструментом. Лазер через контроллер подключен по электрической линии к электронному блоку и по одной из двух оптических линий к оптикоэлектронному блоку, а по другой оптической линии через обратный ответвитель к рабочему инструменту, подключенному через обратный ответвитель к оптикоэлектронному блоку. При этом рабочий инструмент электрическими линиями связан с электронным блоком, а в линии связи лазера с контроллером установлен выключатель. Рабочий инструмент содержит корпус, внутри размещена металлическая трубка, внутри которой проходит оптический волновод, имеющий металлизированный внутренний слой, торцевая поверхность которого может соприкасаться с глазным яблоком. На конце трубки размещена упругая полусферическая присоска, имеющая с внутренней стороны металлизированную поверхность, причем металлизированные поверхности волновода и присоски подключены по электрическим линиям к контактным разъемам, предназначенным для подключения к электронному блоку устройства. Применение данной группы изобретений позволит повысить эффективность и безопасность лечения открытоугольной формы глаукомы. 3 н. и 2 з.п. ф-лы, 9 ил.

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)

Группа изобретений относится к рентгеновской оптике и может быть использована для временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют подачу пучка от источника монохроматичного рентгеновского излучения после его прохождения через щелевую диафрагму на дифракционный элемент, в качестве которого используют магнитоупорядоченный кристалл бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, отличающийся тем, что к дифракционному элементу прикладывают по заранее определенной временной программе переменное по величине и/или полярности электромагнитное поле в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме так, что амплитудные значения напряженности магнитного поля на дифракционном элементе находятся в диапазоне 3-40 Э, обеспечивая тем самым модуляцию интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения в диапазоне 2-470 Гц. Технический результат - обеспечение возможности без дополнительной юстировки других элементов дифрактометра управляемо изменять угловые параметры рентгеновского излучения с течением времени. 1. Способ осуществления временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения, включающий подачу пучка от источника монохроматичного рентгеновского излучения после его прохождения через щелевую диафрагму на дифракционный элемент, в качестве которого используют магнитоупорядоченный кристалл бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, отличающийся тем, что к дифракционному элементу прикладывают по заранее определенной временной программе переменное по величине и/или полярности электромагнитное поле в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме так, что амплитудные значения напряженности магнитного поля на дифракционном элементе находятся в диапазоне 3-40 Э, обеспечивая тем самым модуляцию интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения в диапазоне 2-470 Гц. 2. Установка, реализующая способ осуществления временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения по п. 1, включающая источник монохроматического рентгеновского излучения, за которым по ходу пучка монохроматического излучения расположена щелевая диафрагма, дифракционный элемент, установленный в положении максимума дифракционного отражения, гониометр для образца и детектор, отличающаяся тем, что дифракционный элемент размещен на ячейке, расположенной на гониометре и одновременно снабженной электромагнитными катушками с возможностью регулировки их положения относительно дифракционного элемента, при этом электромагнитные катушки подключены к блоку подачи управляющих сигналов, обеспечивая таким образом приложение переменного по величине и/или полярности электромагнитного поля в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме к дифракционному элементу. 3. Установка по п. 2, отличающаяся тем, что электромагнитные катушки выполнены с медной обмоткой и ферритовыми сердечниками. 4. Установка по п. 2, отличающаяся тем, что ячейка включает в себя держатель, опорную пластину, столик для размещения дифракционного элемента и подшипник, который позволяет осуществлять поворот электромагнитных катушек относительно дифракционного элемента. 5. Установка по п. 2, отличающаяся тем, ячейка снабжена магнитопроводом.

Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)