|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
151
|
Патент 2689297
|
Изобретение относится к методам синхронизации для получения точных синхронизирующих импульсов для устройств, располагаемых по периметру кольца электронного синхротрона-накопителя, и может быть использовано в системах временной синхронизации множества разнесенных по периметру электронного синхротрона отдельных сетевых узлов с опорной точкой отсчета времени. Технический результат - повышение точности синхронизации со ста пикосекунд до единиц пикосекунд за счет использования циркулирующего в электронном синхротроне электронного пучка в качестве носителя точной таймерной информации. Для этого в дополнение к сигналам штатной таймерной системы, построенной по схеме звезды, кольцевой, или по древовидной схеме, в способе используют сигналы от датчиков тока пучка электронов синхротрона-накопителя, обладающие более стабильными временными параметрами, чем сигналы штатной таймерной системы, распространяющиеся по медным или оптическим кабелям. Поскольку сигналы с датчиков тока представляют собой цепочку неотличимых друг от друга импульсов, импульсы штатной таймерной системы используются при синхронизации для выделения нужного, то есть предназначенного для синхронизации, импульса тока пучка. 1. Способ синхронизации устройств в накопительных электронных синхротронах источников синхротронного излучения, заключающийся в том, что сигналы от одного или нескольких датчиков тока пучка электронов, расположенных по периметру накопительного синхротрона, преобразуют широкополосным сигнальным трактом, формируя цепочку логических синхроимпульсов, а выбор синхроимпульса для синхронизации устройств осуществляют при поступлении привязанного к фазе высоко частотного резонатора синхротрона управляющего импульса, генерируемого штатной таймерной системой, содержащей задающий генератор, генератор событий и распределительные устройства.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формируют синхроимпульсы P1…Pk-1, Pk, Pk+1…PN, P1…N, где N - число сгустков электронов пучка от повторяющихся сигналов датчиков тока с периодом TRF и нужный для синхронизации устройства синхроимпульс Pk выбирают подачей с опережением управляющего импульса, который приходит на синхронизируемое устройство в интервале Т0±?T/2 и формирует с задержкой TDEL, образуемой преобразователями и логическими элементами, сигнал разрешения длительностью TEN, при этом момент времени Т0 выбирают таким образом, чтобы время начала сигнала разрешения, находящееся в интервале между T0+?T/2+TDEL и T0-?T/2+TDEL, попадало в промежуток между двумя синхроимпульсами Pk-1 и Pk, а длительность сигнала разрешения TEN выбирают равной периоду следования синхроимпульсов TRF.
Основное назначение
Изобретение относится к методам синхронизации для получения точных синхронизирующих импульсов для устройств, располагаемых по периметру кольца электронного синхротрона-накопителя, и может быть использовано в системах временной синхронизации множества разнесенных по периметру электронного синхротрона отдельных сетевых узлов с опорной точкой отсчета времени. Технический результат - повышение точности синхронизации со ста пикосекунд до единиц пикосекунд за счет использования циркулирующего в электронном синхротроне электронного пучка в качестве носителя точной таймерной информации. Для этого в дополнение к сигналам штатной таймерной системы, построенной по схеме звезды, кольцевой, или по древовидной схеме, в способе используют сигналы от датчиков тока пучка электронов синхротрона-накопителя, обладающие более стабильными временными параметрами, чем сигналы штатной таймерной системы, распространяющиеся по медным или оптическим кабелям. Поскольку сигналы с датчиков тока представляют собой цепочку неотличимых друг от друга импульсов, импульсы штатной таймерной системы используются при синхронизации для выделения нужного, то есть предназначенного для синхронизации, импульса тока пучка. 1. Способ синхронизации устройств в накопительных электронных синхротронах источников синхротронного излучения, заключающийся в том, что сигналы от одного или нескольких датчиков тока пучка электронов, расположенных по периметру накопительного синхротрона, преобразуют широкополосным сигнальным трактом, формируя цепочку логических синхроимпульсов, а выбор синхроимпульса для синхронизации устройств осуществляют при поступлении привязанного к фазе высоко частотного резонатора синхротрона управляющего импульса, генерируемого штатной таймерной системой, содержащей задающий генератор, генератор событий и распределительные устройства.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формируют синхроимпульсы P1…Pk-1, Pk, Pk+1…PN, P1…N, где N - число сгустков электронов пучка от повторяющихся сигналов датчиков тока с периодом TRF и нужный для синхронизации устройства синхроимпульс Pk выбирают подачей с опережением управляющего импульса, который приходит на синхронизируемое устройство в интервале Т0±?T/2 и формирует с задержкой TDEL, образуемой преобразователями и логическими элементами, сигнал разрешения длительностью TEN, при этом момент времени Т0 выбирают таким образом, чтобы время начала сигнала разрешения, находящееся в интервале между T0+?T/2+TDEL и T0-?T/2+TDEL, попадало в промежуток между двумя синхроимпульсами Pk-1 и Pk, а длительность сигнала разрешения TEN выбирают равной периоду следования синхроимпульсов TRF.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ синхронизации устройств в накопительных электронных синхротронах источников синхротронного излучения, заключающийся в том, что сигналы от одного или нескольких датчиков тока пучка электронов, расположенных по периметру накопительного синхротрона, преобразуют широкополосным сигнальным трактом, формируя цепочку логических синхроимпульсов, а выбор синхроимпульса для синхронизации устройств осуществляют при поступлении привязанного к фазе высоко частотного резонатора синхротрона управляющего импульса, генерируемого штатной таймерной системой, содержащей задающий генератор, генератор событий и распределительные устройства.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формируют синхроимпульсы P1…Pk-1, Pk, Pk+1…PN, P1…N, где N - число сгустков электронов пучка от повторяющихся сигналов датчиков тока с периодом TRF и нужный для синхронизации устройства синхроимпульс Pk выбирают подачей с опережением управляющего импульса, который приходит на синхронизируемое устройство в интервале Т0±?T/2 и формирует с задержкой TDEL, образуемой преобразователями и логическими элементами, сигнал разрешения длительностью TEN, при этом момент времени Т0 выбирают таким образом, чтобы время начала сигнала разрешения, находящееся в интервале между T0+?T/2+TDEL и T0-?T/2+TDEL, попадало в промежуток между двумя синхроимпульсами Pk-1 и Pk, а длительность сигнала разрешения TEN выбирают равной периоду следования синхроимпульсов TRF.
Основное назначение
1. Способ синхронизации устройств в накопительных электронных синхротронах источников синхротронного излучения, заключающийся в том, что сигналы от одного или нескольких датчиков тока пучка электронов, расположенных по периметру накопительного синхротрона, преобразуют широкополосным сигнальным трактом, формируя цепочку логических синхроимпульсов, а выбор синхроимпульса для синхронизации устройств осуществляют при поступлении привязанного к фазе высоко частотного резонатора синхротрона управляющего импульса, генерируемого штатной таймерной системой, содержащей задающий генератор, генератор событий и распределительные устройства.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формируют синхроимпульсы P1…Pk-1, Pk, Pk+1…PN, P1…N, где N - число сгустков электронов пучка от повторяющихся сигналов датчиков тока с периодом TRF и нужный для синхронизации устройства синхроимпульс Pk выбирают подачей с опережением управляющего импульса, который приходит на синхронизируемое устройство в интервале Т0±?T/2 и формирует с задержкой TDEL, образуемой преобразователями и логическими элементами, сигнал разрешения длительностью TEN, при этом момент времени Т0 выбирают таким образом, чтобы время начала сигнала разрешения, находящееся в интервале между T0+?T/2+TDEL и T0-?T/2+TDEL, попадало в промежуток между двумя синхроимпульсами Pk-1 и Pk, а длительность сигнала разрешения TEN выбирают равной периоду следования синхроимпульсов TRF.
|
||
|
152
|
Патент 2363068
|
Изобретение относится к методам создания объемных композиционных структур путем изменения по заданному рисунку свойств вещества исходной заготовки и может найти применение в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем различного назначения, средств хранения информации. Сущность изобретения: способ формирования композиционной структуры включает одновременное воздействие на выбранные участки исходного вещества двух потоков ускоренных частиц, первый из которых состоит из атомов или ионов водорода, с энергией, приводящей к замене выбранного сорта атомов в исходном веществе на атомы, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, или к присоединению атомов, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, к атомам исходного вещества в слое, толщина которого соответствует длине проективного пробега ускоренных ионов или атомов водорода, при этом у замещающих атомов химическое сродство должно быть больше к атомам, остающимся в исходном веществе, чем у заменяемых, а химическое сродство у присоединяемых атомов к атомам исходного вещества должно быть больше, чем у атомов водорода. Техническим результатом изобретения является расширение номенклатуры типов двух- или многоатомных химических соединений, используемых в качестве рабочих слоев и номенклатуры создаваемых композиционных структур с различными химическими и физическими свойствами. 2 з.п. ф-лы, 4 табл.
Основное назначение
Изобретение относится к методам создания объемных композиционных структур путем изменения по заданному рисунку свойств вещества исходной заготовки и может найти применение в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем различного назначения, средств хранения информации. Сущность изобретения: способ формирования композиционной структуры включает одновременное воздействие на выбранные участки исходного вещества двух потоков ускоренных частиц, первый из которых состоит из атомов или ионов водорода, с энергией, приводящей к замене выбранного сорта атомов в исходном веществе на атомы, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, или к присоединению атомов, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, к атомам исходного вещества в слое, толщина которого соответствует длине проективного пробега ускоренных ионов или атомов водорода, при этом у замещающих атомов химическое сродство должно быть больше к атомам, остающимся в исходном веществе, чем у заменяемых, а химическое сродство у присоединяемых атомов к атомам исходного вещества должно быть больше, чем у атомов водорода. Техническим результатом изобретения является расширение номенклатуры типов двух- или многоатомных химических соединений, используемых в качестве рабочих слоев и номенклатуры создаваемых композиционных структур с различными химическими и физическими свойствами. 2 з.п. ф-лы, 4 табл.
|
Федеральное Государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (РНЦ "Курчатовский институт") (RU)
Основное назначение
Федеральное Государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (РНЦ "Курчатовский институт") (RU)
|
Изобретение относится к методам создания объемных композиционных структур путем изменения по заданному рисунку свойств вещества исходной заготовки и может найти применение в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем различного назначения, средств хранения информации. Сущность изобретения: способ формирования композиционной структуры включает одновременное воздействие на выбранные участки исходного вещества двух потоков ускоренных частиц, первый из которых состоит из атомов или ионов водорода, с энергией, приводящей к замене выбранного сорта атомов в исходном веществе на атомы, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, или к присоединению атомов, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, к атомам исходного вещества в слое, толщина которого соответствует длине проективного пробега ускоренных ионов или атомов водорода, при этом у замещающих атомов химическое сродство должно быть больше к атомам, остающимся в исходном веществе, чем у заменяемых, а химическое сродство у присоединяемых атомов к атомам исходного вещества должно быть больше, чем у атомов водорода. Техническим результатом изобретения является расширение номенклатуры типов двух- или многоатомных химических соединений, используемых в качестве рабочих слоев и номенклатуры создаваемых композиционных структур с различными химическими и физическими свойствами. 2 з.п. ф-лы, 4 табл.
Основное назначение
Изобретение относится к методам создания объемных композиционных структур путем изменения по заданному рисунку свойств вещества исходной заготовки и может найти применение в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем различного назначения, средств хранения информации. Сущность изобретения: способ формирования композиционной структуры включает одновременное воздействие на выбранные участки исходного вещества двух потоков ускоренных частиц, первый из которых состоит из атомов или ионов водорода, с энергией, приводящей к замене выбранного сорта атомов в исходном веществе на атомы, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, или к присоединению атомов, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, к атомам исходного вещества в слое, толщина которого соответствует длине проективного пробега ускоренных ионов или атомов водорода, при этом у замещающих атомов химическое сродство должно быть больше к атомам, остающимся в исходном веществе, чем у заменяемых, а химическое сродство у присоединяемых атомов к атомам исходного вещества должно быть больше, чем у атомов водорода. Техническим результатом изобретения является расширение номенклатуры типов двух- или многоатомных химических соединений, используемых в качестве рабочих слоев и номенклатуры создаваемых композиционных структур с различными химическими и физическими свойствами. 2 з.п. ф-лы, 4 табл.
|
||
|
153
|
Патент 2508532
|
Изобретение относится к методам тепло-прочностных испытаний конструкционных материалов преимущественно при прогнозировании и оценке работоспособности необлучаемых конструктивных элементов в атомной технике. Для продления срока службы корпусов реакторов типа ВВЭР предварительно определяют уровни зернограничных сегрегаций фосфора в образцах-свидетелях, изготовленных из стали исследуемого корпуса реактора, подвергавшихся воздействию рабочих температур реактора с выдержками в течение различного времени, определяют методом экстраполяции уровень накопления сегрегаций на момент окончания эксплуатации реактора, затем изготавливают экспериментальные образцы из стали, близкой по составу и микроструктуре к стали исследуемого корпуса реактора, проводят охрупчивающий отжиг экспериментальных образцов в исходном состоянии при температуре максимального развития отпускной хрупкости в течение различного времени, определяют сдвиг критической температуры хрупкости (ТК) и уровень сегрегаций на экспериментальных образцах, подвергшихся отжигу, определяют корреляцию между сдвигом критической температуры хрупкости и уровнем сегрегаций. По полученным корреляционной кривой и экстрополяции уровня накопления сегрегаций определяют степень охрупчивания исследуемой стали в прогнозируемый период срока эксплуатации корпуса реактора. Способ прогнозирования степени охрупчивания корпуса реактора типа ВВЭР из теплостойкой стали, включающий определение уровня зернограничных сегрегаций фосфора в образцах-свидетелях, изготовленных из стали исследуемого корпуса реактора, подвергавшихся воздействию рабочих температур реактора с выдержками в течение различного времени, определение методом экстраполяции уровня накопления сегрегаций на момент окончания эксплуатации реактора, изготовление экспериментальных образцов из стали, близкой по составу и микроструктуре к стали исследуемого корпуса реактора, проведение охрупчивающего отжига экспериментальных образцов в исходном состоянии при температуре максимального развития отпускной хрупкости в течение различного времени, определение сдвигов критической температуры хрупкости (ТК) и уровня сегрегаций на экспериментальных образцах, подвергшихся отжигу, определение корреляции между сдвигом критической температуры хрупкости и уровнем сегрегаций и по полученным корреляционной кривой и экстраполяции уровня накопления сегрегаций определение степени охрупчивания исследуемой стали в прогнозируемый период срока эксплуатации корпуса реактора.
Основное назначение
Изобретение относится к методам тепло-прочностных испытаний конструкционных материалов преимущественно при прогнозировании и оценке работоспособности необлучаемых конструктивных элементов в атомной технике. Для продления срока службы корпусов реакторов типа ВВЭР предварительно определяют уровни зернограничных сегрегаций фосфора в образцах-свидетелях, изготовленных из стали исследуемого корпуса реактора, подвергавшихся воздействию рабочих температур реактора с выдержками в течение различного времени, определяют методом экстраполяции уровень накопления сегрегаций на момент окончания эксплуатации реактора, затем изготавливают экспериментальные образцы из стали, близкой по составу и микроструктуре к стали исследуемого корпуса реактора, проводят охрупчивающий отжиг экспериментальных образцов в исходном состоянии при температуре максимального развития отпускной хрупкости в течение различного времени, определяют сдвиг критической температуры хрупкости (ТК) и уровень сегрегаций на экспериментальных образцах, подвергшихся отжигу, определяют корреляцию между сдвигом критической температуры хрупкости и уровнем сегрегаций. По полученным корреляционной кривой и экстрополяции уровня накопления сегрегаций определяют степень охрупчивания исследуемой стали в прогнозируемый период срока эксплуатации корпуса реактора. Способ прогнозирования степени охрупчивания корпуса реактора типа ВВЭР из теплостойкой стали, включающий определение уровня зернограничных сегрегаций фосфора в образцах-свидетелях, изготовленных из стали исследуемого корпуса реактора, подвергавшихся воздействию рабочих температур реактора с выдержками в течение различного времени, определение методом экстраполяции уровня накопления сегрегаций на момент окончания эксплуатации реактора, изготовление экспериментальных образцов из стали, близкой по составу и микроструктуре к стали исследуемого корпуса реактора, проведение охрупчивающего отжига экспериментальных образцов в исходном состоянии при температуре максимального развития отпускной хрупкости в течение различного времени, определение сдвигов критической температуры хрупкости (ТК) и уровня сегрегаций на экспериментальных образцах, подвергшихся отжигу, определение корреляции между сдвигом критической температуры хрупкости и уровнем сегрегаций и по полученным корреляционной кривой и экстраполяции уровня накопления сегрегаций определение степени охрупчивания исследуемой стали в прогнозируемый период срока эксплуатации корпуса реактора.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ прогнозирования степени охрупчивания корпуса реактора типа ВВЭР из теплостойкой стали, включающий определение уровня зернограничных сегрегаций фосфора в образцах-свидетелях, изготовленных из стали исследуемого корпуса реактора, подвергавшихся воздействию рабочих температур реактора с выдержками в течение различного времени, определение методом экстраполяции уровня накопления сегрегаций на момент окончания эксплуатации реактора, изготовление экспериментальных образцов из стали, близкой по составу и микроструктуре к стали исследуемого корпуса реактора, проведение охрупчивающего отжига экспериментальных образцов в исходном состоянии при температуре максимального развития отпускной хрупкости в течение различного времени, определение сдвигов критической температуры хрупкости (ТК) и уровня сегрегаций на экспериментальных образцах, подвергшихся отжигу, определение корреляции между сдвигом критической температуры хрупкости и уровнем сегрегаций и по полученным корреляционной кривой и экстраполяции уровня накопления сегрегаций определение степени охрупчивания исследуемой стали в прогнозируемый период срока эксплуатации корпуса реактора.
Основное назначение
Способ прогнозирования степени охрупчивания корпуса реактора типа ВВЭР из теплостойкой стали, включающий определение уровня зернограничных сегрегаций фосфора в образцах-свидетелях, изготовленных из стали исследуемого корпуса реактора, подвергавшихся воздействию рабочих температур реактора с выдержками в течение различного времени, определение методом экстраполяции уровня накопления сегрегаций на момент окончания эксплуатации реактора, изготовление экспериментальных образцов из стали, близкой по составу и микроструктуре к стали исследуемого корпуса реактора, проведение охрупчивающего отжига экспериментальных образцов в исходном состоянии при температуре максимального развития отпускной хрупкости в течение различного времени, определение сдвигов критической температуры хрупкости (ТК) и уровня сегрегаций на экспериментальных образцах, подвергшихся отжигу, определение корреляции между сдвигом критической температуры хрупкости и уровнем сегрегаций и по полученным корреляционной кривой и экстраполяции уровня накопления сегрегаций определение степени охрупчивания исследуемой стали в прогнозируемый период срока эксплуатации корпуса реактора.
|
||
|
154
|
Патент 2744160
|
Изобретение относится к микро- и наноэлектронике, а именно к цифровым устройствам, в частности к конструкции логического вентиля, реализующего операцию конъюнкции, и может быть использовано при создании цифровых интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров. Предложен наноразмерный элемент цифровой логики, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, при этом он содержит основной нанопровод с резистивным участком и с суженным участком, вблизи которого расположены резистивные участки двух нанопроводов-затворов, и выходной провод с резистивным участком и с суженным участком, расположенным вблизи резистивного участка основного нанопровода и расположенного параллельно ему, при этом расстояния между суженными участками и резистивными участками, а также их величины сопротивлений устанавливают так, чтобы величина тока, протекающего через основной нанопровод при приложении опорного напряжения, была недостаточна для перехода суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние, а мощность, выделяемая при этом на резистивном участке основного нанопровода, была достаточной для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом выделяемой тепловой мощности на обоих резистивных участках нанопроводов-затворов должно быть достаточно для прогрева соседнего суженного участка основного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а мощности, выделяемой только на любом одном из двух резистивных участков, недостаточно для перехода этого суженного участка в нормальное состояние, при этом при переходе суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента, но недостаточного для прогрева суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние. Изобретение обеспечивает возможность создания наноразмерного логического элемента «И» (вентиль) для цифровых устройств с низким энергопотреблением, высоким быстродействием и с отсутствием гальванической связи между переключаемыми элементами. Наноразмерный элемент цифровой логики, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающийся тем, что он содержит основной нанопровод с резистивным участком и с суженным участком, вблизи которого расположены резистивные участки двух нанопроводов-затворов, и выходной провод с резистивным участком и с суженным участком, расположенным вблизи резистивного участка основного нанопровода и расположенного параллельно ему, при этом расстояния между суженными участками и резистивными участками, а также их величины сопротивлений устанавливают так, чтобы величина тока, протекающего через основной нанопровод при приложении опорного напряжения, была недостаточна для перехода суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние, а мощность, выделяемая при этом на резистивном участке основного нанопровода, была достаточной для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом выделяемой тепловой мощности на обоих резистивных участках нанопроводов-затворов должно быть достаточно для прогрева соседнего суженного участка основного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а мощности, выделяемой только на любом одном из двух резистивных участков, недостаточно для перехода этого суженного участка в нормальное состояние, при этом при переходе суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента, но недостаточного для прогрева суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние.
Основное назначение
Изобретение относится к микро- и наноэлектронике, а именно к цифровым устройствам, в частности к конструкции логического вентиля, реализующего операцию конъюнкции, и может быть использовано при создании цифровых интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров. Предложен наноразмерный элемент цифровой логики, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, при этом он содержит основной нанопровод с резистивным участком и с суженным участком, вблизи которого расположены резистивные участки двух нанопроводов-затворов, и выходной провод с резистивным участком и с суженным участком, расположенным вблизи резистивного участка основного нанопровода и расположенного параллельно ему, при этом расстояния между суженными участками и резистивными участками, а также их величины сопротивлений устанавливают так, чтобы величина тока, протекающего через основной нанопровод при приложении опорного напряжения, была недостаточна для перехода суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние, а мощность, выделяемая при этом на резистивном участке основного нанопровода, была достаточной для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом выделяемой тепловой мощности на обоих резистивных участках нанопроводов-затворов должно быть достаточно для прогрева соседнего суженного участка основного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а мощности, выделяемой только на любом одном из двух резистивных участков, недостаточно для перехода этого суженного участка в нормальное состояние, при этом при переходе суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента, но недостаточного для прогрева суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние. Изобретение обеспечивает возможность создания наноразмерного логического элемента «И» (вентиль) для цифровых устройств с низким энергопотреблением, высоким быстродействием и с отсутствием гальванической связи между переключаемыми элементами. Наноразмерный элемент цифровой логики, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающийся тем, что он содержит основной нанопровод с резистивным участком и с суженным участком, вблизи которого расположены резистивные участки двух нанопроводов-затворов, и выходной провод с резистивным участком и с суженным участком, расположенным вблизи резистивного участка основного нанопровода и расположенного параллельно ему, при этом расстояния между суженными участками и резистивными участками, а также их величины сопротивлений устанавливают так, чтобы величина тока, протекающего через основной нанопровод при приложении опорного напряжения, была недостаточна для перехода суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние, а мощность, выделяемая при этом на резистивном участке основного нанопровода, была достаточной для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом выделяемой тепловой мощности на обоих резистивных участках нанопроводов-затворов должно быть достаточно для прогрева соседнего суженного участка основного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а мощности, выделяемой только на любом одном из двух резистивных участков, недостаточно для перехода этого суженного участка в нормальное состояние, при этом при переходе суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента, но недостаточного для прогрева суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Наноразмерный элемент цифровой логики, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающийся тем, что он содержит основной нанопровод с резистивным участком и с суженным участком, вблизи которого расположены резистивные участки двух нанопроводов-затворов, и выходной провод с резистивным участком и с суженным участком, расположенным вблизи резистивного участка основного нанопровода и расположенного параллельно ему, при этом расстояния между суженными участками и резистивными участками, а также их величины сопротивлений устанавливают так, чтобы величина тока, протекающего через основной нанопровод при приложении опорного напряжения, была недостаточна для перехода суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние, а мощность, выделяемая при этом на резистивном участке основного нанопровода, была достаточной для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом выделяемой тепловой мощности на обоих резистивных участках нанопроводов-затворов должно быть достаточно для прогрева соседнего суженного участка основного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а мощности, выделяемой только на любом одном из двух резистивных участков, недостаточно для перехода этого суженного участка в нормальное состояние, при этом при переходе суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента, но недостаточного для прогрева суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние.
Основное назначение
Наноразмерный элемент цифровой логики, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающийся тем, что он содержит основной нанопровод с резистивным участком и с суженным участком, вблизи которого расположены резистивные участки двух нанопроводов-затворов, и выходной провод с резистивным участком и с суженным участком, расположенным вблизи резистивного участка основного нанопровода и расположенного параллельно ему, при этом расстояния между суженными участками и резистивными участками, а также их величины сопротивлений устанавливают так, чтобы величина тока, протекающего через основной нанопровод при приложении опорного напряжения, была недостаточна для перехода суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние, а мощность, выделяемая при этом на резистивном участке основного нанопровода, была достаточной для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом выделяемой тепловой мощности на обоих резистивных участках нанопроводов-затворов должно быть достаточно для прогрева соседнего суженного участка основного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а мощности, выделяемой только на любом одном из двух резистивных участков, недостаточно для перехода этого суженного участка в нормальное состояние, при этом при переходе суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента, но недостаточного для прогрева суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние.
|
||
|
155
|
Патент 2433081
|
Изобретение относится к микро- и наноэлектронике, к технологии изготовления наноструктур размером <30 нм при травлении через резистивную маску с высоким аспектным отношением. Способ ионно-лучевой обработки включает обработку диэлектрических материалов химически активными или инертными заряженными частицами, ускорение которых осуществляют в источнике ионов. Причем обработку диэлектрических материалов проводят пучком положительных ионов одновременно с подачей на подложку ВЧ смещения. Технический результат изобретения заключается в нейтрализации положительного заряда на всей площади диэлектрической поверхности структур, в снижении влияния заряженных частиц на параметры обрабатываемых изделий, в повышении разрешения минимальных размеров их элементов и в осуществлении травления материалов с высоким аспектным отношением. 1 ил
Основное назначение
Изобретение относится к микро- и наноэлектронике, к технологии изготовления наноструктур размером <30 нм при травлении через резистивную маску с высоким аспектным отношением. Способ ионно-лучевой обработки включает обработку диэлектрических материалов химически активными или инертными заряженными частицами, ускорение которых осуществляют в источнике ионов. Причем обработку диэлектрических материалов проводят пучком положительных ионов одновременно с подачей на подложку ВЧ смещения. Технический результат изобретения заключается в нейтрализации положительного заряда на всей площади диэлектрической поверхности структур, в снижении влияния заряженных частиц на параметры обрабатываемых изделий, в повышении разрешения минимальных размеров их элементов и в осуществлении травления материалов с высоким аспектным отношением. 1 ил
|
ФТИАН
Основное назначение
ФТИАН
|
Изобретение относится к микро- и наноэлектронике, к технологии изготовления наноструктур размером <30 нм при травлении через резистивную маску с высоким аспектным отношением. Способ ионно-лучевой обработки включает обработку диэлектрических материалов химически активными или инертными заряженными частицами, ускорение которых осуществляют в источнике ионов. Причем обработку диэлектрических материалов проводят пучком положительных ионов одновременно с подачей на подложку ВЧ смещения. Технический результат изобретения заключается в нейтрализации положительного заряда на всей площади диэлектрической поверхности структур, в снижении влияния заряженных частиц на параметры обрабатываемых изделий, в повышении разрешения минимальных размеров их элементов и в осуществлении травления материалов с высоким аспектным отношением. 1 ил
Основное назначение
Изобретение относится к микро- и наноэлектронике, к технологии изготовления наноструктур размером <30 нм при травлении через резистивную маску с высоким аспектным отношением. Способ ионно-лучевой обработки включает обработку диэлектрических материалов химически активными или инертными заряженными частицами, ускорение которых осуществляют в источнике ионов. Причем обработку диэлектрических материалов проводят пучком положительных ионов одновременно с подачей на подложку ВЧ смещения. Технический результат изобретения заключается в нейтрализации положительного заряда на всей площади диэлектрической поверхности структур, в снижении влияния заряженных частиц на параметры обрабатываемых изделий, в повышении разрешения минимальных размеров их элементов и в осуществлении травления материалов с высоким аспектным отношением. 1 ил
|
||
|
156
|
Патент 2728033
|
Изобретение относится к микробиологии и биотехнологии и касается получения рекомбинантных штаммов дрожжей Pichia pastoris, способных продуцировать эндо-1,4-?-ксиланазу. Получен трансформант дрожжей Pichia pastoris - продуцент ксиланазы, несущий в составе хромосомы ген, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу, из Paenibacillus brasilensis, и дополнительные копии гена НАС1 из Pichia pastoris. Изобретение позволяет расширить ассортимент высокоэффективных продуцентов ксиланаз Трансформант дрожжей Pichia pastoris - продуцент ксиланазы, несущий в составе хромосомы ген, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus brasilensis, и дополнительные копии гена НАС1 из Pichia pastoris.
Основное назначение
Изобретение относится к микробиологии и биотехнологии и касается получения рекомбинантных штаммов дрожжей Pichia pastoris, способных продуцировать эндо-1,4-?-ксиланазу. Получен трансформант дрожжей Pichia pastoris - продуцент ксиланазы, несущий в составе хромосомы ген, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу, из Paenibacillus brasilensis, и дополнительные копии гена НАС1 из Pichia pastoris. Изобретение позволяет расширить ассортимент высокоэффективных продуцентов ксиланаз Трансформант дрожжей Pichia pastoris - продуцент ксиланазы, несущий в составе хромосомы ген, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus brasilensis, и дополнительные копии гена НАС1 из Pichia pastoris.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
|
Трансформант дрожжей Pichia pastoris - продуцент ксиланазы, несущий в составе хромосомы ген, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus brasilensis, и дополнительные копии гена НАС1 из Pichia pastoris.
Основное назначение
Трансформант дрожжей Pichia pastoris - продуцент ксиланазы, несущий в составе хромосомы ген, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus brasilensis, и дополнительные копии гена НАС1 из Pichia pastoris.
|
||
|
157
|
Патент 2714113
|
Изобретение относится к микробиологии и биотехнологии, в частности к трансформанту дрожжей Pichia pastoris, продуцирующему ксиланазу и содержащему ген xyl, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus brasilensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%. 1. Трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий ксиланазу, содержащий ген xyl, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus brasilensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%.
2. Трансформант по п. 1, в котором в качестве фермента, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-1,4-?-ксиланазе из Paenibacillus brasilensis не менее чем на 93%, используют эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus polymyxa, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus terrae, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus peoriae, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus jamilae.
Основное назначение
Изобретение относится к микробиологии и биотехнологии, в частности к трансформанту дрожжей Pichia pastoris, продуцирующему ксиланазу и содержащему ген xyl, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus brasilensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%. 1. Трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий ксиланазу, содержащий ген xyl, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus brasilensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%.
2. Трансформант по п. 1, в котором в качестве фермента, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-1,4-?-ксиланазе из Paenibacillus brasilensis не менее чем на 93%, используют эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus polymyxa, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus terrae, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus peoriae, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus jamilae.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
|
1. Трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий ксиланазу, содержащий ген xyl, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus brasilensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%.
2. Трансформант по п. 1, в котором в качестве фермента, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-1,4-?-ксиланазе из Paenibacillus brasilensis не менее чем на 93%, используют эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus polymyxa, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus terrae, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus peoriae, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus jamilae.
Основное назначение
1. Трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий ксиланазу, содержащий ген xyl, кодирующий эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus brasilensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 93%.
2. Трансформант по п. 1, в котором в качестве фермента, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-1,4-?-ксиланазе из Paenibacillus brasilensis не менее чем на 93%, используют эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus polymyxa, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus terrae, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus peoriae, или эндо-1,4-?-ксиланазу из Paenibacillus jamilae.
|
||
|
158
|
Патент 2708446
|
Изобретение относится к микробиологии и биотехнологии. Получен трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий фитазу из Citrobacter freundii, несущий в составе хромосомы оптимизированный синтетический ген, кодирующий указанную фитазу, нуклеотидная последовательность которого приведена в перечне последовательностей под номером SEQ ID NO: 1. Данное изобретение расширяет арсенал рекомбинантных микроорганизмов, продуцирующих фитазы. Трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий фитазу из Citrobacter freundii, несущий в составе хромосомы оптимизированный синтетический ген, кодирующий указанную фитазу, нуклеотидная последовательность которого приведена в перечне последовательностей под номером SEQ ID NO: 1.
Основное назначение
Изобретение относится к микробиологии и биотехнологии. Получен трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий фитазу из Citrobacter freundii, несущий в составе хромосомы оптимизированный синтетический ген, кодирующий указанную фитазу, нуклеотидная последовательность которого приведена в перечне последовательностей под номером SEQ ID NO: 1. Данное изобретение расширяет арсенал рекомбинантных микроорганизмов, продуцирующих фитазы. Трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий фитазу из Citrobacter freundii, несущий в составе хромосомы оптимизированный синтетический ген, кодирующий указанную фитазу, нуклеотидная последовательность которого приведена в перечне последовательностей под номером SEQ ID NO: 1.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
|
Трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий фитазу из Citrobacter freundii, несущий в составе хромосомы оптимизированный синтетический ген, кодирующий указанную фитазу, нуклеотидная последовательность которого приведена в перечне последовательностей под номером SEQ ID NO: 1.
Основное назначение
Трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий фитазу из Citrobacter freundii, несущий в составе хромосомы оптимизированный синтетический ген, кодирующий указанную фитазу, нуклеотидная последовательность которого приведена в перечне последовательностей под номером SEQ ID NO: 1.
|
||
|
159
|
Патент 2720914
|
Изобретение относится к микробиологии и биотехнологии. Получены продуцирующие ?-глюканазу трансформанты дрожжей Pichia pastoris, содержащие ген bgl, кодирующий эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus safensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 96%. Изобретение позволяет получать фермент с высокой степенью эффективности. 1. Трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий ?-глюканазу и содержащий ген bgl, кодирующий эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus safensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-?-1,3(4)-D-глюканазе из Bacillus safensis не менее чем на 96%.
2. Трансформант по п. 1, в котором в качестве фермента, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-?-1,3(4)-D-глюканазе из Bacillus safensis не менее чем на 96%, используют эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus pumilus, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus stratosphericus, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus altitudinis, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus aerius, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus cellulasensis, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus australimaris.
Основное назначение
Изобретение относится к микробиологии и биотехнологии. Получены продуцирующие ?-глюканазу трансформанты дрожжей Pichia pastoris, содержащие ген bgl, кодирующий эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus safensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична ей не менее чем на 96%. Изобретение позволяет получать фермент с высокой степенью эффективности. 1. Трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий ?-глюканазу и содержащий ген bgl, кодирующий эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus safensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-?-1,3(4)-D-глюканазе из Bacillus safensis не менее чем на 96%.
2. Трансформант по п. 1, в котором в качестве фермента, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-?-1,3(4)-D-глюканазе из Bacillus safensis не менее чем на 96%, используют эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus pumilus, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus stratosphericus, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus altitudinis, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus aerius, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus cellulasensis, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus australimaris.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
|
1. Трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий ?-глюканазу и содержащий ген bgl, кодирующий эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus safensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-?-1,3(4)-D-глюканазе из Bacillus safensis не менее чем на 96%.
2. Трансформант по п. 1, в котором в качестве фермента, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-?-1,3(4)-D-глюканазе из Bacillus safensis не менее чем на 96%, используют эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus pumilus, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus stratosphericus, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus altitudinis, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus aerius, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus cellulasensis, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus australimaris.
Основное назначение
1. Трансформант дрожжей Pichia pastoris, продуцирующий ?-глюканазу и содержащий ген bgl, кодирующий эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus safensis или фермент, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-?-1,3(4)-D-глюканазе из Bacillus safensis не менее чем на 96%.
2. Трансформант по п. 1, в котором в качестве фермента, аминокислотная последовательность которого гомологична эндо-?-1,3(4)-D-глюканазе из Bacillus safensis не менее чем на 96%, используют эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus pumilus, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus stratosphericus, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus altitudinis, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus aerius, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus cellulasensis, или эндо-?-1,3(4)-D-глюканазу из Bacillus australimaris.
|
||
|
160
|
Патент 2432401
|
Изобретение относится к микробиологической промышленности, медицинской биотехнологии и генной инженерии. Предложен новый способ получения безметионинового интерферона-альфа2b человека. Вначале конструируют рекомбинантные плазмидные ДНК, содержащие ген интерферона-альфа2b человека, перед которым расположен сайт протеолиза энтеропептидазой, и трансформируют ими клетки Escherichia coli. Культивируют клетки и выделяют тельца включения синтезированного предшественника. Затем осуществляют частичную ренатурацию выделенного предшественника в присутствии препятствующего замыканию дисульфидных связей дитиоэритриола. Проводят гидролиз предшественника ферментом энтеропептидазой с образованием безметионинового интерферона-альфа2b человека. После завершения реакции гидролиза предшественника проводят полную ренатурацию интерферона-альфа2b человека в присутствии способствующей замыканию дисульфидных связей пары соединений цистин и цистеин. Очистка полученного белка осуществляется методом хроматографии на КМ-сефарозе. 5 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к микробиологической промышленности, медицинской биотехнологии и генной инженерии. Предложен новый способ получения безметионинового интерферона-альфа2b человека. Вначале конструируют рекомбинантные плазмидные ДНК, содержащие ген интерферона-альфа2b человека, перед которым расположен сайт протеолиза энтеропептидазой, и трансформируют ими клетки Escherichia coli. Культивируют клетки и выделяют тельца включения синтезированного предшественника. Затем осуществляют частичную ренатурацию выделенного предшественника в присутствии препятствующего замыканию дисульфидных связей дитиоэритриола. Проводят гидролиз предшественника ферментом энтеропептидазой с образованием безметионинового интерферона-альфа2b человека. После завершения реакции гидролиза предшественника проводят полную ренатурацию интерферона-альфа2b человека в присутствии способствующей замыканию дисульфидных связей пары соединений цистин и цистеин. Очистка полученного белка осуществляется методом хроматографии на КМ-сефарозе. 5 ил.
|
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство образования и науки Российской Федерации (RU), Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП ГосНИИгенетика) (RU)
Основное назначение
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство образования и науки Российской Федерации (RU), Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП ГосНИИгенетика) (RU)
|
Изобретение относится к микробиологической промышленности, медицинской биотехнологии и генной инженерии. Предложен новый способ получения безметионинового интерферона-альфа2b человека. Вначале конструируют рекомбинантные плазмидные ДНК, содержащие ген интерферона-альфа2b человека, перед которым расположен сайт протеолиза энтеропептидазой, и трансформируют ими клетки Escherichia coli. Культивируют клетки и выделяют тельца включения синтезированного предшественника. Затем осуществляют частичную ренатурацию выделенного предшественника в присутствии препятствующего замыканию дисульфидных связей дитиоэритриола. Проводят гидролиз предшественника ферментом энтеропептидазой с образованием безметионинового интерферона-альфа2b человека. После завершения реакции гидролиза предшественника проводят полную ренатурацию интерферона-альфа2b человека в присутствии способствующей замыканию дисульфидных связей пары соединений цистин и цистеин. Очистка полученного белка осуществляется методом хроматографии на КМ-сефарозе. 5 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к микробиологической промышленности, медицинской биотехнологии и генной инженерии. Предложен новый способ получения безметионинового интерферона-альфа2b человека. Вначале конструируют рекомбинантные плазмидные ДНК, содержащие ген интерферона-альфа2b человека, перед которым расположен сайт протеолиза энтеропептидазой, и трансформируют ими клетки Escherichia coli. Культивируют клетки и выделяют тельца включения синтезированного предшественника. Затем осуществляют частичную ренатурацию выделенного предшественника в присутствии препятствующего замыканию дисульфидных связей дитиоэритриола. Проводят гидролиз предшественника ферментом энтеропептидазой с образованием безметионинового интерферона-альфа2b человека. После завершения реакции гидролиза предшественника проводят полную ренатурацию интерферона-альфа2b человека в присутствии способствующей замыканию дисульфидных связей пары соединений цистин и цистеин. Очистка полученного белка осуществляется методом хроматографии на КМ-сефарозе. 5 ил.
|
||