Изобретение относится к микро- и наноэлектронике, а именно к цифровым устройствам, в частности к конструкции логического вентиля, реализующего операцию конъюнкции, и может быть использовано при создании цифровых интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров. Предложен наноразмерный элемент цифровой логики, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, при этом он содержит основной нанопровод с резистивным участком и с суженным участком, вблизи которого расположены резистивные участки двух нанопроводов-затворов, и выходной провод с резистивным участком и с суженным участком, расположенным вблизи резистивного участка основного нанопровода и расположенного параллельно ему, при этом расстояния между суженными участками и резистивными участками, а также их величины сопротивлений устанавливают так, чтобы величина тока, протекающего через основной нанопровод при приложении опорного напряжения, была недостаточна для перехода суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние, а мощность, выделяемая при этом на резистивном участке основного нанопровода, была достаточной для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом выделяемой тепловой мощности на обоих резистивных участках нанопроводов-затворов должно быть достаточно для прогрева соседнего суженного участка основного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а мощности, выделяемой только на любом одном из двух резистивных участков, недостаточно для перехода этого суженного участка в нормальное состояние, при этом при переходе суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента, но недостаточного для прогрева суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние. Изобретение обеспечивает возможность создания наноразмерного логического элемента «И» (вентиль) для цифровых устройств с низким энергопотреблением, высоким быстродействием и с отсутствием гальванической связи между переключаемыми элементами. Наноразмерный элемент цифровой логики, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающийся тем, что он содержит основной нанопровод с резистивным участком и с суженным участком, вблизи которого расположены резистивные участки двух нанопроводов-затворов, и выходной провод с резистивным участком и с суженным участком, расположенным вблизи резистивного участка основного нанопровода и расположенного параллельно ему, при этом расстояния между суженными участками и резистивными участками, а также их величины сопротивлений устанавливают так, чтобы величина тока, протекающего через основной нанопровод при приложении опорного напряжения, была недостаточна для перехода суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние, а мощность, выделяемая при этом на резистивном участке основного нанопровода, была достаточной для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом выделяемой тепловой мощности на обоих резистивных участках нанопроводов-затворов должно быть достаточно для прогрева соседнего суженного участка основного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а мощности, выделяемой только на любом одном из двух резистивных участков, недостаточно для перехода этого суженного участка в нормальное состояние, при этом при переходе суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента, но недостаточного для прогрева суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние.