Изобретения

Кристаллический модулятор добротности для лазеров видимого спектрального диапазона, представляющий собой твердый раствор на основе монокристаллического фторида магния с добавкой фторидов иттрия и кобальта, соответствующего эмпирической формуле Mg1-x-yYxCoyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) следующего состава, масс. %: MgF2 - 90-94,8; YF3 - 5,0; CoF2 - 0,2-5,0, или монокристаллического флюорита с добавлением тербия, соответствующего эмпирической формуле Ca1-x-yYxTbyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) следующего состава, масс. %: CaF2 - 90-94,8; YF3 - 5,0; TbF3 - 0,2-5,0, выращенные методом горизонтально направленной кристаллизации из расплава кристаллохимических систем MgF2-YF3-CoF3 или CaF2-YF3-TbF3 в графитовых тиглях соединений составов, масс. %: MgF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, CoF2 - 0,2-5,0 при температуре 1260°С и CaF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, TbF3 - 0,2-5,0 при температуре 1420°С с перегревами расплава в обоих случаях до 100°С в смешанной атмосфере Ar+F2 при избыточном давлении до 0,9 атм и протяжкой со скоростью 3 мм/ч через градиентную зону кристаллизации с последующим охлаждением 30°/ч.

Короткий пептид с цитотоксической активностью общей формулы: https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2018.03.23/RUNWC1/000/000/002/648/357/ИЗ-02648357-00001/00000008-m.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне), где R1 представляет собой Н, трет-бутилоксикарбонил; R2 представляет собой гидрокси, метокси, амино, гидроксиамино, аминобензильную, 1-аминонафтильную группу; R3 - трет-бутилоксикарбонил-Cys(R4) или 3-R5-тиазолидин-4-карбонил, где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил, ацетамидометил; R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил.

Композиция для терморегулирующего покрытия класса «солнечные отражатели», включающая связующее - жидкое калиевое стекло, пигмент - оксид металла и растворитель - дистиллированную воду, отличающаяся тем, что в качестве связующего используют модифицированное жидкое калиевое стекло с кремнеземистым модулем 3,3-3,8 при плотности 1,204-1,216 г/см3, при этом в качестве модификатора ЖКС используют органический водоразбавляемый сополимер на основе латекса, а в качестве пигмента цинк-галлий оксид с расчетной формулой ZnGaO1+n, где n=0,0064, при следующем соотношении компонентов, мас.%: модифицированное жидкое калиевое стекло 26,4-28,7 цинк-галлий оксид 42,3-45,2 дистиллированная вода 28,4-29,0

Источник с осцилляцией электронов в режиме постоянного тока водородных ионов с холодными катодом и антикатодом, в центр катода которого введена подвижная струна из тугоплавкого металла, отличающийся тем, что конструкция источника дополнена регулируемым механизмом, позволяющим перемещать катодную струну в прямом и обратном направлении с целью оптимизации работы ионного источника, при этом регулируемый механизм состоит из шагового электродвигателя с редуктором, который через зубчатое колесо редуктора обеспечивает вращение винта перемещения вместе с катодной струной, проложенной через осевое отверстие в винте перемещения и закрепленной в нем, где ось зубчатого колеса и винт перемещения выполнены в виде единого блока; в корпусе ионного источника вакуумно-плотный подшипник скольжения уплотнен резиновой втулкой, сжимаемой под действием пресс-винтов вакуумной системы, где сжимающее усилие на указанную резиновую втулку передается от пресс-винтов через фланец втулки с резьбой, и при вращении винта перемещения в резьбе втулки осуществляется поступательное перемещение вращающейся катодной струны.

Источник водородных ионов в режиме постоянного тока с осцилляцией электронов и с холодными катодом и антикатодом, состоящий из соленоидальной катушки, надетой на немагнитную вакуумную камеру, внутри которой помещены катодный магнитный полюс с центральным углублением, катод выполнен в виде плоского диска с центральным углублением в виде стакана, примыкающий к катодному магнитному полюсу, анод в виде пустотелого цилиндра с центральной кольцевой перемычкой внутри, керамический анодный изолятор и антикатод в виде диска, по оси которого выполнено углубление с отверстием эмиссии в центре, своей выступающей частью вставленный в отверстие антикатодного магнитного полюса, отличающийся тем, что в центре катода размещена струна из тугоплавкого металла диаметром 1 мм, при этом обеспечен автоматический ввод катодной струны, анодный изолятор выполнен в виде втулки, анод выполнен в виде многослойного тонкостенного цилиндра из немагнитной фольги с кольцевой диафрагмой в середине, при этом между анодом и изолятором введено механически мягкое немагнитное кольцо с высоким тепловым сопротивлением.

Использование: изобретение относится к технологии изготовления транзисторов, интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния. Способ анизотропного плазменного травления кремния представляет собой циклический двухшаговый процесс травление-пассивация, характеризующийся тем, что на шаге пассивации в качестве пассивирующей пленки на поверхностях формируемой микроструктуры используется слой SiO2, создаваемый реакцией окисления кремния в плазме O2. С целью предотвращения изменения состава пассивирующей пленки и для лучшего разделения во времени стадий травления и пассивации, а также предотвращения образования в объеме реактора смеси SF6 и O2, в которой не происходит эффективная пассивация поверхности слоем оксида кремния, используются шаги откачки между шагами травления и пассивации длительностью от 0,5 до 10 с. Техническим результатом является обеспечение анизотропного травления кремния при температуре, близкой по значению к комнатной. Преимуществом данного способа является отсутствие необходимости охлаждения и термостабилизации пластины в технологической камере при криогенных температурах, а также отсутствие загрязнений формируемой микроструктуры фтор-полимерными пленками, что позволяет исключить необходимость использования дополнительных технологических операций для очистки сформированных кремниевых микроструктур от загрязнений полимерами. 2 з.п. ф-лы.

Использование: для создания элемента памяти. Сущность изобретения заключается в том, что элемент памяти включает проводящие слои первого и второго уровня, расположенный между ними и непосредственно под проводящим слоем второго уровня слой диэлектрика толщиной от 3 до 100 нм, изолирующую щель в форме открытого торца слоя диэлектрика, находящийся в изолирующей щели материал с переменной проводимостью, меняющейся при прохождении через него потока электронов, и среду, контактирующую с поверхностью изолирующей щели и обеспечивающую обмен частицами материала с переменной проводимостью, между изолирующей щелью и проводящим слоем первого уровня расположен дополнительный диэлектрический слой толщиной от 1,3 до 3 нм. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения вероятности электрического пробоя элемента памяти. 2.з.п. ф-лы, 9 ил.

Использование: для синхронизированной регистрации рентгеновского и вторичного флуоресцентного излучения в монофотонном режиме. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют облучение исследуемого образца рентгеновским излучением с последующей регистрацией флуоресцентного излучения от образца в оптическом диапазоне, при этом дополнительно регистрируют монофотонным датчиком рентгеновское излучение от образца, определяя координаты прихода фотонов и время их прихода, а вторичное флуоресцентное излучение в оптическом диапазоне от образца регистрируют монофотонным датчиком оптического диапазона, определяя координаты прихода фотонов и время их прихода, при этом обеспечивают регистрацию времени задержки между приходом вторичного фотона флуоресцентного излучения оптического диапазона относительно времени прихода фотона рентгеновского излучения от образца путем использования синхронизирующих импульсов. Технический результат: повышение точности и достоверности исследования образца. 2 ил.

Использование: для сбора и обработки данных рентгеновской дифракционной 3D-микротомографии образца. Сущность изобретения заключается в том, что получают дифракционные данные от детектора при пошаговом повороте образца относительно падающего рентгеновского пучка с последующим формированием 2D-изображений и их преобразованием в 3D-изображения, при этом для различных углов вращения вокруг вектора дифракции образец юстируют в точном брэгговском положении и многократно снимают серии 2D-кадров, которые включают в себя данные интенсивности, измеренные рентгеновским 2D-детектором в режиме «на просвет», производят преобразование 2D-данных интенсивности в соответствующие данные 2D-пиксельного изображения, обеспечивают их компьютерное запоминание в виде цифровых массивов по одному массиву для каждого угла поворота образца; затем формируют статистически усредненный 2D-кадр данных, соответствующих конкретному углу поворота образца, при этом число собираемых отдельных 2D-кадров данных интенсивности рентгеновской дифракции выбирают из условия, что величины номинального отклонения шумовой составляющей в области максимального значения интенсивности статистически усредненного 2D-кадра не должны превышать 5% уровень от среднего значения интенсивности 2D-кадра в соответствии с оценкой дисперсии не кореллированной части данных по таблице разностей значений интенсивностей в массиве пикселей, составляющих прямоугольное окно сканирования 2D-изображения размером от 3?3 или 5?5 пикселей с центром в пикселе, для которого проводят оценку дисперсии шумов, затем сформированные таким образом статистически усредненные 2D-данные интенсивности, соответствующие разным положениям образца, направляют в компьютерную программу обработки 2D-данных рентгеновской дифракционной микротомографии, которая входит в программный пакет микротомографа, причем в 3D-пространстве все усредненные 2D-кадры маркируются, по крайней мере, одним из следующих параметров: положение образца, размеры 2D-детектора, положения детектора относительно образца, длины волны рентгеновского излучения. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения уровня случайного шума, а также обеспечение возможности проводить динамический контроль начала радиационного повреждения образа и использовать детектор в линейном режиме регистрации, избегая его перегрузки при большом времени экспозиции, в результате сокращения времени регистрации каждого кадра. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Использование: для регистрации рентгенодифракционных параметров кристалла при воздействии лазерного излучения. Сущность изобретения заключается в том, что устройство для регистрации рентгенодифракционных параметров кристалла при воздействии лазерного излучения содержит источник рентгеновского излучения, диафрагму, установленный на гониометрической системе образец, источник лазерного излучения и управляющую ЭВМ, подключенную к двигателям гониометра, при этом между диафрагмой и установленным на гониометрической системе образцом размещен асимметрично вырезанный кристалл-монохроматор, а за образцом по ходу отраженных лучей установлен двумерный детектор, который подключен к управляющей ЭВМ. Технический результат: повышение точности и достоверности результатов исследования кристаллов. 4 ил.