|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
131
|
Патент 2798465
|
Изобретение относится к материалам квантовой электроники на основе смешанных кристаллов. Предложен кристаллический модулятор добротности для лазеров видимого спектрального диапазона из твердого раствора на основе монокристаллического фторида магния с добавкой фторидов иттрия и кобальта, соответствующего эмпирической формуле Mg1-x-yYxCoyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) состава, масс. %: MgF2 - 90-94,8; YF3 - 5,0; CoF2 - 0,2-5,0, или монокристаллического флюорита с добавлением тербия, соответствующего эмпирической формуле Ca1-x-yYxTbyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) состава, масс. %: CaF2 - 90- 94,8; YF3 - 5,0; TbF3 - 0,2-5,0, выращенные методом горизонтально направленной кристаллизации из расплава кристаллохимических систем MgF2-YF3-CoF3 или CaF2-YF3-TbF3 в графитовых тиглях соединений составов, масс. %: MgF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, CoF2 - 0,2-5,0 при температуре 1260°С и CaF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, TbF3 - 0,2-5,0 при температуре 1420°С с перегревами расплава в обоих случаях до 100°С в смешанной атмосфере Ar+F2 при избыточном давлении до 0,9 атм и протяжкой со скоростью 3 мм/ч через градиентную зону кристаллизации с последующим охлаждением 30°/ч. Технический результат - создание кристаллов пассивных затворов, с низкой интенсивностью насыщения поглощения, для модуляции добротности лазеров, в области 0,45-0,75 мкм. Кристаллический модулятор добротности для лазеров видимого спектрального диапазона, представляющий собой твердый раствор на основе монокристаллического фторида магния с добавкой фторидов иттрия и кобальта, соответствующего эмпирической формуле Mg1-x-yYxCoyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) следующего состава, масс. %: MgF2 - 90-94,8; YF3 - 5,0; CoF2 - 0,2-5,0, или монокристаллического флюорита с добавлением тербия, соответствующего эмпирической формуле Ca1-x-yYxTbyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) следующего состава, масс. %: CaF2 - 90-94,8; YF3 - 5,0; TbF3 - 0,2-5,0, выращенные методом горизонтально направленной кристаллизации из расплава кристаллохимических систем MgF2-YF3-CoF3 или CaF2-YF3-TbF3 в графитовых тиглях соединений составов, масс. %: MgF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, CoF2 - 0,2-5,0 при температуре 1260°С и CaF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, TbF3 - 0,2-5,0 при температуре 1420°С с перегревами расплава в обоих случаях до 100°С в смешанной атмосфере Ar+F2 при избыточном давлении до 0,9 атм и протяжкой со скоростью 3 мм/ч через градиентную зону кристаллизации с последующим охлаждением 30°/ч.
Основное назначение
Изобретение относится к материалам квантовой электроники на основе смешанных кристаллов. Предложен кристаллический модулятор добротности для лазеров видимого спектрального диапазона из твердого раствора на основе монокристаллического фторида магния с добавкой фторидов иттрия и кобальта, соответствующего эмпирической формуле Mg1-x-yYxCoyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) состава, масс. %: MgF2 - 90-94,8; YF3 - 5,0; CoF2 - 0,2-5,0, или монокристаллического флюорита с добавлением тербия, соответствующего эмпирической формуле Ca1-x-yYxTbyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) состава, масс. %: CaF2 - 90- 94,8; YF3 - 5,0; TbF3 - 0,2-5,0, выращенные методом горизонтально направленной кристаллизации из расплава кристаллохимических систем MgF2-YF3-CoF3 или CaF2-YF3-TbF3 в графитовых тиглях соединений составов, масс. %: MgF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, CoF2 - 0,2-5,0 при температуре 1260°С и CaF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, TbF3 - 0,2-5,0 при температуре 1420°С с перегревами расплава в обоих случаях до 100°С в смешанной атмосфере Ar+F2 при избыточном давлении до 0,9 атм и протяжкой со скоростью 3 мм/ч через градиентную зону кристаллизации с последующим охлаждением 30°/ч. Технический результат - создание кристаллов пассивных затворов, с низкой интенсивностью насыщения поглощения, для модуляции добротности лазеров, в области 0,45-0,75 мкм. Кристаллический модулятор добротности для лазеров видимого спектрального диапазона, представляющий собой твердый раствор на основе монокристаллического фторида магния с добавкой фторидов иттрия и кобальта, соответствующего эмпирической формуле Mg1-x-yYxCoyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) следующего состава, масс. %: MgF2 - 90-94,8; YF3 - 5,0; CoF2 - 0,2-5,0, или монокристаллического флюорита с добавлением тербия, соответствующего эмпирической формуле Ca1-x-yYxTbyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) следующего состава, масс. %: CaF2 - 90-94,8; YF3 - 5,0; TbF3 - 0,2-5,0, выращенные методом горизонтально направленной кристаллизации из расплава кристаллохимических систем MgF2-YF3-CoF3 или CaF2-YF3-TbF3 в графитовых тиглях соединений составов, масс. %: MgF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, CoF2 - 0,2-5,0 при температуре 1260°С и CaF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, TbF3 - 0,2-5,0 при температуре 1420°С с перегревами расплава в обоих случаях до 100°С в смешанной атмосфере Ar+F2 при избыточном давлении до 0,9 атм и протяжкой со скоростью 3 мм/ч через градиентную зону кристаллизации с последующим охлаждением 30°/ч.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Кристаллический модулятор добротности для лазеров видимого спектрального диапазона, представляющий собой твердый раствор на основе монокристаллического фторида магния с добавкой фторидов иттрия и кобальта, соответствующего эмпирической формуле Mg1-x-yYxCoyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) следующего состава, масс. %: MgF2 - 90-94,8; YF3 - 5,0; CoF2 - 0,2-5,0, или монокристаллического флюорита с добавлением тербия, соответствующего эмпирической формуле Ca1-x-yYxTbyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) следующего состава, масс. %: CaF2 - 90-94,8; YF3 - 5,0; TbF3 - 0,2-5,0, выращенные методом горизонтально направленной кристаллизации из расплава кристаллохимических систем MgF2-YF3-CoF3 или CaF2-YF3-TbF3 в графитовых тиглях соединений составов, масс. %: MgF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, CoF2 - 0,2-5,0 при температуре 1260°С и CaF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, TbF3 - 0,2-5,0 при температуре 1420°С с перегревами расплава в обоих случаях до 100°С в смешанной атмосфере Ar+F2 при избыточном давлении до 0,9 атм и протяжкой со скоростью 3 мм/ч через градиентную зону кристаллизации с последующим охлаждением 30°/ч.
Основное назначение
Кристаллический модулятор добротности для лазеров видимого спектрального диапазона, представляющий собой твердый раствор на основе монокристаллического фторида магния с добавкой фторидов иттрия и кобальта, соответствующего эмпирической формуле Mg1-x-yYxCoyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) следующего состава, масс. %: MgF2 - 90-94,8; YF3 - 5,0; CoF2 - 0,2-5,0, или монокристаллического флюорита с добавлением тербия, соответствующего эмпирической формуле Ca1-x-yYxTbyF2+x+y (0<х<0,05; 0,002<у<0,05) следующего состава, масс. %: CaF2 - 90-94,8; YF3 - 5,0; TbF3 - 0,2-5,0, выращенные методом горизонтально направленной кристаллизации из расплава кристаллохимических систем MgF2-YF3-CoF3 или CaF2-YF3-TbF3 в графитовых тиглях соединений составов, масс. %: MgF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, CoF2 - 0,2-5,0 при температуре 1260°С и CaF2 - 90-94,8, YF3 - 5,0, TbF3 - 0,2-5,0 при температуре 1420°С с перегревами расплава в обоих случаях до 100°С в смешанной атмосфере Ar+F2 при избыточном давлении до 0,9 атм и протяжкой со скоростью 3 мм/ч через градиентную зону кристаллизации с последующим охлаждением 30°/ч.
|
||
|
132
|
Патент 2710256
|
Изобретение относится к машиностроению, а именно к технологическому оборудованию для атомной энергетики. Устройство содержит механизм вращения и подачи режущего инструмента и подвижную платформу. В вертикальной стенке ремонтной кабины выполнено сквозное отверстие для установочной втулки, на внутреннем фланце которой закреплено монтажное приспособление, включающее монтажную плиту и шарнирно установленную на ней поворотную установочную плиту. Указанные плиты снабжены механизмом фиксации в сомкнутом положении. Подвижная платформа снабжена регулируемыми по высоте поворотными колесными опорами, установлена внутри на днище ремонтной кабины и жестко прикреплена к косынке поворотной установочной плиты и содержит механизм вращения и подачи режущего инструмента. На наружном фланце установочной втулки закреплен ловитель для трепанов и сбора стружки. Обеспечивается удобство и безопасность работ.
Основное назначение
Изобретение относится к машиностроению, а именно к технологическому оборудованию для атомной энергетики. Устройство содержит механизм вращения и подачи режущего инструмента и подвижную платформу. В вертикальной стенке ремонтной кабины выполнено сквозное отверстие для установочной втулки, на внутреннем фланце которой закреплено монтажное приспособление, включающее монтажную плиту и шарнирно установленную на ней поворотную установочную плиту. Указанные плиты снабжены механизмом фиксации в сомкнутом положении. Подвижная платформа снабжена регулируемыми по высоте поворотными колесными опорами, установлена внутри на днище ремонтной кабины и жестко прикреплена к косынке поворотной установочной плиты и содержит механизм вращения и подачи режущего инструмента. На наружном фланце установочной втулки закреплен ловитель для трепанов и сбора стружки. Обеспечивается удобство и безопасность работ.
|
Акционерное общество "Российский концерн по производству электрической и тепловой энергии на атомных станциях" (АО "Концерн Росэнергоатом") (RU), Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт") (RU), ООО "Научно-производственная фирма ТермИКС" (ООО "НПФ ТермИКС") (RU)
Основное назначение
Акционерное общество "Российский концерн по производству электрической и тепловой энергии на атомных станциях" (АО "Концерн Росэнергоатом") (RU), Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт") (RU), ООО "Научно-производственная фирма ТермИКС" (ООО "НПФ ТермИКС") (RU)
|
Изобретение относится к машиностроению, а именно к технологическому оборудованию для атомной энергетики. Устройство содержит механизм вращения и подачи режущего инструмента и подвижную платформу. В вертикальной стенке ремонтной кабины выполнено сквозное отверстие для установочной втулки, на внутреннем фланце которой закреплено монтажное приспособление, включающее монтажную плиту и шарнирно установленную на ней поворотную установочную плиту. Указанные плиты снабжены механизмом фиксации в сомкнутом положении. Подвижная платформа снабжена регулируемыми по высоте поворотными колесными опорами, установлена внутри на днище ремонтной кабины и жестко прикреплена к косынке поворотной установочной плиты и содержит механизм вращения и подачи режущего инструмента. На наружном фланце установочной втулки закреплен ловитель для трепанов и сбора стружки. Обеспечивается удобство и безопасность работ.
Основное назначение
Изобретение относится к машиностроению, а именно к технологическому оборудованию для атомной энергетики. Устройство содержит механизм вращения и подачи режущего инструмента и подвижную платформу. В вертикальной стенке ремонтной кабины выполнено сквозное отверстие для установочной втулки, на внутреннем фланце которой закреплено монтажное приспособление, включающее монтажную плиту и шарнирно установленную на ней поворотную установочную плиту. Указанные плиты снабжены механизмом фиксации в сомкнутом положении. Подвижная платформа снабжена регулируемыми по высоте поворотными колесными опорами, установлена внутри на днище ремонтной кабины и жестко прикреплена к косынке поворотной установочной плиты и содержит механизм вращения и подачи режущего инструмента. На наружном фланце установочной втулки закреплен ловитель для трепанов и сбора стружки. Обеспечивается удобство и безопасность работ.
|
||
|
133
|
Патент 2844450
|
Изобретение относится к машиностроению. Изобретение может быть использовано в герметичных приводах аппаратов для осуществления различных технологических процессов в радиохимической, нефтехимической, химической, микробиологической и других отраслях промышленности, в таких вариантах выполнения многополюсного магнита, которые предопределенно не обеспечивали максимальный крутящий момент муфты. Предложено между радиальными и тангенциальными постоянными магнитами одинаковой формы, равномерно расположенными по окружности наружной и внутренней полумуфт, разместить одинаковые по форме с ними дополнительные постоянные магниты с определенной ориентацией их вектора намагниченности, что позволяет улучшить эксплуатационные характеристики устройства, а именно увеличить крутящий момент магнитной цилиндрической муфты по меньшей мере в 1,5 раза, что обусловлено увеличением рабочего и минимизации рассеянного магнитных полей и позволяет значительно расширить область применения устройства. 1. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте, содержащей наружную и заключенную в герметизирующий стакан внутреннюю полумуфты, каждая из которых имеет магнитопровод и равномерно расположенные по окружности постоянное магниты, включающий размещение на наружной и внутренней полумуфтах радиальных постоянных магнитов с чередованием полюсов и установку между ними тангенциальных постоянных магнитов, отличающийся тем, что между радиальными и тангенциальными постоянными магнитами одинаковой формы размещают одинаковые по форме с ними дополнительные постоянные магниты с ориентациями их единичных векторов намагниченности, которые устанавливают по формулам где i и j - орты декартовой системы координат с осью z, совпадающей с осью муфты,
Тн - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов в наружной полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
Тв - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов во внутренней полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
k - мультипольность многополюсных магнитов, образованных совокупностью постоянных магнитов в каждой полумуфте, где k>0.
2. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 1, при котором максимальный крутящий момент муфты увеличивают при относительном угловом сдвиге ее полумуфт на равный одной четверти периода многополюсного магнита угол 90°/k, который не зависит от количества размещенных в этом периоде магнитов.
3. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 2, при котором величину максимального крутящего момента муфты монотонно увеличивают с увеличением количества магнитов в этом периоде.
4. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 3, при котором количество установленных магнитов в периоде многополюсного магнита равно или более 4-х.
5. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по любому из пп. 1-4, где ориентацию вектора намагниченности дополнительного постоянного магнита устанавливают вдоль биссектрисы угла, образованного векторами намагниченности двух соседних с ним постоянных магнитов.
6. Магнитная цилиндрическая муфта, содержащая наружную и заключенную в герметизирующий стакан внутреннюю полумуфты, каждая из которых имеет магнитопровод и равномерно расположенные по окружности с чередованием полюсов радиальные постоянные магниты, между которыми установлены тангенциальные постоянные магниты, отличающаяся тем, что между радиальными и тангенциальными постоянными магнитами одинаковой формы размещены одинаковые по форме с ними дополнительные постоянные магниты с ориентациями их единичных векторов намагниченности, которые устанавливают по формулам где i и j - орты декартовой системы координат с осью z, совпадающей с осью муфты,
Тн - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов в наружной полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
Тв - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов во внутренней полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
k - мультипольность многополюсных магнитов, образованных совокупностью постоянных магнитов в каждой полумуфте, где k>0.
7. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 6, где максимальный крутящий момент муфты достигается при относительном угловом сдвиге ее полумуфт на равный одной четверти периода многополюсного магнита угол 90°/k, который не зависит от количества размещенных в этом периоде магнитов.
8. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 7, где величина максимального крутящего момента муфты монотонно увеличивается с увеличением количества магнитов в этом периоде.
9. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 8, где количество установленных магнитов в периоде многополюсного магнита равно или более 4-х.
10. Магнитная цилиндрическая муфта по любому из пп. 6-9, в которой ориентация вектора намагниченности дополнительного постоянного магнита направлена вдоль биссектрисы угла, образованного векторами намагниченности двух соседних с ним постоянных магнитов.
Основное назначение
Изобретение относится к машиностроению. Изобретение может быть использовано в герметичных приводах аппаратов для осуществления различных технологических процессов в радиохимической, нефтехимической, химической, микробиологической и других отраслях промышленности, в таких вариантах выполнения многополюсного магнита, которые предопределенно не обеспечивали максимальный крутящий момент муфты. Предложено между радиальными и тангенциальными постоянными магнитами одинаковой формы, равномерно расположенными по окружности наружной и внутренней полумуфт, разместить одинаковые по форме с ними дополнительные постоянные магниты с определенной ориентацией их вектора намагниченности, что позволяет улучшить эксплуатационные характеристики устройства, а именно увеличить крутящий момент магнитной цилиндрической муфты по меньшей мере в 1,5 раза, что обусловлено увеличением рабочего и минимизации рассеянного магнитных полей и позволяет значительно расширить область применения устройства. 1. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте, содержащей наружную и заключенную в герметизирующий стакан внутреннюю полумуфты, каждая из которых имеет магнитопровод и равномерно расположенные по окружности постоянное магниты, включающий размещение на наружной и внутренней полумуфтах радиальных постоянных магнитов с чередованием полюсов и установку между ними тангенциальных постоянных магнитов, отличающийся тем, что между радиальными и тангенциальными постоянными магнитами одинаковой формы размещают одинаковые по форме с ними дополнительные постоянные магниты с ориентациями их единичных векторов намагниченности, которые устанавливают по формулам где i и j - орты декартовой системы координат с осью z, совпадающей с осью муфты,
Тн - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов в наружной полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
Тв - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов во внутренней полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
k - мультипольность многополюсных магнитов, образованных совокупностью постоянных магнитов в каждой полумуфте, где k>0.
2. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 1, при котором максимальный крутящий момент муфты увеличивают при относительном угловом сдвиге ее полумуфт на равный одной четверти периода многополюсного магнита угол 90°/k, который не зависит от количества размещенных в этом периоде магнитов.
3. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 2, при котором величину максимального крутящего момента муфты монотонно увеличивают с увеличением количества магнитов в этом периоде.
4. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 3, при котором количество установленных магнитов в периоде многополюсного магнита равно или более 4-х.
5. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по любому из пп. 1-4, где ориентацию вектора намагниченности дополнительного постоянного магнита устанавливают вдоль биссектрисы угла, образованного векторами намагниченности двух соседних с ним постоянных магнитов.
6. Магнитная цилиндрическая муфта, содержащая наружную и заключенную в герметизирующий стакан внутреннюю полумуфты, каждая из которых имеет магнитопровод и равномерно расположенные по окружности с чередованием полюсов радиальные постоянные магниты, между которыми установлены тангенциальные постоянные магниты, отличающаяся тем, что между радиальными и тангенциальными постоянными магнитами одинаковой формы размещены одинаковые по форме с ними дополнительные постоянные магниты с ориентациями их единичных векторов намагниченности, которые устанавливают по формулам где i и j - орты декартовой системы координат с осью z, совпадающей с осью муфты,
Тн - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов в наружной полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
Тв - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов во внутренней полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
k - мультипольность многополюсных магнитов, образованных совокупностью постоянных магнитов в каждой полумуфте, где k>0.
7. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 6, где максимальный крутящий момент муфты достигается при относительном угловом сдвиге ее полумуфт на равный одной четверти периода многополюсного магнита угол 90°/k, который не зависит от количества размещенных в этом периоде магнитов.
8. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 7, где величина максимального крутящего момента муфты монотонно увеличивается с увеличением количества магнитов в этом периоде.
9. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 8, где количество установленных магнитов в периоде многополюсного магнита равно или более 4-х.
10. Магнитная цилиндрическая муфта по любому из пп. 6-9, в которой ориентация вектора намагниченности дополнительного постоянного магнита направлена вдоль биссектрисы угла, образованного векторами намагниченности двух соседних с ним постоянных магнитов.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте, содержащей наружную и заключенную в герметизирующий стакан внутреннюю полумуфты, каждая из которых имеет магнитопровод и равномерно расположенные по окружности постоянное магниты, включающий размещение на наружной и внутренней полумуфтах радиальных постоянных магнитов с чередованием полюсов и установку между ними тангенциальных постоянных магнитов, отличающийся тем, что между радиальными и тангенциальными постоянными магнитами одинаковой формы размещают одинаковые по форме с ними дополнительные постоянные магниты с ориентациями их единичных векторов намагниченности, которые устанавливают по формулам где i и j - орты декартовой системы координат с осью z, совпадающей с осью муфты,
Тн - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов в наружной полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
Тв - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов во внутренней полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
k - мультипольность многополюсных магнитов, образованных совокупностью постоянных магнитов в каждой полумуфте, где k>0.
2. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 1, при котором максимальный крутящий момент муфты увеличивают при относительном угловом сдвиге ее полумуфт на равный одной четверти периода многополюсного магнита угол 90°/k, который не зависит от количества размещенных в этом периоде магнитов.
3. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 2, при котором величину максимального крутящего момента муфты монотонно увеличивают с увеличением количества магнитов в этом периоде.
4. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 3, при котором количество установленных магнитов в периоде многополюсного магнита равно или более 4-х.
5. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по любому из пп. 1-4, где ориентацию вектора намагниченности дополнительного постоянного магнита устанавливают вдоль биссектрисы угла, образованного векторами намагниченности двух соседних с ним постоянных магнитов.
6. Магнитная цилиндрическая муфта, содержащая наружную и заключенную в герметизирующий стакан внутреннюю полумуфты, каждая из которых имеет магнитопровод и равномерно расположенные по окружности с чередованием полюсов радиальные постоянные магниты, между которыми установлены тангенциальные постоянные магниты, отличающаяся тем, что между радиальными и тангенциальными постоянными магнитами одинаковой формы размещены одинаковые по форме с ними дополнительные постоянные магниты с ориентациями их единичных векторов намагниченности, которые устанавливают по формулам где i и j - орты декартовой системы координат с осью z, совпадающей с осью муфты,
Тн - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов в наружной полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
Тв - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов во внутренней полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
k - мультипольность многополюсных магнитов, образованных совокупностью постоянных магнитов в каждой полумуфте, где k>0.
7. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 6, где максимальный крутящий момент муфты достигается при относительном угловом сдвиге ее полумуфт на равный одной четверти периода многополюсного магнита угол 90°/k, который не зависит от количества размещенных в этом периоде магнитов.
8. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 7, где величина максимального крутящего момента муфты монотонно увеличивается с увеличением количества магнитов в этом периоде.
9. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 8, где количество установленных магнитов в периоде многополюсного магнита равно или более 4-х.
10. Магнитная цилиндрическая муфта по любому из пп. 6-9, в которой ориентация вектора намагниченности дополнительного постоянного магнита направлена вдоль биссектрисы угла, образованного векторами намагниченности двух соседних с ним постоянных магнитов.
Основное назначение
1. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте, содержащей наружную и заключенную в герметизирующий стакан внутреннюю полумуфты, каждая из которых имеет магнитопровод и равномерно расположенные по окружности постоянное магниты, включающий размещение на наружной и внутренней полумуфтах радиальных постоянных магнитов с чередованием полюсов и установку между ними тангенциальных постоянных магнитов, отличающийся тем, что между радиальными и тангенциальными постоянными магнитами одинаковой формы размещают одинаковые по форме с ними дополнительные постоянные магниты с ориентациями их единичных векторов намагниченности, которые устанавливают по формулам где i и j - орты декартовой системы координат с осью z, совпадающей с осью муфты,
Тн - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов в наружной полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
Тв - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов во внутренней полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
k - мультипольность многополюсных магнитов, образованных совокупностью постоянных магнитов в каждой полумуфте, где k>0.
2. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 1, при котором максимальный крутящий момент муфты увеличивают при относительном угловом сдвиге ее полумуфт на равный одной четверти периода многополюсного магнита угол 90°/k, который не зависит от количества размещенных в этом периоде магнитов.
3. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 2, при котором величину максимального крутящего момента муфты монотонно увеличивают с увеличением количества магнитов в этом периоде.
4. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по п. 3, при котором количество установленных магнитов в периоде многополюсного магнита равно или более 4-х.
5. Способ размещения постоянных магнитов в магнитной цилиндрической муфте по любому из пп. 1-4, где ориентацию вектора намагниченности дополнительного постоянного магнита устанавливают вдоль биссектрисы угла, образованного векторами намагниченности двух соседних с ним постоянных магнитов.
6. Магнитная цилиндрическая муфта, содержащая наружную и заключенную в герметизирующий стакан внутреннюю полумуфты, каждая из которых имеет магнитопровод и равномерно расположенные по окружности с чередованием полюсов радиальные постоянные магниты, между которыми установлены тангенциальные постоянные магниты, отличающаяся тем, что между радиальными и тангенциальными постоянными магнитами одинаковой формы размещены одинаковые по форме с ними дополнительные постоянные магниты с ориентациями их единичных векторов намагниченности, которые устанавливают по формулам где i и j - орты декартовой системы координат с осью z, совпадающей с осью муфты,
Тн - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов в наружной полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
Тв - единичный вектор намагниченности постоянных магнитов во внутренней полумуфте с азимутальным углом ? центра их сечения,
k - мультипольность многополюсных магнитов, образованных совокупностью постоянных магнитов в каждой полумуфте, где k>0.
7. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 6, где максимальный крутящий момент муфты достигается при относительном угловом сдвиге ее полумуфт на равный одной четверти периода многополюсного магнита угол 90°/k, который не зависит от количества размещенных в этом периоде магнитов.
8. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 7, где величина максимального крутящего момента муфты монотонно увеличивается с увеличением количества магнитов в этом периоде.
9. Магнитная цилиндрическая муфта по п. 8, где количество установленных магнитов в периоде многополюсного магнита равно или более 4-х.
10. Магнитная цилиндрическая муфта по любому из пп. 6-9, в которой ориентация вектора намагниченности дополнительного постоянного магнита направлена вдоль биссектрисы угла, образованного векторами намагниченности двух соседних с ним постоянных магнитов.
|
||
|
134
|
Патент 2646795
|
Изобретение относится к медицине и касается коротких пептидов, обладающих цитотоксическим действием, общей формулы R3-Phe-D-Trp-Lys(R1)-Thr-R2, где R1 представляет собой Н или трет-бутилоксикарбонил; R2 представляет собой 1-аминоадамантильную, 1-амино-(1-адамантил)этильную группу; R3 представляет собой R4-Cys(R5)- или 3-R4-тиазолидин-4-карбонил, где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил; R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил или ацетомидометил. Изобретение обеспечивает высокую устойчивостью пептидов к ферментативному разложению; возможность как орального, так и парентерального введения в организм. 1. Короткий пептид, обладающий цитотоксическим действием, общей формулы:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2018.03.07/RUNWC1/000/000/002/646/795/ИЗ-02646795-00001/00000007-m.jpg
где R1 представляет собой Н или трет-бутилоксикарбонил;
R2 представляет собой 1-аминоадамантильную, 1-амино-(1-адамантил)этильную группу;
R3 представляет собой R4-Cys(R5)- или 3-R4-тиазолидин-4-карбонил,
где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил;
R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил или ацетомидометил.
2. Короткий пептид, обладающий цитотоксической активностью по п. 1, выбранный из группы:
Boc-Cys(Acm)-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-(1 адамантил)-этиламид,
Boc-Thz-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-(1 адамантил)-этиламид
Boc-Cys(Boc)-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-адамантиламид,
Вос-Cys(Acm)-Phe-D-Trp-Lys(Вос)-Thr-1-адамантиламид,
Boc-Thz-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-NH-1-адамантиламид,
где Boc обозначает трет-бутилкарбоксильную группу, Acm - ацетамидометильную группу,
Thz - остаток тиазолидин-4-карбоновой кислоты
Основное назначение
Изобретение относится к медицине и касается коротких пептидов, обладающих цитотоксическим действием, общей формулы R3-Phe-D-Trp-Lys(R1)-Thr-R2, где R1 представляет собой Н или трет-бутилоксикарбонил; R2 представляет собой 1-аминоадамантильную, 1-амино-(1-адамантил)этильную группу; R3 представляет собой R4-Cys(R5)- или 3-R4-тиазолидин-4-карбонил, где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил; R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил или ацетомидометил. Изобретение обеспечивает высокую устойчивостью пептидов к ферментативному разложению; возможность как орального, так и парентерального введения в организм. 1. Короткий пептид, обладающий цитотоксическим действием, общей формулы:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2018.03.07/RUNWC1/000/000/002/646/795/ИЗ-02646795-00001/00000007-m.jpg
где R1 представляет собой Н или трет-бутилоксикарбонил;
R2 представляет собой 1-аминоадамантильную, 1-амино-(1-адамантил)этильную группу;
R3 представляет собой R4-Cys(R5)- или 3-R4-тиазолидин-4-карбонил,
где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил;
R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил или ацетомидометил.
2. Короткий пептид, обладающий цитотоксической активностью по п. 1, выбранный из группы:
Boc-Cys(Acm)-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-(1 адамантил)-этиламид,
Boc-Thz-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-(1 адамантил)-этиламид
Boc-Cys(Boc)-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-адамантиламид,
Вос-Cys(Acm)-Phe-D-Trp-Lys(Вос)-Thr-1-адамантиламид,
Boc-Thz-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-NH-1-адамантиламид,
где Boc обозначает трет-бутилкарбоксильную группу, Acm - ацетамидометильную группу,
Thz - остаток тиазолидин-4-карбоновой кислоты
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
|
1. Короткий пептид, обладающий цитотоксическим действием, общей формулы:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2018.03.07/RUNWC1/000/000/002/646/795/ИЗ-02646795-00001/00000007-m.jpg
где R1 представляет собой Н или трет-бутилоксикарбонил;
R2 представляет собой 1-аминоадамантильную, 1-амино-(1-адамантил)этильную группу;
R3 представляет собой R4-Cys(R5)- или 3-R4-тиазолидин-4-карбонил,
где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил;
R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил или ацетомидометил.
2. Короткий пептид, обладающий цитотоксической активностью по п. 1, выбранный из группы:
Boc-Cys(Acm)-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-(1 адамантил)-этиламид,
Boc-Thz-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-(1 адамантил)-этиламид
Boc-Cys(Boc)-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-адамантиламид,
Вос-Cys(Acm)-Phe-D-Trp-Lys(Вос)-Thr-1-адамантиламид,
Boc-Thz-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-NH-1-адамантиламид,
где Boc обозначает трет-бутилкарбоксильную группу, Acm - ацетамидометильную группу,
Thz - остаток тиазолидин-4-карбоновой кислоты
Основное назначение
1. Короткий пептид, обладающий цитотоксическим действием, общей формулы:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2018.03.07/RUNWC1/000/000/002/646/795/ИЗ-02646795-00001/00000007-m.jpg
где R1 представляет собой Н или трет-бутилоксикарбонил;
R2 представляет собой 1-аминоадамантильную, 1-амино-(1-адамантил)этильную группу;
R3 представляет собой R4-Cys(R5)- или 3-R4-тиазолидин-4-карбонил,
где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил;
R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил или ацетомидометил.
2. Короткий пептид, обладающий цитотоксической активностью по п. 1, выбранный из группы:
Boc-Cys(Acm)-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-(1 адамантил)-этиламид,
Boc-Thz-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-(1 адамантил)-этиламид
Boc-Cys(Boc)-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-адамантиламид,
Вос-Cys(Acm)-Phe-D-Trp-Lys(Вос)-Thr-1-адамантиламид,
Boc-Thz-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-NH-1-адамантиламид,
где Boc обозначает трет-бутилкарбоксильную группу, Acm - ацетамидометильную группу,
Thz - остаток тиазолидин-4-карбоновой кислоты
|
||
|
135
|
Патент 2648357
|
Изобретение относится к медицине и касается короткого пептида с цитотоксической активностью общей формулы R3-Phe-D-Trp-Lys(R1)-Thr-R2, где R1 представляет собой Н, трет-бутилоксикарбонил; R2 представляет собой гидрокси, метокси, амино, гидроксиамино, аминобензильную, 1-аминонафтильную группу; R3 - трет-бутилоксикарбонил-Cys(R4) или 3-R5-тиазолидин-4-карбонил, где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил, ацетамидометил; R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил. Изобретение обеспечивает высокую цитотоксическую активность и устойчивость к ферментативному разложению, что дает возможность орального введения в организм, дополнительно к парентеральному, осуществляемому подкожно, внутривенно, внутримышечно и внутрибрюшинно Короткий пептид с цитотоксической активностью общей формулы:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2018.03.23/RUNWC1/000/000/002/648/357/ИЗ-02648357-00001/00000008-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
где R1 представляет собой Н, трет-бутилоксикарбонил;
R2 представляет собой гидрокси, метокси, амино, гидроксиамино, аминобензильную, 1-аминонафтильную группу;
R3 - трет-бутилоксикарбонил-Cys(R4) или 3-R5-тиазолидин-4-карбонил, где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил, ацетамидометил;
R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил.
Основное назначение
Изобретение относится к медицине и касается короткого пептида с цитотоксической активностью общей формулы R3-Phe-D-Trp-Lys(R1)-Thr-R2, где R1 представляет собой Н, трет-бутилоксикарбонил; R2 представляет собой гидрокси, метокси, амино, гидроксиамино, аминобензильную, 1-аминонафтильную группу; R3 - трет-бутилоксикарбонил-Cys(R4) или 3-R5-тиазолидин-4-карбонил, где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил, ацетамидометил; R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил. Изобретение обеспечивает высокую цитотоксическую активность и устойчивость к ферментативному разложению, что дает возможность орального введения в организм, дополнительно к парентеральному, осуществляемому подкожно, внутривенно, внутримышечно и внутрибрюшинно Короткий пептид с цитотоксической активностью общей формулы:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2018.03.23/RUNWC1/000/000/002/648/357/ИЗ-02648357-00001/00000008-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
где R1 представляет собой Н, трет-бутилоксикарбонил;
R2 представляет собой гидрокси, метокси, амино, гидроксиамино, аминобензильную, 1-аминонафтильную группу;
R3 - трет-бутилоксикарбонил-Cys(R4) или 3-R5-тиазолидин-4-карбонил, где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил, ацетамидометил;
R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
|
Короткий пептид с цитотоксической активностью общей формулы:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2018.03.23/RUNWC1/000/000/002/648/357/ИЗ-02648357-00001/00000008-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
где R1 представляет собой Н, трет-бутилоксикарбонил;
R2 представляет собой гидрокси, метокси, амино, гидроксиамино, аминобензильную, 1-аминонафтильную группу;
R3 - трет-бутилоксикарбонил-Cys(R4) или 3-R5-тиазолидин-4-карбонил, где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил, ацетамидометил;
R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил.
Основное назначение
Короткий пептид с цитотоксической активностью общей формулы:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2018.03.23/RUNWC1/000/000/002/648/357/ИЗ-02648357-00001/00000008-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
где R1 представляет собой Н, трет-бутилоксикарбонил;
R2 представляет собой гидрокси, метокси, амино, гидроксиамино, аминобензильную, 1-аминонафтильную группу;
R3 - трет-бутилоксикарбонил-Cys(R4) или 3-R5-тиазолидин-4-карбонил, где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил, ацетамидометил;
R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил.
|
||
|
136
|
Патент 2670983
|
Изобретение относится к медицине и касается применения в качестве средства для контроля за весом рекомбинантного генетически модифицированного полипептида, полученного на основе глюкагоноподобного пептида 1 человека, слитого с пептидом (G4S)4, с пептидом HB1 и с пептидом (G4S)1. Изобретение обеспечивает снижение веса субъекта на 6-13 %. Применение рекомбинантного генетически модифицированного полипептида, имеющего последовательность SEQ ID N 1 и полученного на основе глюкагоноподобного пептида 1 человека, в качестве средства для контроля за весом тела.
Основное назначение
Изобретение относится к медицине и касается применения в качестве средства для контроля за весом рекомбинантного генетически модифицированного полипептида, полученного на основе глюкагоноподобного пептида 1 человека, слитого с пептидом (G4S)4, с пептидом HB1 и с пептидом (G4S)1. Изобретение обеспечивает снижение веса субъекта на 6-13 %. Применение рекомбинантного генетически модифицированного полипептида, имеющего последовательность SEQ ID N 1 и полученного на основе глюкагоноподобного пептида 1 человека, в качестве средства для контроля за весом тела.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
|
Применение рекомбинантного генетически модифицированного полипептида, имеющего последовательность SEQ ID N 1 и полученного на основе глюкагоноподобного пептида 1 человека, в качестве средства для контроля за весом тела.
Основное назначение
Применение рекомбинантного генетически модифицированного полипептида, имеющего последовательность SEQ ID N 1 и полученного на основе глюкагоноподобного пептида 1 человека, в качестве средства для контроля за весом тела.
|
||
|
137
|
Патент 2781612
|
Изобретение относится к медицине и может быть использовано для прогнозирования риска развития болезни Альцгеймера (БА) у лиц с мягким когнитивным снижением (MCI). Определяют в крови маркеры системного воспаления: С-реактивный белок (СРБ), интерлейкины IL-1?, IL-8, фактор некроза опухоли TNF?. Устанавливают выраженность системного воспаления: 0 баллов, если уровень всех маркеров системного воспаления ниже референтных значений; 1 балл, если уровень 1 из маркеров системного воспаления выше референтных значений; 2 балла, если уровень 2 и более маркеров системного воспаления выше референтных значений. При оценке в 2 балла определяют наличие системного воспаления и проводят через полгода определение в крови общего иммуноглобулина G (IgG). Если уровень IgG ниже 10,0 г/л, определяют повышенный риск развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI. Если уровень IgG выше 10,0 г/л, определяют низкий риск развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI. Способ обеспечивает прогнозирование развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI за счет определения степени иммуновоспалительных нарушений путем выявления в крови больного уровня маркеров гуморального иммунитета, цитокинов и хемокинов, белков острой фазы. Способ выявления повышенного риска развития болезни Альцгеймера у лиц с амнестическим мягким когнитивным снижением (aMCI), включающий определение в крови маркеров системного воспаления: С-реактивного белка (СРБ), интерлейкинов IL-1?, IL-8, фактора некроза опухоли TNF?, далее устанавливают выраженность системного воспаления: 0 баллов, если уровень всех маркеров системного воспаления ниже референтных значений; 1 балл, если уровень 1 из маркеров системного воспаления выше референтных значений; 2 балла, если уровень 2 и более маркеров системного воспаления выше референтных значений, при оценке в 2 балла определяют наличие системного воспаления и проводят обследование через полгода, включающее определение в крови общего иммуноглобулина G (IgG), если уровень IgG ниже 10,0 г/л, определяют повышенный риск развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI, если уровень IgG выше 10,0 г/л, определяют низкий риск развития болезни Альцгеймера.
Основное назначение
Изобретение относится к медицине и может быть использовано для прогнозирования риска развития болезни Альцгеймера (БА) у лиц с мягким когнитивным снижением (MCI). Определяют в крови маркеры системного воспаления: С-реактивный белок (СРБ), интерлейкины IL-1?, IL-8, фактор некроза опухоли TNF?. Устанавливают выраженность системного воспаления: 0 баллов, если уровень всех маркеров системного воспаления ниже референтных значений; 1 балл, если уровень 1 из маркеров системного воспаления выше референтных значений; 2 балла, если уровень 2 и более маркеров системного воспаления выше референтных значений. При оценке в 2 балла определяют наличие системного воспаления и проводят через полгода определение в крови общего иммуноглобулина G (IgG). Если уровень IgG ниже 10,0 г/л, определяют повышенный риск развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI. Если уровень IgG выше 10,0 г/л, определяют низкий риск развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI. Способ обеспечивает прогнозирование развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI за счет определения степени иммуновоспалительных нарушений путем выявления в крови больного уровня маркеров гуморального иммунитета, цитокинов и хемокинов, белков острой фазы. Способ выявления повышенного риска развития болезни Альцгеймера у лиц с амнестическим мягким когнитивным снижением (aMCI), включающий определение в крови маркеров системного воспаления: С-реактивного белка (СРБ), интерлейкинов IL-1?, IL-8, фактора некроза опухоли TNF?, далее устанавливают выраженность системного воспаления: 0 баллов, если уровень всех маркеров системного воспаления ниже референтных значений; 1 балл, если уровень 1 из маркеров системного воспаления выше референтных значений; 2 балла, если уровень 2 и более маркеров системного воспаления выше референтных значений, при оценке в 2 балла определяют наличие системного воспаления и проводят обследование через полгода, включающее определение в крови общего иммуноглобулина G (IgG), если уровень IgG ниже 10,0 г/л, определяют повышенный риск развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI, если уровень IgG выше 10,0 г/л, определяют низкий риск развития болезни Альцгеймера.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ выявления повышенного риска развития болезни Альцгеймера у лиц с амнестическим мягким когнитивным снижением (aMCI), включающий определение в крови маркеров системного воспаления: С-реактивного белка (СРБ), интерлейкинов IL-1?, IL-8, фактора некроза опухоли TNF?, далее устанавливают выраженность системного воспаления: 0 баллов, если уровень всех маркеров системного воспаления ниже референтных значений; 1 балл, если уровень 1 из маркеров системного воспаления выше референтных значений; 2 балла, если уровень 2 и более маркеров системного воспаления выше референтных значений, при оценке в 2 балла определяют наличие системного воспаления и проводят обследование через полгода, включающее определение в крови общего иммуноглобулина G (IgG), если уровень IgG ниже 10,0 г/л, определяют повышенный риск развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI, если уровень IgG выше 10,0 г/л, определяют низкий риск развития болезни Альцгеймера.
Основное назначение
Способ выявления повышенного риска развития болезни Альцгеймера у лиц с амнестическим мягким когнитивным снижением (aMCI), включающий определение в крови маркеров системного воспаления: С-реактивного белка (СРБ), интерлейкинов IL-1?, IL-8, фактора некроза опухоли TNF?, далее устанавливают выраженность системного воспаления: 0 баллов, если уровень всех маркеров системного воспаления ниже референтных значений; 1 балл, если уровень 1 из маркеров системного воспаления выше референтных значений; 2 балла, если уровень 2 и более маркеров системного воспаления выше референтных значений, при оценке в 2 балла определяют наличие системного воспаления и проводят обследование через полгода, включающее определение в крови общего иммуноглобулина G (IgG), если уровень IgG ниже 10,0 г/л, определяют повышенный риск развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI, если уровень IgG выше 10,0 г/л, определяют низкий риск развития болезни Альцгеймера.
|
||
|
138
|
Патент 2537175
|
Изобретение относится к медицине и представляет собой способ получения терапевтического радиоконъюгата специфически связывающегося вещества с короткоживущим радиоизотопом для доставки в патологические области. При осуществлении способа проводят мечение рекомбинантных гуманизированных мини-антител, специфичных к раковоассоциированному антигену HER2/neu, диагностическим гамма-излучающим радиоизотопом аквокарбонильным комплексом Tc-99m, проводят конъюгирование мини-антител с человеческим альбумином, очищают полученный конъюгат, вводят в состав конъюгата хелатирующий агент DOTA (1,4,7,10-тетраазициклододекан тетрауксусной кислоты) или DTPA (диэтилен триамин пентауксусной кислоты), проводят мечение полученного конъюгата терапевтическими короткоживущими альфа-излучающими радиоизотопами и очищают полученный препарат. Технический результат заключается в получении противоопухолевого препарата, обладающего сниженным риском возникновения конфликта с иммунной системой, упрощении технологии его получения и обеспечении потребностей в препаратах с направленной доставкой агентов. 1. Способ получения терапевтического радиоконъюгата, специфически связывающегося вещества с короткоживущим альфа-излучающим радиоизотопом для его доставки в патологические области, отличающийся тем, что осуществляют мечение рекомбинантных гуманизированных мини-антител, специфичных к раковоассоциированному антигену HER2/neu, диагностическим гамма-излучающим радиоизотопом, а именно аквокарбонильным комплексом Тс-99m, проводят конъюгирование мини-антител с человеческим сывороточным альбумином, очищают полученный конъюгат, вводят в состав конъюгата хелатирующий агент DOTA (1,4,7,10-тетраазициклододекан тетрауксусной кислоты) или DTPA (диэтилен триамин пентауксусной кислоты), проводят мечение полученного конъюгата терапевтическими радиоизотопами, а именно короткоживущими альфа-излучающими радиоизотопами и очищают полученный препарат.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве терапевтического радиоизотопа используют короткоживущие ?-излучающие радиоизотопы: Bi-212, и/или Bi-213, и/или Pb-212, и/или Ra-223, и/или Ac-225.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что связывание диагностического радиоизотопа в конъюгате осуществляется с помощью хелатора олигогистидина.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве рекомбинантных гуманизированных антител, специфичных к раковоассоциированному антигену HER-2/new, используют гуманизированное мини-антитело scFv 4D5.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что связывание гуманизированного мини-антитела с человеческим сывороточным альбумином в конъюгате осуществляют с помощью хелатора олиголизина.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве рекомбинантных гуманизированных мини-антител, специфичных к раковоассоциированному антигену HER-2/neu, используют гуманизированное мини-антитело с олиголизиновым и олигогистидиновым фрагментами в С-концевой части молекулы, которые предназначены для специфической конъюгации мини-антител с человеческим сывороточным альбумином и диагностическим изотопом соответственно.
Основное назначение
Изобретение относится к медицине и представляет собой способ получения терапевтического радиоконъюгата специфически связывающегося вещества с короткоживущим радиоизотопом для доставки в патологические области. При осуществлении способа проводят мечение рекомбинантных гуманизированных мини-антител, специфичных к раковоассоциированному антигену HER2/neu, диагностическим гамма-излучающим радиоизотопом аквокарбонильным комплексом Tc-99m, проводят конъюгирование мини-антител с человеческим альбумином, очищают полученный конъюгат, вводят в состав конъюгата хелатирующий агент DOTA (1,4,7,10-тетраазициклододекан тетрауксусной кислоты) или DTPA (диэтилен триамин пентауксусной кислоты), проводят мечение полученного конъюгата терапевтическими короткоживущими альфа-излучающими радиоизотопами и очищают полученный препарат. Технический результат заключается в получении противоопухолевого препарата, обладающего сниженным риском возникновения конфликта с иммунной системой, упрощении технологии его получения и обеспечении потребностей в препаратах с направленной доставкой агентов. 1. Способ получения терапевтического радиоконъюгата, специфически связывающегося вещества с короткоживущим альфа-излучающим радиоизотопом для его доставки в патологические области, отличающийся тем, что осуществляют мечение рекомбинантных гуманизированных мини-антител, специфичных к раковоассоциированному антигену HER2/neu, диагностическим гамма-излучающим радиоизотопом, а именно аквокарбонильным комплексом Тс-99m, проводят конъюгирование мини-антител с человеческим сывороточным альбумином, очищают полученный конъюгат, вводят в состав конъюгата хелатирующий агент DOTA (1,4,7,10-тетраазициклододекан тетрауксусной кислоты) или DTPA (диэтилен триамин пентауксусной кислоты), проводят мечение полученного конъюгата терапевтическими радиоизотопами, а именно короткоживущими альфа-излучающими радиоизотопами и очищают полученный препарат.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве терапевтического радиоизотопа используют короткоживущие ?-излучающие радиоизотопы: Bi-212, и/или Bi-213, и/или Pb-212, и/или Ra-223, и/или Ac-225.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что связывание диагностического радиоизотопа в конъюгате осуществляется с помощью хелатора олигогистидина.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве рекомбинантных гуманизированных антител, специфичных к раковоассоциированному антигену HER-2/new, используют гуманизированное мини-антитело scFv 4D5.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что связывание гуманизированного мини-антитела с человеческим сывороточным альбумином в конъюгате осуществляют с помощью хелатора олиголизина.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве рекомбинантных гуманизированных мини-антител, специфичных к раковоассоциированному антигену HER-2/neu, используют гуманизированное мини-антитело с олиголизиновым и олигогистидиновым фрагментами в С-концевой части молекулы, которые предназначены для специфической конъюгации мини-антител с человеческим сывороточным альбумином и диагностическим изотопом соответственно.
|
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU),
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU),
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ получения терапевтического радиоконъюгата, специфически связывающегося вещества с короткоживущим альфа-излучающим радиоизотопом для его доставки в патологические области, отличающийся тем, что осуществляют мечение рекомбинантных гуманизированных мини-антител, специфичных к раковоассоциированному антигену HER2/neu, диагностическим гамма-излучающим радиоизотопом, а именно аквокарбонильным комплексом Тс-99m, проводят конъюгирование мини-антител с человеческим сывороточным альбумином, очищают полученный конъюгат, вводят в состав конъюгата хелатирующий агент DOTA (1,4,7,10-тетраазициклододекан тетрауксусной кислоты) или DTPA (диэтилен триамин пентауксусной кислоты), проводят мечение полученного конъюгата терапевтическими радиоизотопами, а именно короткоживущими альфа-излучающими радиоизотопами и очищают полученный препарат.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве терапевтического радиоизотопа используют короткоживущие ?-излучающие радиоизотопы: Bi-212, и/или Bi-213, и/или Pb-212, и/или Ra-223, и/или Ac-225.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что связывание диагностического радиоизотопа в конъюгате осуществляется с помощью хелатора олигогистидина.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве рекомбинантных гуманизированных антител, специфичных к раковоассоциированному антигену HER-2/new, используют гуманизированное мини-антитело scFv 4D5.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что связывание гуманизированного мини-антитела с человеческим сывороточным альбумином в конъюгате осуществляют с помощью хелатора олиголизина.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве рекомбинантных гуманизированных мини-антител, специфичных к раковоассоциированному антигену HER-2/neu, используют гуманизированное мини-антитело с олиголизиновым и олигогистидиновым фрагментами в С-концевой части молекулы, которые предназначены для специфической конъюгации мини-антител с человеческим сывороточным альбумином и диагностическим изотопом соответственно.
Основное назначение
1. Способ получения терапевтического радиоконъюгата, специфически связывающегося вещества с короткоживущим альфа-излучающим радиоизотопом для его доставки в патологические области, отличающийся тем, что осуществляют мечение рекомбинантных гуманизированных мини-антител, специфичных к раковоассоциированному антигену HER2/neu, диагностическим гамма-излучающим радиоизотопом, а именно аквокарбонильным комплексом Тс-99m, проводят конъюгирование мини-антител с человеческим сывороточным альбумином, очищают полученный конъюгат, вводят в состав конъюгата хелатирующий агент DOTA (1,4,7,10-тетраазициклододекан тетрауксусной кислоты) или DTPA (диэтилен триамин пентауксусной кислоты), проводят мечение полученного конъюгата терапевтическими радиоизотопами, а именно короткоживущими альфа-излучающими радиоизотопами и очищают полученный препарат.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве терапевтического радиоизотопа используют короткоживущие ?-излучающие радиоизотопы: Bi-212, и/или Bi-213, и/или Pb-212, и/или Ra-223, и/или Ac-225.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что связывание диагностического радиоизотопа в конъюгате осуществляется с помощью хелатора олигогистидина.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве рекомбинантных гуманизированных антител, специфичных к раковоассоциированному антигену HER-2/new, используют гуманизированное мини-антитело scFv 4D5.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что связывание гуманизированного мини-антитела с человеческим сывороточным альбумином в конъюгате осуществляют с помощью хелатора олиголизина.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве рекомбинантных гуманизированных мини-антител, специфичных к раковоассоциированному антигену HER-2/neu, используют гуманизированное мини-антитело с олиголизиновым и олигогистидиновым фрагментами в С-концевой части молекулы, которые предназначены для специфической конъюгации мини-антител с человеческим сывороточным альбумином и диагностическим изотопом соответственно.
|
||
|
139
|
Патент 2772012
|
Изобретение относится к медицине, а именно к термоэлектрическим охлаждающим устройствам, используемым для охлаждающего и теплового воздействия на рецепторы кожи человека. Термоэлектрическое устройство для теплового воздействия на терморецепторы кожи человека содержит источник питания и термоэлектрический модуль с горячими и холодными спаями, соответствующими «горячему» и «холодному» теплопереходам. Модуль закреплен на одном из торцов пустотелого кожуха, к другому торцу которого прикреплен пьезоэлектрический насос с центральным воздушным отверстием, на противоположных концах кожуха выполнены сквозные отверстия. Сторона теплоперехода равна D, высота кожуха Н=0,7D-4,5D, площадь сквозных отверстий со стороны пьезоэлектрического насоса Si=0,2D2-0,45D2, площадь сквозных отверстий со стороны модуля S2=0,25D2-0,85D2, а внутреннее поперечное сечение кожуха S=0,8D2-D2. Достигается охлаждение термомодуля до более низких температур и управление скоростью потока охлаждающего воздуха для регулирования температуры охлаждения. 1 ил
Основное назначение
Изобретение относится к медицине, а именно к термоэлектрическим охлаждающим устройствам, используемым для охлаждающего и теплового воздействия на рецепторы кожи человека. Термоэлектрическое устройство для теплового воздействия на терморецепторы кожи человека содержит источник питания и термоэлектрический модуль с горячими и холодными спаями, соответствующими «горячему» и «холодному» теплопереходам. Модуль закреплен на одном из торцов пустотелого кожуха, к другому торцу которого прикреплен пьезоэлектрический насос с центральным воздушным отверстием, на противоположных концах кожуха выполнены сквозные отверстия. Сторона теплоперехода равна D, высота кожуха Н=0,7D-4,5D, площадь сквозных отверстий со стороны пьезоэлектрического насоса Si=0,2D2-0,45D2, площадь сквозных отверстий со стороны модуля S2=0,25D2-0,85D2, а внутреннее поперечное сечение кожуха S=0,8D2-D2. Достигается охлаждение термомодуля до более низких температур и управление скоростью потока охлаждающего воздуха для регулирования температуры охлаждения. 1 ил
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
|
Изобретение относится к медицине, а именно к термоэлектрическим охлаждающим устройствам, используемым для охлаждающего и теплового воздействия на рецепторы кожи человека. Термоэлектрическое устройство для теплового воздействия на терморецепторы кожи человека содержит источник питания и термоэлектрический модуль с горячими и холодными спаями, соответствующими «горячему» и «холодному» теплопереходам. Модуль закреплен на одном из торцов пустотелого кожуха, к другому торцу которого прикреплен пьезоэлектрический насос с центральным воздушным отверстием, на противоположных концах кожуха выполнены сквозные отверстия. Сторона теплоперехода равна D, высота кожуха Н=0,7D-4,5D, площадь сквозных отверстий со стороны пьезоэлектрического насоса Si=0,2D2-0,45D2, площадь сквозных отверстий со стороны модуля S2=0,25D2-0,85D2, а внутреннее поперечное сечение кожуха S=0,8D2-D2. Достигается охлаждение термомодуля до более низких температур и управление скоростью потока охлаждающего воздуха для регулирования температуры охлаждения. 1 ил
Основное назначение
Изобретение относится к медицине, а именно к термоэлектрическим охлаждающим устройствам, используемым для охлаждающего и теплового воздействия на рецепторы кожи человека. Термоэлектрическое устройство для теплового воздействия на терморецепторы кожи человека содержит источник питания и термоэлектрический модуль с горячими и холодными спаями, соответствующими «горячему» и «холодному» теплопереходам. Модуль закреплен на одном из торцов пустотелого кожуха, к другому торцу которого прикреплен пьезоэлектрический насос с центральным воздушным отверстием, на противоположных концах кожуха выполнены сквозные отверстия. Сторона теплоперехода равна D, высота кожуха Н=0,7D-4,5D, площадь сквозных отверстий со стороны пьезоэлектрического насоса Si=0,2D2-0,45D2, площадь сквозных отверстий со стороны модуля S2=0,25D2-0,85D2, а внутреннее поперечное сечение кожуха S=0,8D2-D2. Достигается охлаждение термомодуля до более низких температур и управление скоростью потока охлаждающего воздуха для регулирования температуры охлаждения. 1 ил
|
||
|
140
|
Патент 2660588
|
Изобретение относится к медицине, а именно к тканевой инженерии и регенеративной медицине, и предназначено для восстановления различных дефектов ткани. Для упрочнения гидрогелей осуществляют обработку гидрогелевого скаффолда в реакторе в среде сверхкритического диоксида углерода при температуре выше комнатной с последующим понижением температуры и постепенным снижением давления в реакторе до атмосферного. Обработку в реакторе ведут в течение 1-2 часов при температуре 40-50°С и давлении 5-15 МПа. Постепенное снижение давления диоксида углерода после обработки производят в течение 0,5-2 часов, при этом скорость потока диоксида углерода, обтекающего скаффолд, поддерживают в диапазоне 0,05-1 мм/с. Использование изобретения позволяет повысить прочность гидрогелевого скаффолда. 1 ил., 1 пр.
Основное назначение
Изобретение относится к медицине, а именно к тканевой инженерии и регенеративной медицине, и предназначено для восстановления различных дефектов ткани. Для упрочнения гидрогелей осуществляют обработку гидрогелевого скаффолда в реакторе в среде сверхкритического диоксида углерода при температуре выше комнатной с последующим понижением температуры и постепенным снижением давления в реакторе до атмосферного. Обработку в реакторе ведут в течение 1-2 часов при температуре 40-50°С и давлении 5-15 МПа. Постепенное снижение давления диоксида углерода после обработки производят в течение 0,5-2 часов, при этом скорость потока диоксида углерода, обтекающего скаффолд, поддерживают в диапазоне 0,05-1 мм/с. Использование изобретения позволяет повысить прочность гидрогелевого скаффолда. 1 ил., 1 пр.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Изобретение относится к медицине, а именно к тканевой инженерии и регенеративной медицине, и предназначено для восстановления различных дефектов ткани. Для упрочнения гидрогелей осуществляют обработку гидрогелевого скаффолда в реакторе в среде сверхкритического диоксида углерода при температуре выше комнатной с последующим понижением температуры и постепенным снижением давления в реакторе до атмосферного. Обработку в реакторе ведут в течение 1-2 часов при температуре 40-50°С и давлении 5-15 МПа. Постепенное снижение давления диоксида углерода после обработки производят в течение 0,5-2 часов, при этом скорость потока диоксида углерода, обтекающего скаффолд, поддерживают в диапазоне 0,05-1 мм/с. Использование изобретения позволяет повысить прочность гидрогелевого скаффолда. 1 ил., 1 пр.
Основное назначение
Изобретение относится к медицине, а именно к тканевой инженерии и регенеративной медицине, и предназначено для восстановления различных дефектов ткани. Для упрочнения гидрогелей осуществляют обработку гидрогелевого скаффолда в реакторе в среде сверхкритического диоксида углерода при температуре выше комнатной с последующим понижением температуры и постепенным снижением давления в реакторе до атмосферного. Обработку в реакторе ведут в течение 1-2 часов при температуре 40-50°С и давлении 5-15 МПа. Постепенное снижение давления диоксида углерода после обработки производят в течение 0,5-2 часов, при этом скорость потока диоксида углерода, обтекающего скаффолд, поддерживают в диапазоне 0,05-1 мм/с. Использование изобретения позволяет повысить прочность гидрогелевого скаффолда. 1 ил., 1 пр.
|
||