+7 499 196 95 39
91
Патент 2835877
Изобретение относится к области неразрушающего контроля технологических процессов микроэлектроники в реальном времени и касается способа мониторинга характеристик пленок пористых диэлектриков на подложке из полупроводника. Способ основан на использовании системы спектральной рефлектометрии, включающей в себя оптический зонд с двумя волоконными световодами для падающего и отраженного лучей, источник белого света и спектрометр. Измерение характеристик выполняют в условиях криогенного плазменного травления и результаты получают в реальном времени, для чего используют систему потокового вывода данных и персональный компьютер с установленным программным обеспечением для сбора данных и решения обратной задачи рефлектометрии для определения степени пористости, толщины, показателя преломления, степени заполнения пор сконденсированным адсорбатом и температуры полупроводниковой подложки, с помощью численных методов оптимизации или регрессионной модели машинного обучения. Технический результат заключается в обеспечении возможности выполнения измерений в реальном времени при криогенном плазменном травлении и расширении класса установок травления, на которых способ применим. Способ мониторинга характеристик пленок пористых диэлектриков на подложке из полупроводника, основанный на использовании системы спектральной рефлектометрии, включающей в себя оптический зонд с двумя волоконными световодами для падающего и отраженного лучей, источник белого света, спектрометр, отличающийся тем, что измерение характеристик выполняют в условиях криогенного плазменного травления, результаты получают в реальном времени, для чего используют систему потокового вывода данных и персональный компьютер с установленным программным обеспечением для сбора данных и решения обратной задачи рефлектометрии для определения степени пористости, толщины, показателя преломления, степени заполнения пор сконденсированным адсорбатом и температуры полупроводниковой подложки, с помощью численных методов оптимизации или регрессионной модели машинного обучения.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Способ мониторинга характеристик пленок пористых диэлектриков на подложке из полупроводника, основанный на использовании системы спектральной рефлектометрии, включающей в себя оптический зонд с двумя волоконными световодами для падающего и отраженного лучей, источник белого света, спектрометр, отличающийся тем, что измерение характеристик выполняют в условиях криогенного плазменного травления, результаты получают в реальном времени, для чего используют систему потокового вывода данных и персональный компьютер с установленным программным обеспечением для сбора данных и решения обратной задачи рефлектометрии для определения степени пористости, толщины, показателя преломления, степени заполнения пор сконденсированным адсорбатом и температуры полупроводниковой подложки, с помощью численных методов оптимизации или регрессионной модели машинного обучения.
92
Патент 2781053
Изобретение относится к способам маркировки нефти и продуктов ее переработки. Описан способ маркировки нефти и продуктов ее переработки, характеризующийся внесением 10-100 м.д. производных циануровой кислоты, в которой атом водорода гидроксильной группы замещен алкильными радикалами, как одинаковыми, так и различными, при получении которых используют первичные спирты C1-C8, изопропиловый спирт, спирты C1-C8, в которых атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора, изопропиловый спирт, в котором атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора. Технический результат - маркировка нефти и продуктов ее переработки для идентификации и контроля качества продукции Способ маркировки нефти и продуктов ее переработки, характеризующийся внесением 10-100 м.д. производных циануровой кислоты, в которой атом водорода гидроксильной группы замещен алкильными радикалами, как одинаковыми, так и различными, при получении которых используют первичные спирты C1-C8, изопропиловый спирт, спирты C1-C8, в которых атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора, изопропиловый спирт, в котором атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Способ маркировки нефти и продуктов ее переработки, характеризующийся внесением 10-100 м.д. производных циануровой кислоты, в которой атом водорода гидроксильной группы замещен алкильными радикалами, как одинаковыми, так и различными, при получении которых используют первичные спирты C1-C8, изопропиловый спирт, спирты C1-C8, в которых атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора, изопропиловый спирт, в котором атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора.
93
Патент 2732225
Изобретение относится к области биотехнологии, в частности к технологии выращивания фототрофных микроорганизмов. Способ культивирования фототрофных микроорганизмов включает приготовление посевного материала, питательной среды для выбранного вида фототрофного микроорганизма. Последующую подачу атмосферного воздуха в рабочую камеру фотобиореактора. Затем осуществление перемешивания культуральной жидкости перекачиванием помпой и барботированием. При этом заранее подготовленную клеточную суспензию фототрофных микроорганизмов и отражающую пластину из гидрогеля с высоким альбедо помещают в фотобиореактор. Осуществляют поддержание освещенности на уровне 100±5 мкмоль/м2*с в разное время суток автоматически путем изменения электронапряжения на источниках искусственного освещения от 3,6 до 5 В в зависимости от изменения напряжения на фоторезисторах по формуле: https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/732/225/ИЗ-02732225-00001/00000008.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) где V - напряжение, подаваемое на источники искусственного освещения, В; Е - напряжение на фоторезисторах, В. Изобретение обеспечивает достижение технического результата, заключающегося в повышении энергетической эффективности и снижении энергетических затрат на процесс культивирования за счет обеспечения возможности использования режимов адаптивного освещения и повышения уровня освещенности в культуральной жидкости в фотобиореакторе при использовании отражающей пластины из гидрогедя с высоким альбедо. Способ культивирования фотосинтезирующих микроорганизмов в фотобиореакторе, включающий приготовление посевного материала, питательной среды для выбранного вида фототрофного микроорганизма, подачу атмосферного воздуха в рабочую камеру фотобиореактора, осуществление перемешивания культуральной жидкости перекачиванием помпой и барботированием, отличающийся тем, что заранее подготовленную клеточную суспензию фототрофных микроорганизмов и отражающую пластину из гидрогеля с высоким альбедо помещают в фотобиореактор, поддержание освещенности на уровне 100±5 мкмоль/м2*с в разное время суток осуществляют автоматически путем изменения электронапряжения на источниках искусственного освещения от 3,6 до 5 В в зависимости от изменения напряжения на фоторезисторах по формуле: https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/732/225/ИЗ-02732225-00001/00000007.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) где V - напряжение, подаваемое на источники искусственного освещения, В; Е - напряжение на фоторезисторах, В.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Способ культивирования фотосинтезирующих микроорганизмов в фотобиореакторе, включающий приготовление посевного материала, питательной среды для выбранного вида фототрофного микроорганизма, подачу атмосферного воздуха в рабочую камеру фотобиореактора, осуществление перемешивания культуральной жидкости перекачиванием помпой и барботированием, отличающийся тем, что заранее подготовленную клеточную суспензию фототрофных микроорганизмов и отражающую пластину из гидрогеля с высоким альбедо помещают в фотобиореактор, поддержание освещенности на уровне 100±5 мкмоль/м2*с в разное время суток осуществляют автоматически путем изменения электронапряжения на источниках искусственного освещения от 3,6 до 5 В в зависимости от изменения напряжения на фоторезисторах по формуле: https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/732/225/ИЗ-02732225-00001/00000007.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) где V - напряжение, подаваемое на источники искусственного освещения, В; Е - напряжение на фоторезисторах, В.
94
Патент 2647222
Изобретение относится к способам контроля характеристик порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, полученных одним из известных способов, например, методами со-осаждения, твердофазного синтеза и др., и применяемых в качестве самостоятельного материала. Способ контроля выхода сцинтилляций и фотолюминесценции порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров содержит этапы, на которых возбуждение сцинтилляций производится с помощью облучения поверхности измеряемого образца альфа-излучением, при этом возникающие под действием альфа-частиц фотоны сцинтилляций регистрируются оптоэлектронной системой с поверхности порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, облучаемой альфа-частицами. Технический результат – упрощение пробоподготовки, повышение производительности и повышение точности измерений. Способ контроля выхода сцинтилляций и фотолюминесценции порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, отличающийся тем, что возбуждение сцинтилляций производится с помощью облучения поверхности измеряемого образца альфа-излучением, при этом возникающие под действием альфа-частиц фотоны сцинтилляций регистрируются оптоэлектронной системой с поверхности порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, облучаемой альфа-частицами.
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
Способ контроля выхода сцинтилляций и фотолюминесценции порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, отличающийся тем, что возбуждение сцинтилляций производится с помощью облучения поверхности измеряемого образца альфа-излучением, при этом возникающие под действием альфа-частиц фотоны сцинтилляций регистрируются оптоэлектронной системой с поверхности порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, облучаемой альфа-частицами.
95
Патент 2760276
Изобретение относится к области ускорителей заряженных частиц с большой массой и с малым электрическим зарядом и может использоваться при создании ускорителей кластерных ионов для применения в областях ядерной энергетики, решения проблем управляемого термоядерного синтеза и для изучения свойств материи при сверхвысокой плотности энергии. Технический результат - увеличение тока в пучке кластерных ионов с различной массой на выходе ускорителя. Способ предусматривает использование инжектора для ускорителя кластерных ионов, в котором реализована одновременная экстракция заряженных частиц из плазмы нескольких источников кластерных ионов по нескольким каналам, формирование ионных пучков, ускорение их компрессии и ввода в ускоряющую ВЧ структуру ускорителя. Инжектор содержит несколько разнесенных в пространстве каналов, входная апертура каждого из которых соединена с отдельным источником кластерных ионов. Процесс формирования ионного пучка, ускорения, фокусировки и изменения траектории его движения, для заряженных частиц с большой массой и малым электрическим зарядом при помощи только электрического поля, связан с необходимостью создания больших напряженностей такого поля. Для более эффективной реализации процессов формовки и ускорения пучков кластерных ионов в инжекторе использована комбинация скрещенных силовых полей: аксиально-симметричного электрического поля и мультипольного магнитного поля со сложной конфигурацией силовых линий. Примененная комбинация полей такого типа, позволяет как ускорять, так и эффективно удерживать на заданной траектории движения, а также осуществлять радиальную компрессию пучков кластерных ионов в каждом канале для кластеров, обладающих широким диапазоном масс и малым зарядом. Суперпозиция электрического поля и мультипольного магнитного поля позволяет уменьшать поперечные размеры ионного пучка, увеличивать площади апертур для экстракции кластерных ионов из ИИ и способствует увеличению тока в пучке кластерных ионов с различной массой на выходе ускорителя. Способ инжекции кластерных ионов, предусматривающий одновременную инжекцию в ускоритель ионов, экстрагированных с большой площади плазменной поверхности, за счет использования инжектора для ускорителя кластерных ионов, содержащего обечайки, в которых выполнены апертуры, соосно-сходящиеся к его центральной оси, в направлении от источника ионов (ИИ) к ускоряющей высокочастотной (ВЧ) системе, с диаметрами, уменьшающимися по мере приближения обечаек к указанной ВЧ системе, отличающийся тем, что для увеличения тока пучка кластерных ионов при инжекции кластерных ионов в ускоритель обечайки в указанном инжекторе выполнены из диэлектрического материала, и каждая апертура на ближайшей к источнику кластерных ионов обечайке соединена с выходом соответствующего источника кластерных ионов, и во все апертуры всех обечаек установлены тонкостенные металлические трубки дрейфа таким образом, чтобы между соответствующими трубками дрейфа соседних обечаек существовали зазоры, причем диаметр каждой трубки дрейфа должен соответствовать диаметру апертуры в данной обечайке, при этом все трубки дрейфа на каждой обечайке электрически соединены между собой и с отдельным источником электропитания, а между обечайками, симметрично центральной продольной оси зазоров между трубками дрейфа, вокруг этих трубок дрейфа, на одинаковом расстоянии от стенок трубок дрейфа, установлены по шесть постоянных магнитов, электрически изолированных от трубок дрейфа и сдвинутых по окружности относительно друг друга на 60 градусов так, чтобы в трубках дрейфа и в зазорах между ними существовало мультипольное магнитное поле, величина которого на центральной продольной оси зазоров равнялась нулю и резко нарастала вблизи поверхностей постоянных магнитов и в зазорах между ними.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Способ инжекции кластерных ионов, предусматривающий одновременную инжекцию в ускоритель ионов, экстрагированных с большой площади плазменной поверхности, за счет использования инжектора для ускорителя кластерных ионов, содержащего обечайки, в которых выполнены апертуры, соосно-сходящиеся к его центральной оси, в направлении от источника ионов (ИИ) к ускоряющей высокочастотной (ВЧ) системе, с диаметрами, уменьшающимися по мере приближения обечаек к указанной ВЧ системе, отличающийся тем, что для увеличения тока пучка кластерных ионов при инжекции кластерных ионов в ускоритель обечайки в указанном инжекторе выполнены из диэлектрического материала, и каждая апертура на ближайшей к источнику кластерных ионов обечайке соединена с выходом соответствующего источника кластерных ионов, и во все апертуры всех обечаек установлены тонкостенные металлические трубки дрейфа таким образом, чтобы между соответствующими трубками дрейфа соседних обечаек существовали зазоры, причем диаметр каждой трубки дрейфа должен соответствовать диаметру апертуры в данной обечайке, при этом все трубки дрейфа на каждой обечайке электрически соединены между собой и с отдельным источником электропитания, а между обечайками, симметрично центральной продольной оси зазоров между трубками дрейфа, вокруг этих трубок дрейфа, на одинаковом расстоянии от стенок трубок дрейфа, установлены по шесть постоянных магнитов, электрически изолированных от трубок дрейфа и сдвинутых по окружности относительно друг друга на 60 градусов так, чтобы в трубках дрейфа и в зазорах между ними существовало мультипольное магнитное поле, величина которого на центральной продольной оси зазоров равнялась нулю и резко нарастала вблизи поверхностей постоянных магнитов и в зазорах между ними.
96
Патент 2582490
Изобретение относится к диагностике профилей (распределения плотности тока по сечению пучка) пучков ионов и атомов в мегаваттных квазистационарных (десятки и сотни секунд) инжекторах, предназначенных для нагрева плазмы и поддержания тока в термоядерных установках типа токамак. Способ измерения профиля стационарных мегаваттных пучков ионов и атомов в инжекторах путем измерения относительной плотности тока по сечению пучка, направленного на калориметр, выполненный из двух параллельно расположенных слоев водоохлаждаемых трубок, которые в каждом слое расположены относительно друг друга с зазором, меньшим диаметра трубки, а трубки второго слоя смещены относительно трубок первого слоя на величину, равную половине расстояния между осями трубок, при этом относительную плотность тока по сечению пучка определяют по измерению коллекторами тока ионно-эмиссионных электронов, образующихся в результате бомбардировки пучком ионов и атомов трубок калориметра, при этом коллекторы, расположенные между трубками калориметра второго слоя, устанавливают так, что трубки калориметра первого слоя перекрывают падающий на них пучок. Технический результат - измерение полного профиля стационарных пучков ионов и атомов, плотность мощности которых составляет десятки МВт/м2. Способ измерения профиля стационарных мегаваттных пучков ионов и атомов в инжекторах путем измерения относительной плотности тока по сечению пучка, направленного на калориметр, выполненный из двух параллельно расположенных слоев водоохлаждаемых трубок, которые в каждом слое расположены относительно друг друга с зазором, меньшим диаметра трубки, а трубки второго слоя смещены относительно трубок первого слоя на величину, равную половине расстояния между осями трубок, отличающийся тем, что относительную плотность тока по сечению пучка определяют по измерению коллекторами тока ионно-эмиссионных электронов, образующихся в результате бомбардировки пучком ионов и атомов трубок калориметра, при этом коллекторы, расположенные между трубками калориметра второго слоя, устанавливают так, что трубки калориметра первого слоя перекрывают падающий на них пучок.
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU), Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Способ измерения профиля стационарных мегаваттных пучков ионов и атомов в инжекторах путем измерения относительной плотности тока по сечению пучка, направленного на калориметр, выполненный из двух параллельно расположенных слоев водоохлаждаемых трубок, которые в каждом слое расположены относительно друг друга с зазором, меньшим диаметра трубки, а трубки второго слоя смещены относительно трубок первого слоя на величину, равную половине расстояния между осями трубок, отличающийся тем, что относительную плотность тока по сечению пучка определяют по измерению коллекторами тока ионно-эмиссионных электронов, образующихся в результате бомбардировки пучком ионов и атомов трубок калориметра, при этом коллекторы, расположенные между трубками калориметра второго слоя, устанавливают так, что трубки калориметра первого слоя перекрывают падающий на них пучок.
97
Патент 2569379
Изобретение относится способу измерения пространственного распределения ионной температуры водородной плазмы и характеризуется тем, что измеряют энергетическое распределение атомов перезарядки, поступающих из плазмы, калиброванным многоканальным анализатором, каждый канал которого регистрирует атомы определенной энергии. Каждому зарегистрированному атому соответствует электрический импульс на выходе анализатора, и одновременно регистрируют фотоны спектрально-селективным прибором (ССП), имеющим с анализатором общий входной коллиматор. При этом регистрируют атомы с энергией Еi i-м каналом анализатора и регистрируют фотоны с длиной волны ?0-?? i-м каналом ССП, где ?0 - длина волны водородной линии, излучающейся покоящимся атомом, a ?? - смещение длины волны, обусловленное эффектом Доплера для энергии Еi. Возникшие электрические импульсы с выхода детектора совпадений подают на счетчик импульсов и по соотношению количества импульсов, зарегистрированных в различных каналах анализатора, определяют энергетическое распределение атомов перезарядки и соответственно ионную температуру Тion в данном ЛОИ. Далее получают значения Tion(j) для j локальных областей измерения и зависимость Tion(L), где L - координата вдоль линии наблюдения, т.е. пространственное распределение ионной температуры. Технический результат изобретения заключается в обеспечении возможности измерений без использования зондирующих атомных пучков, а также в повышении достоверности и точности измерений. Способ измерения пространственного распределения ионной температуры водородной плазмы, заключающийся в том, что измеряют энергетическое распределение атомов перезарядки, поступающих из плазмы калиброванным многоканальным анализатором, каждый канал которого регистрирует атомы определенной энергии, при этом каждому зарегистрированному атому соответствует электрический импульс на выходе анализатора, и одновременно регистрируют фотоны спектрально-селективным прибором (ССП), имеющим с анализатором общий входной коллиматор, отличающийся тем, что в качестве ССП используют многоканальный ССП, каждый канал которого регистрирует фотоны определенной длины волны и каждому зарегистрированному фотону соответствует электрический импульс на выходе соответствующего канала, при этом число каналов спектрометра равно числу каналов анализатора, при этом регистрируют атомы с энергией Ei i-м каналом анализатора и регистрируют фотоны с длиной волны ?0-?? i-м каналом ССП, где ?0 - длина волны водородной линии, излучающейся покоящимся атомом, a ?? - смещение длины волны, обусловленное эффектом Доплера для энергии Ei, электрические импульсы с i-го выхода анализатора подают на один из входов детектора совпадений, а импульсы с i-го выхода ССП подают на другой вход детектора совпадений через блок задержки, при этом время задержки устанавливают согласно формуле: Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) где ?? - время задержки; Lion - полная длина пути атома/иона от локального объема измерений до поверхности детектора; ?i - скорость атома/иона; Lfot - полная длина пути фотона от локального объема измерений до поверхности детектора; с - скорость света; i - номер канала анализатора и ССП; электрические импульсы с выхода детектора совпадений подают на счетчик импульсов и по соотношению количества импульсов, зарегистрированных в различных каналах анализатора, определяют энергетическое распределение атомов перезарядки и соответственно температуру Тion в данном ЛОИ, устанавливая между каждыми двумя i-ми сопряженными каналами анализатора и ССП параллельно j электрических цепей, включающих блок задержки, детектор совпадений и счетчик импульсов, с разными временами задержки, получают значения Тion(j) для j локальных областей измерения и зависимость Tion(L), где L - координата вдоль линии наблюдения, т.е. пространственное распределение ионной температуры.
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU), Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Способ измерения пространственного распределения ионной температуры водородной плазмы, заключающийся в том, что измеряют энергетическое распределение атомов перезарядки, поступающих из плазмы калиброванным многоканальным анализатором, каждый канал которого регистрирует атомы определенной энергии, при этом каждому зарегистрированному атому соответствует электрический импульс на выходе анализатора, и одновременно регистрируют фотоны спектрально-селективным прибором (ССП), имеющим с анализатором общий входной коллиматор, отличающийся тем, что в качестве ССП используют многоканальный ССП, каждый канал которого регистрирует фотоны определенной длины волны и каждому зарегистрированному фотону соответствует электрический импульс на выходе соответствующего канала, при этом число каналов спектрометра равно числу каналов анализатора, при этом регистрируют атомы с энергией Ei i-м каналом анализатора и регистрируют фотоны с длиной волны ?0-?? i-м каналом ССП, где ?0 - длина волны водородной линии, излучающейся покоящимся атомом, a ?? - смещение длины волны, обусловленное эффектом Доплера для энергии Ei, электрические импульсы с i-го выхода анализатора подают на один из входов детектора совпадений, а импульсы с i-го выхода ССП подают на другой вход детектора совпадений через блок задержки, при этом время задержки устанавливают согласно формуле: Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) где ?? - время задержки; Lion - полная длина пути атома/иона от локального объема измерений до поверхности детектора; ?i - скорость атома/иона; Lfot - полная длина пути фотона от локального объема измерений до поверхности детектора; с - скорость света; i - номер канала анализатора и ССП; электрические импульсы с выхода детектора совпадений подают на счетчик импульсов и по соотношению количества импульсов, зарегистрированных в различных каналах анализатора, определяют энергетическое распределение атомов перезарядки и соответственно температуру Тion в данном ЛОИ, устанавливая между каждыми двумя i-ми сопряженными каналами анализатора и ССП параллельно j электрических цепей, включающих блок задержки, детектор совпадений и счетчик импульсов, с разными временами задержки, получают значения Тion(j) для j локальных областей измерения и зависимость Tion(L), где L - координата вдоль линии наблюдения, т.е. пространственное распределение ионной температуры.
98
Патент 2450378
Изобретение относится к физике реакторов и может быть использовано для измерения подкритичности реакторов атомных станций. Импульсный источник нейтронов ИИН помещают в ядерный реактор. Измеряют скорость счета детектора нейтронов до начала запусков ИИН (фон). Осуществляют запуск ИИН с частотой следования импульсов нейтронов более 10 Гц и измеряют полное число нейтронов в ядерном реакторе n(t) как скорость счета детектора нейтронов x(t). При установившемся в среднем постоянном числе нейтронов в реакторе в течение времени Т измеряют Y(t) - число отсчетов детектора нейтронов в реакторе с дискретностью по времени ?t, и вычисляют скорость счета x(t) детектора нейтронов. По результатам этих измерений вычисляют значение параметра Sv. Вычисляют значение экспериментальной погрешности ?Sv. По калибровочной кривой ?k=f(Sv) находят искомую подкритичность. Изобретение позволяет повысить достоверность измерения подкритичности ядерного реактора за счет исключения методической погрешности. Способ измерения подкритичности ?k ядерного реактора, заключающийся в том, что помещают импульсный источник нейтронов ИИН в ядерный реактор, осуществляют запуск ИИН с частотой следования импульсов нейтронов более 10 Гц, измеряют полное число нейтронов в ядерном реакторе n(t) как скорость счета детектора нейтронов x(t) при установившемся в среднем постоянном числе нейтронов в реакторе и определяют подкритичность ядерного реактора, отличающийся тем, что измеряют скорость счета детектора нейтронов до начала запусков ИИН (фон), а запуски ИНН прекращают после установления в среднем постоянного числа нейтронов в реакторе, после чего в течение времени Т измеряют Y(t) - число отсчетов детектора нейтронов в реакторе с дискретностью по времени ?t, и вычисляют скорость счета x(t) детектора нейтронов по результатам этих измерений, вычисляют значение параметра Sv по формуле Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) https://new.fips.ru/Archive//PAT/2012FULL/2012.05.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/450/378/00000008.tif где Xi - значения функции x(t) в моменты времени i·?t за вычетом фона, вычисляют значение экспериментальной погрешности параметра Sv по формуле Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) https://new.fips.ru/Archive//PAT/2012FULL/2012.05.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/450/378/00000009.tif где ?Sv - абсолютная погрешность параметра Sv, Yi - числа отсчетов детектора в моменты времени i·?t за вычетом фона, и по калибровочной кривой ?k=f(Sv) находят искомую подкритичность и погрешность измерения подкритичности. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что запуски ИИН прекращают через 5-6 мин. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что измеряют Y(t) в течение времени Т, равном 10?300 с. 4. Способ по п.3, отличающийся тем, что выбирают Т, равным 60 с. 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что калибровочную кривую - зависимость подкритичности реактора от значений параметра Sv - рассчитывают из системы точечных уравнений кинетики.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Способ измерения подкритичности ?k ядерного реактора, заключающийся в том, что помещают импульсный источник нейтронов ИИН в ядерный реактор, осуществляют запуск ИИН с частотой следования импульсов нейтронов более 10 Гц, измеряют полное число нейтронов в ядерном реакторе n(t) как скорость счета детектора нейтронов x(t) при установившемся в среднем постоянном числе нейтронов в реакторе и определяют подкритичность ядерного реактора, отличающийся тем, что измеряют скорость счета детектора нейтронов до начала запусков ИИН (фон), а запуски ИНН прекращают после установления в среднем постоянного числа нейтронов в реакторе, после чего в течение времени Т измеряют Y(t) - число отсчетов детектора нейтронов в реакторе с дискретностью по времени ?t, и вычисляют скорость счета x(t) детектора нейтронов по результатам этих измерений, вычисляют значение параметра Sv по формуле Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) https://new.fips.ru/Archive//PAT/2012FULL/2012.05.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/450/378/00000008.tif где Xi - значения функции x(t) в моменты времени i·?t за вычетом фона, вычисляют значение экспериментальной погрешности параметра Sv по формуле Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) https://new.fips.ru/Archive//PAT/2012FULL/2012.05.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/450/378/00000009.tif где ?Sv - абсолютная погрешность параметра Sv, Yi - числа отсчетов детектора в моменты времени i·?t за вычетом фона, и по калибровочной кривой ?k=f(Sv) находят искомую подкритичность и погрешность измерения подкритичности. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что запуски ИИН прекращают через 5-6 мин. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что измеряют Y(t) в течение времени Т, равном 10?300 с. 4. Способ по п.3, отличающийся тем, что выбирают Т, равным 60 с. 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что калибровочную кривую - зависимость подкритичности реактора от значений параметра Sv - рассчитывают из системы точечных уравнений кинетики.
99
Патент 2772078
Использование: для измерения массы углеродных нано- и микроструктур (УС) в различных средах. Сущность изобретения заключается в том, что в измеряемые УС на стадии подготовки эксперимента вводят радиоактивную метку-маркер, отличающийся тем, что радиоактивную метку в виде атомов гамма-излучающего изотопа 7Ве получают путем облучения на циклотроне изучаемых УС содержащих изотоп 12С ускоренными альфа-частицами с энергией более 32,9 МэВ или ускоренными дейтонами с энергией более 20,5 МэВ или ускоренными протонами с энергией более 24,5 МэВ, меченые УС вводят в исследуемые объекты, представляющие собой организмы подопытных животных или армируемые УС пластмассы, из которых отбирают образцы с неизвестным массовым содержанием УС, измеряют активность полученных образцов на гама-спектрометре, вычисляют искомую массу УС в образце путем сравнения измеренной активности образцов с активностью стандартного образца, содержащего известную массу УС. Технический результат: обеспечение возможности с повышенной точностью и достоверностью измерить массовое содержания УС в жидкой, твердой, газообразной и органической среде без разрушения структуры образцов. Способ измерения массы углеродных нано- и микроструктур (УС) в различных средах с помощью гамма-излучающей метки 7Ве, заключающийся в том, что в измеряемые УС на стадии подготовки эксперимента вводят радиоактивную метку-маркер, отличающийся тем, что радиоактивную метку в виде атомов гамма-излучающего изотопа 7Ве получают путем облучения на циклотроне изучаемых УС, содержащих изотоп 12С, ускоренными альфа-частицами с энергией более 32,9 МэВ или ускоренными дейтонами с энергией более 20,5 МэВ или ускоренными протонами с энергией более 24,5 МэВ, меченые УС вводят в исследуемые объекты, представляющие собой организмы подопытных животных или армируемые УС пластмассы, из которых отбирают образцы с неизвестным массовым содержанием УС, измеряют активность полученных образцов на гамма-спектрометре, вычисляют искомую массу УС в образце путем сравнения измеренной активности образцов с активностью стандартного образца, содержащего известную массу УС.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Способ измерения массы углеродных нано- и микроструктур (УС) в различных средах с помощью гамма-излучающей метки 7Ве, заключающийся в том, что в измеряемые УС на стадии подготовки эксперимента вводят радиоактивную метку-маркер, отличающийся тем, что радиоактивную метку в виде атомов гамма-излучающего изотопа 7Ве получают путем облучения на циклотроне изучаемых УС, содержащих изотоп 12С, ускоренными альфа-частицами с энергией более 32,9 МэВ или ускоренными дейтонами с энергией более 20,5 МэВ или ускоренными протонами с энергией более 24,5 МэВ, меченые УС вводят в исследуемые объекты, представляющие собой организмы подопытных животных или армируемые УС пластмассы, из которых отбирают образцы с неизвестным массовым содержанием УС, измеряют активность полученных образцов на гамма-спектрометре, вычисляют искомую массу УС в образце путем сравнения измеренной активности образцов с активностью стандартного образца, содержащего известную массу УС.
100
Патент 2541437
Изобретение относится к области ядерной физики. Способ измерения асимметрии распада поляризованных пучков включает в себя пропускание поляризованного пучка частиц через контролируемую зону, регистрацию заряженных частиц, испускаемых асимметрично относительно спина распадающихся частиц, контрольные измерения при изменении направления поляризации пучка на 180°, при этом исходный поляризованный пучок частиц пропускают через зону контроля с близким к нулю магнитным полем, поток частиц исходного поляризованного пучка ступенчато варьируют с помощью прецизионной управляемой диафрагмы, на каждой ступени потока проводят многократные измерения скорости счета и энергетического спектра испускаемых в зоне контроля заряженных частиц с помощью охватывающего пучок секционированного по углу детектора; по совокупности скоростей счета и их погрешностей строят функционал ошибок для оценок чисел частиц в зоне видимости детектора путем приближений этих чисел шкалой (последовательностью) с шагом 1/?, значение ? подбирают до наилучшего совмещения минимумов функционалов ошибки для времен жизни ?+ и ?- двух спиновых мод распада и их среднего арифметического значения, причем обработка проводится независимо для двух наборов данных, отличающихся значениями потока, а решение по ? и ? определяется пересечением функционалов этих наборов вблизи минимумов, близких к 1, причем коэффициент спиновой корреляции (асимметрия распада) определяется по формуле https://new.fips.ru/Archive//PAT/2015FULL/2015.02.10/DOC/RUNWC2/000/000/002/541/437/00000032-m.gif Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) где ?с/С - есть средняя спиральность частиц, испускаемых при распаде, определяемая из измеренного спектра частиц или из табличных данных. Технический результат - повышение точности измерения асимметрии распада нейтронов. Способ измерения асимметрии распада поляризованных пучков, включающий пропускание поляризованного пучка частиц через контролируемую зону, регистрацию заряженных частиц, испускаемых асимметрично относительно спина распадающихся частиц, контрольные измерения при изменении направления поляризации пучка на 180°, отличающийся тем, что исходный поляризованный пучок частиц пропускают через зону контроля с близким к нулю магнитным полем, поток частиц исходного поляризованного пучка ступенчато варьируют с помощью прецизионной управляемой диафрагмы, на каждой ступени потока проводят многократные измерения скорости счета и энергетического спектра испускаемых в зоне контроля заряженных частиц с помощью охватывающего пучок секционированного по углу детектора; по совокупности скоростей счета и их погрешностей строят функционал ошибок для оценок чисел частиц в зоне видимости детектора путем приближений этих чисел шкалой (последовательностью) с шагом 1/?, значение ? подбирают до наилучшего совмещения минимумов функционалов ошибки для времен жизни ?+ и ?- двух спиновых мод распада и их среднего арифметического значения, причем обработка проводится независимо для двух наборов данных, отличающихся значениями потока, а решение по ? и ? определяется пересечением функционалов этих наборов вблизи минимумов, близких к 1, причем коэффициент спиновой корреляции (асимметрия распада) определяется по формуле https://new.fips.ru/Archive//PAT/2015FULL/2015.02.10/DOC/RUNWC2/000/000/002/541/437/00000032-m.gif Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) где ?с/С - есть средняя спиральность частиц, испускаемых при распаде, определяемая из измеренного спектра частиц или из табличных данных. https://new.fips.ru/Archive//PAT/2015FULL/2015.02.10/DOC/RUNWC2/000/000/002/541/437/00000035-m.gif
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU), Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Способ измерения асимметрии распада поляризованных пучков, включающий пропускание поляризованного пучка частиц через контролируемую зону, регистрацию заряженных частиц, испускаемых асимметрично относительно спина распадающихся частиц, контрольные измерения при изменении направления поляризации пучка на 180°, отличающийся тем, что исходный поляризованный пучок частиц пропускают через зону контроля с близким к нулю магнитным полем, поток частиц исходного поляризованного пучка ступенчато варьируют с помощью прецизионной управляемой диафрагмы, на каждой ступени потока проводят многократные измерения скорости счета и энергетического спектра испускаемых в зоне контроля заряженных частиц с помощью охватывающего пучок секционированного по углу детектора; по совокупности скоростей счета и их погрешностей строят функционал ошибок для оценок чисел частиц в зоне видимости детектора путем приближений этих чисел шкалой (последовательностью) с шагом 1/?, значение ? подбирают до наилучшего совмещения минимумов функционалов ошибки для времен жизни ?+ и ?- двух спиновых мод распада и их среднего арифметического значения, причем обработка проводится независимо для двух наборов данных, отличающихся значениями потока, а решение по ? и ? определяется пересечением функционалов этих наборов вблизи минимумов, близких к 1, причем коэффициент спиновой корреляции (асимметрия распада) определяется по формуле https://new.fips.ru/Archive//PAT/2015FULL/2015.02.10/DOC/RUNWC2/000/000/002/541/437/00000032-m.gif Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) где ?с/С - есть средняя спиральность частиц, испускаемых при распаде, определяемая из измеренного спектра частиц или из табличных данных. https://new.fips.ru/Archive//PAT/2015FULL/2015.02.10/DOC/RUNWC2/000/000/002/541/437/00000035-m.gif