Изобретения

Настоящее изобретение относится к технологии изготовления высокотемпературных сверхпроводящих соединений, а именно полигидридов металлов, и может найти применение в слаботочной сверхпроводящей электронике, для изготовления однофотонных детекторов, СКВИД-магнетометров и квантовых кубитов, размещенных на поверхности алмазной наковальни. Уменьшение стехиометрического соотношения между металлом и водородом в сверхпроводнике является техническим результатом изобретения. Высокотемпературный сверхпроводящий гидрид имеет формулу AxY1-xH6, где А лантан или магний, x находится в диапазоне от 0 до 1, а содержание H составляет не менее 86 атомных процентов. Сверхпроводник получен путем сжатия под сверхвысоким давлением гидридообразующего элемента с источником водорода с последующим нагревом лазерным импульсом, при этом в качестве гидридообразующего элемента используют сплавы LaxY1-x или MgxY1-x, где x находится в диапазоне от 0 до 1. Указанные сплавы получают путем спекания La и Y или Mg и Y в инертной атмосфере, после чего сплав и источник водорода размещают в алмазной наковальне, сжимают до давления 150-200 ГПа и нагревают посредством импульсов лазера в инфракрасном диапазоне до температуры 1500-3000 K. В качестве источника водорода возможно использование соединения NH3BH3. Получен сверхпроводник с критической температурой до 253 K, критическим магнитным полем до 140 Тл и критической плотностью тока не менее 2000 А/мм2. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 8 ил., 4 пр.

Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий" (RU), Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Предлагается кластер установок для выращивания кристаллов из раствора, содержащий несколько кристаллизационных установок 1, которые объединены в отдельные блоки по несколько установок, например по десять, которые образуют кластеры нижнего уровня 11, каждая из кристаллизационных установок 1 каждого блока кластера нижнего уровня 11 подключена к блоку индикации и управления 13 кристаллизационными установками 1 нижнего уровня 11, снабженному одним или более контроллером 14 и одним или более средством индикации функционирования 15 кристаллизационных установок блока, входящих в кластер, и коммутатором 16 нижнего уровня, совокупность кластеров нижнего уровня 11 образует кластер верхнего уровня 12, содержащий, например, десять кластеров нижнего уровня 11, каждый из коммутаторов 16 блока индикации и управления 13 кристаллизационных установок 1 нижнего уровня 11 подключен к коммутатору 17 верхнего уровня, который подключен к центральному серверу 18 и автоматизированным рабочим местам 19, служащим для загрузки и редактирования технологической программы в каждую кристаллизационную установку 1 и контроля за функционированием кластеров нижнего уровня 11, входящих в состав кластера верхнего уровня 12 любой из кристаллизационных установок 1, входящих в кластер 11. При этом кластеры нижнего уровня 11 могут быть дистанционно размещены на значительном расстоянии от автоматизированных рабочих мест 19, осуществляющих управление работой кристаллизационных установок. Технический результат – возможность массового выращивания кристаллов высокого качества для оптико-электронных приборов в промышленных объемах. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.

Акционерное общество "Научно-производственный центр "Реагент" (RU), Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU

Изобретение относится к машиностроению, а именно к технологическому оборудованию для атомной энергетики. Устройство содержит механизм вращения и подачи режущего инструмента и подвижную платформу. В вертикальной стенке ремонтной кабины выполнено сквозное отверстие для установочной втулки, на внутреннем фланце которой закреплено монтажное приспособление, включающее монтажную плиту и шарнирно установленную на ней поворотную установочную плиту. Указанные плиты снабжены механизмом фиксации в сомкнутом положении. Подвижная платформа снабжена регулируемыми по высоте поворотными колесными опорами, установлена внутри на днище ремонтной кабины и жестко прикреплена к косынке поворотной установочной плиты и содержит механизм вращения и подачи режущего инструмента. На наружном фланце установочной втулки закреплен ловитель для трепанов и сбора стружки. Обеспечивается удобство и безопасность работ.

Акционерное общество "Российский концерн по производству электрической и тепловой энергии на атомных станциях" (АО "Концерн Росэнергоатом") (RU), Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт") (RU), ООО "Научно-производственная фирма ТермИКС" (ООО "НПФ ТермИКС") (RU)

Изобретение относится к ядерной энергетике, а именно к средству контроля нейтронного потока для обеспечения контроля, управления и защиты корпусных ядерных реакторов. Изобретение может быть использовано для коррекции погрешности показаний мощности ядерного реактора и аппаратуры контроля нейтронного потока на основании показаний детекторов прямой зарядки системы внутриреакторного контроля. Определение скорректированного значения мощности ядерного реактора на основе коррекции мощности аппаратуры контроля нейтронного потока по показаниям внереакторных датчиков нейтронного потока, с учетом их зависимости от формы энергораспределения в активной зоне, полученной от внутриреакторных детекторов системы внутриреакторного контроля. Техническим результатом является обеспечение безопасности и надежности эксплуатации ядерного реактора за счет обеспечения своевременного и точного определения корректировки погрешности показаний мощности ядерного реактора при любых режимах его работы. 1. Способ корректировки погрешности показаний мощности ядерного реактора, заключающийся в том, что плотность нейтронного потока в каждый момент времени измеряют с помощью сборок блоков детектирования, размещенных вне корпуса реактора, и по полученным результатам измерений определяют скорректированное значение мощности ядерного реактора с учетом поправочных коэффициентов, отличающийся тем, что плотность нейтронного потока измеряют вне корпуса реактора по показаниям сборок блоков детектирования, равномерно размещенных по периметру и высоте корпуса реактора, дополнительно измеряют плотность нейтронного потока в каждый момент времени с помощью попарно размещенных по периферии корпуса реактора напротив друг друга не менее двух сборок детектирования, равномерно размещенных по высоте активной зоны реактора, измеренные значения плотности нейтронного потока вне корпуса реактора корректируют в зависимости от показаний плотности внутри активной зоны, а корректировку погрешности показаний мощности ядерного реактора вычисляют по формуле P(t) = А * Kr(t) * Kz(t) * D(t), где P(t) - откорректированное значение мощности реактора в конкретный момент времени по показаниям блока детектирования, расположенного вне реактора, D - показание блока детектирования в конкретный момент времени, расположенного вне реактора, Kr - поправочный коэффициент, учитывающий влияние изменения радиально-азимутальной формы энергораспределения на показания блока детектирования, расположенного вне реактора, и определяемый по показаниям блоков детектирования, размещенных внутри реактора, Kz - поправочный коэффициент, учитывающий влияние изменения аксиального энергораспределения на показания блоков детектирования, расположенных вне реактора, и определяемый по показаниям блоков детектирования, размещенных внутри реактора, и аксиальной весовой функции блока детектирования, расположенного вне ректора, А - нормировочный коэффициент, характеризующий перевод откорректированного значения мощности по показаниям блока детектирования, расположенного вне реактора, из машинного представления в формат соответствующей размерности. 2. Способ корректировки погрешности показаний мощности ядерного реактора по п. 1, отличающийся тем, что откорректированное значение мощности реактора в конкретный момент времени по показаниям сборок блоков детектирования, расположенных вне реактора, определяют как усредненное значение корректированных значений мощностей, определяемых по показаниям каждого блока детектирования данной сборки с учетом показаний блоков детектирования, размещенных внутри реактора.

Акционерное общество «Российский концерн по производству электрической и тепловой энергии на атомных станциях» (АО «Концерн Росэнергоатом») (RU) Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (НИЦ «Курчатовский институт») (RU)

Изобретение относится к области механики и может быть использовано для крепления объектов. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение надежности удержания объектов на штатных местах при приложении к ним сил без использования крепежных устройств в виде резьбовых соединений или точных закладных конструкций, а также увеличение надежности и ресурса работы устройства. Устройство крепления содержит опорную площадку, расположенную внутри камеры, посадочные стержни и запорное устройство, которое включает в себя штангу с байонетными головками, расположенными с обоих концов штанги, размещенную внутри проходки, соединенную с одной стороны с байонетной втулкой, закрепляемой на прикрепляемом объекте, а с другой стороны соединенную с силовым устройством, опирающимся на внешний фланец проходки и включающим в себя силовую головку, внутри которой размещены поворотный механизм и байонетная поворотная втулка, прикрепленная к силовому узлу, выполненному в виде подвижного фланца, силового цилиндра и силовой фермы, а также винтовые домкраты, установленные между внешним фланцем и силовым подвижным фланцем. 1. Устройство крепления, содержащее опорную площадку, расположенную внутри камеры, посадочные стержни и запорное устройство, отличающееся тем, что запорное устройство включает в себя штангу с байонетными головками, расположенными с обоих концов штанги, размещенную внутри проходки, соединенную с одной стороны с байонетной втулкой, закрепляемой на прикрепляемом объекте, а с другой стороны соединенную с силовым устройством, опирающимся на внешний фланец проходки и включающим в себя силовую головку, внутри которой размещены поворотный механизм и байонетная поворотная втулка, прикрепленная к силовому узлу, выполненному в виде подвижного фланца, силового цилиндра и силовой фермы, а также винтовые домкраты, установленные между внешним фланцем и силовым подвижным фланцем. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что винтовые домкраты имеют привод в виде планетарных механизмов. 3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что между внешним фланцем и силовым подвижным фланцем установлен сильфон. 4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что снабжено защитой от излучений нейтронов, расположенной внутри и снаружи проходки. 5. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что байонетные втулки кассеты и поворотного устройства содержат наружные и внутренние вырезы. 6. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что содержит трубопровод откачки.

Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU), Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Получено синтетическое производное пептида фталил-глицил-аггинил-пиперидида, проявляющее антикоагулянтную активность, оцененную путем ингибирования амидолитической активности тромбина в системе in vitro, и удлинение времени свертывания плазмы крови крыс в 2 раза по сравнению с контролем в тестах активированного частичного тромбопластинового времени и тромбинового времени, и имеющее формулу 1, включая фармацевтически приемлемые соли. 2 табл., 1 ил.

Государственное учреждение гематологический научный центр Российской академии медицинских наук (ГУ ГНЦ РАМН) (RU), Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП ГосНИИгенетика) (RU)

Изобретение относится к способам получения жидкого литиевого стекла, используемого для создания терморегулируемых покрытий космических аппаратов нового поколения, а также в составах композиционных материалов, при изготовлении силикатных пленок, антибликовых покрытий. Способ осуществляют введением в предварительно нагретый водный раствор гидроксида лития кремниевой кислоты, содержащей 65-80 мас.% диоксида кремния, с последующим перемешиванием реакционной смеси при повышенной температуре и фильтрационной очисткой продукта реакции, при этом к 5,5-9,7%-ному водному раствору гидроксида лития, предварительно нагретому до 35-45°С, при постоянном повышении температуры реакционной массы со скоростью 1-3°С/мин при перемешивании добавляют порошкообразную кремниевую кислоту со скоростью 6,0-22,0 г/мин, после чего реакционную массу перемешивают при температуре 60-80°С до полного растворения кремниевой кислоты и раствор фильтруют при температуре 50-80°С при разрежении 0,2-0,5 атм. Покрытия, получаемые на основе такого литиевого стекла, обладают повышенной адгезией к подложкам, а также повышенной долговечностью, трещиностойкостью и стойкостью к факторам космического пространства. Способ получения литиевого жидкого стекла введением в предварительно нагретый водный раствор гидроксида лития кремниевой кислоты, содержащей 65-80 мас.% диоксида кремния, с последующим перемешиванием реакционной смеси при повышенной температуре и фильтрационной очисткой продукта реакции, отличающийся тем, что к 5,5-9,7%-ному водному раствору гидроксида лития, предварительно нагретому до 35-45°С, при постоянном повышении температуры реакционной массы со скоростью 1-3°С/мин при перемешивании добавляют порошкообразную кремниевую кислоту со скоростью 6,0-22,0 г/мин, после чего реакционную массу перемешивают при температуре 60-80°С до полного растворения кремниевой кислоты и раствор фильтруют при температуре 50-80°С при разрежении 0,2-0,5 атм.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ХИМИЧЕСКИХ РЕАКТИВОВ И ОСОБО ЧИСТЫХ ХИМИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ "ФГУП ИРЕА" (RU)

Изобретение может быть использовано для получения полупроводниковых соединений. Осуществляют термообработку треххлористого фосфора в паровой фазе при температуре 350-450°С на неорганических оксидных сорбентах, модифицированных редкоземельными элементами. Полученный пар конденсируют и конденсат подвергают ректификационной очистке. Далее осуществляют микрофильтрацию жидкого ректификата при температуре -85 - (-90°С) на полимерных микрофильтрах с размерами пор на уровне 0,2-0,5 мкм. Фильтрат испаряют в режиме беспузырькового кипения, а паровую фазу очищают микрофильтрацией при температуре 75-95°С. В качестве неорганических оксидных сорбентов используют сорбенты на основе оксида алюминия, оксида кремния, модифицированных редкоземельными элементами. Способ обеспечивает глубокую очистку треххлористого фосфора и позволяет получать продукт, содержащий примеси ряда элементов, например алюминия, галлия, железа, селена, серы, на уровне 1?(10-7-10-8) мас.% каждого. 1. Способ очистки треххлористого фосфора, включающий ректификационную обработку очищаемого продукта, отличающийся тем, что очищаемый треххлористый фосфор дополнительно подвергают предварительной термообработке в паровой фазе при 350-450°С на неорганических оксидных сорбентах, модифицированных редкоземельными элементами, затем пар конденсируют и конденсат очищают ректификацией, после чего жидкий ректификат очищают микрофильтрацией при температуре (-85)-(-90)°С, фильтрат испаряют в режиме беспузырькового кипения и очищают паровую фазу микрофильтрацией при температуре 75-95°С. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве неорганических оксидных сорбентов предпочтительно используют сорбенты на основе оксида алюминия, оксида кремния, модифицированных редкоземельными элементами. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что микрофильтрационную очистку проводят на полимерных фильтрах с размерами пор на уровне 0,2-0,5 мкм.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ХИМИЧЕСКИХ РЕАКТИВОВ И ОСОБО ЧИСТЫХ ХИМИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ "ФГУП ИРЕА" (RU)

Изобретение относится к химическому нанесению покрытий осаждением паров металлических соединений, используемых в микроэлектронике. Способ получения пленки диоксида кремния включает введение в реакционную зону тетраметоксисилана и кислорода в потоке инертного газа при объемном соотношении тетраметоксисилана к кислороду, равном 1:5-10. Разложение паров тетраметоксисилана в присутствии кислорода и осаждение пленки диоксида кремния на пластинах при температуре 380-500°С при атмосферном давлении в течение 10-30 минут. Осаждение проводят на кварцевых или кремниевых пластинах. Получается однородная пленка диоксида кремния, полученная с малыми затратами энергии и без применения токсичных веществ. 1. Способ получения пленки диоксида кремния, включающий введение в реакционную зону тетраметоксисилана и кислорода, разложение паров тетраметоксисилана в присутствии кислорода и осаждение пленки диоксида кремния на пластинах, отличающийся тем, что тетраметоксисилан и кислород вводят в реакционную зону в потоке инертного газа при объемном соотношении тетраметоксисилана к кислороду, равном 1:5-10, а осаждение пленки диоксида кремния на пластинах проводят при температуре 380-500°С при атмосферном давлении. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение проводят в течение 10-30 мин. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение проводят на кварцевых или кремниевых пластинах.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ХИМИЧЕСКИХ РЕАКТИВОВ И ОСОБО ЧИСТЫХ ХИМИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ "ФГУП ИРЕА" (RU)

Настоящее изобретение относится к способу получения цинкового комплекса динатриевой или дикалиевой соли гидроксиэтилидендифосфоновой кислоты, используемого в качестве ингибитора солеотложений и коррозии в сельском хозяйстве, в медицине и биологии. Предложенный способ осуществляется при использовании в качестве исходных продуктов гидроксиэтилидендифосфоновой кислоты, оксида цинка и гидроксида натрия или калия и отличается тем, что исходные продукты смешивают одновременно, добавляя оксид цинка и гидроксид натрия или калия к водному раствору гидроксиэтилидендифосфоновой кислоты в молярном соотношении, равном 1:2,2-2,6:1,1-1,3, после чего реакционную массу перемешивают до полного растворения, охлаждают, отфильтровывают осадок и получают водный раствор цинкового комплекса динатриевой или дикалиевой соли гидроксиэтилидендифосфоновой кислоты. Технический результат - разработка улучшенного способа получения цинкового комплекса динатриевой или дикалиевой соли гидроксиэтилидендифосфоновой кислоты в виде водного раствора. Способ получения водного раствора цинкового комплекса динатриевой или дикалиевой соли гидроксиэтилидендифосфоновой кислоты, осуществляемый при использовании в качестве исходных продуктов гидроксиэтилидендифосфоновой кислоты, оксида цинка и гидроксида натрия или калия, отличающийся тем, что исходные продукты смешивают одновременно, добавляя оксид цинка и гидроксид натрия или калия к водному раствору гидроксиэтилидендифосфоновой кислоты, причем исходные продукты используют в количестве, соответствующем молярному соотношению оксида цинка, гидроксида натрия или калия и гидроксиэтилидендифосфоновой кислоты, равному 1:2,2-2,6:1,1-1,3, после чего реакционную массу перемешивают до полного растворения, охлаждают и отфильтровывают осадок из водного раствора полученного целевого продукта.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ХИМИЧЕСКИХ РЕАКТИВОВ И ОСОБО ЧИСТЫХ ХИМИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ "ФГУП ИРЕА" (RU)