Изобретение относится к химическому нанесению покрытий осаждением паров металлических соединений, используемых в микроэлектронике. Способ получения пленки диоксида кремния включает введение в реакционную зону тетраметоксисилана и кислорода в потоке инертного газа при объемном соотношении тетраметоксисилана к кислороду, равном 1:5-10. Разложение паров тетраметоксисилана в присутствии кислорода и осаждение пленки диоксида кремния на пластинах при температуре 380-500°С при атмосферном давлении в течение 10-30 минут. Осаждение проводят на кварцевых или кремниевых пластинах. Получается однородная пленка диоксида кремния, полученная с малыми затратами энергии и без применения токсичных веществ. 1. Способ получения пленки диоксида кремния, включающий введение в реакционную зону тетраметоксисилана и кислорода, разложение паров тетраметоксисилана в присутствии кислорода и осаждение пленки диоксида кремния на пластинах, отличающийся тем, что тетраметоксисилан и кислород вводят в реакционную зону в потоке инертного газа при объемном соотношении тетраметоксисилана к кислороду, равном 1:5-10, а осаждение пленки диоксида кремния на пластинах проводят при температуре 380-500°С при атмосферном давлении.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение проводят в течение 10-30 мин.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение проводят на кварцевых или кремниевых пластинах.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение проводят в течение 10-30 мин.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение проводят на кварцевых или кремниевых пластинах.