+7 499 196 95 39
71
Патент 2627394
Изобретение относится к технологии получения новых многофункциональных фторидных материалов для фотоники и ионики твердого тела, оптического материаловедения, магнитооптики, систем оптической записи информации. Способ получения кристаллов дифторида европия (II) EuF2 осуществляют в две стадии, на первой из которых предварительно плавят EuF3 и для удаления примеси кислорода фторируют его расплав, после охлаждения расплава фторированный EuF3 перемалывают и смешивают с предварительно приготовленным кристаллическим порошком кремния (Si) для получения шихты нужного состава в соответствии с уравнением . На второй стадии полученную шихту плавят, гомогенизируют и кристаллизуют расплав шихты методом направленной кристаллизации с использованием фторсодержащей атмосферы, получая монокристаллические були дифторида европия EuF2. В качестве метода направленной кристаллизации используют, например, способ Бриджмена-Стокбаргера. Фторсодержащую атмосферу в процессе кристаллизации создают разложением гидрофторидов аммония или щелочноземельных элементов. На первой стадии порошок кремния может быть введен непосредственно в расплав EuF3 с помощью дозатора, обеспечивающего соблюдение заданного соотношения между EuF3 и кремнием. 3 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Изобретение относится к технологии получения новых многофункциональных фторидных материалов для фотоники и ионики твердого тела, оптического материаловедения, магнитооптики, систем оптической записи информации. Способ получения кристаллов дифторида европия (II) EuF2 осуществляют в две стадии, на первой из которых предварительно плавят EuF3 и для удаления примеси кислорода фторируют его расплав, после охлаждения расплава фторированный EuF3 перемалывают и смешивают с предварительно приготовленным кристаллическим порошком кремния (Si) для получения шихты нужного состава в соответствии с уравнением . На второй стадии полученную шихту плавят, гомогенизируют и кристаллизуют расплав шихты методом направленной кристаллизации с использованием фторсодержащей атмосферы, получая монокристаллические були дифторида европия EuF2. В качестве метода направленной кристаллизации используют, например, способ Бриджмена-Стокбаргера. Фторсодержащую атмосферу в процессе кристаллизации создают разложением гидрофторидов аммония или щелочноземельных элементов. На первой стадии порошок кремния может быть введен непосредственно в расплав EuF3 с помощью дозатора, обеспечивающего соблюдение заданного соотношения между EuF3 и кремнием. 3 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.
72
Патент 2775988
Изобретение относится к способу азотирования покрытий титана на твердой подложке. Способ включает воздействие на покрытие низкотемпературной плазмой азота атмосферного давления на открытом воздухе без его предварительного прогрева со среднемассовой температурой в диапазоне от 3727°С до 4727°С в течение 0,8-1,1 мин для получения покрытия твердостью 25,5-27 ГПа, имеющего гидрофильные свойства. В качестве источника плазмы применен плазмотрон постоянного тока. Технический результат заключается в получении покрытия, имеющего гидрофильные
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российкой академии наук" (ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН) (RU)
Изобретение относится к способу азотирования покрытий титана на твердой подложке. Способ включает воздействие на покрытие низкотемпературной плазмой азота атмосферного давления на открытом воздухе без его предварительного прогрева со среднемассовой температурой в диапазоне от 3727°С до 4727°С в течение 0,8-1,1 мин для получения покрытия твердостью 25,5-27 ГПа, имеющего гидрофильные свойства. В качестве источника плазмы применен плазмотрон постоянного тока. Технический результат заключается в получении покрытия, имеющего гидрофильные
73
Патент 2774163
Изобретение относится к неорганической химии, а именно к рекуперации отходов производства вольфрамата кадмия для выращивания кристаллов CdWO4, являющегося перспективным материалом для использования в спектроскопическом и радиометрическом оборудовании, компьютерной томографии и сцинтилляционных болометрах. Способ рекуперации отходов производства вольфрамата кадмия CdWO4 заключается в том, что сначала смешивают оксид кадмия с триоксидом вольфрама в стехиометрическом соотношении 1,13-1,15, нагревают полученную смесь до температуры 1000°С на воздухе с получением материала сверхстехиометрического состава CdzWO4 (z=1,13-1,15), а затем сплавляют его с отходами производства состава CdxWO4 (х=0,95-0,97), извлеченными из тигля после роста кристаллов, с последующей трехкратной перекристаллизацией расплава методом Чохральского с получением кристаллов стехиометрического состава CdWO4. Технический результат состоит в возможности безотходного промышленного выращивания кристаллов CdWO4 с минимальными потерями на переработку остаточного расплава. 5 пр., 2 ил.
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российкой академии наук" (ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН) (RU)
Изобретение относится к неорганической химии, а именно к рекуперации отходов производства вольфрамата кадмия для выращивания кристаллов CdWO4, являющегося перспективным материалом для использования в спектроскопическом и радиометрическом оборудовании, компьютерной томографии и сцинтилляционных болометрах. Способ рекуперации отходов производства вольфрамата кадмия CdWO4 заключается в том, что сначала смешивают оксид кадмия с триоксидом вольфрама в стехиометрическом соотношении 1,13-1,15, нагревают полученную смесь до температуры 1000°С на воздухе с получением материала сверхстехиометрического состава CdzWO4 (z=1,13-1,15), а затем сплавляют его с отходами производства состава CdxWO4 (х=0,95-0,97), извлеченными из тигля после роста кристаллов, с последующей трехкратной перекристаллизацией расплава методом Чохральского с получением кристаллов стехиометрического состава CdWO4. Технический результат состоит в возможности безотходного промышленного выращивания кристаллов CdWO4 с минимальными потерями на переработку остаточного расплава. 5 пр., 2 ил.
74
Патент 2363068
Изобретение относится к методам создания объемных композиционных структур путем изменения по заданному рисунку свойств вещества исходной заготовки и может найти применение в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем различного назначения, средств хранения информации. Сущность изобретения: способ формирования композиционной структуры включает одновременное воздействие на выбранные участки исходного вещества двух потоков ускоренных частиц, первый из которых состоит из атомов или ионов водорода, с энергией, приводящей к замене выбранного сорта атомов в исходном веществе на атомы, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, или к присоединению атомов, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, к атомам исходного вещества в слое, толщина которого соответствует длине проективного пробега ускоренных ионов или атомов водорода, при этом у замещающих атомов химическое сродство должно быть больше к атомам, остающимся в исходном веществе, чем у заменяемых, а химическое сродство у присоединяемых атомов к атомам исходного вещества должно быть больше, чем у атомов водорода. Техническим результатом изобретения является расширение номенклатуры типов двух- или многоатомных химических соединений, используемых в качестве рабочих слоев и номенклатуры создаваемых композиционных структур с различными химическими и физическими свойствами. 2 з.п. ф-лы, 4 табл.
Федеральное Государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (РНЦ "Курчатовский институт") (RU)
Изобретение относится к методам создания объемных композиционных структур путем изменения по заданному рисунку свойств вещества исходной заготовки и может найти применение в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем различного назначения, средств хранения информации. Сущность изобретения: способ формирования композиционной структуры включает одновременное воздействие на выбранные участки исходного вещества двух потоков ускоренных частиц, первый из которых состоит из атомов или ионов водорода, с энергией, приводящей к замене выбранного сорта атомов в исходном веществе на атомы, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, или к присоединению атомов, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, к атомам исходного вещества в слое, толщина которого соответствует длине проективного пробега ускоренных ионов или атомов водорода, при этом у замещающих атомов химическое сродство должно быть больше к атомам, остающимся в исходном веществе, чем у заменяемых, а химическое сродство у присоединяемых атомов к атомам исходного вещества должно быть больше, чем у атомов водорода. Техническим результатом изобретения является расширение номенклатуры типов двух- или многоатомных химических соединений, используемых в качестве рабочих слоев и номенклатуры создаваемых композиционных структур с различными химическими и физическими свойствами. 2 з.п. ф-лы, 4 табл.
75
Патент 2404479
Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур с помощью потока ускоренных частиц и может быть использовано в нанотехнологиях, микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем и запоминающих устройств. Способ формирования проводящей структуры в диэлектрической матрице включает нанесение маски с отверстиями, образующими требуемый рисунок, на пленку или заготовку окисла металла или полупроводника, облучение маски (заготовки) потоком ускоренных протонов или атомов водорода и последующее воздействие на облученные участки кислородом, при этом отверстия в маске выполняют с аспектным соотношением, обеспечивающим получение элементов структуры меньшего размера, чем поперечный размер отверстий в маске. Изобретение направлено на создание условий, обеспечивающих формирование элементов структуры с размерами, существенно меньшими размеров отверстий в маске, включая создание элементов с размерами ~1 нм. 3 з.п. ф-лы, 5 табл., 1 ил.
Федеральное Государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (РНЦ "Курчатовский институт") (RU)
Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур с помощью потока ускоренных частиц и может быть использовано в нанотехнологиях, микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем и запоминающих устройств. Способ формирования проводящей структуры в диэлектрической матрице включает нанесение маски с отверстиями, образующими требуемый рисунок, на пленку или заготовку окисла металла или полупроводника, облучение маски (заготовки) потоком ускоренных протонов или атомов водорода и последующее воздействие на облученные участки кислородом, при этом отверстия в маске выполняют с аспектным соотношением, обеспечивающим получение элементов структуры меньшего размера, чем поперечный размер отверстий в маске. Изобретение направлено на создание условий, обеспечивающих формирование элементов структуры с размерами, существенно меньшими размеров отверстий в маске, включая создание элементов с размерами ~1 нм. 3 з.п. ф-лы, 5 табл., 1 ил.
76
Патент 2396361
Изобретение относится к восстановлению физико-механических свойств металла корпусов энергетических реакторов. Для упрощения процесса восстановления физико-механических свойств после воздействия эксплуатационных факторов, снижения градиентов температур и количества дефектов в металле корпуса водо-водяного энергетического реактора (ВВЭР)-100 осуществляют теплоизоляцию наружной стенки корпуса, размещают нагреватели внутри корпуса, нагревают стенки корпуса со стороны внутренней поверхности, выдерживают и охлаждают, при этом нагрев ведут до температуры 400-580°С со скоростью не более 20 град/ч, выдержку осуществляют в течение 100-150 часов при градиенте температур между наружной и внутренней поверхностями корпуса не более 15°С, охлаждение ведут со скоростью 20 град/ч до температуры 300°С и со скоростью 30 град/ч до температуры 100°С и далее с выключенными нагревателями
Федеральное Государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (РНЦ "Курчатовский институт") (RU)
Изобретение относится к восстановлению физико-механических свойств металла корпусов энергетических реакторов. Для упрощения процесса восстановления физико-механических свойств после воздействия эксплуатационных факторов, снижения градиентов температур и количества дефектов в металле корпуса водо-водяного энергетического реактора (ВВЭР)-100 осуществляют теплоизоляцию наружной стенки корпуса, размещают нагреватели внутри корпуса, нагревают стенки корпуса со стороны внутренней поверхности, выдерживают и охлаждают, при этом нагрев ведут до температуры 400-580°С со скоростью не более 20 град/ч, выдержку осуществляют в течение 100-150 часов при градиенте температур между наружной и внутренней поверхностями корпуса не более 15°С, охлаждение ведут со скоростью 20 град/ч до температуры 300°С и со скоростью 30 град/ч до температуры 100°С и далее с выключенными нагревателями
77
Патент 2414021
Нет на ФИПС
Федеральное Государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (РНЦ "Курчатовский институт") (RU)
Нет на ФИПС
78
Патент 2415486
Изобретение относится к способам трансмутации долгоживущих радиоактивных нуклидов, в том числе возникающих в облученном ядерном топливе, а также к способам производства необходимых радиоизотопов из доступных нуклидов. Материал распределяется в рассеивающей нейтроны среде, примыкающей к нейтронному источнику или окружающей источник, и подвергается воздействию нейтронного потока. Рассеивающая нейтроны среда и источник совместно окружаются отражателем-замедлителем нейтронов, а также поглотителем нейтронов. Для формирования нейтронных потоков используются реакции синтеза, протекающие в токамаке. Рассеивающая нейтроны среда прозрачна для нейтронов и устроена таким образом, что нейтронное рассеяние значительно увеличивает нейтронный поток, воздействующий на трансмутируемый материал. Использование в качестве рассеивающей среды тяжелых элементов, таких как свинец и висмут с добавками лития, обеспечивает изменение спектра нейтронов в ней, в том числе постепенное замедление термоядерных нейтронов с медленным смещением вниз по энергетическому спектру, что делает возможными эффективные резонансные захваты нейтронов в облучаемом материале, а также оптимизирует наработку трития, необходимого для реакции синтеза дейтерия и трития. Технический результат - повышение эффективности трансмутации долгоживущих радиоактивных нуклидов.
Федеральное государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (RU)
Изобретение относится к способам трансмутации долгоживущих радиоактивных нуклидов, в том числе возникающих в облученном ядерном топливе, а также к способам производства необходимых радиоизотопов из доступных нуклидов. Материал распределяется в рассеивающей нейтроны среде, примыкающей к нейтронному источнику или окружающей источник, и подвергается воздействию нейтронного потока. Рассеивающая нейтроны среда и источник совместно окружаются отражателем-замедлителем нейтронов, а также поглотителем нейтронов. Для формирования нейтронных потоков используются реакции синтеза, протекающие в токамаке. Рассеивающая нейтроны среда прозрачна для нейтронов и устроена таким образом, что нейтронное рассеяние значительно увеличивает нейтронный поток, воздействующий на трансмутируемый материал. Использование в качестве рассеивающей среды тяжелых элементов, таких как свинец и висмут с добавками лития, обеспечивает изменение спектра нейтронов в ней, в том числе постепенное замедление термоядерных нейтронов с медленным смещением вниз по энергетическому спектру, что делает возможными эффективные резонансные захваты нейтронов в облучаемом материале, а также оптимизирует наработку трития, необходимого для реакции синтеза дейтерия и трития. Технический результат - повышение эффективности трансмутации долгоживущих радиоактивных нуклидов.
79
Патент 2392698
Изобретение относится к каталитической химии, а именно к способам изготовления мембранно-электродных блоков (МЭБ) с бифункциональными электрокаталитическими слоями на основе металлов платиновой группы, предназначенных для использования в обратимых (регенеративных) топливных элементах с твердым полимерным электролитом (ТПЭ). Согласно изобретению способ изготовления МЭБ заключается в послойном нанесении на мембрану электрокаталитических слоев на основе металлов платиновой группы и протонообменного полимера, газодиффузионных электродов и горячем прессовании указанных слоев при температуре 120-125°С, давлении 50-60 кг/см2 в течение 5-10 минут. Со стороны анода наносят двухслойный электрокаталитический слой, первый - на основе иридия и протонообменного полимера, второй - из платины и протонообменного полимера, и газодиффузионный электрод из пористого титана, а со стороны катода - электрокаталитические слои, состоящие из Pt на углеродном носителе с различным содержанием фторопласта и протонообменного полимера, и газодиффузионный электрод на основе пористого углеродного материала, в качестве которого могут быть использованы углеродная бумага, ткань, войлок. Техническим результатом является снижение расхода металлов платиновой группы, повышение напряжения в режиме топливного элемента, снижение напряжения в режиме электролиза, повышение стабильности обратимого топливного элемента. 8 з.п. ф-лы.
Федеральное государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (RU)
Изобретение относится к каталитической химии, а именно к способам изготовления мембранно-электродных блоков (МЭБ) с бифункциональными электрокаталитическими слоями на основе металлов платиновой группы, предназначенных для использования в обратимых (регенеративных) топливных элементах с твердым полимерным электролитом (ТПЭ). Согласно изобретению способ изготовления МЭБ заключается в послойном нанесении на мембрану электрокаталитических слоев на основе металлов платиновой группы и протонообменного полимера, газодиффузионных электродов и горячем прессовании указанных слоев при температуре 120-125°С, давлении 50-60 кг/см2 в течение 5-10 минут. Со стороны анода наносят двухслойный электрокаталитический слой, первый - на основе иридия и протонообменного полимера, второй - из платины и протонообменного полимера, и газодиффузионный электрод из пористого титана, а со стороны катода - электрокаталитические слои, состоящие из Pt на углеродном носителе с различным содержанием фторопласта и протонообменного полимера, и газодиффузионный электрод на основе пористого углеродного материала, в качестве которого могут быть использованы углеродная бумага, ткань, войлок. Техническим результатом является снижение расхода металлов платиновой группы, повышение напряжения в режиме топливного элемента, снижение напряжения в режиме электролиза, повышение стабильности обратимого топливного элемента. 8 з.п. ф-лы.
80
Патент 2386186
Изобретение относится к области получения структур, например, элементов памяти, необходимых для использования в микроэлектронике, системотехнике. Сущность изобретения: способ получения ферромагнитного кремния для изделий спинтроники заключается в поочередном осаждении в вакууме слоев кремния и переходного 3d металла на подложку, при этом осаждение проводят из лазерной плазмы, подученной импульсным лазерным испарением мишеней из соответствующего материала. Подложку устанавливают в периферийной части потоков испаряемых материалов, а осаждение слоев проводят при взаимном перемещении мишеней и подложки относительно друг друга. Толщину напыляемых слоев и относительное содержание металла регулируют изменением потоков лазерного излучения на каждую мишень. Облучение каждой мишени ведут своим источником импульсного лазерного излучения, а при использовании одной лазерной установки с помощью оптических призм и фокусирующих линз формируют два независимых потока лазерного излучения. Изобретение обеспечивает получение ферромагнитного кремния с аномальным эффектом Холла, с сигналом намагниченности при комнатной температуре при удешевлении способа. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.
Федеральное государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (RU)
Изобретение относится к области получения структур, например, элементов памяти, необходимых для использования в микроэлектронике, системотехнике. Сущность изобретения: способ получения ферромагнитного кремния для изделий спинтроники заключается в поочередном осаждении в вакууме слоев кремния и переходного 3d металла на подложку, при этом осаждение проводят из лазерной плазмы, подученной импульсным лазерным испарением мишеней из соответствующего материала. Подложку устанавливают в периферийной части потоков испаряемых материалов, а осаждение слоев проводят при взаимном перемещении мишеней и подложки относительно друг друга. Толщину напыляемых слоев и относительное содержание металла регулируют изменением потоков лазерного излучения на каждую мишень. Облучение каждой мишени ведут своим источником импульсного лазерного излучения, а при использовании одной лазерной установки с помощью оптических призм и фокусирующих линз формируют два независимых потока лазерного излучения. Изобретение обеспечивает получение ферромагнитного кремния с аномальным эффектом Холла, с сигналом намагниченности при комнатной температуре при удешевлении способа. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.