Изобретение относится к области получения структур, например, элементов памяти, необходимых для использования в микроэлектронике, системотехнике. Сущность изобретения: способ получения ферромагнитного кремния для изделий спинтроники заключается в поочередном осаждении в вакууме слоев кремния и переходного 3d металла на подложку, при этом осаждение проводят из лазерной плазмы, подученной импульсным лазерным испарением мишеней из соответствующего материала. Подложку устанавливают в периферийной части потоков испаряемых материалов, а осаждение слоев проводят при взаимном перемещении мишеней и подложки относительно друг друга. Толщину напыляемых слоев и относительное содержание металла регулируют изменением потоков лазерного излучения на каждую мишень. Облучение каждой мишени ведут своим источником импульсного лазерного излучения, а при использовании одной лазерной установки с помощью оптических призм и фокусирующих линз формируют два независимых потока лазерного излучения. Изобретение обеспечивает получение ферромагнитного кремния с аномальным эффектом Холла, с сигналом намагниченности при комнатной температуре при удешевлении способа. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.