Изобретения

"1. Сердечный каркас для пассивной поддержки миокарда, отличающийся тем, что выполнен в виде монолитной оболочки, форма которой соответствует внешней поверхности миокарда, оболочка получена посредством литья или напыления и состоит из сегментов, которые получены путем удаления материала оболочки с образованием полостей, а сегменты включают сквозные каналы, в которых перпендикулярно боковой поверхности сегментов размещены эластичные нити, выполненные с возможностью задания локальной жесткости в областях каркаса. 2. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что количество сегментов сердечного каркаса равно по меньше мере трем. 3. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что каждый сегмент имеет по меньшей мере по три сквозных канала. 4. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что монолитная оболочка выполнена многослойной. 5. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что сегменты и эластичные нити выполнены многослойными. 6. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что полости представляют собой прорези в форме квадрата, ромба, эллипса, круга, прямоугольника, причем острые углы сглажены закруглением. 7. Сердечный каркас по п. 6, отличающийся тем, что полости получены насечками. 8. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что эластичные нити имеют сгущения и разряжения в направлении к центру сетки и от центра сетки по радиусу. 9. Сердечный каркас по п. 1, отличающийся тем, что прорези нанесены на сегменты со сгущением и разряжением."

"1. Гибкий мемристор кроссбар-структуры на основе поли-n-ксилилена, представляющий собой структуру, которая содержит в качестве основы поли-хлор-пара-ксилилен с толщиной слоя 1-20 мкм, в качестве нижнего электрода, расположенного в верхней части основы, двухслойную металлическую пленку, выбранную из хром/золота, с толщиной слоя от 10 нм/100 нм до 30 нм/700 нм, в качестве верхнего электрода металлическую пленку, выполненную из меди, с толщиной слоя 200-500 нм, а в качестве диэлектрического слоя поли-n-ксилилен с толщиной слоя 100-300 нм, при этом диэлектрический слой расположен между нижним и верхним электродами. 2. Гибкий мемристор по п. 1, отличающийся тем, что нижние и верхние электроды расположены перпендикулярно по отношению друг к другу. 3. Способ изготовления механически гибкого мемристора кроссбар-структуры на основе поли-n-ксилилена по п. 1, включающий нанесение на подложку поли-хлор-пара-ксилилена с толщиной слоя 1-20 мкм, который служит основой гибкого мемристора, формирование на верхней части основы нижнего электрода из двухслойной металлической пленки, выполненной из хром/золота методом оптической литографии и напыления, с толщиной слоя 10 нм/100 нм до 30 нм/700 нм, осаждение диэлектрического слоя из поли-n-ксилилена с толщиной слоя от 100-300 нм, выступающего в качестве диэлектрической части, нанесение на верхнюю часть диэлектрического слоя верхнего электрода, выполненного из меди, с толщиной слоя 200-500 нм через теневую маску и извлечение структуры с подложки для получения механически гибкого мемристора кроссбар-структуры. 4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что в качестве подложки используется стекло или SiO/Si."