+7 499 196 95 39
601
Патент 2698830
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов полупроводников вертикальным методом Бриджмена. Устройство содержит корпус 1 с размещенной внутри него теплоизоляцией 2, два последовательно установленных нагревателя 3, 5 и тигель 6 с рабочей камерой, имеющий возможность осевого перемещения, при этом устройство дополнительно содержит третий - средний нагреватель 4 высотой hс, установленный в зазоре между теплоизоляцией 2 и нагревателями 3, 5, имеющими одинаковые внутренние dв и внешние dн диаметры, симметрично плоскости соприкосновения нижнего 5 и верхнего 3 нагревателей, причем общая высота hвн верхнего 3 и нижнего 5 нагревателей составляет 1,5Н-2Н, внутренний диаметр dв - 1,1D-1,2D, внешний диаметр dн - 1,4D-1,5D, а высота третьего нагревателя hс составляет 0,25Н-0,5Н, его внутренний диаметр Dв - 1,55D-1,65D, и внешний диаметр Dн - 1,85D-1,95D, где Н - высота рабочей камеры тигля, a D - внешний диаметр тигля. Изобретение позволяет получать кристаллы высокого качества за счет обеспечения равномерного и регулируемого температурного поля в области контакта нагревателей. 1 ил., 1 пр.
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов полупроводников вертикальным методом Бриджмена. Устройство содержит корпус 1 с размещенной внутри него теплоизоляцией 2, два последовательно установленных нагревателя 3, 5 и тигель 6 с рабочей камерой, имеющий возможность осевого перемещения, при этом устройство дополнительно содержит третий - средний нагреватель 4 высотой hс, установленный в зазоре между теплоизоляцией 2 и нагревателями 3, 5, имеющими одинаковые внутренние dв и внешние dн диаметры, симметрично плоскости соприкосновения нижнего 5 и верхнего 3 нагревателей, причем общая высота hвн верхнего 3 и нижнего 5 нагревателей составляет 1,5Н-2Н, внутренний диаметр dв - 1,1D-1,2D, внешний диаметр dн - 1,4D-1,5D, а высота третьего нагревателя hс составляет 0,25Н-0,5Н, его внутренний диаметр Dв - 1,55D-1,65D, и внешний диаметр Dн - 1,85D-1,95D, где Н - высота рабочей камеры тигля, a D - внешний диаметр тигля. Изобретение позволяет получать кристаллы высокого качества за счет обеспечения равномерного и регулируемого температурного поля в области контакта нагревателей. 1 ил., 1 пр.
602
Патент 2829050
Изобретение относится к области создания линейных ускорителей заряженных частиц и представляет собой ускоряющую структуру линейного резонансного ускорителя . Ускоряющая структура с пространственно-однородной квадрупольной фокусировкой линейного резонансного ускорителя выполнена на основе 4-камерного резонатора с системой составных электродов внутри корпуса резонатора. Каждый электрод , установленный внутри корпуса резонатора, разделен вдоль продольной оси на две части - верхнюю часть, расположенную вблизи приосевой области резонатора и обеспечивающую ускорение выбранного типа заряженных частиц, и нижнюю часть, крепящуюся к корпусу резонатора и несущую опорную функцию для закрепленной на ней верхней части электрода . Причем верхняя часть электрода составляет 10-20% от массы и/или объема всего электрода , а нижняя часть электрода составляет 80-90% от массы и/или объема всего электрода , соответственно, где верхняя и нижняя части электрода непосредственно соединены между собой разъемным токопроводящим соединением. Технический результат предложенного изобретения состоит в обеспечении возможности ускорения в одной и той же ускоряющей структуре заряженных частиц, в частности ионов, с различным отношением заряда к массе с сохранением основной части резонансной системы. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 5 ил., 2 табл.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Изобретение относится к области создания линейных ускорителей заряженных частиц и представляет собой ускоряющую структуру линейного резонансного ускорителя . Ускоряющая структура с пространственно-однородной квадрупольной фокусировкой линейного резонансного ускорителя выполнена на основе 4-камерного резонатора с системой составных электродов внутри корпуса резонатора. Каждый электрод , установленный внутри корпуса резонатора, разделен вдоль продольной оси на две части - верхнюю часть, расположенную вблизи приосевой области резонатора и обеспечивающую ускорение выбранного типа заряженных частиц, и нижнюю часть, крепящуюся к корпусу резонатора и несущую опорную функцию для закрепленной на ней верхней части электрода . Причем верхняя часть электрода составляет 10-20% от массы и/или объема всего электрода , а нижняя часть электрода составляет 80-90% от массы и/или объема всего электрода , соответственно, где верхняя и нижняя части электрода непосредственно соединены между собой разъемным токопроводящим соединением. Технический результат предложенного изобретения состоит в обеспечении возможности ускорения в одной и той же ускоряющей структуре заряженных частиц, в частности ионов, с различным отношением заряда к массе с сохранением основной части резонансной системы. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 5 ил., 2 табл.
603
Патент 2828277
Изобретение относится к области биотехнологии. Предложен трансформант дрожжей Komagataella phaffii, продуцирующих химозин Vicugna pacos в активной форме, содержащий в хромосомной ДНК оптимизированный синтетический ген прохимозина альпака Vicugna pacos, нуклеотидная последовательность которого приведена в перечне последовательностей под номером SEQ ID NO: 1, и ген ScHAC1 из Saccharomyces cerevisiae. Также предложен штамм Komagataella phaffii N509 ВКПМ Y-5150, являющийся продуцентом рекомбинантного химозина альпака Vicugna pacos в активной форме. Изобретение обеспечивает расширение арсенала дрожжевых рекомбинантных микроорганизмов, продуцирующих химозин альпака Vicugna pacos в активной форме. 2 н.п. ф-лы, 2 ил., 5 табл., 4 пр.
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
Изобретение относится к области биотехнологии. Предложен трансформант дрожжей Komagataella phaffii, продуцирующих химозин Vicugna pacos в активной форме, содержащий в хромосомной ДНК оптимизированный синтетический ген прохимозина альпака Vicugna pacos, нуклеотидная последовательность которого приведена в перечне последовательностей под номером SEQ ID NO: 1, и ген ScHAC1 из Saccharomyces cerevisiae. Также предложен штамм Komagataella phaffii N509 ВКПМ Y-5150, являющийся продуцентом рекомбинантного химозина альпака Vicugna pacos в активной форме. Изобретение обеспечивает расширение арсенала дрожжевых рекомбинантных микроорганизмов, продуцирующих химозин альпака Vicugna pacos в активной форме. 2 н.п. ф-лы, 2 ил., 5 табл., 4 пр.
604
Патент 2808945
Изобретение относится к рентгеновской оптике. Способ управления угловой расходимостью рентгеновского излучения, включающий воздействие на дифракционный элемент, при этом пучок монохроматичного рентгеновского излучения после прохождения через щелевую диафрагму подают на дифракционный элемент, в качестве которого применяют магнитоупорядоченный кристалл, выполненный из бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, и изменяют угловые параметры рентгеновского излучения путем приложения к дифракционному элементу внешнего магнитного поля различной напряженности. Технический результат – повышение точности измерений. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Изобретение относится к рентгеновской оптике. Способ управления угловой расходимостью рентгеновского излучения, включающий воздействие на дифракционный элемент, при этом пучок монохроматичного рентгеновского излучения после прохождения через щелевую диафрагму подают на дифракционный элемент, в качестве которого применяют магнитоупорядоченный кристалл, выполненный из бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, и изменяют угловые параметры рентгеновского излучения путем приложения к дифракционному элементу внешнего магнитного поля различной напряженности. Технический результат – повышение точности измерений. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
605
Патент 2771457
Изобретение относится к области радиационно-химической обработки кристаллических материалов. Способ травления поверхности сапфировых пластин включает обработку электронным пучком, предварительно на поверхность сапфира наносят слой золота толщиной 100?120 нм, отжигают полученный композит на воздухе при температуре 600?700°С, в течение 120?180 минут для формирования дискретной структуры наночастиц золота, а затем облучают поверхность непрерывным пучком электронов с энергией в диапазоне Е?40?70 кэВ, в течение 2?5 мин. Изобретение обеспечивает возможность формирования субмикронного рельефа на сверхгладкой поверхности сапфировых пластин. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Изобретение относится к области радиационно-химической обработки кристаллических материалов. Способ травления поверхности сапфировых пластин включает обработку электронным пучком, предварительно на поверхность сапфира наносят слой золота толщиной 100?120 нм, отжигают полученный композит на воздухе при температуре 600?700°С, в течение 120?180 минут для формирования дискретной структуры наночастиц золота, а затем облучают поверхность непрерывным пучком электронов с энергией в диапазоне Е?40?70 кэВ, в течение 2?5 мин. Изобретение обеспечивает возможность формирования субмикронного рельефа на сверхгладкой поверхности сапфировых пластин. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
606
Патент 2499311
Изобретение относится к реакторной технологии получения радионуклидов для ядерной медицины. В заявленном способе получения радионуклида 228Th, включающем облучение мишени, в качестве материала мишени берут природный изотоп тория 230Th, мишень размещают в линейный ускоритель электронов и облучают ?-квантами тормозного излучения, и в процессе пороговой ядерной реакции 230Th(?,2n)228Th накапливают в ней целевой радионуклид 228Th. В качестве материала мишени могут быть использованы соединения 230ThF4 или 230ThO2 или металлический 230Th. Технический результат заключается в получении ?-излучающих нуклидов, позволяющем ликвидировать дефицит терапевтических ?-излучателей на рынке медицинских радионуклидов и обеспечить удовлетворение растущих потребностей в будущем. Способ получения радионуклида торий-228, включающий облучение мишени, отличающийся тем, что в качестве материала мишени берут природный изотоп тория - 230Th, мишень размещают в электронном ускорителе, облучают ?-квантами тормозного излучения ускорителя, где в процессе пороговой ядерной реакции 230Th(?,2n)228Th накапливают в мишени целевой радионуклид торий-228.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Способ получения радионуклида торий-228, включающий облучение мишени, отличающийся тем, что в качестве материала мишени берут природный изотоп тория - 230Th, мишень размещают в электронном ускорителе, облучают ?-квантами тормозного излучения ускорителя, где в процессе пороговой ядерной реакции 230Th(?,2n)228Th накапливают в мишени целевой радионуклид торий-228.
607
Патент 2808903
Изобретение относится к области нанооксидных материалов, конкретно к методу получения нанопорошка триоксида молибдена, применяемого для изготовления сцинтилляторов сложного состава, как катализатора для селективного окисления в качестве присадки в масла для снижения трения и как промежуточного продукта для получения тонких прозрачных оксидных пленок. Способ получения нанопорошка MoO3 в реакторе путем испарения порошка MoO3 и осаждения его паров на подложку характеризуется тем, что реактор, внутри которого размещена подложка с порошком MoO3, заполняют гелием под давлением 6-8 МПа, нагревают порошок до 650-700°C в течение 10-20 минут, а затем охлаждают до комнатной температуры и извлекают из реактора. Техническим результатом изобретения является обеспечение способа изготовления целевого материала с диаметром стержней 5-10 нм на простом по конструкции оборудовании. 2 ил., 6 пр.
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Изобретение относится к области нанооксидных материалов, конкретно к методу получения нанопорошка триоксида молибдена, применяемого для изготовления сцинтилляторов сложного состава, как катализатора для селективного окисления в качестве присадки в масла для снижения трения и как промежуточного продукта для получения тонких прозрачных оксидных пленок. Способ получения нанопорошка MoO3 в реакторе путем испарения порошка MoO3 и осаждения его паров на подложку характеризуется тем, что реактор, внутри которого размещена подложка с порошком MoO3, заполняют гелием под давлением 6-8 МПа, нагревают порошок до 650-700°C в течение 10-20 минут, а затем охлаждают до комнатной температуры и извлекают из реактора. Техническим результатом изобретения является обеспечение способа изготовления целевого материала с диаметром стержней 5-10 нм на простом по конструкции оборудовании. 2 ил., 6 пр.
608
Патент 2456690
Изобретение относится к области ядерной энергетики, в частности к очистке теплоносителя тяжеловодных реакторов от трития. Техническим результатом является поддержание содержания трития в тяжеловодном теплоносителе ядерного реактора на низком уровне, что позволит снизить радиационную опасность и увеличить срок непрерывной работы тяжеловодных реакторов. Производят непрерывный отбор части теплоносителя из контура реактора и возврат очищенного от трития теплоносителя в контур реактора, при этом отобранный поток разделяют на две части. Одну часть направляют в электролизер, где разлагают на водород и кислород. Полученный водород направляют в колонку разделения изотопов, а кислород направляют в сжигатель. Вторую часть теплоносителя испаряют и направляют полученный водяной пар в колонку разделения изотопов, где проводят разделение водорода по изотопному составу с выделением тяжелой компоненты, содержащей тритий. Тяжелую компоненту отводят для дальнейшей переработки, а легкую компоненту водорода, состоящую из дейтерия с уменьшенным содержанием трития, направляют в сжигатель, где окисляют кислородом с образованием тяжелой воды, которую конденсируют после сжигателя и возвращают в контур реактора. Сконденсированную в колонке разделения изотопов вторую часть теплоносителя также возвращают в контур реактора. 1 ил.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Изобретение относится к области ядерной энергетики, в частности к очистке теплоносителя тяжеловодных реакторов от трития. Техническим результатом является поддержание содержания трития в тяжеловодном теплоносителе ядерного реактора на низком уровне, что позволит снизить радиационную опасность и увеличить срок непрерывной работы тяжеловодных реакторов. Производят непрерывный отбор части теплоносителя из контура реактора и возврат очищенного от трития теплоносителя в контур реактора, при этом отобранный поток разделяют на две части. Одну часть направляют в электролизер, где разлагают на водород и кислород. Полученный водород направляют в колонку разделения изотопов, а кислород направляют в сжигатель. Вторую часть теплоносителя испаряют и направляют полученный водяной пар в колонку разделения изотопов, где проводят разделение водорода по изотопному составу с выделением тяжелой компоненты, содержащей тритий. Тяжелую компоненту отводят для дальнейшей переработки, а легкую компоненту водорода, состоящую из дейтерия с уменьшенным содержанием трития, направляют в сжигатель, где окисляют кислородом с образованием тяжелой воды, которую конденсируют после сжигателя и возвращают в контур реактора. Сконденсированную в колонке разделения изотопов вторую часть теплоносителя также возвращают в контур реактора. 1 ил.
609
Патент 2790304
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для изготовления генераторов и приемников терагерцового излучения. Пролетный диод с переменной инжекцией для генерации и детектирования терагерцового излучения, в котором на полупроводниковой подложке формируются области сильного однотипного легирования с одинаковыми по ширине нелегированными пролетными промежутками между ними, причем на крайние легированные области накладываются выходные металлические контакты диода с отступлением от края зоны легирования, что улучшает согласование диода с антенной, повышает мощность генерации и увеличивает чувствительность детектирования излучения. Технический результат: предлагаемая конструкция пролетного диода обеспечивает согласование его с антенной, повышает мощность генерации и чувствительность детектирования. 4 ил.
ФТИАН
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для изготовления генераторов и приемников терагерцового излучения. Пролетный диод с переменной инжекцией для генерации и детектирования терагерцового излучения, в котором на полупроводниковой подложке формируются области сильного однотипного легирования с одинаковыми по ширине нелегированными пролетными промежутками между ними, причем на крайние легированные области накладываются выходные металлические контакты диода с отступлением от края зоны легирования, что улучшает согласование диода с антенной, повышает мощность генерации и увеличивает чувствительность детектирования излучения. Технический результат: предлагаемая конструкция пролетного диода обеспечивает согласование его с антенной, повышает мощность генерации и чувствительность детектирования. 4 ил.
610
Патент 2778110
Изобретение относится к конструкции узла мишени в нейтронопродуцирующих устройствах на основе ускорителя протонов. Устройство нейтронопродуцирующего мишенного узла содержит неподвижную вакуумную камеру со входом для пучка протонов и выходом для пучка генерируемых нейтронов, вращающийся внутри нее полый барабан с бериллиевым кольцом, установленным на его торце на пути пучка протонов. Барабан выполнен с осевой трубой, закрепленной с возможностью вращения в отверстиях вакуумной камеры, а через эту трубу осуществлен ввод в барабан и вывод из барабана охлаждающей бериллиевое кольцо жидкости. Соосно с осевой трубой внутри вращающегося барабана установлена неподвижная крыльчатка, выполненная с возможностью направления потока охлаждающей жидкости на обращенную внутрь барабана поверхность бериллиевого кольца, а также с возможностью препятствования вращению объема охлаждающей жидкости вместе с барабаном. Техническим результатом является создание простого, в том числе и в эксплуатации, и компактного нейтронопродуцирующего мишенного узла с динамической мишенью и эффективной системой охлаждения простой конструкции, не требующей предварительной обработки мишени. 11 з.п. ф-лы, 1 ил.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (RU)
Изобретение относится к конструкции узла мишени в нейтронопродуцирующих устройствах на основе ускорителя протонов. Устройство нейтронопродуцирующего мишенного узла содержит неподвижную вакуумную камеру со входом для пучка протонов и выходом для пучка генерируемых нейтронов, вращающийся внутри нее полый барабан с бериллиевым кольцом, установленным на его торце на пути пучка протонов. Барабан выполнен с осевой трубой, закрепленной с возможностью вращения в отверстиях вакуумной камеры, а через эту трубу осуществлен ввод в барабан и вывод из барабана охлаждающей бериллиевое кольцо жидкости. Соосно с осевой трубой внутри вращающегося барабана установлена неподвижная крыльчатка, выполненная с возможностью направления потока охлаждающей жидкости на обращенную внутрь барабана поверхность бериллиевого кольца, а также с возможностью препятствования вращению объема охлаждающей жидкости вместе с барабаном. Техническим результатом является создание простого, в том числе и в эксплуатации, и компактного нейтронопродуцирующего мишенного узла с динамической мишенью и эффективной системой охлаждения простой конструкции, не требующей предварительной обработки мишени. 11 з.п. ф-лы, 1 ил.