Изобретение относится к области радиационно-химической обработки кристаллических материалов. Способ травления поверхности сапфировых пластин включает обработку электронным пучком, предварительно на поверхность сапфира наносят слой золота толщиной 100?120 нм, отжигают полученный композит на воздухе при температуре 600?700°С, в течение 120?180 минут для формирования дискретной структуры наночастиц золота, а затем облучают поверхность непрерывным пучком электронов с энергией в диапазоне Е?40?70 кэВ, в течение 2?5 мин. Изобретение обеспечивает возможность формирования субмикронного рельефа на сверхгладкой поверхности сапфировых пластин. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.