Изобретения

Использование: для синхронизированной регистрации рентгеновского и вторичного флуоресцентного излучения в монофотонном режиме. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют облучение исследуемого образца рентгеновским излучением с последующей регистрацией флуоресцентного излучения от образца в оптическом диапазоне, при этом дополнительно регистрируют монофотонным датчиком рентгеновское излучение от образца, определяя координаты прихода фотонов и время их прихода, а вторичное флуоресцентное излучение в оптическом диапазоне от образца регистрируют монофотонным датчиком оптического диапазона, определяя координаты прихода фотонов и время их прихода, при этом обеспечивают регистрацию времени задержки между приходом вторичного фотона флуоресцентного излучения оптического диапазона относительно времени прихода фотона рентгеновского излучения от образца путем использования синхронизирующих импульсов. Технический результат: повышение точности и достоверности исследования образца. 2 ил.

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано для автоматизации управления механизмами перемещения в установках, снабженных шаговыми электроприводами. Техническим результатом является обеспечение безаварийной работы устройства. Технический результат заявляемого технического решения достигается тем, что в нем предусмотрены взаимосвязанные логические элементы "И", "ИЛИ", делители на 2, генератор тактовый частоты, формирователь импульса сброса, счетчики импульсов, схема сравнения кодов, триггеры, датчик перемещений, сдвиговый регистр. 4 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к кристаллографии и кристаллохимии и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных детекторов ионизирующих излучений. Монокристаллы вольфрамата кадмия скалывают по плоскости спайности (010) и делают на ней укол индентором с нагрузкой 50-200 г. Образующиеся лучи розетки укола совпадают по направлению с осью [001] в этой же плоскости. Полученная информации о положении плоскости (010) и направлении оси [001] позволяет определить и направление оси [100], также лежащей в этой плоскости. Изобретение позволяет определять направление основных кристаллографических осей в монокристаллах CdWO4 без применения рентгеноструктурного анализа. 1 ил., 5 пр.

Изобретение относится к технологическому процессу формирования оптических элементов из оптических материалов заданной формы поверхности. Согласно изобретению производят поиск оси вращения оптической детали как внутри апертуры этой детали, так и вне ее, находят глобальный минимум поверхности, перебирая доступные в геометрии установки положения оси вращения. Относительно каждой оси рассчитывают профиль травления, а затем выбирают ось вращения, обеспечивающую минимальный объем ошибки формы поверхности после травления. Изобретение обеспечивает максимальное уменьшение ошибки формы поверхности оптической детали, тем самым уменьшающего время обработки оптической детали. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к микроэлектромеханическим системам, а именно к способам работы электрохимического актюатора. Импульсы напряжения переменной полярности, подаваемые на электрод, создают нанопузыри в рабочей камере актюатора. При достаточно высокой амплитуде импульсов концентрация нанопузырей достигает критической величины. Они сливаются в микропузырь, взрывающийся и расширяющийся до большого размера. За счет этого достигается большое перемещение мембраны актюатора. Способ включает заземление одного из электродов, подачу на второй электрод серии импульсов напряжения различной формы переменной полярности с амплитудой, превышающей пороговое напряжение, при котором в рабочей камере актюатора происходит взрыв микропузыря. По достижении взрыва серию импульсов прерывают. Прерывание осуществляют по наступлению спада тока, протекающего через электроды. Пороговое напряжение предварительно определяют путем последовательной подачи на электрод серий импульсов с амплитудой, увеличивающейся от серии к серии до взрыва микропузыря. Подают импульсы напряжения с длительностью, выбранной из диапазона от 0,1 мкс до 5 мкс. Технический результат заключается в улучшении работы электрохимического актюатора. 1 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к области квантовых вычислений, конкретно к изготовлению квантовых компьютеров по полупроводниковой технологии. Сущность предлагаемого технического решения заключается в следующем. В качестве квантового регистра предлагается формирование полупроводникового провода, окруженного изолятором, с нанесенными на него управляющими электродами. При этом на концах провода расположены контакты для пропускания тока, а в качестве коллективного регистра предлагается использовать несколько полупроводниковых проводов с общими управляющими электродами и контактами. Техническим результатом, достигаемым при осуществлении заявленного изобретения, является обеспечение масштабируемости универсального квантового компьютера на основе двойных квантовых точек, повышение устойчивости регистра к внешним шумам, а также увеличение точности измерения конечного состояния. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к способу изготовления диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости на основе пленок анодированного сплава алюминий-кремний. Техническим результатом, достигаемым настоящим изобретением, является создание способа формирования диэлектрических пленок анодированного сплава алюминий-кремний, обладающих эффектом переключения проводимости, полностью совместимого с кремниевой технологией интегральных микросхем. Технический результат достигается тем, что в способе формирования обладающего эффектом переключения проводимости диэлектрического слоя путем нанесения композитного материала, представляющего собой диэлектрик, в который встроены наноразмерные кластеры кремния, согласно изобретению формирование материала производят химическим анодированием сплава алюминий-кремний. 2 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния. Способ анизотропного плазменного травления кремния включает циклический двухшаговый процесс травления, состоящий из чередующихся шагов анизотропного плазмохимического травления и пассивации, в котором на шаге травления проводят травление кремния в плазме SF6, а на шаге пассивации на поверхностях формируемой микроструктуры создают пассивирующую пленку, при этом на шаге пассивации в качестве пассивирующей пленки на вскрытых поверхностях кремния формируют либо слой SiNx, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме N2, либо слой SiOxNy, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме смеси O2/N2 с процентным содержанием азота в диапазоне 10-100%. Изобретение обеспечивает возможность анизотропного травления кремния при температуре, близкой по значению к комнатной, поскольку отсутствует необходимость глубокого охлаждения и термостабилизации пластины в технологической камере при криогенных температурах. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для изготовления генераторов и приемников терагерцового излучения. Пролетный диод с переменной инжекцией для генерации и детектирования терагерцового излучения, в котором на полупроводниковой подложке формируются области сильного однотипного легирования с одинаковыми по ширине нелегированными пролетными промежутками между ними, причем на крайние легированные области накладываются выходные металлические контакты диода с отступлением от края зоны легирования, что улучшает согласование диода с антенной, повышает мощность генерации и увеличивает чувствительность детектирования излучения. Технический результат: предлагаемая конструкция пролетного диода обеспечивает согласование его с антенной, повышает мощность генерации и чувствительность детектирования. 4 ил.

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для изготовления генераторов терагерцового диапазона частот с мощностью 1 мВт и более. Сущность: предложен пролетный диод для генерации терагерцового излучения, состоящий из полупроводниковой подложки с двумя областями сильного легирования и нанесенными на них металлическими контактами, между которыми находится нелегированная пролетная щель, в которую включены участки с увеличенной шириной щели, и рядом с каждым расширенным участком щели расположена шунтируюшая емкостная перемычка, соединяющая металлические контакты пролетного диода. Технический результат заключается в обеспечении устойчивой генерации терагерцового излучения, улучшении согласования пролетного диода с антенной, увеличении мощности генерации. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.