|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
541
|
Патент 2663475
|
Изобретение относится к безопасности компьютерных сетей, а именно к формированию изображений при прохождении пользователем полностью автоматизированного теста Тьюринга. Технический результат - повышение вероятности отличить человека от интернет-робота при доступе к интернет-ресурсам. Способ идентификации пользователя компьютера «человек или интернет-робот», в котором каждое изображение формируется на основе группы 3-мерных моделей, при этом параметры освещения и ракурса съемки задаются псевдослучайным процессом, каждая такая 3-мерная модель может синтезироваться из 3-мерных элементарных примитивов путем применения операций объединения, пересечения, дополнения, при этом на изображении демонстрируются более трех объектов и обязательно некоторые имеют сложную форму, и обязательно присутствуют заслонения одних 3-мерных моделей другими, кроме того, объекты отбрасывают тени друг на друга, при этом для каждого тестового задания автоматически создается уникальное изображение. 1. Способ идентификации пользователя компьютера «человек или интернет-робот», включающий этапы:
(а) выбирают одну или более 3-мерных моделей из библиотеки 3-мерных моделей, каждая из 3-мерных моделей в библиотеке содержит геометрические данные формы в трех пространственных измерениях,
(б) из выбранных на этапе (а) моделей в виртуальном трехмерном пространстве формируют группу моделей, образованную путем их деформации, расположения на сцене, поворот, вариантов освещения и съемки,
(в) генерируют по крайней мере одно 2-мерное изображение группы, которую формируют на этапе (б), при этом автоматически генерируют и сохраняют параметры описания изображения,
(г) информируют пользователя о последовательности необходимых действий, которые должен осуществить пользователь для подтверждения, что пользователь не является роботом,
(д) при выполнении пользователем последовательности ответных действий, о которых его информируют на этапе (г), описывают ответные действия пользователя набором параметров и сохраняют его,
(е) выполняют автоматическое сравнение сохраненных параметров ответных действий пользователя с параметрами описания изображения, которые формируют на этапе (в), отличающийся тем, что
в состав группы 3-мерных моделей, которую формируют на этапе (а), входит по крайней мере три модели: по крайней мере одна модель, которая имеет выпукло-вогнутую форму, и по крайней мере две модели группы, которые частично заслонены по крайней мере одной моделью группы.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при выполнении этапа (д) формируют и сохраняют параметры действий пользователя так, что по крайней мере один параметр однозначно связан с числом обнаруживаемых пользователем моделей на изображении, которое генерируют на этапе (в), и этот «пользовательский» параметр на этапе (е) сравнивают с соответствующим автоматически сформированным на этапе (в) параметром описания изображения, который характеризует истинное число моделей на изображении.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при выполнении этапа (д) формируют параметры действий пользователя так, что по крайней мере один параметр однозначно связан с отсутствующей по крайней мере одной моделью, на по крайней мере одном изображении, на по крайней мере одной из пар изображений, которые формируют на этапе (в) на основе одной группы моделей, которую формируют на этапе (а).
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что описывают требуемую последовательность действий пользователя на этапе (г), используя для описания взаимного расположения по крайней мере две модели группы, формируемой на этапе (б), слова из ряда «на», «в», «под», «над», «за», «перед», «у», «при», «между», «напротив», «внутри», «слева от», «справа от», «левее», «правее», «в стороне», «около», «рядом с», «ближе к», «дальше от», «позади», «сзади», «среди», «снаружи».
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что модели, используемые на этапе (б), синтезируют путем применения операций объединения, пересечения и дополнения из набора отдельных примитивных форм, выбираемых псевдослучайным образом.
Основное назначение
Изобретение относится к безопасности компьютерных сетей, а именно к формированию изображений при прохождении пользователем полностью автоматизированного теста Тьюринга. Технический результат - повышение вероятности отличить человека от интернет-робота при доступе к интернет-ресурсам. Способ идентификации пользователя компьютера «человек или интернет-робот», в котором каждое изображение формируется на основе группы 3-мерных моделей, при этом параметры освещения и ракурса съемки задаются псевдослучайным процессом, каждая такая 3-мерная модель может синтезироваться из 3-мерных элементарных примитивов путем применения операций объединения, пересечения, дополнения, при этом на изображении демонстрируются более трех объектов и обязательно некоторые имеют сложную форму, и обязательно присутствуют заслонения одних 3-мерных моделей другими, кроме того, объекты отбрасывают тени друг на друга, при этом для каждого тестового задания автоматически создается уникальное изображение. 1. Способ идентификации пользователя компьютера «человек или интернет-робот», включающий этапы:
(а) выбирают одну или более 3-мерных моделей из библиотеки 3-мерных моделей, каждая из 3-мерных моделей в библиотеке содержит геометрические данные формы в трех пространственных измерениях,
(б) из выбранных на этапе (а) моделей в виртуальном трехмерном пространстве формируют группу моделей, образованную путем их деформации, расположения на сцене, поворот, вариантов освещения и съемки,
(в) генерируют по крайней мере одно 2-мерное изображение группы, которую формируют на этапе (б), при этом автоматически генерируют и сохраняют параметры описания изображения,
(г) информируют пользователя о последовательности необходимых действий, которые должен осуществить пользователь для подтверждения, что пользователь не является роботом,
(д) при выполнении пользователем последовательности ответных действий, о которых его информируют на этапе (г), описывают ответные действия пользователя набором параметров и сохраняют его,
(е) выполняют автоматическое сравнение сохраненных параметров ответных действий пользователя с параметрами описания изображения, которые формируют на этапе (в), отличающийся тем, что
в состав группы 3-мерных моделей, которую формируют на этапе (а), входит по крайней мере три модели: по крайней мере одна модель, которая имеет выпукло-вогнутую форму, и по крайней мере две модели группы, которые частично заслонены по крайней мере одной моделью группы.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при выполнении этапа (д) формируют и сохраняют параметры действий пользователя так, что по крайней мере один параметр однозначно связан с числом обнаруживаемых пользователем моделей на изображении, которое генерируют на этапе (в), и этот «пользовательский» параметр на этапе (е) сравнивают с соответствующим автоматически сформированным на этапе (в) параметром описания изображения, который характеризует истинное число моделей на изображении.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при выполнении этапа (д) формируют параметры действий пользователя так, что по крайней мере один параметр однозначно связан с отсутствующей по крайней мере одной моделью, на по крайней мере одном изображении, на по крайней мере одной из пар изображений, которые формируют на этапе (в) на основе одной группы моделей, которую формируют на этапе (а).
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что описывают требуемую последовательность действий пользователя на этапе (г), используя для описания взаимного расположения по крайней мере две модели группы, формируемой на этапе (б), слова из ряда «на», «в», «под», «над», «за», «перед», «у», «при», «между», «напротив», «внутри», «слева от», «справа от», «левее», «правее», «в стороне», «около», «рядом с», «ближе к», «дальше от», «позади», «сзади», «среди», «снаружи».
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что модели, используемые на этапе (б), синтезируют путем применения операций объединения, пересечения и дополнения из набора отдельных примитивных форм, выбираемых псевдослучайным образом.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ идентификации пользователя компьютера «человек или интернет-робот», включающий этапы:
(а) выбирают одну или более 3-мерных моделей из библиотеки 3-мерных моделей, каждая из 3-мерных моделей в библиотеке содержит геометрические данные формы в трех пространственных измерениях,
(б) из выбранных на этапе (а) моделей в виртуальном трехмерном пространстве формируют группу моделей, образованную путем их деформации, расположения на сцене, поворот, вариантов освещения и съемки,
(в) генерируют по крайней мере одно 2-мерное изображение группы, которую формируют на этапе (б), при этом автоматически генерируют и сохраняют параметры описания изображения,
(г) информируют пользователя о последовательности необходимых действий, которые должен осуществить пользователь для подтверждения, что пользователь не является роботом,
(д) при выполнении пользователем последовательности ответных действий, о которых его информируют на этапе (г), описывают ответные действия пользователя набором параметров и сохраняют его,
(е) выполняют автоматическое сравнение сохраненных параметров ответных действий пользователя с параметрами описания изображения, которые формируют на этапе (в), отличающийся тем, что
в состав группы 3-мерных моделей, которую формируют на этапе (а), входит по крайней мере три модели: по крайней мере одна модель, которая имеет выпукло-вогнутую форму, и по крайней мере две модели группы, которые частично заслонены по крайней мере одной моделью группы.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при выполнении этапа (д) формируют и сохраняют параметры действий пользователя так, что по крайней мере один параметр однозначно связан с числом обнаруживаемых пользователем моделей на изображении, которое генерируют на этапе (в), и этот «пользовательский» параметр на этапе (е) сравнивают с соответствующим автоматически сформированным на этапе (в) параметром описания изображения, который характеризует истинное число моделей на изображении.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при выполнении этапа (д) формируют параметры действий пользователя так, что по крайней мере один параметр однозначно связан с отсутствующей по крайней мере одной моделью, на по крайней мере одном изображении, на по крайней мере одной из пар изображений, которые формируют на этапе (в) на основе одной группы моделей, которую формируют на этапе (а).
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что описывают требуемую последовательность действий пользователя на этапе (г), используя для описания взаимного расположения по крайней мере две модели группы, формируемой на этапе (б), слова из ряда «на», «в», «под», «над», «за», «перед», «у», «при», «между», «напротив», «внутри», «слева от», «справа от», «левее», «правее», «в стороне», «около», «рядом с», «ближе к», «дальше от», «позади», «сзади», «среди», «снаружи».
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что модели, используемые на этапе (б), синтезируют путем применения операций объединения, пересечения и дополнения из набора отдельных примитивных форм, выбираемых псевдослучайным образом.
Основное назначение
1. Способ идентификации пользователя компьютера «человек или интернет-робот», включающий этапы:
(а) выбирают одну или более 3-мерных моделей из библиотеки 3-мерных моделей, каждая из 3-мерных моделей в библиотеке содержит геометрические данные формы в трех пространственных измерениях,
(б) из выбранных на этапе (а) моделей в виртуальном трехмерном пространстве формируют группу моделей, образованную путем их деформации, расположения на сцене, поворот, вариантов освещения и съемки,
(в) генерируют по крайней мере одно 2-мерное изображение группы, которую формируют на этапе (б), при этом автоматически генерируют и сохраняют параметры описания изображения,
(г) информируют пользователя о последовательности необходимых действий, которые должен осуществить пользователь для подтверждения, что пользователь не является роботом,
(д) при выполнении пользователем последовательности ответных действий, о которых его информируют на этапе (г), описывают ответные действия пользователя набором параметров и сохраняют его,
(е) выполняют автоматическое сравнение сохраненных параметров ответных действий пользователя с параметрами описания изображения, которые формируют на этапе (в), отличающийся тем, что
в состав группы 3-мерных моделей, которую формируют на этапе (а), входит по крайней мере три модели: по крайней мере одна модель, которая имеет выпукло-вогнутую форму, и по крайней мере две модели группы, которые частично заслонены по крайней мере одной моделью группы.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при выполнении этапа (д) формируют и сохраняют параметры действий пользователя так, что по крайней мере один параметр однозначно связан с числом обнаруживаемых пользователем моделей на изображении, которое генерируют на этапе (в), и этот «пользовательский» параметр на этапе (е) сравнивают с соответствующим автоматически сформированным на этапе (в) параметром описания изображения, который характеризует истинное число моделей на изображении.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при выполнении этапа (д) формируют параметры действий пользователя так, что по крайней мере один параметр однозначно связан с отсутствующей по крайней мере одной моделью, на по крайней мере одном изображении, на по крайней мере одной из пар изображений, которые формируют на этапе (в) на основе одной группы моделей, которую формируют на этапе (а).
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что описывают требуемую последовательность действий пользователя на этапе (г), используя для описания взаимного расположения по крайней мере две модели группы, формируемой на этапе (б), слова из ряда «на», «в», «под», «над», «за», «перед», «у», «при», «между», «напротив», «внутри», «слева от», «справа от», «левее», «правее», «в стороне», «около», «рядом с», «ближе к», «дальше от», «позади», «сзади», «среди», «снаружи».
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что модели, используемые на этапе (б), синтезируют путем применения операций объединения, пересечения и дополнения из набора отдельных примитивных форм, выбираемых псевдослучайным образом.
|
||
|
542
|
Патент 2577860
|
Изобретение относится к способу защиты от окисления биполярных пластин топливных элементов и коллекторов тока электролизеров с твердым полимерным электролитом (ТПЭ), заключающемуся в предварительной обработке металлической подложки, нанесении на обработанную металлическую подложку электропроводного покрытия благородных металлов методом магнетронно-ионного напыления. Способ характеризуется тем, что наносят на обработанную подложку электропроводное покрытие послойно с закреплением каждого слоя импульсной имплантацией ионов кислорода или инертного газа. Техническим результатом является получение устойчивого покрытия с ресурсом работы, в 4 раза превышающим полученный по прототипу, и сохраняющего токопроводящие свойства. 1. Способ защиты от окисления биполярных пластин топливных элементов и коллекторов тока электролизеров с твердым полимерным электролитом (ТПЭ), заключающийся в предварительной обработке металлической подложки, нанесении на обработанную металлическую подложку электропроводного покрытия благородных металлов методом магнетронно-ионного напыления, отличающийся тем, что наносят на обработанную подложку электропроводное покрытие послойно с закреплением каждого слоя импульсной имплантацией ионов кислорода или инертного газа.
2. Способ защиты по п. 1, отличающийся тем, что в качестве благородных металлов используют платину, или палладий, или иридий, или их смесь.
3. Способ защиты по п. 1, отличающийся тем, что импульсную имплантацию ионов производят с постепенным снижением энергии ионов и дозы.
4. Способ защиты по п. 1, отличающийся тем, что общая толщина покрытия составляет от 1 до 500 нм.
5. Способ защиты по п. 1, отличающийся тем, что последовательно напыляемые слои имеют толщину от 1 до 50 нм.
6. Способ защиты по п. 1, отличающийся тем, что в качестве инертного газа используют аргон, или неон, или ксенон, или криптон.
7. Способ защиты по п. 1 отличающийся тем, что энергия имплантируемых ионов составляет от 2 до 15 кэВ.
8. Способ защиты по п. 1 отличающийся тем, что доза имплантируемых ионов составляет до 1015 ионов/см2.
Основное назначение
Изобретение относится к способу защиты от окисления биполярных пластин топливных элементов и коллекторов тока электролизеров с твердым полимерным электролитом (ТПЭ), заключающемуся в предварительной обработке металлической подложки, нанесении на обработанную металлическую подложку электропроводного покрытия благородных металлов методом магнетронно-ионного напыления. Способ характеризуется тем, что наносят на обработанную подложку электропроводное покрытие послойно с закреплением каждого слоя импульсной имплантацией ионов кислорода или инертного газа. Техническим результатом является получение устойчивого покрытия с ресурсом работы, в 4 раза превышающим полученный по прототипу, и сохраняющего токопроводящие свойства. 1. Способ защиты от окисления биполярных пластин топливных элементов и коллекторов тока электролизеров с твердым полимерным электролитом (ТПЭ), заключающийся в предварительной обработке металлической подложки, нанесении на обработанную металлическую подложку электропроводного покрытия благородных металлов методом магнетронно-ионного напыления, отличающийся тем, что наносят на обработанную подложку электропроводное покрытие послойно с закреплением каждого слоя импульсной имплантацией ионов кислорода или инертного газа.
2. Способ защиты по п. 1, отличающийся тем, что в качестве благородных металлов используют платину, или палладий, или иридий, или их смесь.
3. Способ защиты по п. 1, отличающийся тем, что импульсную имплантацию ионов производят с постепенным снижением энергии ионов и дозы.
4. Способ защиты по п. 1, отличающийся тем, что общая толщина покрытия составляет от 1 до 500 нм.
5. Способ защиты по п. 1, отличающийся тем, что последовательно напыляемые слои имеют толщину от 1 до 50 нм.
6. Способ защиты по п. 1, отличающийся тем, что в качестве инертного газа используют аргон, или неон, или ксенон, или криптон.
7. Способ защиты по п. 1 отличающийся тем, что энергия имплантируемых ионов составляет от 2 до 15 кэВ.
8. Способ защиты по п. 1 отличающийся тем, что доза имплантируемых ионов составляет до 1015 ионов/см2.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ защиты от окисления биполярных пластин топливных элементов и коллекторов тока электролизеров с твердым полимерным электролитом (ТПЭ), заключающийся в предварительной обработке металлической подложки, нанесении на обработанную металлическую подложку электропроводного покрытия благородных металлов методом магнетронно-ионного напыления, отличающийся тем, что наносят на обработанную подложку электропроводное покрытие послойно с закреплением каждого слоя импульсной имплантацией ионов кислорода или инертного газа.
2. Способ защиты по п. 1, отличающийся тем, что в качестве благородных металлов используют платину, или палладий, или иридий, или их смесь.
3. Способ защиты по п. 1, отличающийся тем, что импульсную имплантацию ионов производят с постепенным снижением энергии ионов и дозы.
4. Способ защиты по п. 1, отличающийся тем, что общая толщина покрытия составляет от 1 до 500 нм.
5. Способ защиты по п. 1, отличающийся тем, что последовательно напыляемые слои имеют толщину от 1 до 50 нм.
6. Способ защиты по п. 1, отличающийся тем, что в качестве инертного газа используют аргон, или неон, или ксенон, или криптон.
7. Способ защиты по п. 1 отличающийся тем, что энергия имплантируемых ионов составляет от 2 до 15 кэВ.
8. Способ защиты по п. 1 отличающийся тем, что доза имплантируемых ионов составляет до 1015 ионов/см2.
Основное назначение
1. Способ защиты от окисления биполярных пластин топливных элементов и коллекторов тока электролизеров с твердым полимерным электролитом (ТПЭ), заключающийся в предварительной обработке металлической подложки, нанесении на обработанную металлическую подложку электропроводного покрытия благородных металлов методом магнетронно-ионного напыления, отличающийся тем, что наносят на обработанную подложку электропроводное покрытие послойно с закреплением каждого слоя импульсной имплантацией ионов кислорода или инертного газа.
2. Способ защиты по п. 1, отличающийся тем, что в качестве благородных металлов используют платину, или палладий, или иридий, или их смесь.
3. Способ защиты по п. 1, отличающийся тем, что импульсную имплантацию ионов производят с постепенным снижением энергии ионов и дозы.
4. Способ защиты по п. 1, отличающийся тем, что общая толщина покрытия составляет от 1 до 500 нм.
5. Способ защиты по п. 1, отличающийся тем, что последовательно напыляемые слои имеют толщину от 1 до 50 нм.
6. Способ защиты по п. 1, отличающийся тем, что в качестве инертного газа используют аргон, или неон, или ксенон, или криптон.
7. Способ защиты по п. 1 отличающийся тем, что энергия имплантируемых ионов составляет от 2 до 15 кэВ.
8. Способ защиты по п. 1 отличающийся тем, что доза имплантируемых ионов составляет до 1015 ионов/см2.
|
||
|
543
|
Патент 2832004
|
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния. Предложен способ детектирования момента окончания кондиционирования реактора установки плазмохимического травления, основанный на измерении потенциала плазмы методом электростатического зонда Ленгмюра, при этом во время плазменного процесса в реакторе отсутствует обрабатываемая пластина, измерение выполняют в референсной плазме аргона, а детектируемый момент окончания плазменного процесса кондиционирования реактора соответствует моменту завершения очистки стенок реактора от накопившихся загрязнений продуктами травления. Технический результат – повышение точности определения момента окончания процесса очистки. 1 з.п. ф-лы.
1. Способ детектирования момента окончания кондиционирования реактора установки плазмохимического травления, основанный на измерении потенциала плазмы методом электростатического зонда Ленгмюра, отличающийся тем, что во время плазменного процесса в реакторе отсутствует обрабатываемая пластина, измерение выполняют в референсной плазме аргона, а детектируемый момент окончания плазменного процесса кондиционирования реактора соответствует моменту завершения очистки стенок реактора от накопившихся загрязнений продуктами травления.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве детектируемого сигнала используют линейную комбинацию параметров плазмы, а именно потенциала плазмы, плавающего потенциала, электронной температуры, концентрации электронов и концентрации ионов, измеренных методом электростатического зонда Ленгмюра с весовыми коэффициентами, определяемыми в предварительном калибровочном эксперименте, проведенном в чистой камере реактора.
Основное назначение
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния. Предложен способ детектирования момента окончания кондиционирования реактора установки плазмохимического травления, основанный на измерении потенциала плазмы методом электростатического зонда Ленгмюра, при этом во время плазменного процесса в реакторе отсутствует обрабатываемая пластина, измерение выполняют в референсной плазме аргона, а детектируемый момент окончания плазменного процесса кондиционирования реактора соответствует моменту завершения очистки стенок реактора от накопившихся загрязнений продуктами травления. Технический результат – повышение точности определения момента окончания процесса очистки. 1 з.п. ф-лы.
1. Способ детектирования момента окончания кондиционирования реактора установки плазмохимического травления, основанный на измерении потенциала плазмы методом электростатического зонда Ленгмюра, отличающийся тем, что во время плазменного процесса в реакторе отсутствует обрабатываемая пластина, измерение выполняют в референсной плазме аргона, а детектируемый момент окончания плазменного процесса кондиционирования реактора соответствует моменту завершения очистки стенок реактора от накопившихся загрязнений продуктами травления.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве детектируемого сигнала используют линейную комбинацию параметров плазмы, а именно потенциала плазмы, плавающего потенциала, электронной температуры, концентрации электронов и концентрации ионов, измеренных методом электростатического зонда Ленгмюра с весовыми коэффициентами, определяемыми в предварительном калибровочном эксперименте, проведенном в чистой камере реактора.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ детектирования момента окончания кондиционирования реактора установки плазмохимического травления, основанный на измерении потенциала плазмы методом электростатического зонда Ленгмюра, отличающийся тем, что во время плазменного процесса в реакторе отсутствует обрабатываемая пластина, измерение выполняют в референсной плазме аргона, а детектируемый момент окончания плазменного процесса кондиционирования реактора соответствует моменту завершения очистки стенок реактора от накопившихся загрязнений продуктами травления.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве детектируемого сигнала используют линейную комбинацию параметров плазмы, а именно потенциала плазмы, плавающего потенциала, электронной температуры, концентрации электронов и концентрации ионов, измеренных методом электростатического зонда Ленгмюра с весовыми коэффициентами, определяемыми в предварительном калибровочном эксперименте, проведенном в чистой камере реактора.
Основное назначение
1. Способ детектирования момента окончания кондиционирования реактора установки плазмохимического травления, основанный на измерении потенциала плазмы методом электростатического зонда Ленгмюра, отличающийся тем, что во время плазменного процесса в реакторе отсутствует обрабатываемая пластина, измерение выполняют в референсной плазме аргона, а детектируемый момент окончания плазменного процесса кондиционирования реактора соответствует моменту завершения очистки стенок реактора от накопившихся загрязнений продуктами травления.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве детектируемого сигнала используют линейную комбинацию параметров плазмы, а именно потенциала плазмы, плавающего потенциала, электронной температуры, концентрации электронов и концентрации ионов, измеренных методом электростатического зонда Ленгмюра с весовыми коэффициентами, определяемыми в предварительном калибровочном эксперименте, проведенном в чистой камере реактора.
|
||
|
544
|
Патент 2510678
|
Изобретение относится к физике высокотемпературной плазмы и может найти применение в управляемом термоядерном синтезе, в радиационном материаловедении, для исследований в физике космической плазмы. В заявленном изобретении используется механизм неиндукционной генерации тороидального затравочного тока за счет нагрева ионов малой добавки, движущихся по потато орбитам, при помощи широкополосного генератора излучения на ионно-циклотронной частоте в конечной области близи магнитной оси установки. Техническим результатом является создание затравочного тока, необходимо для создания стационарного токамака-реактора. 1. Способ генерации неиндукционного тороидального затравочного тока при стационарной работе термоядерного реактора, включающий введение в формируемую в вакуумной камере реактора плазму излучения на ионно-циклотронной частоте и высокочастотный нагрев ионов, движущихся по потато орбитам, проходящим вблизи магнитной оси токамака, отличающийся тем, что дополнительно в плазму вводят ионы 3He, высокочастотный нагрев которых производят посредством широкополосного (?f=±0.04f0) излучения генератора ионной циклотронной частоты, причем нагрев осуществляют в области с радиусом до https://new.fips.ru/Archive//PAT/2014FULL/2014.04.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/510/678/00000006-m.gif Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
вблизи магнитной оси установки, где: A=R/a - аспектное отношение, https://new.fips.ru/Archive//PAT/2014FULL/2014.04.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/510/678/00000002-m.gif Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
?i - ларморовскии радиус иона, q - коэффициент запаса устойчивости, R и a - большой и малый радиусы токамака.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при формировании плазмы вакуумную камеру реактора заполняют смесью дейтерия, трития, а ионы 3He добавляют в количестве от 1 до 5% относительно количества ионов основной плазмы.
Основное назначение
Изобретение относится к физике высокотемпературной плазмы и может найти применение в управляемом термоядерном синтезе, в радиационном материаловедении, для исследований в физике космической плазмы. В заявленном изобретении используется механизм неиндукционной генерации тороидального затравочного тока за счет нагрева ионов малой добавки, движущихся по потато орбитам, при помощи широкополосного генератора излучения на ионно-циклотронной частоте в конечной области близи магнитной оси установки. Техническим результатом является создание затравочного тока, необходимо для создания стационарного токамака-реактора. 1. Способ генерации неиндукционного тороидального затравочного тока при стационарной работе термоядерного реактора, включающий введение в формируемую в вакуумной камере реактора плазму излучения на ионно-циклотронной частоте и высокочастотный нагрев ионов, движущихся по потато орбитам, проходящим вблизи магнитной оси токамака, отличающийся тем, что дополнительно в плазму вводят ионы 3He, высокочастотный нагрев которых производят посредством широкополосного (?f=±0.04f0) излучения генератора ионной циклотронной частоты, причем нагрев осуществляют в области с радиусом до https://new.fips.ru/Archive//PAT/2014FULL/2014.04.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/510/678/00000006-m.gif Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
вблизи магнитной оси установки, где: A=R/a - аспектное отношение, https://new.fips.ru/Archive//PAT/2014FULL/2014.04.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/510/678/00000002-m.gif Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
?i - ларморовскии радиус иона, q - коэффициент запаса устойчивости, R и a - большой и малый радиусы токамака.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при формировании плазмы вакуумную камеру реактора заполняют смесью дейтерия, трития, а ионы 3He добавляют в количестве от 1 до 5% относительно количества ионов основной плазмы.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ генерации неиндукционного тороидального затравочного тока при стационарной работе термоядерного реактора, включающий введение в формируемую в вакуумной камере реактора плазму излучения на ионно-циклотронной частоте и высокочастотный нагрев ионов, движущихся по потато орбитам, проходящим вблизи магнитной оси токамака, отличающийся тем, что дополнительно в плазму вводят ионы 3He, высокочастотный нагрев которых производят посредством широкополосного (?f=±0.04f0) излучения генератора ионной циклотронной частоты, причем нагрев осуществляют в области с радиусом до https://new.fips.ru/Archive//PAT/2014FULL/2014.04.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/510/678/00000006-m.gif Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
вблизи магнитной оси установки, где: A=R/a - аспектное отношение, https://new.fips.ru/Archive//PAT/2014FULL/2014.04.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/510/678/00000002-m.gif Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
?i - ларморовскии радиус иона, q - коэффициент запаса устойчивости, R и a - большой и малый радиусы токамака.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при формировании плазмы вакуумную камеру реактора заполняют смесью дейтерия, трития, а ионы 3He добавляют в количестве от 1 до 5% относительно количества ионов основной плазмы.
Основное назначение
1. Способ генерации неиндукционного тороидального затравочного тока при стационарной работе термоядерного реактора, включающий введение в формируемую в вакуумной камере реактора плазму излучения на ионно-циклотронной частоте и высокочастотный нагрев ионов, движущихся по потато орбитам, проходящим вблизи магнитной оси токамака, отличающийся тем, что дополнительно в плазму вводят ионы 3He, высокочастотный нагрев которых производят посредством широкополосного (?f=±0.04f0) излучения генератора ионной циклотронной частоты, причем нагрев осуществляют в области с радиусом до https://new.fips.ru/Archive//PAT/2014FULL/2014.04.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/510/678/00000006-m.gif Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
вблизи магнитной оси установки, где: A=R/a - аспектное отношение, https://new.fips.ru/Archive//PAT/2014FULL/2014.04.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/510/678/00000002-m.gif Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
?i - ларморовскии радиус иона, q - коэффициент запаса устойчивости, R и a - большой и малый радиусы токамака.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при формировании плазмы вакуумную камеру реактора заполняют смесью дейтерия, трития, а ионы 3He добавляют в количестве от 1 до 5% относительно количества ионов основной плазмы.
|
||
|
545
|
Патент 2557394
|
Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, в частности тонких пленок на основе монооксида европия, и может быть использовано для создания устройств спинтроники, например спиновых транзисторов и инжекторов спин-поляризованного тока. Способ выращивания эпитаксиальной пленки монооксида европия EuO на кремниевой подложке включает формирование путем молекулярно-пучковой эпитаксии субмонослоя силицида европия при температуре подложки T=640-680°C и давлении потока атомов европия (1-7)?10-8 Торр, после чего сначала проводят осаждение монооксида европия при температуре подложки 340-380°C, давлении потока кислорода (0,2-3)·10-8 Торр и давлении потока атомов европия (1-4)·10-8 Торр, а затем - при температуре подложки 430-490°C, потоке кислорода с давлением (0,2-3)·10-8 Торр и потоке атомов европия с давлением (1-7)·10-8 Торр. Обеспечивается формирование эпитаксиальных пленок EuO на кремниевых подложках без буферного слоя с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии. 1. Способ выращивания эпитаксиальной пленки монооксида европия EuO на кремниевой подложке, отличающийся тем, что путем молекулярно-пучковой эпитаксии формируют субмонослой силицида европия при температуре подложки T=640-680°C и давлении потока атомов европия (1-7)?10-8 Торр, после чего проводят осаждение монооксида европия при температуре подложки 340-380°C, давлении потока кислорода (0,2-3)·10-8 Торр и давлении потока атомов европия (1-4)·10-8 Торр, а затем - при температуре подложки 430-490°C и потоке кислорода с давлением (0,2-3)·10-8 Торр и потоке атомов европия с давлением (1-7)·10-8 Торр.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после осаждения осуществляют отжиг пленки в вакууме в диапазоне температур T=500-560°C.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после осаждения при температуре подложки 340-380°C проводят отжиг пленки в вакууме в диапазоне температур T=490-520°C.
4. Способ по п. 2, отличающийся тем, что после осаждения при температуре подложки 340-380°C проводят отжиг пленки в вакууме в диапазоне температур T=490-520°C.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что осаждение при температуре подложки 340-380°C заканчивают по формировании слоя толщиной более 2 монослоев EuO на поверхности силицида европия.
Основное назначение
Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, в частности тонких пленок на основе монооксида европия, и может быть использовано для создания устройств спинтроники, например спиновых транзисторов и инжекторов спин-поляризованного тока. Способ выращивания эпитаксиальной пленки монооксида европия EuO на кремниевой подложке включает формирование путем молекулярно-пучковой эпитаксии субмонослоя силицида европия при температуре подложки T=640-680°C и давлении потока атомов европия (1-7)?10-8 Торр, после чего сначала проводят осаждение монооксида европия при температуре подложки 340-380°C, давлении потока кислорода (0,2-3)·10-8 Торр и давлении потока атомов европия (1-4)·10-8 Торр, а затем - при температуре подложки 430-490°C, потоке кислорода с давлением (0,2-3)·10-8 Торр и потоке атомов европия с давлением (1-7)·10-8 Торр. Обеспечивается формирование эпитаксиальных пленок EuO на кремниевых подложках без буферного слоя с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии. 1. Способ выращивания эпитаксиальной пленки монооксида европия EuO на кремниевой подложке, отличающийся тем, что путем молекулярно-пучковой эпитаксии формируют субмонослой силицида европия при температуре подложки T=640-680°C и давлении потока атомов европия (1-7)?10-8 Торр, после чего проводят осаждение монооксида европия при температуре подложки 340-380°C, давлении потока кислорода (0,2-3)·10-8 Торр и давлении потока атомов европия (1-4)·10-8 Торр, а затем - при температуре подложки 430-490°C и потоке кислорода с давлением (0,2-3)·10-8 Торр и потоке атомов европия с давлением (1-7)·10-8 Торр.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после осаждения осуществляют отжиг пленки в вакууме в диапазоне температур T=500-560°C.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после осаждения при температуре подложки 340-380°C проводят отжиг пленки в вакууме в диапазоне температур T=490-520°C.
4. Способ по п. 2, отличающийся тем, что после осаждения при температуре подложки 340-380°C проводят отжиг пленки в вакууме в диапазоне температур T=490-520°C.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что осаждение при температуре подложки 340-380°C заканчивают по формировании слоя толщиной более 2 монослоев EuO на поверхности силицида европия.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ выращивания эпитаксиальной пленки монооксида европия EuO на кремниевой подложке, отличающийся тем, что путем молекулярно-пучковой эпитаксии формируют субмонослой силицида европия при температуре подложки T=640-680°C и давлении потока атомов европия (1-7)?10-8 Торр, после чего проводят осаждение монооксида европия при температуре подложки 340-380°C, давлении потока кислорода (0,2-3)·10-8 Торр и давлении потока атомов европия (1-4)·10-8 Торр, а затем - при температуре подложки 430-490°C и потоке кислорода с давлением (0,2-3)·10-8 Торр и потоке атомов европия с давлением (1-7)·10-8 Торр.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после осаждения осуществляют отжиг пленки в вакууме в диапазоне температур T=500-560°C.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после осаждения при температуре подложки 340-380°C проводят отжиг пленки в вакууме в диапазоне температур T=490-520°C.
4. Способ по п. 2, отличающийся тем, что после осаждения при температуре подложки 340-380°C проводят отжиг пленки в вакууме в диапазоне температур T=490-520°C.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что осаждение при температуре подложки 340-380°C заканчивают по формировании слоя толщиной более 2 монослоев EuO на поверхности силицида европия.
Основное назначение
1. Способ выращивания эпитаксиальной пленки монооксида европия EuO на кремниевой подложке, отличающийся тем, что путем молекулярно-пучковой эпитаксии формируют субмонослой силицида европия при температуре подложки T=640-680°C и давлении потока атомов европия (1-7)?10-8 Торр, после чего проводят осаждение монооксида европия при температуре подложки 340-380°C, давлении потока кислорода (0,2-3)·10-8 Торр и давлении потока атомов европия (1-4)·10-8 Торр, а затем - при температуре подложки 430-490°C и потоке кислорода с давлением (0,2-3)·10-8 Торр и потоке атомов европия с давлением (1-7)·10-8 Торр.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после осаждения осуществляют отжиг пленки в вакууме в диапазоне температур T=500-560°C.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после осаждения при температуре подложки 340-380°C проводят отжиг пленки в вакууме в диапазоне температур T=490-520°C.
4. Способ по п. 2, отличающийся тем, что после осаждения при температуре подложки 340-380°C проводят отжиг пленки в вакууме в диапазоне температур T=490-520°C.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что осаждение при температуре подложки 340-380°C заканчивают по формировании слоя толщиной более 2 монослоев EuO на поверхности силицида европия.
|
||
|
546
|
Патент 2620197
|
Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно новой фазы дисилицида стронция, обладающего в контакте с кремнием низкой высотой барьера Шоттки, и может быть использовано для создания контактов истока/стока в технологии производства полевых транзисторов с барьером Шоттки. Способ выращивания эпитаксиальных пленок дисилицида стронция на кремниевой подложке методом молекулярно-лучевой эпитаксии заключается в осаждении атомарного потока стронция с давлением PSr=(0,5?3)?10-8 Торр на предварительно очищенную и нагретую до Ts=500±20°С поверхность подложки кремния до формирования пленки дисилицида стронция требуемой толщины. Техническим результатом заявленного изобретения является создание технологии формирования эпитаксиальных пленок SrSi2 методом молекулярно-лучевой эпитаксии, ориентация которых определяется подложкой, что позволит выращивать пленки с различными заданными свойствами. 1. Способ выращивания эпитаксиальной пленки дисилицида стронция SrSi2 на кремниевой подложке методом молекулярно-лучевой эпитаксии, заключающийся в осаждении атомарного потока стронция с давлением PSr=(0,5?3)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки кремния, нагретую до Ts=500±20°C до формирования пленки дисилицида стронция требуемой толщины.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что кремний имеет ориентацию подложки Si(100).
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что кремний имеет ориентацию подложки Si(111).
Основное назначение
Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно новой фазы дисилицида стронция, обладающего в контакте с кремнием низкой высотой барьера Шоттки, и может быть использовано для создания контактов истока/стока в технологии производства полевых транзисторов с барьером Шоттки. Способ выращивания эпитаксиальных пленок дисилицида стронция на кремниевой подложке методом молекулярно-лучевой эпитаксии заключается в осаждении атомарного потока стронция с давлением PSr=(0,5?3)?10-8 Торр на предварительно очищенную и нагретую до Ts=500±20°С поверхность подложки кремния до формирования пленки дисилицида стронция требуемой толщины. Техническим результатом заявленного изобретения является создание технологии формирования эпитаксиальных пленок SrSi2 методом молекулярно-лучевой эпитаксии, ориентация которых определяется подложкой, что позволит выращивать пленки с различными заданными свойствами. 1. Способ выращивания эпитаксиальной пленки дисилицида стронция SrSi2 на кремниевой подложке методом молекулярно-лучевой эпитаксии, заключающийся в осаждении атомарного потока стронция с давлением PSr=(0,5?3)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки кремния, нагретую до Ts=500±20°C до формирования пленки дисилицида стронция требуемой толщины.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что кремний имеет ориентацию подложки Si(100).
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что кремний имеет ориентацию подложки Si(111).
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ выращивания эпитаксиальной пленки дисилицида стронция SrSi2 на кремниевой подложке методом молекулярно-лучевой эпитаксии, заключающийся в осаждении атомарного потока стронция с давлением PSr=(0,5?3)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки кремния, нагретую до Ts=500±20°C до формирования пленки дисилицида стронция требуемой толщины.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что кремний имеет ориентацию подложки Si(100).
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что кремний имеет ориентацию подложки Si(111).
Основное назначение
1. Способ выращивания эпитаксиальной пленки дисилицида стронция SrSi2 на кремниевой подложке методом молекулярно-лучевой эпитаксии, заключающийся в осаждении атомарного потока стронция с давлением PSr=(0,5?3)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки кремния, нагретую до Ts=500±20°C до формирования пленки дисилицида стронция требуемой толщины.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что кремний имеет ориентацию подложки Si(100).
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что кремний имеет ориентацию подложки Si(111).
|
||
|
547
|
Патент 2617959
|
Изобретение относится к области биотехнологии. Предложен способ выделения липидов для биодизеля из биомассы микроводоросли рода Chlorella. Способ включает гомогенизацию сухой биомассы микроводоросли измельчением, обработку смесью органических растворителей хлороформ-метанол или хлороформ-этанол в соотношении 1:2-2:1. Суспензию биомассы подвергают обработке ультразвуком с частотой 30-50 кГц в течение 5-20 минут и отделяют липиды. Изобретение обеспечивает повышение выхода целевого продукта. 1. Способ выделения липидов из биомассы микроводоросли рода Chlorella, заключающийся в том, что биомассу микроводоросли обрабатывают органическим растворителем и полученные липиды отделяют, при этом указанные операции проводят дважды с последующим объединением целевого продукта, отличающийся тем, что предварительно сухую биомассу микроводоросли с влагосодержанием не более 10% гомогенизируют измельчением, а после первой обработки биомассы органическим растворителем полученную суспензию биомассы обрабатывают ультразвуком.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку ультразвуком проводят с частотой 30-50 кГц в течение 5-20 минут.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве органического растворителя используют смесь хлороформ-метанол в соотношении 1:2-2:1.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве органического растворителя используют смесь хлороформ-этанол в соотношении 1:2-2:1.
Основное назначение
Изобретение относится к области биотехнологии. Предложен способ выделения липидов для биодизеля из биомассы микроводоросли рода Chlorella. Способ включает гомогенизацию сухой биомассы микроводоросли измельчением, обработку смесью органических растворителей хлороформ-метанол или хлороформ-этанол в соотношении 1:2-2:1. Суспензию биомассы подвергают обработке ультразвуком с частотой 30-50 кГц в течение 5-20 минут и отделяют липиды. Изобретение обеспечивает повышение выхода целевого продукта. 1. Способ выделения липидов из биомассы микроводоросли рода Chlorella, заключающийся в том, что биомассу микроводоросли обрабатывают органическим растворителем и полученные липиды отделяют, при этом указанные операции проводят дважды с последующим объединением целевого продукта, отличающийся тем, что предварительно сухую биомассу микроводоросли с влагосодержанием не более 10% гомогенизируют измельчением, а после первой обработки биомассы органическим растворителем полученную суспензию биомассы обрабатывают ультразвуком.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку ультразвуком проводят с частотой 30-50 кГц в течение 5-20 минут.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве органического растворителя используют смесь хлороформ-метанол в соотношении 1:2-2:1.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве органического растворителя используют смесь хлороформ-этанол в соотношении 1:2-2:1.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ выделения липидов из биомассы микроводоросли рода Chlorella, заключающийся в том, что биомассу микроводоросли обрабатывают органическим растворителем и полученные липиды отделяют, при этом указанные операции проводят дважды с последующим объединением целевого продукта, отличающийся тем, что предварительно сухую биомассу микроводоросли с влагосодержанием не более 10% гомогенизируют измельчением, а после первой обработки биомассы органическим растворителем полученную суспензию биомассы обрабатывают ультразвуком.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку ультразвуком проводят с частотой 30-50 кГц в течение 5-20 минут.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве органического растворителя используют смесь хлороформ-метанол в соотношении 1:2-2:1.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве органического растворителя используют смесь хлороформ-этанол в соотношении 1:2-2:1.
Основное назначение
1. Способ выделения липидов из биомассы микроводоросли рода Chlorella, заключающийся в том, что биомассу микроводоросли обрабатывают органическим растворителем и полученные липиды отделяют, при этом указанные операции проводят дважды с последующим объединением целевого продукта, отличающийся тем, что предварительно сухую биомассу микроводоросли с влагосодержанием не более 10% гомогенизируют измельчением, а после первой обработки биомассы органическим растворителем полученную суспензию биомассы обрабатывают ультразвуком.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку ультразвуком проводят с частотой 30-50 кГц в течение 5-20 минут.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве органического растворителя используют смесь хлороформ-метанол в соотношении 1:2-2:1.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве органического растворителя используют смесь хлороформ-этанол в соотношении 1:2-2:1.
|
||
|
548
|
Патент 2617766
|
Изобретение относится к области аналитической химии, нефтехимии, химии лаков и красок и предназначено для выделения вяжущего компонента из растворов битумных композиций, битумных эмульсий, битумных лаков, а также любых других смесей, содержащих в качестве вяжущего битумную составляющую и дальнейшего его анализа или использования. Способ выделения битумного вяжущего осуществляется из растворов и эмульсий, в которых весовое соотношение вяжущего компонента к растворителю составляет 1:0,3-10, а в качестве растворителя используется вода или углеводородный растворитель, имеющий температуру кипения не выше 300°С, либо их смесь. Способ включает первоначальную стадию отгона растворителя, последующую конденсацию растворителя и затем выделение и анализ битумного вяжущего, при этом отгон и конденсация растворителя осуществляется на роторно-пленочном испарителе при следующем поэтапном температурно-временном режиме: 1 ч с равномерным повышением температуры от 60 до 120°С (25 мм рт.ст.), 1 ч с равномерным повышением температуры от 120 до 160°С (25 мм рт.ст.), 2-4 ч при 160°С (1-5 мм рт.ст.). Способ позволяет проводить выделение вяжущих без изменения их свойств, измерять, исследовать и контролировать готовый продукт, взятый в необходимых количествах, на соответствие его действующим стандартам. 1. Способ выделения битумного вяжущего из растворов и эмульсий, в которых весовое соотношение вяжущего компонента к растворителю составляет 1:0,3-10, а в качестве растворителя используется углеводородный растворитель, имеющий температуру кипения не выше 300°С, либо его смесь с водой, либо вода, при этом процесс выделения включает первоначальную стадию отгона растворителя, последующую конденсацию растворителя и затем выделение и анализ битумного вяжущего, а стадии отгона и конденсации растворителя осуществляются на роторно-пленочном испарителе при следующем поэтапном температурно-временном режиме: 1 ч с равномерным повышением температуры от 60 до 120°С (25 мм рт.ст.), 1 ч с равномерным повышением температуры от 120 до 160°С (25 мм рт.ст.), 2-4 ч при 160°С (1-5 мм рт.ст.).
2. Способ по п.1, характеризующийся тем, что дополнительно включает стадию контрольного взвешивания выпарной емкости с анализируемым образцом до начала упаривания и стадию последовательного контрольного взвешивания выпарной емкости с анализируемым образцом после третьего часа упаривания, проводимые при комнатной температуре.
Основное назначение
Изобретение относится к области аналитической химии, нефтехимии, химии лаков и красок и предназначено для выделения вяжущего компонента из растворов битумных композиций, битумных эмульсий, битумных лаков, а также любых других смесей, содержащих в качестве вяжущего битумную составляющую и дальнейшего его анализа или использования. Способ выделения битумного вяжущего осуществляется из растворов и эмульсий, в которых весовое соотношение вяжущего компонента к растворителю составляет 1:0,3-10, а в качестве растворителя используется вода или углеводородный растворитель, имеющий температуру кипения не выше 300°С, либо их смесь. Способ включает первоначальную стадию отгона растворителя, последующую конденсацию растворителя и затем выделение и анализ битумного вяжущего, при этом отгон и конденсация растворителя осуществляется на роторно-пленочном испарителе при следующем поэтапном температурно-временном режиме: 1 ч с равномерным повышением температуры от 60 до 120°С (25 мм рт.ст.), 1 ч с равномерным повышением температуры от 120 до 160°С (25 мм рт.ст.), 2-4 ч при 160°С (1-5 мм рт.ст.). Способ позволяет проводить выделение вяжущих без изменения их свойств, измерять, исследовать и контролировать готовый продукт, взятый в необходимых количествах, на соответствие его действующим стандартам. 1. Способ выделения битумного вяжущего из растворов и эмульсий, в которых весовое соотношение вяжущего компонента к растворителю составляет 1:0,3-10, а в качестве растворителя используется углеводородный растворитель, имеющий температуру кипения не выше 300°С, либо его смесь с водой, либо вода, при этом процесс выделения включает первоначальную стадию отгона растворителя, последующую конденсацию растворителя и затем выделение и анализ битумного вяжущего, а стадии отгона и конденсации растворителя осуществляются на роторно-пленочном испарителе при следующем поэтапном температурно-временном режиме: 1 ч с равномерным повышением температуры от 60 до 120°С (25 мм рт.ст.), 1 ч с равномерным повышением температуры от 120 до 160°С (25 мм рт.ст.), 2-4 ч при 160°С (1-5 мм рт.ст.).
2. Способ по п.1, характеризующийся тем, что дополнительно включает стадию контрольного взвешивания выпарной емкости с анализируемым образцом до начала упаривания и стадию последовательного контрольного взвешивания выпарной емкости с анализируемым образцом после третьего часа упаривания, проводимые при комнатной температуре.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
|
1. Способ выделения битумного вяжущего из растворов и эмульсий, в которых весовое соотношение вяжущего компонента к растворителю составляет 1:0,3-10, а в качестве растворителя используется углеводородный растворитель, имеющий температуру кипения не выше 300°С, либо его смесь с водой, либо вода, при этом процесс выделения включает первоначальную стадию отгона растворителя, последующую конденсацию растворителя и затем выделение и анализ битумного вяжущего, а стадии отгона и конденсации растворителя осуществляются на роторно-пленочном испарителе при следующем поэтапном температурно-временном режиме: 1 ч с равномерным повышением температуры от 60 до 120°С (25 мм рт.ст.), 1 ч с равномерным повышением температуры от 120 до 160°С (25 мм рт.ст.), 2-4 ч при 160°С (1-5 мм рт.ст.).
2. Способ по п.1, характеризующийся тем, что дополнительно включает стадию контрольного взвешивания выпарной емкости с анализируемым образцом до начала упаривания и стадию последовательного контрольного взвешивания выпарной емкости с анализируемым образцом после третьего часа упаривания, проводимые при комнатной температуре.
Основное назначение
1. Способ выделения битумного вяжущего из растворов и эмульсий, в которых весовое соотношение вяжущего компонента к растворителю составляет 1:0,3-10, а в качестве растворителя используется углеводородный растворитель, имеющий температуру кипения не выше 300°С, либо его смесь с водой, либо вода, при этом процесс выделения включает первоначальную стадию отгона растворителя, последующую конденсацию растворителя и затем выделение и анализ битумного вяжущего, а стадии отгона и конденсации растворителя осуществляются на роторно-пленочном испарителе при следующем поэтапном температурно-временном режиме: 1 ч с равномерным повышением температуры от 60 до 120°С (25 мм рт.ст.), 1 ч с равномерным повышением температуры от 120 до 160°С (25 мм рт.ст.), 2-4 ч при 160°С (1-5 мм рт.ст.).
2. Способ по п.1, характеризующийся тем, что дополнительно включает стадию контрольного взвешивания выпарной емкости с анализируемым образцом до начала упаривания и стадию последовательного контрольного взвешивания выпарной емкости с анализируемым образцом после третьего часа упаривания, проводимые при комнатной температуре.
|
||
|
549
|
Патент 2702112
|
Изобретение относится к способу восстановления данных в атомно-зондовой томографии, в частности, относящихся к построению масс-спектров. Способ заключается в последовательном применении методики определения масс ионов по их времени пролета от исследуемого образца, на который подается постоянное напряжение, до позиционно чувствительного детектора, находящегося на определенном расстоянии от образца, и последующей корректировке длин пролета и вкладов напряжения для каждого зарегистрированного иона, которая заключается в последовательном разбиении общего массива данных на основании координат ионов, номеров их регистрации, и подаваемого в момент их регистрации напряжения, с дальнейшим вычислением корректируемых параметров, путем сравнения значений масс выбранных пиков масс-спектров для атомов в ячейке разбиения с теоретически известным положением. Технический результат - увеличение точности определения масс ионов, выражаемое в увеличении разрешения получаемого масс-спектра. 1. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии, заключающийся в использовании базового метода восстановления, основанного на принципах времяпролетной масс-спектрометрии с последующим дополнительным расчетом, включающий корректировку длин пролета ионов и корректировку вкладов напряжений, отличающийся тем, что последовательно проводят следующие этапы с использованием ЭВМ:
a) базовое восстановление масс путем расчета масс по времени пролета, напряжению, подаваемому на образец в момент испарения, и длине пролета, вычисляемой по координатам регистрации иона на детекторе,
b) первая корректировка длин пролета путем разбиения массива данных, полученных на этапе (а), на части, каждая из которых соответствует набору атомов, удовлетворяющему координатам ячейки квадратного разбиения, накладываемого на плоскость детектора, с последующим восстановлением масс-спектров в каждой ячейке разбиения, соотнесением положения выбранного пика и его теоретического положения и дальнейшим перерасчетом длины пролета с целью совмещения выбранного пика масс-спектра, в результате чего формируют двумерную матрицу поправок,
c) бикубическая интерполяция длин пролета с использованием двумерной матрицы поправок, вычисленной на этапе (b),
d) вторая корректировка длин пролета путем разбиения массива данных, восстановленных с применением полученных на этапе (с) длин пролета, на новые массивы, в каждом из которых содержатся атомы, соответствующие диапазону номеров событий согласно их регистрации на детекторе, последующего восстановления масс-спектра для каждого диапазона и перерасчета длины пролета с целью совмещения ранее выбранного пика с его теоретическим положением, в результате чего формируется одномерный линейный массив поправок, каждый элемент которого соответствует вычисленной поправке для соответствующего диапазона номеров,
e) линейная интерполяция длин пролета по одномерному линейному массиву поправок, вычисленному на этапе (d),
f) опциональная корректировка напряжений путем разбиения массива данных, восстановленных с применением полученных на этапе (е) длин пролета, на наборы, в каждом из которых содержатся атомы, соответствующие диапазону напряжений, последующего восстановления масс-спектра для каждого диапазона и последующего перерасчета напряжения с целью совмещения дополнительно выбранного пика с его теоретическим положением на масс-спектре, в результате чего формируется одномерный линейный массив поправок, каждый элемент которого соответствует вычисленной поправке для соответствующего диапазона напряжений,
g) линейная интерполяция напряжений по массиву поправок, вычисленному на этапе (f), восстановление и построение финального масс-спектра с восстановленными таким образом массами атомов.
2. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии по п. 1, отличающийся тем, что увеличение точности определения масс ионов, выражаемое в увеличении разрешения получаемого масс-спектра, достигается за счет последовательного разбиения общего массива данных на основании координат длин пролета ионов, номеров их регистрации, и подаваемого в момент их регистрации напряжения, с дальнейшим вычислением корректируемых параметров, путем сравнения значений масс выбранных пиков масс-спектров для атомов в ячейке разбиения с теоретически известным положением.
3. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии по любому из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что этапы (а)-(g) выполняются следующим образом:
а) с целью вычисления массы каждого регистрируемого атома проводится обработка полученных после исследования образца данных, касающихся массива значений координат на поверхности детектора X и Y, времен пролета Т, и напряжений, подаваемых на образец в момент регистрации иона U, при помощи базового метода восстановления масс по формуле 2:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000013-m.jpg
где m - масса иона, z - заряд иона, U - напряжение, подаваемое на образец, Т - время пролета иона, е - заряд электрона, mР - масса, соответствующая 1 а.е.м., L - длина траектории иона, вычисленная по формуле 3:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000014.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где X и Y - координаты регистрации иона на поверхности позиционно чувствительного детектора, D - расстояние от образца до детектора;
b) разбивка данных, полученных на этапе (а), на наборы по геометрическому положению места регистрации иона на плоскости детектора X, Y с помощью квадратной сетки, где наборы данных представляют собой последовательности указателей на атомы: {At1, At2, At3, … Atn}, где каждый атом - At1,2,3…n - структура, представляющая набор значений X, Y, М, где X, Y – координаты, соответствующие местоположению регистрации иона на позиционно-чувствительном детекторе, а М - его масса, координаты которых удовлетворяют координатам квадратной ячейки; при этом для каждого набора-ячейки, число событий в котором превышает 2000 атомов, строится масс-спектр, положение максимума основного пика отдельного элемента или изотопа сравнивается с его теоретическим положением в зоне поиска с допуском ±1 а.е.м при помощи алгоритма поиска максимума и дальнейшее вычисление поправки длины пролета ?L, основываясь на разнице значений массы к заряду теоретического и фактического положений пика отдельного элемента или изотопа, по формуле 4:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000015-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где М - фактическое положение максимума заданного пика, a Mth - теоретическое положение максимума данного пика; где полученные поправки образуют двумерную матрицу поправок, привязанных к координатам ячеек-разбиений,
c) интерполяция длин пролета атомов с помощью двумерной матрицы поправок, полученной на стадии (b), при помощи метода бикубической интерполяции на основании X, Y координат зарегистрированных атомов и последующий пересчет масс атомов по формуле (2) с включенной в L поправкой ?L так, что новое значение L равно сумме старого значения L и ?L, и построение нового масс-спектра и набора данных с удалением ячеек-разбиения, полученных на стадии (b);
d) разбиение полученных на этапе (с) данных по номеру регистрации атома на новые наборы данных, представляющие собой диапазоны в среднем по 5000 событий; где для каждого диапазона, как и на этапе (b), строится масс-спектр, который, в свою очередь, снова корректируется при помощи формулы (4) по основному пику отдельного элемента или изотопа, в результате чего получают линейный одномерный массив поправок;
e) полученный на этапе (d) линейный одномерный массив поправок используется как опорный для линейной интерполяции длин пролета, с пересчетом масс атомов по формуле (2) с включенной в L поправкой ?L так, что новое значение L равно сумме старого значения L и ?L, и построением нового масс-спектра с удалением диапазонов, полученных на стадии (d);
f) опциональная корректировка путем разбивки полученных после этапа (е) данных на диапазоны по напряжениям, где для каждого диапазона строятся масс-спектры положения максимума выбранного пика отдельного элемента или изотопа, которые снова сравниваются с теоретическим положением и последующая корректировка вклада напряжения https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000016-m.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) по формуле (5):
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000017-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
в результате чего получают линейный одномерный массив поправок;
g) линейная интерполяция показателей напряжений по опорным значениям, заданным вычисленными на стадии (f) поправками, где массы атомов пересчитываются по формуле (2) с включенной в U поправкой ?U так, что новое значение U равно сумме старого значения U и ?U, и построение финального масс-спектра.
Основное назначение
Изобретение относится к способу восстановления данных в атомно-зондовой томографии, в частности, относящихся к построению масс-спектров. Способ заключается в последовательном применении методики определения масс ионов по их времени пролета от исследуемого образца, на который подается постоянное напряжение, до позиционно чувствительного детектора, находящегося на определенном расстоянии от образца, и последующей корректировке длин пролета и вкладов напряжения для каждого зарегистрированного иона, которая заключается в последовательном разбиении общего массива данных на основании координат ионов, номеров их регистрации, и подаваемого в момент их регистрации напряжения, с дальнейшим вычислением корректируемых параметров, путем сравнения значений масс выбранных пиков масс-спектров для атомов в ячейке разбиения с теоретически известным положением. Технический результат - увеличение точности определения масс ионов, выражаемое в увеличении разрешения получаемого масс-спектра. 1. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии, заключающийся в использовании базового метода восстановления, основанного на принципах времяпролетной масс-спектрометрии с последующим дополнительным расчетом, включающий корректировку длин пролета ионов и корректировку вкладов напряжений, отличающийся тем, что последовательно проводят следующие этапы с использованием ЭВМ:
a) базовое восстановление масс путем расчета масс по времени пролета, напряжению, подаваемому на образец в момент испарения, и длине пролета, вычисляемой по координатам регистрации иона на детекторе,
b) первая корректировка длин пролета путем разбиения массива данных, полученных на этапе (а), на части, каждая из которых соответствует набору атомов, удовлетворяющему координатам ячейки квадратного разбиения, накладываемого на плоскость детектора, с последующим восстановлением масс-спектров в каждой ячейке разбиения, соотнесением положения выбранного пика и его теоретического положения и дальнейшим перерасчетом длины пролета с целью совмещения выбранного пика масс-спектра, в результате чего формируют двумерную матрицу поправок,
c) бикубическая интерполяция длин пролета с использованием двумерной матрицы поправок, вычисленной на этапе (b),
d) вторая корректировка длин пролета путем разбиения массива данных, восстановленных с применением полученных на этапе (с) длин пролета, на новые массивы, в каждом из которых содержатся атомы, соответствующие диапазону номеров событий согласно их регистрации на детекторе, последующего восстановления масс-спектра для каждого диапазона и перерасчета длины пролета с целью совмещения ранее выбранного пика с его теоретическим положением, в результате чего формируется одномерный линейный массив поправок, каждый элемент которого соответствует вычисленной поправке для соответствующего диапазона номеров,
e) линейная интерполяция длин пролета по одномерному линейному массиву поправок, вычисленному на этапе (d),
f) опциональная корректировка напряжений путем разбиения массива данных, восстановленных с применением полученных на этапе (е) длин пролета, на наборы, в каждом из которых содержатся атомы, соответствующие диапазону напряжений, последующего восстановления масс-спектра для каждого диапазона и последующего перерасчета напряжения с целью совмещения дополнительно выбранного пика с его теоретическим положением на масс-спектре, в результате чего формируется одномерный линейный массив поправок, каждый элемент которого соответствует вычисленной поправке для соответствующего диапазона напряжений,
g) линейная интерполяция напряжений по массиву поправок, вычисленному на этапе (f), восстановление и построение финального масс-спектра с восстановленными таким образом массами атомов.
2. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии по п. 1, отличающийся тем, что увеличение точности определения масс ионов, выражаемое в увеличении разрешения получаемого масс-спектра, достигается за счет последовательного разбиения общего массива данных на основании координат длин пролета ионов, номеров их регистрации, и подаваемого в момент их регистрации напряжения, с дальнейшим вычислением корректируемых параметров, путем сравнения значений масс выбранных пиков масс-спектров для атомов в ячейке разбиения с теоретически известным положением.
3. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии по любому из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что этапы (а)-(g) выполняются следующим образом:
а) с целью вычисления массы каждого регистрируемого атома проводится обработка полученных после исследования образца данных, касающихся массива значений координат на поверхности детектора X и Y, времен пролета Т, и напряжений, подаваемых на образец в момент регистрации иона U, при помощи базового метода восстановления масс по формуле 2:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000013-m.jpg
где m - масса иона, z - заряд иона, U - напряжение, подаваемое на образец, Т - время пролета иона, е - заряд электрона, mР - масса, соответствующая 1 а.е.м., L - длина траектории иона, вычисленная по формуле 3:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000014.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где X и Y - координаты регистрации иона на поверхности позиционно чувствительного детектора, D - расстояние от образца до детектора;
b) разбивка данных, полученных на этапе (а), на наборы по геометрическому положению места регистрации иона на плоскости детектора X, Y с помощью квадратной сетки, где наборы данных представляют собой последовательности указателей на атомы: {At1, At2, At3, … Atn}, где каждый атом - At1,2,3…n - структура, представляющая набор значений X, Y, М, где X, Y – координаты, соответствующие местоположению регистрации иона на позиционно-чувствительном детекторе, а М - его масса, координаты которых удовлетворяют координатам квадратной ячейки; при этом для каждого набора-ячейки, число событий в котором превышает 2000 атомов, строится масс-спектр, положение максимума основного пика отдельного элемента или изотопа сравнивается с его теоретическим положением в зоне поиска с допуском ±1 а.е.м при помощи алгоритма поиска максимума и дальнейшее вычисление поправки длины пролета ?L, основываясь на разнице значений массы к заряду теоретического и фактического положений пика отдельного элемента или изотопа, по формуле 4:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000015-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где М - фактическое положение максимума заданного пика, a Mth - теоретическое положение максимума данного пика; где полученные поправки образуют двумерную матрицу поправок, привязанных к координатам ячеек-разбиений,
c) интерполяция длин пролета атомов с помощью двумерной матрицы поправок, полученной на стадии (b), при помощи метода бикубической интерполяции на основании X, Y координат зарегистрированных атомов и последующий пересчет масс атомов по формуле (2) с включенной в L поправкой ?L так, что новое значение L равно сумме старого значения L и ?L, и построение нового масс-спектра и набора данных с удалением ячеек-разбиения, полученных на стадии (b);
d) разбиение полученных на этапе (с) данных по номеру регистрации атома на новые наборы данных, представляющие собой диапазоны в среднем по 5000 событий; где для каждого диапазона, как и на этапе (b), строится масс-спектр, который, в свою очередь, снова корректируется при помощи формулы (4) по основному пику отдельного элемента или изотопа, в результате чего получают линейный одномерный массив поправок;
e) полученный на этапе (d) линейный одномерный массив поправок используется как опорный для линейной интерполяции длин пролета, с пересчетом масс атомов по формуле (2) с включенной в L поправкой ?L так, что новое значение L равно сумме старого значения L и ?L, и построением нового масс-спектра с удалением диапазонов, полученных на стадии (d);
f) опциональная корректировка путем разбивки полученных после этапа (е) данных на диапазоны по напряжениям, где для каждого диапазона строятся масс-спектры положения максимума выбранного пика отдельного элемента или изотопа, которые снова сравниваются с теоретическим положением и последующая корректировка вклада напряжения https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000016-m.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) по формуле (5):
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000017-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
в результате чего получают линейный одномерный массив поправок;
g) линейная интерполяция показателей напряжений по опорным значениям, заданным вычисленными на стадии (f) поправками, где массы атомов пересчитываются по формуле (2) с включенной в U поправкой ?U так, что новое значение U равно сумме старого значения U и ?U, и построение финального масс-спектра.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии, заключающийся в использовании базового метода восстановления, основанного на принципах времяпролетной масс-спектрометрии с последующим дополнительным расчетом, включающий корректировку длин пролета ионов и корректировку вкладов напряжений, отличающийся тем, что последовательно проводят следующие этапы с использованием ЭВМ:
a) базовое восстановление масс путем расчета масс по времени пролета, напряжению, подаваемому на образец в момент испарения, и длине пролета, вычисляемой по координатам регистрации иона на детекторе,
b) первая корректировка длин пролета путем разбиения массива данных, полученных на этапе (а), на части, каждая из которых соответствует набору атомов, удовлетворяющему координатам ячейки квадратного разбиения, накладываемого на плоскость детектора, с последующим восстановлением масс-спектров в каждой ячейке разбиения, соотнесением положения выбранного пика и его теоретического положения и дальнейшим перерасчетом длины пролета с целью совмещения выбранного пика масс-спектра, в результате чего формируют двумерную матрицу поправок,
c) бикубическая интерполяция длин пролета с использованием двумерной матрицы поправок, вычисленной на этапе (b),
d) вторая корректировка длин пролета путем разбиения массива данных, восстановленных с применением полученных на этапе (с) длин пролета, на новые массивы, в каждом из которых содержатся атомы, соответствующие диапазону номеров событий согласно их регистрации на детекторе, последующего восстановления масс-спектра для каждого диапазона и перерасчета длины пролета с целью совмещения ранее выбранного пика с его теоретическим положением, в результате чего формируется одномерный линейный массив поправок, каждый элемент которого соответствует вычисленной поправке для соответствующего диапазона номеров,
e) линейная интерполяция длин пролета по одномерному линейному массиву поправок, вычисленному на этапе (d),
f) опциональная корректировка напряжений путем разбиения массива данных, восстановленных с применением полученных на этапе (е) длин пролета, на наборы, в каждом из которых содержатся атомы, соответствующие диапазону напряжений, последующего восстановления масс-спектра для каждого диапазона и последующего перерасчета напряжения с целью совмещения дополнительно выбранного пика с его теоретическим положением на масс-спектре, в результате чего формируется одномерный линейный массив поправок, каждый элемент которого соответствует вычисленной поправке для соответствующего диапазона напряжений,
g) линейная интерполяция напряжений по массиву поправок, вычисленному на этапе (f), восстановление и построение финального масс-спектра с восстановленными таким образом массами атомов.
2. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии по п. 1, отличающийся тем, что увеличение точности определения масс ионов, выражаемое в увеличении разрешения получаемого масс-спектра, достигается за счет последовательного разбиения общего массива данных на основании координат длин пролета ионов, номеров их регистрации, и подаваемого в момент их регистрации напряжения, с дальнейшим вычислением корректируемых параметров, путем сравнения значений масс выбранных пиков масс-спектров для атомов в ячейке разбиения с теоретически известным положением.
3. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии по любому из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что этапы (а)-(g) выполняются следующим образом:
а) с целью вычисления массы каждого регистрируемого атома проводится обработка полученных после исследования образца данных, касающихся массива значений координат на поверхности детектора X и Y, времен пролета Т, и напряжений, подаваемых на образец в момент регистрации иона U, при помощи базового метода восстановления масс по формуле 2:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000013-m.jpg
где m - масса иона, z - заряд иона, U - напряжение, подаваемое на образец, Т - время пролета иона, е - заряд электрона, mР - масса, соответствующая 1 а.е.м., L - длина траектории иона, вычисленная по формуле 3:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000014.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где X и Y - координаты регистрации иона на поверхности позиционно чувствительного детектора, D - расстояние от образца до детектора;
b) разбивка данных, полученных на этапе (а), на наборы по геометрическому положению места регистрации иона на плоскости детектора X, Y с помощью квадратной сетки, где наборы данных представляют собой последовательности указателей на атомы: {At1, At2, At3, … Atn}, где каждый атом - At1,2,3…n - структура, представляющая набор значений X, Y, М, где X, Y – координаты, соответствующие местоположению регистрации иона на позиционно-чувствительном детекторе, а М - его масса, координаты которых удовлетворяют координатам квадратной ячейки; при этом для каждого набора-ячейки, число событий в котором превышает 2000 атомов, строится масс-спектр, положение максимума основного пика отдельного элемента или изотопа сравнивается с его теоретическим положением в зоне поиска с допуском ±1 а.е.м при помощи алгоритма поиска максимума и дальнейшее вычисление поправки длины пролета ?L, основываясь на разнице значений массы к заряду теоретического и фактического положений пика отдельного элемента или изотопа, по формуле 4:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000015-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где М - фактическое положение максимума заданного пика, a Mth - теоретическое положение максимума данного пика; где полученные поправки образуют двумерную матрицу поправок, привязанных к координатам ячеек-разбиений,
c) интерполяция длин пролета атомов с помощью двумерной матрицы поправок, полученной на стадии (b), при помощи метода бикубической интерполяции на основании X, Y координат зарегистрированных атомов и последующий пересчет масс атомов по формуле (2) с включенной в L поправкой ?L так, что новое значение L равно сумме старого значения L и ?L, и построение нового масс-спектра и набора данных с удалением ячеек-разбиения, полученных на стадии (b);
d) разбиение полученных на этапе (с) данных по номеру регистрации атома на новые наборы данных, представляющие собой диапазоны в среднем по 5000 событий; где для каждого диапазона, как и на этапе (b), строится масс-спектр, который, в свою очередь, снова корректируется при помощи формулы (4) по основному пику отдельного элемента или изотопа, в результате чего получают линейный одномерный массив поправок;
e) полученный на этапе (d) линейный одномерный массив поправок используется как опорный для линейной интерполяции длин пролета, с пересчетом масс атомов по формуле (2) с включенной в L поправкой ?L так, что новое значение L равно сумме старого значения L и ?L, и построением нового масс-спектра с удалением диапазонов, полученных на стадии (d);
f) опциональная корректировка путем разбивки полученных после этапа (е) данных на диапазоны по напряжениям, где для каждого диапазона строятся масс-спектры положения максимума выбранного пика отдельного элемента или изотопа, которые снова сравниваются с теоретическим положением и последующая корректировка вклада напряжения https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000016-m.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) по формуле (5):
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000017-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
в результате чего получают линейный одномерный массив поправок;
g) линейная интерполяция показателей напряжений по опорным значениям, заданным вычисленными на стадии (f) поправками, где массы атомов пересчитываются по формуле (2) с включенной в U поправкой ?U так, что новое значение U равно сумме старого значения U и ?U, и построение финального масс-спектра.
Основное назначение
1. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии, заключающийся в использовании базового метода восстановления, основанного на принципах времяпролетной масс-спектрометрии с последующим дополнительным расчетом, включающий корректировку длин пролета ионов и корректировку вкладов напряжений, отличающийся тем, что последовательно проводят следующие этапы с использованием ЭВМ:
a) базовое восстановление масс путем расчета масс по времени пролета, напряжению, подаваемому на образец в момент испарения, и длине пролета, вычисляемой по координатам регистрации иона на детекторе,
b) первая корректировка длин пролета путем разбиения массива данных, полученных на этапе (а), на части, каждая из которых соответствует набору атомов, удовлетворяющему координатам ячейки квадратного разбиения, накладываемого на плоскость детектора, с последующим восстановлением масс-спектров в каждой ячейке разбиения, соотнесением положения выбранного пика и его теоретического положения и дальнейшим перерасчетом длины пролета с целью совмещения выбранного пика масс-спектра, в результате чего формируют двумерную матрицу поправок,
c) бикубическая интерполяция длин пролета с использованием двумерной матрицы поправок, вычисленной на этапе (b),
d) вторая корректировка длин пролета путем разбиения массива данных, восстановленных с применением полученных на этапе (с) длин пролета, на новые массивы, в каждом из которых содержатся атомы, соответствующие диапазону номеров событий согласно их регистрации на детекторе, последующего восстановления масс-спектра для каждого диапазона и перерасчета длины пролета с целью совмещения ранее выбранного пика с его теоретическим положением, в результате чего формируется одномерный линейный массив поправок, каждый элемент которого соответствует вычисленной поправке для соответствующего диапазона номеров,
e) линейная интерполяция длин пролета по одномерному линейному массиву поправок, вычисленному на этапе (d),
f) опциональная корректировка напряжений путем разбиения массива данных, восстановленных с применением полученных на этапе (е) длин пролета, на наборы, в каждом из которых содержатся атомы, соответствующие диапазону напряжений, последующего восстановления масс-спектра для каждого диапазона и последующего перерасчета напряжения с целью совмещения дополнительно выбранного пика с его теоретическим положением на масс-спектре, в результате чего формируется одномерный линейный массив поправок, каждый элемент которого соответствует вычисленной поправке для соответствующего диапазона напряжений,
g) линейная интерполяция напряжений по массиву поправок, вычисленному на этапе (f), восстановление и построение финального масс-спектра с восстановленными таким образом массами атомов.
2. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии по п. 1, отличающийся тем, что увеличение точности определения масс ионов, выражаемое в увеличении разрешения получаемого масс-спектра, достигается за счет последовательного разбиения общего массива данных на основании координат длин пролета ионов, номеров их регистрации, и подаваемого в момент их регистрации напряжения, с дальнейшим вычислением корректируемых параметров, путем сравнения значений масс выбранных пиков масс-спектров для атомов в ячейке разбиения с теоретически известным положением.
3. Способ восстановления масс атомов для атомно-зондовой томографии по любому из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что этапы (а)-(g) выполняются следующим образом:
а) с целью вычисления массы каждого регистрируемого атома проводится обработка полученных после исследования образца данных, касающихся массива значений координат на поверхности детектора X и Y, времен пролета Т, и напряжений, подаваемых на образец в момент регистрации иона U, при помощи базового метода восстановления масс по формуле 2:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000013-m.jpg
где m - масса иона, z - заряд иона, U - напряжение, подаваемое на образец, Т - время пролета иона, е - заряд электрона, mР - масса, соответствующая 1 а.е.м., L - длина траектории иона, вычисленная по формуле 3:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000014.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где X и Y - координаты регистрации иона на поверхности позиционно чувствительного детектора, D - расстояние от образца до детектора;
b) разбивка данных, полученных на этапе (а), на наборы по геометрическому положению места регистрации иона на плоскости детектора X, Y с помощью квадратной сетки, где наборы данных представляют собой последовательности указателей на атомы: {At1, At2, At3, … Atn}, где каждый атом - At1,2,3…n - структура, представляющая набор значений X, Y, М, где X, Y – координаты, соответствующие местоположению регистрации иона на позиционно-чувствительном детекторе, а М - его масса, координаты которых удовлетворяют координатам квадратной ячейки; при этом для каждого набора-ячейки, число событий в котором превышает 2000 атомов, строится масс-спектр, положение максимума основного пика отдельного элемента или изотопа сравнивается с его теоретическим положением в зоне поиска с допуском ±1 а.е.м при помощи алгоритма поиска максимума и дальнейшее вычисление поправки длины пролета ?L, основываясь на разнице значений массы к заряду теоретического и фактического положений пика отдельного элемента или изотопа, по формуле 4:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000015-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где М - фактическое положение максимума заданного пика, a Mth - теоретическое положение максимума данного пика; где полученные поправки образуют двумерную матрицу поправок, привязанных к координатам ячеек-разбиений,
c) интерполяция длин пролета атомов с помощью двумерной матрицы поправок, полученной на стадии (b), при помощи метода бикубической интерполяции на основании X, Y координат зарегистрированных атомов и последующий пересчет масс атомов по формуле (2) с включенной в L поправкой ?L так, что новое значение L равно сумме старого значения L и ?L, и построение нового масс-спектра и набора данных с удалением ячеек-разбиения, полученных на стадии (b);
d) разбиение полученных на этапе (с) данных по номеру регистрации атома на новые наборы данных, представляющие собой диапазоны в среднем по 5000 событий; где для каждого диапазона, как и на этапе (b), строится масс-спектр, который, в свою очередь, снова корректируется при помощи формулы (4) по основному пику отдельного элемента или изотопа, в результате чего получают линейный одномерный массив поправок;
e) полученный на этапе (d) линейный одномерный массив поправок используется как опорный для линейной интерполяции длин пролета, с пересчетом масс атомов по формуле (2) с включенной в L поправкой ?L так, что новое значение L равно сумме старого значения L и ?L, и построением нового масс-спектра с удалением диапазонов, полученных на стадии (d);
f) опциональная корректировка путем разбивки полученных после этапа (е) данных на диапазоны по напряжениям, где для каждого диапазона строятся масс-спектры положения максимума выбранного пика отдельного элемента или изотопа, которые снова сравниваются с теоретическим положением и последующая корректировка вклада напряжения https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000016-m.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) по формуле (5):
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2019.10.04/RUNWC1/000/000/002/702/112/ИЗ-02702112-00001/00000017-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
в результате чего получают линейный одномерный массив поправок;
g) линейная интерполяция показателей напряжений по опорным значениям, заданным вычисленными на стадии (f) поправками, где массы атомов пересчитываются по формуле (2) с включенной в U поправкой ?U так, что новое значение U равно сумме старого значения U и ?U, и построение финального масс-спектра.
|
||
|
550
|
Патент 2843894
|
Использование: для изготовления интегральных схем, приборов микро и наноэлектроники на основе кремния и других полупроводников. Сущность изобретения заключается в том, что способ атомно-слоевого травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, реализуемый на оборудовании для плазмохимического травления микроэлектронных структур, оснащенном удаленным ВЧ-источником сильно ионизованной плазмы низкого давления с генератором с частотой в диапазоне 1-50 МГц и независимым генератором ВЧ-смещения, позволяющим подавать на обрабатываемую кремниевую пластину потенциал смещения в диапазоне 20-200 В при температуре пластины +10 - +50°С, представляющий собой циклический двухшаговый процесс, в котором выполняют последовательно два шага: шаг модификации поверхности диэлектрика, в плазме смеси газов CF4, Н2 и Ar при давлении в камере реактора 1-100 мТорр и шаг активации реакции на поверхности диэлектрика, при этом на шаге активации реакции применяют плазму ксенона. Технический результат: обеспечение возможности анизотропного травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью с высокой точностью. 1. Способ атомно-слоевого травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, реализуемый на оборудовании для плазмохимического травления микроэлектронных структур, оснащенном удаленным ВЧ-источником сильно ионизованной плазмы низкого давления с генератором с частотой в диапазоне 1-50 МГц и независимым генератором ВЧ-смещения, позволяющим подавать на обрабатываемую кремниевую пластину потенциал смещения в диапазоне 20-200 В при температуре пластины +10 - +50°С, представляющий собой циклический двухшаговый процесс, в котором выполняют последовательно два шага: шаг модификации поверхности диэлектрика, в плазме смеси газов CF4, Н2 и Ar при давлении в камере реактора 1-100 мТорр и шаг активации реакции на поверхности диэлектрика, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму ксенона.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму смеси ксенона и аргона, обеспечивающую минимизацию паразитного распыления диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью в процессе атомно-слоевого травления.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что между шагами циклического процесса добавляют шаг продувки камеры реактора смесью ксенона и аргона длительностью от 0,5 до 30 с, что обеспечивает повышение синергии процессов на шагах модификации поверхности диэлектрика и активации реакции.
Основное назначение
Использование: для изготовления интегральных схем, приборов микро и наноэлектроники на основе кремния и других полупроводников. Сущность изобретения заключается в том, что способ атомно-слоевого травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, реализуемый на оборудовании для плазмохимического травления микроэлектронных структур, оснащенном удаленным ВЧ-источником сильно ионизованной плазмы низкого давления с генератором с частотой в диапазоне 1-50 МГц и независимым генератором ВЧ-смещения, позволяющим подавать на обрабатываемую кремниевую пластину потенциал смещения в диапазоне 20-200 В при температуре пластины +10 - +50°С, представляющий собой циклический двухшаговый процесс, в котором выполняют последовательно два шага: шаг модификации поверхности диэлектрика, в плазме смеси газов CF4, Н2 и Ar при давлении в камере реактора 1-100 мТорр и шаг активации реакции на поверхности диэлектрика, при этом на шаге активации реакции применяют плазму ксенона. Технический результат: обеспечение возможности анизотропного травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью с высокой точностью. 1. Способ атомно-слоевого травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, реализуемый на оборудовании для плазмохимического травления микроэлектронных структур, оснащенном удаленным ВЧ-источником сильно ионизованной плазмы низкого давления с генератором с частотой в диапазоне 1-50 МГц и независимым генератором ВЧ-смещения, позволяющим подавать на обрабатываемую кремниевую пластину потенциал смещения в диапазоне 20-200 В при температуре пластины +10 - +50°С, представляющий собой циклический двухшаговый процесс, в котором выполняют последовательно два шага: шаг модификации поверхности диэлектрика, в плазме смеси газов CF4, Н2 и Ar при давлении в камере реактора 1-100 мТорр и шаг активации реакции на поверхности диэлектрика, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму ксенона.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму смеси ксенона и аргона, обеспечивающую минимизацию паразитного распыления диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью в процессе атомно-слоевого травления.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что между шагами циклического процесса добавляют шаг продувки камеры реактора смесью ксенона и аргона длительностью от 0,5 до 30 с, что обеспечивает повышение синергии процессов на шагах модификации поверхности диэлектрика и активации реакции.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ атомно-слоевого травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, реализуемый на оборудовании для плазмохимического травления микроэлектронных структур, оснащенном удаленным ВЧ-источником сильно ионизованной плазмы низкого давления с генератором с частотой в диапазоне 1-50 МГц и независимым генератором ВЧ-смещения, позволяющим подавать на обрабатываемую кремниевую пластину потенциал смещения в диапазоне 20-200 В при температуре пластины +10 - +50°С, представляющий собой циклический двухшаговый процесс, в котором выполняют последовательно два шага: шаг модификации поверхности диэлектрика, в плазме смеси газов CF4, Н2 и Ar при давлении в камере реактора 1-100 мТорр и шаг активации реакции на поверхности диэлектрика, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму ксенона.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму смеси ксенона и аргона, обеспечивающую минимизацию паразитного распыления диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью в процессе атомно-слоевого травления.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что между шагами циклического процесса добавляют шаг продувки камеры реактора смесью ксенона и аргона длительностью от 0,5 до 30 с, что обеспечивает повышение синергии процессов на шагах модификации поверхности диэлектрика и активации реакции.
Основное назначение
1. Способ атомно-слоевого травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, реализуемый на оборудовании для плазмохимического травления микроэлектронных структур, оснащенном удаленным ВЧ-источником сильно ионизованной плазмы низкого давления с генератором с частотой в диапазоне 1-50 МГц и независимым генератором ВЧ-смещения, позволяющим подавать на обрабатываемую кремниевую пластину потенциал смещения в диапазоне 20-200 В при температуре пластины +10 - +50°С, представляющий собой циклический двухшаговый процесс, в котором выполняют последовательно два шага: шаг модификации поверхности диэлектрика, в плазме смеси газов CF4, Н2 и Ar при давлении в камере реактора 1-100 мТорр и шаг активации реакции на поверхности диэлектрика, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму ксенона.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на шаге активации реакции применяют плазму смеси ксенона и аргона, обеспечивающую минимизацию паразитного распыления диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью в процессе атомно-слоевого травления.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что между шагами циклического процесса добавляют шаг продувки камеры реактора смесью ксенона и аргона длительностью от 0,5 до 30 с, что обеспечивает повышение синергии процессов на шагах модификации поверхности диэлектрика и активации реакции.
|
||